CN214227262U - 高频性能良好的Type-C连接器母座 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及了高频性能良好的Type‑C连接器母座，包括外金属壳体、插座舌头。插座舌头内置、固定于外金属壳体内，且其包括有上端子分组、中间金属屏蔽片、下端子分组、二次Mo l i d i ng绝缘塑胶体、上抗电磁干扰件以及下抗电磁干扰件。在执行二次Mo l i d i ng注胶工序前，上抗电磁干扰件扣合于上端子分组的正上方，而下抗电磁干扰件扣合于下端子分组的正下方，且施加顶靠力至上抗电磁干扰件、下抗电磁干扰件上，使得上抗电磁干扰件、下抗电磁干扰件相对于中间金属屏蔽片保持于无间隙顶触状态直至二次Mo l i d i ng注胶工序完成，附带地在二次Mo l i d i ng绝缘塑胶体上形成有上置注塑工艺避让缺口、下置注塑工艺避让缺口。

Description

高频性能良好的Type-C连接器母座

技术领域

本实用新型涉及电连接器制造技术领域，尤其是高频性能良好的Type-C连接器母座。

背景技术

市面上的与电子产品相适配的周边设备最为普遍且广为大众所接受的仍以通用序列汇流排(USB)作为主流，并辅以USB支援热插拔功能作到随插即用。为了面对其它高速传输介面的挑战，便推出USB3.1 Type-C规格的连接器，其具有良好的电源充电及供电能力，并提供高达10GPS的频宽，使用上支持正反面可插，不再需要分辨正反面而更容易将接口插入，也可扩大适用于如平板电脑、智能手机等轻薄型的行动装置，因此格外受到市场期待。近些年来，出现了USB4.0 Type-C规格的连接器，其可提供高达40GPS的频宽，且还可提供高达100W的电源功率。

随着电子讯号传输速度的不断提升，其在实际传输进程中必须透过高速传输介面才可以满足大量的电子讯号传输速度。一般来说，上端子分组和下端子分组通常依照业界惯用的GND-Signal-Signal-GND方式进行分布，在特定速度时容易产生串音，进而影响信号传输的完整性以及阻抗不匹配会干扰讯号传输而同步降低讯号传输的稳定性，会造成电子产品的使用品质变差、讯号不稳定等缺失。另外，但随着电子产品的小型化发展，高速传输介面亦随之大幅缩小，随着高速传输介面的传输幅度大幅提升，其端子的数目增多且分布密集，而现今的端子在空间排列的距离上相当近，从而极易导致高频信号传输时受到干扰(如电磁波干扰、杂讯或相邻端子间的串音干扰等)情形非常严重，以及各信号端子受到外部电子元件电磁波干扰现象也随之增大，进而降低讯号传输的稳定性。另外，EMI的产生是由于电磁干扰源通过耦合路径将能量传递给敏感系统造成的。EMI包括经由导线或公共地线的传导、通过空间辐射或通过近场耦合三种基本形式。EMI的危害表现为降低传输信号质量，对电路或设备造成干扰甚至破坏，使设备不能满足电磁兼容标准所规定的技术指标要求。

为此，本公司之前申请了一款高频性能良好的Type-C连接器母座，授权公告号为CN212062870U，其包括有外壳体、插座舌头。插座舌头内置、固定于外壳体内，且其包括有上端子分组、中间屏蔽片、下端子分组以及绝缘塑胶体。上端子分组、下端子分组以及中间屏蔽片均插设、固定于绝缘塑胶体内。中间屏蔽片位于上端子分组和下端子分组之间。上端子分组由均与PCB相导通的上排信号端子和上接地端子构成。上接地端子的数量至少为2，且与上排信号端子相并排而置。下端子分组由均与PCB相导通的下排信号端子和下接地端子构成。下接地端子的数量至少为2，且与下排信号端子相并排而置。在上接地端子、下接地端子上分别设置有与中间屏蔽片的上平面相弹性顶靠的上弹性顶靠部、与中间屏蔽片的下平面相弹性顶靠的下弹性顶靠部。上述插座舌头还包括有EMI组件。EMI组件亦内置、固定于绝缘塑胶体。EMI组件穿过中间屏蔽片，且与该中间屏蔽片相接触、导通，且环绕上端子分组以及下端子分组的外围进行布置。上述EMI组件由上抗电磁干扰件和下抗电磁干扰件相互扣合而成。上抗电磁干扰件包括上抗电磁干扰件本体和上连接臂。上连接臂的数量为2，分别由上抗电磁干扰件本体的左、右侧壁向外继续延伸、且向下弯折而成，且其均开设有卡扣缺口。下抗电磁干扰件包括下抗电磁干扰件本体和下连接臂。下连接臂的数量设置为2，分别由下抗电磁干扰件本体的左、右侧壁向外继续延伸、且向上弯折而成，且其上均切割成型有与上述卡扣缺口外形相适配的卡扣接头。理论上，通过采用上述技术方案进行设置，Type-C连接器母座即可取得了良好的抗EMI功能，以最大程度上消除电磁波及串音等因素对其工作性能的影响。然而，当同时对多件Type-C连接器母座进行电磁干扰测试时，发现不同Type-C连接器母座的EMI性能参数数值差异较大，简而言之，即部分Type-C连接器母座具有优良的抗电磁干扰性能，而其余Type-C连接器母座的抗电磁干扰性能一般或较差。为了探明原因，对抗电磁干扰性能不达标的Type-C连接器母座进行了切割，且对其内部结构进行了详细分析，最终发现问题点在于：上抗电磁干扰件、下抗电磁干扰件未能有效地顶触于中间屏蔽片上，即出现了接触不良的现象，由此一来，必然会在Type-C连接器母座的内部未能形成有效的抗电磁接地回路，最终导致其抗EMI性能不能满足实验标准。已知，在对插座舌头进行成型过程中，首先对其上端子分组、下端子组件分别进行一次Molding成型，而后，将上端子分组、下端子组件对称地布置于中间屏蔽片的上、下侧，且分别与中间屏蔽片的顶壁、底壁进行顶触，而后，将上抗电磁干扰件罩盖于上端子分组的正上方，且与中间屏蔽片的顶壁直接相顶触；将下抗电磁干扰件罩盖于下端子分组的正下方，且与中间屏蔽片的底壁直接相顶触，最后，进行二次Molding注胶操作以最终成型出插座舌头。然而，在实际执行二次Molding注胶操作时，上抗电磁干扰件、下抗电磁干扰件不可避免地会受到外力或激振力的作用，进而导致在正式注入液态注塑物料前其预先与中间屏蔽片相脱离，为注入的液态注塑物料填充至上抗电磁干扰件、下抗电磁干扰件与中间屏蔽片的间隙提供了可能，从而将上抗电磁干扰件、下抗电磁干扰件与中间屏蔽片完全隔绝，进而导致电导通连接的失败。因而，亟待技术人员解决上述问题。

实用新型内容

故，本实用新型设计人员鉴于上述现有的问题以及缺陷，乃搜集相关资料，经由多方的评估及考量，并经过从事于此行业的多年研发经验技术人员的不断实验以及修改，最终导致该款高频性能良好的Type-C连接器母座的出现。

为了解决上述技术问题，本实用新型涉及了高频性能良好的Type-C连接器母座，包括外金属壳体、插座舌头。插座舌头内置、固定于外金属壳体内，且其包括有上端子分组、中间金属屏蔽片、下端子分组以及二次Moliding绝缘塑胶体。上端子分组、下端子分组以及中间金属屏蔽片均嵌设于二次Moliding绝缘塑胶体内。中间金属屏蔽片位于上端子分组和下端子分组之间。上端子分组包括有上排信号端子单元、上接地端子以及上置一次Moliding绝缘塑胶体。上排信号端子单元和上接地端子均嵌设于上置一次Moliding绝缘塑胶体内。上接地端子的数量设置为2，对称地布置于上排信号端子单元的左、右侧，且与中间金属屏蔽片相顶触、导通。上排信号端子单元由多个沿着左右方向依序并排而置、且均与PCB板相导通的上排信号端子构成。下端子分组包括有下排信号端子单元、下接地端子以及下置一次Moliding绝缘塑胶体。下排信号端子单元和下接地端子均嵌设于下置一次Moliding绝缘塑胶体内。下接地端子的数量设置为2，对称地布置于下排信号端子单元的左、右侧，且与中间金属屏蔽片相顶触、导通。下排信号端子单元由多个沿着左右方向依序并排而置、且均与PCB板相导通的下排信号端子构成。插座舌头还包括有EMI组件。EMI组件亦嵌设于二次Moliding绝缘塑胶体内。EMI组件与中间金属屏蔽片相接触、导通，且环绕所述上端子分组以及所述下端子分组的外围进行布置。EMI组件包括有沿着上下方向相对而置的上抗电磁干扰件和下抗电磁干扰件。上抗电磁干扰件同时与中间金属屏蔽片、上接地端子以及外金属壳体进行导通。下抗电磁干扰件同时与中间金属屏蔽片、下接地端子以及外金属壳体进行导通。在执行二次Moliding注胶工序前，上抗电磁干扰件扣合于上端子分组的正上方，而下抗电磁干扰件扣合于下端子分组的正下方，且经由注塑模具中上置推顶柱、下置推顶柱以分别施加顶靠力至上抗电磁干扰件、下抗电磁干扰件上，使得上抗电磁干扰件、下抗电磁干扰件相对于中间金属屏蔽片保持于无间隙顶触状态直至二次Moliding注胶工序完成，附带地在二次Moliding绝缘塑胶体上形成有上置注塑工艺避让缺口、下置注塑工艺避让缺口。

作为本实用新型技术方案的进一步改进，上抗电磁干扰件包括有上抗电磁干扰件本体、上置延伸臂以及上置顶触臂。上置延伸臂的数量设置为2，对称地分布于上抗电磁干扰件本体的左、右侧，分别由上抗电磁干扰件本体的左、右侧壁向外继续延伸、且向下弯折而成。上置顶触臂的数量亦设置为2，分别由上置延伸臂的底壁继续向下延伸，且90°外折而成。相对应地，上置注塑工艺避让缺口的数量设置为2，且一一对应地与上置顶触臂相正对位。下抗电磁干扰件包括下抗电磁干扰件本体、下置延伸臂以及下置顶触臂。下置延伸臂的数量设置为2，对称地分布于下抗电磁干扰件本体的左、右侧，分别由下抗电磁干扰件本体的左、右侧壁向外继续延伸、且向上弯折而成。下置顶触臂的数量亦设置为2，由下置延伸臂的顶壁继续向上延伸，且90°外折而成。相对应地，下置注塑工艺避让缺口的数量设置为2，且一一对应地与下置顶触臂相正对位。

作为本实用新型技术方案的更进一步改进，上抗电磁干扰件还包括有第一上置限位臂。第一上置限位臂的数量为2，对称地分布于上抗电磁干扰件本体的左、右侧，且与上置延伸臂相隔设定距离。第一上置限位臂由上抗电磁干扰件本体的左、右侧壁向外继续延伸、且向下弯折而成。相对应地，在上置一次Moliding绝缘塑胶体的顶壁上成型出有2个分别用来插入第一上置限位臂的上置限位槽口。下抗电磁干扰件还包括有第一下置限位臂。第一下置限位臂的数量为2，对称地分布于下抗电磁干扰件本体的左、右侧，且与下置延伸臂相隔设定距离。第一下置限位臂由下抗电磁干扰件本体的左、右侧壁向外继续延伸、且向上弯折而成。相对应地，在下置一次Moliding绝缘塑胶体的底壁上成型出有2个分别用来插入第一下置限位臂的下置限位槽口。

作为本实用新型技术方案的更进一步改进，上抗电磁干扰件还包括有上置弹性顶触臂。上置弹性顶触臂的数量设置为2，其一一相对应地可与上接地端子弹性顶触、导通。上置弹性顶触臂由上抗电磁干扰件本体的后侧壁继续向后延伸，且反向回折而成。下抗电磁干扰件还包括有下置弹性顶触臂。下置弹性顶触臂的数量设置为2，其一一相对应地可与下接地端子弹性顶触、导通。下置弹性顶触臂由下抗电磁干扰件本体的后侧壁继续向后延伸，且反向回折而成。

作为本实用新型技术方案的更进一步改进，上抗电磁干扰件还包括有第二上置限位臂。第二上置限位臂由第一左置U形限位折弯段、上置过渡连接段以及第一右置U形限位折弯段依序连接而成。第一左置U形限位折弯段、第一右置U形限位折弯段均由上抗电磁干扰件本体的后侧壁向后继续延伸，且弯折而成。相对应地，在上置一次Moliding绝缘塑胶体成型出有分别供第一左置U形限位折弯段、第一右置U形限位折弯段置入的第一左置限位槽口、第一右置限位槽口。下抗电磁干扰件还包括有第二下置限位臂。第二下置限位臂由第二左置U形限位折弯段、下置过渡连接段以及第二右置U形限位折弯段依序连接而成。第二左置U形限位折弯段、第二右置U形限位折弯段均由下抗电磁干扰件本体的后侧壁向后继续延伸，且弯折而成。相对应地，在下置一次Moliding绝缘塑胶体成型出有分别供第二左置U形限位折弯段、第二右置U形限位折弯段置入的第二左置限位槽口、第二右置限位槽口。

作为本实用新型技术方案的更进一步改进，第二上置限位臂还包括有上延顶触片。上延顶触片由上置过渡连接段的顶壁继续向上延伸而成，且超越第一左置U形限位折弯段、第一右置U形限位折弯段设定高度，以用来与外金属壳体内腔的顶壁进行顶触。第二下置限位臂还包括有下延顶触片。下延顶触片由下置过渡连接段的底壁继续向下延伸而成，且超越第二左置U形限位折弯段、第二右置U形限位折弯段设定高度，以用来与外金属壳体内腔的底壁进行顶触。

作为本实用新型技术方案的更进一步改进，对上接地端子的前置自由端向下进行弯折，以成型出有可与中间金属屏蔽片相弹性顶触的上置弧形弹性顶触段。对下接地端子的前置自由端向上进行弯折，以成型出有可与中间金属屏蔽片相弹性顶触的下置弧形弹性顶触段。

作为本实用新型技术方案的更进一步改进，由下置一次Moliding绝缘塑胶体的顶壁向上延伸出有限位柱，相对应地，在上置一次Moliding绝缘塑胶体上成型出有多个与限位柱相适配的插配孔，在中间金属屏蔽片上开设有供限位柱穿过的穿越缺口。

作为本实用新型技术方案的更进一步改进，限位柱和插配孔采用过盈配合的方式完成装配。

作为本实用新型技术方案的更进一步改进，沿其径向，由插配孔的侧壁向内延伸出有多个干涉筋。干涉筋的径向尺寸控制在0.02-0.05mm之间。

相较于传统设计结构的Type-C连接器母座，在本实用新型所公开的技术方案中，注胶进程中施加顶靠力至上抗电磁干扰件、下抗电磁干扰件使其与中间金属屏蔽片相顶靠，而附带地在二次Moliding绝缘塑胶体上形成有上置注塑工艺避让缺口、下置注塑工艺避让缺口，确保上抗电磁干扰件、下抗电磁干扰件分别与中间金属屏蔽片在二次Moliding绝缘塑胶体成型后保持于无间隙顶触状态，杜绝接触不良现象的发生，进而使得上接地端子和下接地端子、上抗电磁干扰件和下抗电磁干扰件、中间屏蔽片以及外金属壳体形成一完整的接地回路。如此一来，中间屏蔽片的存在可有效地调节成对布置的上排信号端子、下排信号端子的阻抗值，使上排信号端子和下排信号端子在传输信号的进程中具有良好的高频性；另一方面，中间屏蔽件借助于接地端子进行接地操作，从而可有效地减少电磁波及串音等干扰进行接地的传导路径，即提高了电磁波及串音干扰等导引传输至接地进行释放的速度，进而保证了高频信号在Type-C连接器母座内进行传输的完整性以及稳定性，且确保了Type-C连接器母座具有较好的高频性能；再一方面，外金属壳体分别借由上抗电磁干扰件、下抗电磁干扰件来实现与上接地端子、下接地端子的导通，进而使得Type-C连接器母座在实际应用过程中其自身始终处于良好屏蔽状态，从而可有效地降低外界电磁干扰对信号传输进程造成的影响，确保信号传输的可靠性以及稳定性。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本实用新型中高频性能良好的Type-C连接器母座的立体示意图。

图2是本实用新型中高频性能良好的Type-C连接器母座的爆炸示意图。

图3是本实用新型高频性能良好的Type-C连接器母座中插座舌头的立体示意图。

图4是本实用新型高频性能良好的Type-C连接器母座中插座舌头一种视角的爆炸示意图。

图5是本实用新型高频性能良好的Type-C连接器母座中插座舌头另一种视角的爆炸示意图。

图6是本实用新型高频性能良好的Type-C连接器母座中上端子分组的爆炸示意图。

图7是本实用新型高频性能良好的Type-C连接器母座中上接地端子的立体示意图。

图8是本实用新型高频性能良好的Type-C连接器母座中上置一次Moliding绝缘塑胶体的立体示意图。

图9是图8的俯视图。

图10是图9的A-A剖视图。

图11是本实用新型高频性能良好的Type-C连接器母座中中间金属屏蔽片的立体示意图。

图12是本实用新型高频性能良好的Type-C连接器母座中下端子分组的爆炸示意图。

图13是本实用新型高频性能良好的Type-C连接器母座中下接地端子的立体示意图。

图14是本实用新型高频性能良好的Type-C连接器母座中下置一次Moliding绝缘塑胶体一种视角的立体示意图。

图15是本实用新型高频性能良好的Type-C连接器母座中下置一次Moliding绝缘塑胶体另一种视角的立体示意图。

图16是本实用新型高频性能良好的Type-C连接器母座中二次Moliding绝缘塑胶体一种视角的立体示意图。

图17是本实用新型高频性能良好的Type-C连接器母座中二次Moliding绝缘塑胶体另一种视角的立体示意图。

图18是本实用新型高频性能良好的Type-C连接器母座中上抗电磁干扰件的立体示意图。

图19是本实用新型高频性能良好的Type-C连接器母座中下抗电磁干扰件的立体示意图。

图20是图3的俯视图。

图21是图20的B-B剖视图。

图22是图20的C-C剖视图。

图23是图20的D-D剖视图。

图24是图3的仰视图。

图25是图24的E-E剖视图。

图26是图1的侧视图。

图27视图26的F-F剖视图。

1-外金属壳体；2-插座舌头；21-上端子分组；211-上排信号端子单元；2111-上排信号端子；212-上接地端子；2121-上置弧形弹性顶触段；213-上置一次Moliding绝缘塑胶体；2131-上置限位槽口；2132-第一左置限位槽口；2133-第一右置限位槽口；2134-插配孔；21341-干涉筋；22-中间金属屏蔽片；221-穿越缺口；23-下端子分组；231-下排信号端子单元；2311-下排信号端子；232-下接地端子；2321-下置弧形弹性顶触段；233-下置一次Moliding绝缘塑胶体；2331-下置限位槽口；2332-第二左置限位槽口；2333-第二右置限位槽口；2334-限位柱；24-二次Moliding绝缘塑胶体；241-上置注塑工艺避让缺口；242-下置注塑工艺避让缺口；25-EMI组件；251-上抗电磁干扰件；2511-上抗电磁干扰件本体；2512-上置延伸臂；2513-上置顶触臂；2514-第一上置限位臂；2515-上置弹性顶触臂；2516-第二上置限位臂；25161-第一左置U形限位折弯段；25162-上置过渡连接段；251621-上延顶触片；25163-第一右置U形限位折弯段；252-下抗电磁干扰件；2521-下抗电磁干扰件本体；2522-下置延伸臂；2523-下置顶触臂；2524-第一下置限位臂；2525-下置弹性顶触臂；2526-第二下置限位臂；25261-第二左置U形限位折弯段；25262-下置过渡连接段；252621-下延顶触片；25263-第二右置U形限位折弯段。

具体实施方式

在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“后”、“前”、“上”、“下”、“前”、“后”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。

已知，Type-C连接器母座和Type-C连接器公座相互插配，协同工作以实现对信号的传输。

下面结合具体实施例，对本实用新型的内容做进一步的详细说明，图1、图2分别示出了本实用新型中高频性能良好的Type-C连接器母座的立体示意图及其爆炸示意图，可知，其主要由外金属壳体1和插座舌头2构成。当插座舌头2完成注塑成型后，其整体插置于外金属壳体1内。

图3、图4、图5分别示出了本实用新型高频性能良好的Type-C连接器母座中插座舌头的立体示意图及其两种不同视角的爆炸示意图，可知，其主要由上端子分组21、中间金属屏蔽片22、下端子分组23以及二次Moliding绝缘塑胶体24等几部分构成。其中，上端子分组21、下端子分组23以及中间金属屏蔽片22均嵌设于二次Moliding绝缘塑胶体24内。中间金属屏蔽片22位于上端子分组21和下端子分组23之间。

如图6中所示，上端子分组21包括有上排信号端子单元211、上接地端子212以及上置一次Moliding绝缘塑胶体213。上排信号端子单元211和上接地端子212均嵌设于上置一次Moliding绝缘塑胶体213内。上接地端子212的数量设置为2，对称地布置于上排信号端子单元211的左、右侧，且与中间金属屏蔽片22相顶触、导通。上排信号端子单元211由多个沿着左右方向依序并排而置、且均与PCB板相导通的上排信号端子2111构成。

如图12中所示，下端子分组23包括有下排信号端子单元231、下接地端子232以及下置一次Moliding绝缘塑胶体233。下排信号端子单元231和下接地端子232均嵌设于下置一次Moliding绝缘塑胶体233内。下接地端子232的数量设置为2，对称地布置于下排信号端子单元231的左、右侧，且与中间金属屏蔽片22相顶触、导通。下排信号端子单元231由多个沿着左右方向依序并排而置、且均与PCB板相导通的下排信号端子2311构成。对上接地端子212的前置自由端向下进行弯折，以成型出有可与中间金属屏蔽片22相弹性顶触的上置弧形弹性顶触段2121(如图7中所示)。对下接地端子232的前置自由端向上进行弯折，以成型出有可与中间金属屏蔽片22相弹性顶触的下置弧形弹性顶触段2321(如图13中所示)。

另外，由图4、5还可以看出，插座舌头22还包括有EMI组件25。EMI组件25亦嵌设于二次Moliding绝缘塑胶体24内。EMI组件25与中间金属屏蔽片22相接触、导通，且环绕所述上端子分组21以及下端子分组23的外围进行布置。EMI组件25包括有沿着上下方向相对而置的上抗电磁干扰件251和下抗电磁干扰件252。上抗电磁干扰件251同时与中间金属屏蔽片22、上接地端子212以及外金属壳体1进行导通。下抗电磁干扰件252同时与中间金属屏蔽片22、下接地端子232以及外金属壳体1进行导通。如图4中所示，在执行二次Moliding注胶工序前，上抗电磁干扰件251扣合于上端子分组21的正上方，而下抗电磁干扰件252扣合于下端子分组23的正下方，且经由注塑模具中上置推顶柱、下置推顶柱以分别施加顶靠力至上抗电磁干扰件251、下抗电磁干扰件252上，使得上抗电磁干扰件251、下抗电磁干扰件252相对于中间金属屏蔽片22保持于无间隙顶触状态直至二次Moliding注胶工序完成，附带地在二次Moliding绝缘塑胶体24上形成有上置注塑工艺避让缺口241、下置注塑工艺避让缺口242(如图16、17中所示)。如图20、23、24、25中所示，注胶进程中分别通过上置注塑工艺避让缺口241、下置注塑工艺避让缺口242以施加顶靠力至上抗电磁干扰件251、下抗电磁干扰件252使其与中间金属屏蔽片22相顶靠，而附带地在二次Moliding绝缘塑胶体24上形成有上置注塑工艺避让缺口241、下置注塑工艺避让缺口242。

通过采用上述技术方案进行设置，高频性能良好的Type-C连接器母座至少取得了以下技术效果，具体如下：

1)确保上抗电磁干扰件251、下抗电磁干扰件252分别与中间金属屏蔽片22在二次Moliding绝缘塑胶体24成型后保持于无间隙顶触状态，杜绝接触不良现象的发生，进而使得上接地端子212和下接地端子232、上抗电磁干扰件251和下抗电磁干扰件252、中间屏蔽片22以及外金属壳体1形成一完整的接地回路；

2)中间屏蔽片22的存在可有效地调节成对布置的上排信号端子2111、下排信号端子2311的阻抗值，使上排信号端子2111和下排信号端子2311在传输信号的进程中具有良好的高频性；

3)中间屏蔽件22同时借助于上接地端子212以及下接地端子232进行接地操作，从而可有效地减少电磁波及串音等干扰进行接地的传导路径，即提高了电磁波及串音干扰等导引传输至接地进行释放的速度，进而保证了高频信号在Type-C连接器母座内进行传输的完整性以及稳定性，且确保了Type-C连接器母座具有较好的高频性能；

4)外金属壳体1分别借由上抗电磁干扰件251、下抗电磁干扰件252来实现与上接地端子212、下接地端子232的导通，进而使得Type-C连接器母座在实际应用过程中其自身始终处于良好屏蔽状态，从而可有效地降低外界电磁干扰对信号传输进程造成的影响，确保信号传输的可靠性以及稳定性。

高频性能良好的Type-C连接器母座的制作工艺流程大致如下：1)对上端子分组21、下端子分组23进行成型；针对于上端子分组21来说，首先将多个上排信号端子2111沿着由左至右方向依序排布于注塑模具型腔中以形成上排信号端子单元211，而2件上接地端子212分别布置于上排信号端子单元211的左、右侧，亦排布于注塑模具型腔中，而后，向注塑模具型腔中注入足量的液态注塑物料，以最终成型出上端子分组21；针对于下端子分组23来说，首先将多个下排信号端子2311沿着由左至右方向依序排布于注塑模具型腔中以形成下排信号端子单元231，而2件下接地端子232分别布置于下排信号端子单元231的左、右侧，亦排布于注塑模具型腔中，而后，向注塑模具型腔中注入足量的液态注塑物料，以最终成型出下端子分组23；2)将成型后的上端子分组21、下端子分组23分别布置于中间金属屏蔽片22的上、下侧，且确保上接地端子212与中间金属屏蔽片22的顶壁进行顶触以及下接地端子232与中间金属屏蔽片22的底壁进行顶触；3)在执行二次Moliding注胶工序前，上抗电磁干扰件251扣合于上端子分组21的正上方，而下抗电磁干扰件252扣合于下端子分组23的正下方，且分别施加顶靠力至上抗电磁干扰件251、下抗电磁干扰件252上，此时，需要注意的是，在装入上抗电磁干扰件251、下抗电磁干扰件252的进程中需要确保两者分别与上接地端子212、下接地端子232保持于良性顶触状态，使得上抗电磁干扰件251、下抗电磁干扰件252相对于中间金属屏蔽片22保持于无间隙顶触状态直至二次Moliding注胶工序完成，至此，插座舌头2得以成型完成；4)将插座舌头2插座于外金属壳体1，以最终成型出Type-C连接器母座。

作为上述高频性能良好的Type-C连接器母座结构的进一步细化，如图18中所示，上抗电磁干扰件251优选由上抗电磁干扰件本体2511、上置延伸臂2512以及上置顶触臂2513等几部分构成。其中，上置延伸臂2512的数量设置为2，对称地分布于上抗电磁干扰件本体1511的左、右侧，分别由上抗电磁干扰件本体2511的左、右侧壁向外继续延伸、且向下弯折而成。上置顶触臂2513的数量亦设置为2，分别由上置延伸臂的2512底壁继续向下延伸，且90°外折而成。相对应地，上置注塑工艺避让缺口241的数量设置为2，且一一对应地与上置顶触臂2513相正对位。如图19中所示，下抗电磁干扰件252包括下抗电磁干扰件本体2521、下置延伸臂2522以及下置顶触臂2523。下置延伸臂2522的数量设置为2，对称地分布于下抗电磁干扰件本体2521的左、右侧，分别由下抗电磁干扰件本体2521的左、右侧壁向外继续延伸、且向上弯折而成。下置顶触臂2523的数量亦设置为2，由下置延伸臂2522的顶壁继续向上延伸，且90°外折而成。相对应地，下置注塑工艺避让缺口242的数量设置为2，且一一对应地与下置顶触臂2523相正对位。在执行二次Moliding注胶工序前，同时施加顶靠力至上置顶触臂2513、下置顶触臂2523上以分别确保与中间金属屏蔽片22的顶壁、底壁保持于良好顶触状态，此时，再注入液态注塑物料，最终确保了二次Moliding绝缘塑胶体24成型后上抗电磁干扰件251、下抗电磁干扰件252亦相对于中间金属屏蔽片22保持于良好导通状态，有效地杜绝了接触不良问题的出现。

再者，由图18中还可以看出，在上抗电磁干扰件251上还增设有第一上置限位臂2514。第一上置限位臂2514的数量为2，对称地分布于上抗电磁干扰件本体2511的左、右侧，且与上置延伸臂2512相隔设定距离。第一上置限位臂2514由上抗电磁干扰件本体2511的左、右侧壁向外继续延伸、且向下弯折而成。如图8中所示，在上置一次Moliding绝缘塑胶体213的顶壁上成型出有2个分别用来插入上述第一上置限位臂2514的上置限位槽口2131。当需将上抗电磁干扰件251插配于上端子分组21时，首先，将其上第一上置限位臂2514预先与上置限位槽口2131进行对位，随后用力下压即可，如此一来，一方面，确保了上抗电磁干扰件251相对于上端子分组21具有较高的位置精度；另一方面，避免上抗电磁干扰件251插配后因激振力或拉力而由上端子分组21挣脱现象的发生，确保了上抗电磁干扰件251相对于上端子分组21插配状态的稳定性、可靠性。

出于实现相同设计目的，下抗电磁干扰件252亦可参考上抗电磁干扰件251的结构形式进行设计，具体如图19中所示，下抗电磁干扰件252还增设有第一下置限位臂2524。第一下置限位臂2524的数量为2，对称地分布于下抗电磁干扰件本体2511的左、右侧，且与下置延伸臂2522相隔设定距离。第一下置限位臂2524由下抗电磁干扰件本体2521的左、右侧壁向外继续延伸、且向上弯折而成。相对应地，在下置一次Moliding绝缘塑胶体233的底壁上成型出有2个分别用来插入上述第一下置限位臂2524的下置限位槽口2331。

另外，由上述叙述可知，除了上抗电磁干扰件251、下抗电磁干扰件252与中间金属屏蔽片22的良好顶触对完整接地回路形成有着至关重要的影响，其分别相对于上接地端子212、下接地端子232的良好顶触亦起到至关重要的作用，鉴于此，出于确保二次Moliding绝缘塑胶体24成型后上抗电磁干扰件251相对于上接地端子212始终保持于良好的导通状态方面考虑，作为上述上抗电磁干扰件251结构的进一步优化，如图18中所示，其还增设有上置弹性顶触臂2515。上置弹性顶触臂2515的数量设置为2，其一一相对应地可与上接地端子212弹性顶触、导通。上置弹性顶触臂2515由上抗电磁干扰件本体2511的后侧壁继续向后延伸，且反向回折而成。当上抗电磁干扰件251相对于上端子分组21完成插配后，即使后续注入液态注塑物料后，亦可保证上置弹性顶触臂2515始终弹性地顶触上接地端子212的顶壁上，确保了后续电导通的可靠性、稳定性。另外，在此还需要说明一点，由于上接地端子212受到的压力为弹性力，从而有效地避免其自身受压力过大而发生塑性形变现象。

出于实现相同设计目的，下抗电磁干扰件252亦可参考上抗电磁干扰件251的结构形式进行设计，如图19中所示，其还增设有下置弹性顶触臂2525。下置弹性顶触臂2525的数量设置为2，其一一相对应地可与下接地端子232弹性顶触、导通。下置弹性顶触臂2525由下抗电磁干扰件本体2521的后侧壁继续向后延伸，且反向回折而成。

另外，如图18中还可以看出，上抗电磁干扰件251还额外增设有第二上置限位臂2516。第二上置限位臂2516由第一左置U形限位折弯段25161、上置过渡连接段25162以及第一右置U形限位折弯段25163依序连接而成。第一左置U形限位折弯段25161、第一右置U形限位折弯段25163均由上抗电磁干扰件本体2511的后侧壁向后继续延伸，且弯折而成。相对应地，在上置一次Moliding绝缘塑胶体213成型出有分别供上述第一左置U形限位折弯段25161、第一右置U形限位折弯段25163置入的第一左置限位槽口2132、第一右置限位槽口2133(如图8中所示)。当需将上抗电磁干扰件251插配于上端子分组21时，首先，将其上第一上置限位臂2514预先相对于上置限位槽口2131、第一左置U形限位折弯段25161相对于第一左置限位槽口2132、第一右置U形限位折弯段25163相对于第一右置限位槽口2133进行对位，随后用力下压即可，协同上置限位臂2514的共同作用，从而有效地确保了上抗电磁干扰件251相对于上端子分组21具有较高的位置精度(如图20中所示)。

出于实现相同设计目的，下抗电磁干扰件252亦可参考上抗电磁干扰件251的结构形式进行设计，如图19中所示，其还额外增设有第二下置限位臂2526。第二下置限位臂2526由第二左置U形限位折弯段25261、下置过渡连接段25262以及第二右置U形限位折弯段25263依序连接而成。第二左置U形限位折弯段25261、第二右置U形限位折弯段25263均由下抗电磁干扰件本体2521的后侧壁向后继续延伸，且弯折而成。相对应地，在下置一次Moliding绝缘塑胶体233成型出有分别供上述第二左置U形限位折弯段25261、第二右置U形限位折弯段25263置入的第二左置限位槽口2332、第二右置限位槽口2333(如图15中所示)。

出于使得其相对于外金属壳体1始终保持于良好的顶触、导通状态方面考虑，作为上抗电磁干扰件251结构的进一步优化，如图18中所示，由上置过渡连接段25162的顶壁继续向上延伸而成有上延顶触片251621。且上延顶触片251621同时超越第一左置U形限位折弯段25161、第一右置U形限位折弯段25163设定高度，以用来与外金属壳体1内腔的顶壁进行顶触。当然，类比于上述的上抗电磁干扰件251，第二下置限位臂2526亦可增设有下延顶触片252621。下延顶触片252621由下置过渡连接段25262的底壁继续向下延伸而成，且超越第二左置U形限位折弯段25261、第二右置U形限位折弯段25263设定高度，以用来与外金属壳体1内腔的底壁进行顶触。当插座舌头2相对于外金属壳体1插配完成后，上延顶触片251621、下延顶触片252621分别可靠地顶触于金属壳体1的顶壁、底壁上，进行电导通(如图26、27中所示)。

根据上述高频性能良好的Type-C连接器母座的成型工艺可知，当执行二次Moliding绝缘塑胶体的注塑成型前，需要保证上端子分组21相对于下端子分组23具有较高的位置精度，以确保了上排信号端子单元211、上接地端子212分别与下排信号端子单元231、下接地端子232的对位精准度，最终确保上排信号端子2111和下排信号端子2311在传输信号的进程中具有良好的高频性；另外，还有利于确保二次Moliding绝缘塑胶体成型后的规整度。鉴于此，作为上述高频性能良好的Type-C连接器母座结构的进一步优化，还可以由下置一次Moliding绝缘塑胶体233的顶壁向上延伸出有限位柱2334，相对应地，在上置一次Moliding绝缘塑胶体213上成型出有多个与限位柱2334相适配的插配孔2134，在中间金属屏蔽片22上开设有供限位柱2334穿过的穿越缺口221(如图8、9、10、11、14中所示)。当上端子分组21、下端子分组23相对于中间金属屏蔽片22放置到位后，首先将各限位柱2334与与之相适配的插配孔2134进行对位，随后用力下压即可，即实现了上端子分组21和下端子分组23的精准装配(如图20、22中所示)。另外，穿越缺口221的存在可以有效地防止中间金属屏蔽片22在执行二次Moliding注塑的进程中因受到外力作用而发生位置变动现象。

最后，需要说明的是，限位柱2334和插配孔2134优选采用过盈配合的方式完成装配，从而进一步地提高了上端子分组21和下端子分组23之间的位置精度，确保二次Moliding绝缘塑胶体成型的规整度，具体如下：沿其径向，由插配孔2134的侧壁向内延伸出有多个干涉筋21341。干涉筋21341的径向尺寸控制在0.02-0.05mm之间(如图9、10、20、22中所示)。

对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本实用新型。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本实用新型的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本实用新型将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (10)

1.高频性能良好的Type-C连接器母座，包括外金属壳体、插座舌头；所述插座舌头内置、固定于所述外金属壳体内，且其包括有上端子分组、中间金属屏蔽片、下端子分组以及二次Moliding绝缘塑胶体；所述上端子分组、所述下端子分组以及所述中间金属屏蔽片均嵌设于所述二次Moliding绝缘塑胶体内；所述中间金属屏蔽片位于所述上端子分组和所述下端子分组之间；所述上端子分组包括有上排信号端子单元、上接地端子以及上置一次Moliding绝缘塑胶体；所述上排信号端子单元和所述上接地端子均嵌设于所述上置一次Moliding绝缘塑胶体内；所述上接地端子的数量设置为2，对称地布置于所述上排信号端子单元的左、右侧，且与所述中间金属屏蔽片相顶触、导通；所述上排信号端子单元由多个沿着左右方向依序并排而置、且均与PCB板相导通的上排信号端子构成；所述下端子分组包括有下排信号端子单元、下接地端子以及下置一次Moliding绝缘塑胶体；所述下排信号端子单元和所述下接地端子均嵌设于所述下置一次Moliding绝缘塑胶体内；所述下接地端子的数量设置为2，对称地布置于所述下排信号端子单元的左、右侧，且与所述中间金属屏蔽片相顶触、导通；所述下排信号端子单元由多个沿着左右方向依序并排而置、且均与PCB板相导通的下排信号端子构成，其特征在于，所述插座舌头还包括有EMI组件；所述EMI组件亦嵌设于所述二次Moliding绝缘塑胶体内；所述EMI组件与所述中间金属屏蔽片相接触、导通，且环绕所述上端子分组以及所述下端子分组的外围进行布置；所述EMI组件包括有沿着上下方向相对而置的上抗电磁干扰件和下抗电磁干扰件；所述上抗电磁干扰件同时与所述中间金属屏蔽片、所述上接地端子以及所述外金属壳体进行导通；所述下抗电磁干扰件同时与所述中间金属屏蔽片、所述下接地端子以及所述外金属壳体进行导通；在执行二次Moliding注胶工序前，所述上抗电磁干扰件扣合于所述上端子分组的正上方，而所述下抗电磁干扰件扣合于所述下端子分组的正下方，且经由注塑模具中上置推顶柱、下置推顶柱以分别施加顶靠力至所述上抗电磁干扰件、所述下抗电磁干扰件上，使得所述上抗电磁干扰件、所述下抗电磁干扰件相对于所述中间金属屏蔽片保持于无间隙顶触状态直至二次Moliding注胶工序完成，附带地在所述二次Moliding绝缘塑胶体上形成有上置注塑工艺避让缺口、下置注塑工艺避让缺口。

2.根据权利要求1所述高频性能良好的Type-C连接器母座，其特征在于，所述上抗电磁干扰件包括有上抗电磁干扰件本体、上置延伸臂以及上置顶触臂；所述上置延伸臂的数量设置为2，对称地分布于所述上抗电磁干扰件本体的左、右侧，分别由所述上抗电磁干扰件本体的左、右侧壁向外继续延伸、且向下弯折而成；所述上置顶触臂的数量亦设置为2，分别由所述上置延伸臂的底壁继续向下延伸，且90°外折而成；相对应地，所述上置注塑工艺避让缺口的数量设置为2，且一一对应地与所述上置顶触臂相正对位；所述下抗电磁干扰件包括下抗电磁干扰件本体、下置延伸臂以及下置顶触臂；所述下置延伸臂的数量设置为2，对称地分布于所述下抗电磁干扰件本体的左、右侧，分别由所述下抗电磁干扰件本体的左、右侧壁向外继续延伸、且向上弯折而成；所述下置顶触臂的数量亦设置为2，由所述下置延伸臂的顶壁继续向上延伸，且90°外折而成；相对应地，所述下置注塑工艺避让缺口的数量设置为2，且一一对应地与所述下置顶触臂相正对位。

3.根据权利要求2所述高频性能良好的Type-C连接器母座，其特征在于，所述上抗电磁干扰件还包括有第一上置限位臂；所述第一上置限位臂的数量为2，对称地分布于所述上抗电磁干扰件本体的左、右侧，且与所述上置延伸臂相隔设定距离；所述第一上置限位臂由所述上抗电磁干扰件本体的左、右侧壁向外继续延伸、且向下弯折而成；相对应地，在所述上置一次Moliding绝缘塑胶体的顶壁上成型出有2个分别用来插入所述第一上置限位臂的上置限位槽口；所述下抗电磁干扰件还包括有第一下置限位臂；所述第一下置限位臂的数量为2，对称地分布于所述下抗电磁干扰件本体的左、右侧，且与所述下置延伸臂相隔设定距离；所述第一下置限位臂由所述下抗电磁干扰件本体的左、右侧壁向外继续延伸、且向上弯折而成；相对应地，在所述下置一次Moliding绝缘塑胶体的底壁上成型出有2个分别用来插入所述第一下置限位臂的下置限位槽口。

4.根据权利要求3所述高频性能良好的Type-C连接器母座，其特征在于，所述上抗电磁干扰件还包括有上置弹性顶触臂；所述上置弹性顶触臂的数量设置为2，其一一相对应地可与所述上接地端子弹性顶触、导通；所述上置弹性顶触臂由所述上抗电磁干扰件本体的后侧壁继续向后延伸，且反向回折而成；所述下抗电磁干扰件还包括有下置弹性顶触臂；所述下置弹性顶触臂的数量设置为2，其一一相对应地可与所述下接地端子弹性顶触、导通；所述下置弹性顶触臂由所述下抗电磁干扰件本体的后侧壁继续向后延伸，且反向回折而成。

5.根据权利要求4所述高频性能良好的Type-C连接器母座，其特征在于，所述上抗电磁干扰件还包括有第二上置限位臂；所述第二上置限位臂由第一左置U形限位折弯段、上置过渡连接段以及第一右置U形限位折弯段依序连接而成；所述第一左置U形限位折弯段、所述第一右置U形限位折弯段均由所述上抗电磁干扰件本体的后侧壁向后继续延伸，且弯折而成；相对应地，在所述上置一次Moliding绝缘塑胶体成型出有分别供所述第一左置U形限位折弯段、所述第一右置U形限位折弯段置入的第一左置限位槽口、第一右置限位槽口；所述下抗电磁干扰件还包括有第二下置限位臂；所述第二下置限位臂由第二左置U形限位折弯段、下置过渡连接段以及第二右置U形限位折弯段依序连接而成；所述第二左置U形限位折弯段、所述第二右置U形限位折弯段均由所述下抗电磁干扰件本体的后侧壁向后继续延伸，且弯折而成；相对应地，在所述下置一次Moliding绝缘塑胶体成型出有分别供所述第二左置U形限位折弯段、所述第二右置U形限位折弯段置入的第二左置限位槽口、第二右置限位槽口。

6.根据权利要求5所述高频性能良好的Type-C连接器母座，其特征在于，所述第二上置限位臂还包括有上延顶触片；所述上延顶触片由所述上置过渡连接段的顶壁继续向上延伸而成，且超越所述第一左置U形限位折弯段、所述第一右置U形限位折弯段设定高度，以用来与所述外金属壳体内腔的顶壁进行顶触；所述第二下置限位臂还包括有下延顶触片；所述下延顶触片由所述下置过渡连接段的底壁继续向下延伸而成，且超越所述第二左置U形限位折弯段、所述第二右置U形限位折弯段设定高度，以用来与所述外金属壳体内腔的底壁进行顶触。

7.根据权利要求1-6中任一项所述高频性能良好的Type-C连接器母座，其特征在于，对所述上接地端子的前置自由端向下进行弯折，以成型出有可与所述中间金属屏蔽片相弹性顶触的上置弧形弹性顶触段；对所述下接地端子的前置自由端向上进行弯折，以成型出有可与所述中间金属屏蔽片相弹性顶触的下置弧形弹性顶触段。

8.根据权利要求1-6中任一项所述高频性能良好的Type-C连接器母座，其特征在于，由所述下置一次Moliding绝缘塑胶体的顶壁向上延伸出有限位柱，相对应地，在所述上置一次Moliding绝缘塑胶体上成型出有多个与所述限位柱相适配的插配孔，在所述中间金属屏蔽片上开设有供所述限位柱穿过的穿越缺口。

9.根据权利要求8所述高频性能良好的Type-C连接器母座，其特征在于，所述限位柱和所述插配孔采用过盈配合的方式完成装配。

10.根据权利要求9所述高频性能良好的Type-C连接器母座，其特征在于，沿其径向，由所述插配孔的侧壁向内延伸出有多个干涉筋；所述干涉筋的径向尺寸控制在0.02-0.05mm之间。

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