CN214477429U - 一种新型qfn/dfn封装结构 - Google Patents

一种新型qfn/dfn封装结构 Download PDF

Info

Publication number
CN214477429U
CN214477429U CN202120650265.1U CN202120650265U CN214477429U CN 214477429 U CN214477429 U CN 214477429U CN 202120650265 U CN202120650265 U CN 202120650265U CN 214477429 U CN214477429 U CN 214477429U
Authority
CN
China
Prior art keywords
package
dfn
qfn
metal crate
hole
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202120650265.1U
Other languages
English (en)
Inventor
马强
刘长春
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Innogration Suzhou Co ltd
Original Assignee
Innogration Suzhou Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Innogration Suzhou Co ltd filed Critical Innogration Suzhou Co ltd
Priority to CN202120650265.1U priority Critical patent/CN214477429U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN214477429U publication Critical patent/CN214477429U/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

本实用新型公开了一种新型 QFN/DFN 封装结构,包括预塑封基板和塑料空腔罩盖,所述预塑封基板包括金属框架和塑封料,所述金属框架分层设置,上层金属框架设置有芯片贴片焊盘和焊线键合焊盘,下层金属框架设置有接地焊盘和电路焊接管脚,所述塑料空腔罩盖设置有泄气孔,所述泄气孔封装完成后进行填堵。结合了 QFN 封装和 DFN 封装两种封装模式的优点,制造成本低,生产效率高,耗损低,可靠性高。

Description

一种新型QFN/DFN封装结构
技术领域
本实用新型涉及一种电子封装结构,具体地涉及一种新型QFN/DFN封装结构,尤其可以适用于射频器件的封装。
背景技术
DFN/QFN平台是最新的表面贴装封装技术。DFN/QFN封装可以让一个或多个半导体器件在无铅封装内连接。DFN封装即双侧引脚扁平封装是SOP 的别称。QFN封装四侧无引脚扁平封装,现在多称为LCC。
现有射频器件行业内所使用的QFN或DFN封装都是全塑封或陶瓷空腔模式。全塑封封装的制造成本低,但是会有不耐高温、材料间分层等问题;另外塑封料寄生参数大,影响射频性能问题。陶瓷空腔封装虽然耐温性、稳定性好和不会分层,射频性能也不受影响,但是有制作成本高和生产效率低的问题。以目前现有的这两种封装模式,都无法满足我们所需要的低成本、高效率、低耗损、高可靠性的目标。
实用新型内容
针对上述存在的技术问题,本实用新型目的在于提供一种新型QFN/DFN封装结构,结合了QFN封装和DFN封装两种封装模式的优点,制造成本低,生产效率高,耗损低,可靠性高。
为了解决现有技术中的这些问题,本实用新型提供的技术方案是:
一种新型QFN/DFN封装结构,包括预塑封基板和塑料空腔罩盖,所述预塑封基板包括金属框架和塑封料,所述金属框架分层设置,上层金属框架设置有芯片贴片焊盘和焊线键合焊盘,下层金属框架设置有接地焊盘和电路焊接管脚,所述塑料空腔罩盖设置有泄气孔,所述泄气孔封装完成后进行填堵。
优选的技术方案中,所述泄气孔设置于边角处。
优选的技术方案中,所述泄气孔为漏斗状。
优选的技术方案中,所述泄气孔的表面周边设置有多层圆孔,所述圆孔之间通过斜坡连接。
优选的技术方案中,所述漏斗状的中部设置有至少一层台阶。
优选的技术方案中,所述焊线键合焊盘间设置有结构强度加强筋。
优选的技术方案中,多个预塑封基板排布组合成一片预塑封引线框架,所述预塑封引线框架设置有应力释放槽、定位识别孔、方向识别标志和产品相关信息。
相对于现有技术中的方案,本实用新型的优点是:
该新型封装结构结合了QFN封装和DFN封装两种封装模式的优点,制造成本低,生产效率高,耗损低,可靠性高。
塑料空腔罩盖的边角处有一泄气孔,泄气孔由有几层不同直径的圆孔和斜坡组成,形成有台阶的漏斗状造型,斜坡的作用是帮助环氧胶水顺畅均匀的铺展并填满泄气孔,圆孔的作用是阻止环氧胶水在长时间固化过程中流动过快都滑落下去而导致封堵失效。
附图说明
下面结合附图及实施例对本实用新型作进一步描述:
图1为新型QFN/DFN封装结构的结构示意图;
图2为本实用新型预塑封基板的结构示意图;
图3为本实用新型上层金属框架的结构示意图;
图4为本实用新型下层金属框架的结构示意图;
图5为本实用新型预塑封引线框架的结构示意图;
图6为本实用新型塑料空腔罩盖的泄气孔部分的局部放大俯视图;
图7为本实用新型塑料空腔罩盖的泄气孔部分的局部放大剖视图。
具体实施方式
以下结合具体实施例对上述方案做进一步说明。应理解,这些实施例是用于说明本实用新型而不限于限制本实用新型的范围。实施例中采用的实施条件可以根据具体厂家的条件做进一步调整,未注明的实施条件通常为常规实验中的条件。
实施例:
如图1所示,一种新型QFN/DFN封装结构,包括预塑封基板50和塑料空腔罩盖60,预塑封基板50和塑料空腔罩盖60通过环氧胶水70密封起来。
当然这里也可以采用其他的材料进行密封,这里不做限定。
预塑封基板50较佳的外形长宽尺寸为11mm*10mm,但不局限与此,可以根据实际应用需求做更改,比如10mm*6mm、10mm*10mm、12mm*12mm…等等。
预塑封基板50是指在封装前,先对引线框架进行塑封。
一较佳的实施例中,如图2所示,预塑封基板50包括金属框架1和塑封料2,塑封料2一般为塑料。金属框架1分层设置,可以分为上下两层,当然也可以分为多层,这里不做限定。
如图3所示,上层金属框架111设置有芯片贴片焊盘3和焊线键合焊盘4。
如图4所示,下层金属框架112设置有接地焊盘6和电路焊接管脚7。
一较佳的实施例中,为了增加结构的强度,焊线键合焊盘4间设置有结构强度加强筋5。
塑料空腔罩盖60设置有泄气孔12,泄气孔12封装完成后进行填堵。泄气孔12用于初期封盖高温固化时腔体内部空气自由排出,预防气体膨胀导致的盖子移动或倾斜问题发生。
需要说明的是:金属框架1的材质选择必须要考虑预塑封塑料和后续封装用芯片材质的膨胀系数,要求尽量匹配,具体视实际应用情况做变更。
金属框架1的厚度最好为0.5mm, 但不局限与此,可以根据实际产品需求和工厂生产能力进行调整。
一较佳的实施例中,为了便于自动化生产可以将预塑封基板50通过整列排布组合的方式做成一整片的预塑封引线框架80,在最终封盖工序完成后再进行切割分离。预塑封引线框架80一可行的结构如图5所示,预塑封引线框架80包括应力释放槽8、定位识别孔9、方向识别标志10和产品相关信息11。预塑封基板50间设置有应力释放槽8,定位识别孔9和产品相关信息11设置在预塑封引线框架80的周边,方向识别标志10设置在预塑封基板50上和预塑封引线框架80的周边。
一较佳的实施例中,塑料空腔罩盖60是“凹”字形结构,即内部有一空腔,正面边角处有一泄气孔12。当然也可以设置在中部或者多个,这里不做具体限定。泄气孔12用于最终使用环氧胶水70堵孔密封,使产品形成一个密封的空腔形态。
泄气孔12当然也可以采用其他的材料进行填堵,这里不做限定。
一较佳的实施例中,泄气孔12为漏斗状,如图7所示。
另一较佳的实施例中,如图6、7所示,泄气孔12的表面周边设置有多层圆孔13,圆孔13之间通过斜坡14连接。
另一较佳的实施例中,如图7所示,漏斗状的中部设置有至少一层台阶21。孔径和台阶层数可以根据所用胶水的流动特性进行优化。
斜坡14的作用是帮助环氧胶水70顺畅均匀的铺展并填满泄气孔12。
圆孔13的作用是阻止环氧胶水70在长时间固化过程中流动过快都滑落下去而导致封堵失效。
具体的封装流程如下:
预塑封引线框架80在贴芯片、打金线工序之后通过在预塑封基板50正面四周边缘处涂敷环氧胶水70,再将塑料空腔罩盖60盖上,然后通过烤箱进行初步固化;初步固化完成后再用环氧胶水70将泄气孔12堵住,然后通过烤箱进行最终固化。
最终固化完成后就可以进行切割分离,切割成我们所需要的单颗产品。
应当理解的是,本实用新型的上述具体实施方式仅仅用于示例性说明或解释本实用新型的原理,而不构成对本实用新型的限制。因此,在不偏离本实用新型的精神和范围的情况下所做的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。此外,本实用新型所附权利要求旨在涵盖落入所附权利要求范围和边界、或者这种范围和边界的等同形式内的全部变化和修改例。

Claims (7)

1.一种新型QFN/DFN封装结构,其特征在于,包括预塑封基板和塑料空腔罩盖,所述预塑封基板包括金属框架和塑封料,所述金属框架分层设置,上层金属框架设置有芯片贴片焊盘和焊线键合焊盘,下层金属框架设置有接地焊盘和电路焊接管脚,所述塑料空腔罩盖设置有泄气孔,所述泄气孔封装完成后进行填堵。
2.根据权利要求1所述的新型QFN/DFN封装结构,其特征在于,所述泄气孔设置于边角处。
3.根据权利要求1所述的新型QFN/DFN封装结构,其特征在于,所述泄气孔为漏斗状。
4.根据权利要求3所述的新型QFN/DFN封装结构,其特征在于,所述泄气孔的表面周边设置有多层圆孔,所述圆孔之间通过斜坡连接。
5.根据权利要求3或4所述的新型QFN/DFN封装结构,其特征在于,所述漏斗状的中部设置有至少一层台阶。
6.根据权利要求1所述的新型QFN/DFN封装结构,其特征在于,所述焊线键合焊盘间设置有结构强度加强筋。
7.根据权利要求1所述的新型QFN/DFN封装结构,其特征在于,多个预塑封基板排布组合成一片预塑封引线框架,所述预塑封引线框架设置有应力释放槽、定位识别孔、方向识别标志和产品相关信息。
CN202120650265.1U 2021-03-31 2021-03-31 一种新型qfn/dfn封装结构 Active CN214477429U (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202120650265.1U CN214477429U (zh) 2021-03-31 2021-03-31 一种新型qfn/dfn封装结构

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202120650265.1U CN214477429U (zh) 2021-03-31 2021-03-31 一种新型qfn/dfn封装结构

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN214477429U true CN214477429U (zh) 2021-10-22

Family

ID=78176399

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202120650265.1U Active CN214477429U (zh) 2021-03-31 2021-03-31 一种新型qfn/dfn封装结构

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN214477429U (zh)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1315605B1 (en) Mold and method for encapsulating an electronic device
TWI567836B (zh) Manufacturing method of semiconductor device
KR100259080B1 (ko) 히트 스프레드를 갖는 리드 프레임 및 이를 이용한반도체 패키지
US7504736B2 (en) Semiconductor packaging mold and method of manufacturing semiconductor package using the same
US7074651B2 (en) Packaging method for integrated circuits
CN214477429U (zh) 一种新型qfn/dfn封装结构
CN103700596A (zh) 减少模封胶体内气泡的压缩模封方法与装置
US7195956B2 (en) Method for balancing molding flow during the assembly of semiconductor packages with defective carrying units
CN115527957B (zh) 空腔封装结构及封装方法
US10290593B2 (en) Method of assembling QFP type semiconductor device
CN2502404Y (zh) 半导体封装压模的防止溢胶的压模工具
US20040099931A1 (en) Semiconductor package with chip supporting structure
TWI747568B (zh) 具有溝部的引線框、樹脂成形後的引線框的製造方法、樹脂成形品的製造方法及樹脂成形品
CN218414569U (zh) 一种大功率射频功率器件的预塑封基板及封装结构
CN107994005A (zh) 一种高可靠性阵列锁定式引线框架及其在封装件中的应用
CN115732340B (zh) 封装方法及封装结构
KR100564623B1 (ko) 크랙을 예방하는 반도체 패키지 및 그 제조방법
US20040188864A1 (en) Packaged device and method of packaging
US7022551B2 (en) Quad flat flip chip packaging process and leadframe therefor
CN220358072U (zh) 封装结构
CN212209475U (zh) 引线框架及封装体
US20050104251A1 (en) Integrated circuit chip packaging process
CN114188232A (zh) 芯片封装模具、芯片封装体及封装方法
JPS60111432A (ja) 半導体装置用樹脂封止金型
CN117293115A (zh) 一种新型倒装散热功率芯片的封装结构及其制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant