CN214429775U - 一种变频器的单管igbt装配结构 - Google Patents

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Abstract

本实用新型属于电气设备技术领域,尤其涉及一种变频器的单管IGBT装配结构,装配结构包括底壳箱体、陶瓷片和单管IGBT,陶瓷片的尺寸大于单管IGBT的尺寸,并且陶瓷片和单管IGBT均开设通孔,底壳箱体的顶板背面开设第一凹坑,第一凹坑的尺寸与陶瓷片的尺寸相匹配,底壳箱体的顶板正面开设与第一凹坑相贯通的第二凹坑,第二凹坑的尺寸与单管IGBT的尺寸相匹配,变频器采用上述装配结构,不需要借助外部工装,定位陶瓷片和单管IGBT,使数个单管IGBT的针脚与电路板的焊盘孔准确对位,生产装配简单,效率高;同时由于定位单管IGBT的第二凹坑与定位陶瓷片的第一凹坑壁是相对的,通过错位加大了单管IGBT的针脚与散热器之间的安全距离。

Description

一种变频器的单管IGBT装配结构
技术领域
本实用新型属于电气设备技术领域,尤其涉及一种变频器的单管IGBT 装配结构。
背景技术
目前单管IGBT在小功率的电子电力应用领域中,特别是在电焊、逆变电源及变频器设备中应用非常广泛。单管IGBT在工作时发热量较大,因此需安装在散热器上对其进行散热。但是单管IGBT的散热基板面与集电极是导通的,不能够直接安装在散热器上,需要在其与散热器之间增加既导热又绝缘的介质。目前市场比较多的使用陶瓷片作为这种导热绝缘介质。且为了满足安规要求,陶瓷片的尺寸比单管IGBT的尺寸略大。
因为设备中往往需要安装数个单管IGBT才能实现电路要求,而单管 IGBT上只有一个安装孔,在生产中往往使用一根螺丝穿过单管IGBT和陶瓷片锁紧到散热器上,由于是同向安装且陶瓷片的尺寸比单管尺寸大,往往只能对陶瓷片进行定位而无法对单管IGBT同时精准定位,经常出现数个单管 IGBT的针脚无法与电路板的焊盘孔对位,导致装配十分困难,生产效率低下。往往需要增加工装定位,既增加成本,也会大大影响生产效率。其次由于箱体开孔和IGBT以及陶瓷片之间有间隙,安全性能降低。
实用新型内容
为了克服背景技术中数个单管IGBT的针脚无法与电路板的焊盘孔对位,所导致的装配困难问题,本实用新型提出如下技术方案:
一种变频器的单管IGBT装配结构,包括底壳箱体、陶瓷片和单管IGBT,所述陶瓷片的尺寸大于所述单管IGBT的尺寸,并且所述陶瓷片和所述单管 IGBT均开设通孔,所述底壳箱体的顶板背面开设第一凹坑,所述第一凹坑的尺寸与所述陶瓷片的尺寸相匹配,所述底壳箱体的顶板正面开设与所述第一凹坑相贯通的第二凹坑,所述第二凹坑的尺寸与所述单管IGBT的尺寸相匹配。
作为本实用新型一种变频器的单管IGBT装配结构的进一步改进,还包括散热器,所述散热器设置于所述底壳箱体开设第一凹坑的一侧,所述散热器的散热基板开设螺纹孔,螺丝依次穿设过所述单管IGBT和所述陶瓷片的通孔旋拧到该螺纹孔内,用于将所述散热器、所述陶瓷片和所述单管IGBT固定连接在一起。
作为本实用新型一种变频器的单管IGBT装配结构的进一步改进,还包括电路板,所述电路板设置于所述底壳箱体开设第二凹坑的一侧,所述单管 IGBT的针脚与所述电路板连接在一起。
作为本实用新型一种变频器的单管IGBT装配结构的进一步改进,所述单管IGBT的针脚与散热器的散热基板相互垂直。
作为本实用新型一一种变频器的单管IGBT装配结构的进一步改进,所述第一凹坑设置与其连通的指槽。
作为本实用新型一种变频器的单管IGBT装配结构的进一步改进,所述单管IGBT设置一个以上。
一种变频器,采用上述单管IGBT的装配结构。
本实用新型的有益效果为:不需要借助外部工装,定位陶瓷片和单管 IGBT,使数个单管IGBT的针脚与电路板的焊盘孔准确对位,生产装配简单,效率高;同时由于定位单管IGBT的第二凹坑与定位陶瓷片的第一凹坑壁是相对的,通过错位加大了单管IGBT的针脚与散热器之间的安全距离。
附图说明
图1为本实用新型在一实施例中装配结构的分解结构示意图;
图2为图1中A-A处的局部放大示意图;
图3为本实用新型在一实施例中底壳箱体的结构示意图;
图4为图3中B-B处的局部放大示意图;
图5为本实用新型在一实施例中单管IGBT的结构示意图;
图6为本实用新型在一实施例中单管IGBT的安装结构示意图;
图中:1、散热器,101、螺纹孔,102、散热基板,2、陶瓷片,201、陶瓷片通孔,3、底壳箱体,301、第一凹坑,3011、指槽,302、第二凹坑,4、单管IGBT,401、单管IGBT通孔,402、针脚,5、电路板。
具体实施方式
以下结合实施例对本实用新型作进一步的阐述,所述的实施例仅为本实用新型一部分的实施例,这些实施例仅用于解释本实用新型,对本实用新型的范围并不构成任何限制。
一种变频器的单管IGBT装配结构,如说明书附图1所示,主要由散热器 1、陶瓷片2、底壳箱体3、电路板5和若干单管IGBT4组成,其中底壳箱体 3的顶板背面开设第一凹坑301,第一凹坑301的尺寸与陶瓷片2的尺寸相匹配,用于安装定位陶瓷片2;底壳箱体3的顶板正面开设与第一凹坑301相贯通的第二凹坑302,第二凹坑302的尺寸与单管IGBT4的尺寸相匹配,用于安装定位单管IGBT4,且使得单管IGBT4与陶瓷片2相贴合。并且底壳箱体3 在开设第二凹坑302的一侧设置电路板5,用于与单管IGBT4相连接;底壳箱体3在开设第一凹坑301的一侧设置散热器1,用于与陶瓷片2相贴合,将单管IGBT4在工作时散发的热量释放出去。
在本实施例中,陶瓷片2的尺寸比单管IGBT4的尺寸略大,所以底壳箱体3开设的第一凹坑301的尺寸比第二凹坑302的尺寸略大,如说明书附图 2-4所示,其中为了更好的安装陶瓷片2,第一凹坑301还设置与其连通的指槽3011。另外,陶瓷片2开设陶瓷片通孔201,单管IGBT4开设单管IGBT 通孔401,散热器1的散热基板102开设螺纹孔101,用于穿设螺丝将三者固定连接在一起,如说明书附图6所示。
另外,如说明书附图5所示,为了更好的将单管IGBT4的针脚402与电路板5实现电气连接,单管IGBT1的针脚402折弯,与散热基板402相互垂直。
在另一实施例中,提出一种变频器,该变频器采用上述单管IGBT的装配结构。
具体安装时,包括以下步骤:
步骤一、将陶瓷片2放入底壳箱体3开设的第一凹坑301中;
步骤二、将散热器1安装固定到底壳箱体3上,散热器1的散热基板102 与底壳箱体3贴合,使陶瓷片2定位固定好;
步骤三、把底壳箱体3翻转180度,从底壳箱体3的另一面安装相应数量的单管IGBT4,并且用螺丝依次穿过单管IGBT通孔401、陶瓷片通孔201旋拧到散热器1的螺纹孔101中;
步骤四、电路板5与单管IGBT4的散热面平行,将单管IGBT4的针脚402 插入电路板5的焊盘孔并完成焊接。
即陶瓷片2和散热器1是从底壳箱体3的下面往上安装,单管IGBT4和电路板5是从底壳箱体3的上面往下安装,由于陶瓷片2和单管IGBT4从底壳箱体3的不同方向安装,使它们同时得到精准定位,一方面使数个单管 IGBT4的针脚402与电路板5上的焊盘孔准确对位,提升生产效率,另一方面由于陶瓷片2的尺寸比单管IGBT4的尺寸大,定位单管IGBT4的第二凹坑壁与定位陶瓷片2的第一凹坑壁是相对的,加大了单管IGBT4的针脚402到散热器1的安全距离。
以上所述,仅是本实用新型的较佳实施例而已,并非对本实用新型作任何形式上的限制,虽然本实用新型已以较佳实施例揭露如上,然而并非用以限定本实用新型,任何熟悉本专业的技术人员,在不脱离本实用新型技术方案范围内,当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例,但凡是未脱离本实用新型技术方案内容,依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰,均仍属于本实用新型技术方案的范围内。

Claims (6)

1.一种变频器的单管IGBT装配结构,其特征在于:包括底壳箱体、陶瓷片和单管IGBT,所述陶瓷片的尺寸大于所述单管IGBT的尺寸,并且所述陶瓷片和所述单管IGBT均开设通孔,所述底壳箱体的顶板背面开设第一凹坑,所述第一凹坑的尺寸与所述陶瓷片的尺寸相匹配,所述底壳箱体的顶板正面开设与所述第一凹坑相贯通的第二凹坑,所述第二凹坑的尺寸与所述单管IGBT的尺寸相匹配。
2.根据权利要求1所述一种变频器的单管IGBT装配结构,其特征在于:还包括散热器,所述散热器设置于所述底壳箱体开设第一凹坑的一侧,所述散热器的散热基板开设螺纹孔,螺丝依次穿设过所述单管IGBT和所述陶瓷片的通孔旋拧到该螺纹孔内,用于将所述散热器、所述陶瓷片和所述单管IGBT固定连接在一起。
3.根据权利要求2所述一种变频器的单管IGBT装配结构,其特征在于:还包括电路板组件,所述电路板组件设置于所述底壳箱体开设第二凹坑的一侧,所述单管IGBT的针脚与所述电路板组件连接在一起。
4.根据权利要求3所述一种变频器的单管IGBT装配结构,其特征在于:所述单管IGBT的针脚与散热器的散热基板相互垂直。
5.根据权利要求1所述一种变频器的单管IGBT装配结构,其特征在于:所述第一凹坑设置与其连通的指槽。
6.根据权利要求1-5任一所述一种变频器的单管IGBT装配结构,其特征在于:所述单管IGBT设置一个以上。
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