CN214226881U - 一种封装工艺中芯片上喷射锡膏的上锡膏站装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开一种封装工艺中芯片上喷射锡膏的上锡膏站装置，包括十字平台、框架定位平台、检测相机、气管，还包括喷气电磁阀、管装胶筒、分流块、喷胶头，所述十字平台上部安装有框架定位平台，十字平台控制框架定位平台在前、后及左、右位置移动；其特征在于：框架定位平台放置固定块；框架定位平台上方设有喷气电磁阀和管装胶筒，管装胶筒上方安装有气管，管装胶筒和气管连接有过渡段，管装胶筒下方连接安装有分流块，喷气电磁阀下方安装有分流块，喷气电磁阀控制喷胶气源；分流块下侧安装有喷胶头；喷气电磁阀一侧设有检测相机，喷气电磁阀连接有电磁阀开关。使用封装制程更稳定，可使产品在小型化薄型化中制作方便，不会遇到难处。

Description

一种封装工艺中芯片上喷射锡膏的上锡膏站装置

技术领域：

本实用新型属于电子芯片技术领域，具体涉及一种封装工艺中芯片上喷射锡膏的上锡膏站装置。

背景技术：

在现有的封装领域里，使用芯片上锡膏的方式普遍存在无法高速高效的稳定出胶，并且在0.3mm尺寸芯片下更是明显，对产品的小型化,薄型化定来一定的难度。芯片上锡膏时无法快速稳定的涂布0.35mm以下胶量，且极易沾附起芯片造成质量隐患产品报废。

实用新型内容：

本实用新型旨在克服现有技术的缺陷，提供一种封装工艺中芯片上喷射锡膏的上锡膏站装置，使用封装制程更稳定,可使产品在小型化薄型化中制作方便不会遇到难处。

为了解决上述技术问题，本实用新型提供以下技术方案：

一种封装工艺中芯片上喷射锡膏的上锡膏站装置，包括十字平台、框架定位平台8、检测相机9、气管，还包括喷气电磁阀1、管装胶筒6、分流块4、喷胶头5，所述十字平台上部安装有框架定位平台8，十字平台控制框架定位平台8在前、后及左、右位置移动；框架定位平台8固定放置固定块7；框架定位平台8上方设有喷气电磁阀1和管装胶筒6，管装胶筒6上方安装有气管10，管装胶筒6和气管10连接有过渡段，管装胶筒6下方和喷气电磁阀1下方安装有分流块4，喷气电磁阀1控制喷胶气源；分流块下侧安装有喷胶头5；喷气电磁阀1一侧设有检测相机9，喷气电磁阀1连接有电磁阀开关。

进一步的，所述框架定位平台8为矩形框，框架定位平台8沿矩形框长度方向的两侧设置支撑块组成。

进一步的，所述气管10直径小于管装胶筒直径。

进一步的，喷气电磁阀1上部安装有气管接头2、平头铜消音器3。气管接头型号为SMC-KQ2L06-M5。

与现有技术相比较，本实用新型具有如下的有益效果：

本实用新型芯片封装工艺中使用喷射气体带动锡膏芯片上喷射锡膏的运行方法，解决在现有封装工艺中芯片上锡膏时无法快速稳定的涂布0.35mm以下胶量,且极易沾附起芯片造成质量隐患产品报废。可透过非接触的气流带动锡膏,达到高效喷涂在小尺寸芯片上。使用封装制程更稳定,可使产品在小型化薄型化中制作方便不会遇到难处。

附图说明

图1为本实用新型封装工艺中芯片上喷射锡膏的上锡膏站装置的立体示意图。

图2为本实用新型封装工艺中芯片上喷射锡膏的上锡膏站装置的主视图。

图3为本实用新型封装工艺中芯片上喷射锡膏的上锡膏站装置的俯视图。

图4为本实用新型封装工艺中芯片上喷射锡膏的上锡膏站装置的另一立体图。

具体实施方式

为了更好的阐述本实用新型，下面结合附图进行详细说明。

使用喷射气体带动锡膏芯片上喷射锡膏的运行方法，原理如下：a.管装锡膏后方由一微弱稳定正压推进锡膏,经由连接流道进入出胶阀嘴；b.透过高速喷气电磁阀开关控制高压气体推动出胶阀嘴内的锡膏；c.使锡膏藉由高压气流喷附到所需的芯片表片,过程中不会接触到芯片即不会造成芯片沾附；d.锡膏量的大小控制为喷气时间多寡控制,锡膏的面积则可透过出胶阀嘴来改变。

如图1-4所示，一种封装工艺中芯片上喷射锡膏的上锡膏站装置，包括十字平台、框架定位平台8、检测相机9、气管，还包括喷气电磁阀1、管装胶筒6、分流块4、喷胶头5，所述十字平台上部安装有框架定位平台8，十字平台控制框架定位平台8在前、后及左、右位置移动；框架定位平台8固定放置固定块7；框架定位平台8上方设有喷气电磁阀1和管装胶筒6，喷气电磁阀1上部安装有气管接头2、平头铜消音器3。气管接头型号为SMC-KQ2L06-M5。管装胶筒6上方安装有气管10，所述气管10直径小于管装胶筒直径。管装胶筒6和气管10连接有过渡段，管装胶筒6下方和喷气电磁阀1下方安装有分流块4，喷气电磁阀1控制喷胶气源；分流块下侧安装有喷胶头5；喷气电磁阀1一侧设有检测相机9，喷气电磁阀1连接有电磁阀开关。

所述框架定位平台8为矩形框，框架定位平台8沿矩形框长度方向的两侧设置支撑块组成。

工作流程介绍，1)把带有芯片的框架放置与框架定位平台8上；2)十字平台移动至检测相机G处，记录芯片在框架中的位置后，移至喷胶头5处进行喷胶；3)把管装胶筒6放置好，通过气管10给一定压力，把锡膏通过分流块4，流入喷气电磁阀1中；4)通过喷气电磁阀1控制时间，延时等控制其锡膏量多少，由喷胶头5喷至芯片表面。

以上所述仅为说明本实用新型的实施方式，并不用于限制本实用新型，对于本领域的技术人员来说，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (4)

1.一种封装工艺中芯片上喷射锡膏的上锡膏站装置，包括十字平台、框架定位平台(8)、检测相机(9)、气管，还包括喷气电磁阀(1)、管装胶筒(6)、分流块(4)、喷胶头(5)，所述十字平台上部安装有框架定位平台(8)，十字平台控制框架定位平台(8)在前、后及左、右位置移动；其特征在于：框架定位平台(8)固定放置固定块(7)；框架定位平台(8)上方设有喷气电磁阀(1)和管装胶筒(6)，管装胶筒(6)上方安装有气管(10)，管装胶筒(6)和气管连接有过渡段，管装胶筒(6)下方连接安装有分流块(4)，喷气电磁阀(1)下方安装有分流块(4)，喷气电磁阀(1)控制喷胶气源；分流块下侧安装有喷胶头(5)；喷气电磁阀(1)一侧设有检测相机(9)，喷气电磁阀(1)连接有电磁阀开关。

2.根据权利要求1所述封装工艺中芯片上喷射锡膏的上锡膏站装置，其特征在于，所述框架定位平台(8)为矩形框，框架定位平台(8)沿矩形框长度方向的两侧设置支撑块组成。

3.根据权利要求1所述封装工艺中芯片上喷射锡膏的上锡膏站装置，其特征在于，所述气管(10)直径小于管装胶筒直径。

4.根据权利要求1所述封装工艺中芯片上喷射锡膏的上锡膏站装置，其特征在于，喷气电磁阀(1)上部安装有气管接头(2)、平头铜消音器(3)。

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