CN213936222U - 带倒v型空腔的3d围坝结构 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开一种带倒V型空腔的3D围坝结构，包括有绝缘基板，该绝缘基板的下表面电镀形成有下线路层，绝缘基板的上表面形成有上线路层和环形底层，该环形底层位于上线路层的外围；该环形底层的表面自下而上电镀加厚形成有第一环形加厚层和第二环形加厚层，该环形底层、第一环形加厚层和第二环形加厚层组成形成围坝，第一环形加厚层具有第一槽孔，该第二环形加厚层具有第二槽孔，该第二槽孔的内径小于第一槽孔的内径，第二槽孔与第一槽孔组合形成倒V型空腔。通过设置第一环形加厚层和第二环形加厚层，并配合由第二槽孔与第一槽孔组合形成倒V型空腔，使得围坝可以遮挡封装芯片的部分光线，形成封装暗盒，满足使用的需要，为使用带来便利。

Description

带倒V型空腔的3D围坝结构

技术领域

本实用新型涉及光电器件领域技术，尤其是指一种带倒V型空腔的3D围坝结构。

背景技术

目前对封装气密性及可靠性要求较高的传感器、晶体振荡器、谐振器、功率型半导体、激光器等光电器件来说，一般采用陶瓷基板封装，其常用结构是在带有线路层的陶瓷底座上设置金属围坝，金属围坝与陶瓷底座围构形成空腔，用于放置器件芯片，填充封装胶水、惰性气体或者直接抽真空，从而实现高可靠性的气密封装。

现有技术中，金属围坝均为垂直型的或者V型结构，无法遮挡封装芯片的部分光线，不能满足使用的需要。因此，有必要研究一种方案以解决上述问题。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型针对现有技术存在之缺失，其主要目的是提供一种带倒V型空腔的3D围坝结构，其能有效解决现有之金属围坝无法遮挡封装芯片的部分光线导致不能满足使用需要的问题。

为实现上述目的，本实用新型采用如下之技术方案：

一种带倒V型空腔的3D围坝结构，包括有绝缘基板，该绝缘基板的下表面电镀形成有下线路层，绝缘基板的上表面形成有上线路层和环形底层，该环形底层位于上线路层的外围，且绝缘基板的上下表面贯穿形成有导通孔，该导通孔中填铜而将下线路层和上线路层导通连接；以及，该环形底层的表面自下而上电镀加厚形成有第一环形加厚层和第二环形加厚层，该环形底层、第一环形加厚层和第二环形加厚层组成形成围坝，第一环形加厚层具有第一槽孔，该第二环形加厚层具有第二槽孔，该第二槽孔的内径小于第一槽孔的内径，第二槽孔与第一槽孔组合形成倒V型空腔。

作为一种优选方案，所述第一环形加厚层的厚度小于第二环形加厚层的厚度，第一环形加厚层的宽度小于第二环形加厚层的宽度。

作为一种优选方案，所述第二环形加厚层的表面进一步电镀加厚形成有第三环形加厚层，该第三环形加厚层具有第三槽孔，该第三槽孔的内径小于第二槽孔的内径，第三槽孔、第二槽孔与第一槽孔组合形成倒V型空腔。

作为一种优选方案，所述第二环形加厚层的厚度小于第三环形加厚层的厚度，第二环形加厚层的宽度小于第三环形加厚层的宽度。

作为一种优选方案，所述第一环形加厚层的外周侧面和第二环形加厚层的外周侧面在竖直方向下平齐。

作为一种优选方案，所述绝缘基板为陶瓷板。

本实用新型与现有技术相比具有明显的优点和有益效果，具体而言，由上述技术方案可知：

通过设置第一环形加厚层和第二环形加厚层，并配合由第二槽孔与第一槽孔组合形成倒V型空腔，使得围坝可以遮挡封装芯片的部分光线，形成封装暗盒，满足使用的需要，为使用带来便利。

为更清楚地阐述本实用新型的结构特征和功效，下面结合附图与具体实施例来对本实用新型进行详细说明。

附图说明

图1是本实用新型之较佳实施例制作过程的第一状态示意图；

图2是本实用新型之较佳实施例制作过程的第二状态示意图；

图3是本实用新型之较佳实施例制作过程的第三状态示意图；

图4是本实用新型之较佳实施例制作过程的第四状态示意图；

图5是本实用新型之较佳实施例制作过程的第五状态示意图；

图6是本实用新型之较佳实施例制作过程的第六状态示意图。

附图标识说明：

10、绝缘基板 11、导通孔

21、下线路层 22、上线路层

23、环形底层 30、第一环形加厚层

31、第一槽孔 40、第二环形加厚层

41、第二槽孔 50、第三环形加厚层

51、第三槽孔。

具体实施方式

请参照图1至图6所示，其显示出了本实用新型之较佳实施例的具体结构，包括有绝缘基板10。

该绝缘基板10的下表面电镀形成有下线路层21，绝缘基板10的上表面形成有上线路层22和环形底层23，该环形底层23位于上线路层22的外围，且绝缘基板10的上下表面贯穿形成有导通孔11，该导通孔11中填铜而将下线路层21和上线路层22导通连接；在本实施例中，所述绝缘基板10为陶瓷板。

该环形底层23的表面自下而上电镀加厚形成有第一环形加厚层30和第二环形加厚层40，该环形底层23、第一环形加厚层30和第二环形加厚层40组成形成围坝，第一环形加厚层30具有第一槽孔31，该第二环形加厚层40具有第二槽孔41，该第二槽孔41的内径小于第一槽孔31的内径，第二槽孔41与第一槽孔31组合形成倒V型空腔。在本实施例中，所述第一环形加厚层30的厚度小于第二环形加厚层40的厚度，第一环形加厚层30的宽度小于第二环形加厚层40的宽度，具体是，该第一环形加厚层30的厚度为100μm，该第二环形加厚层40的宽度比第一环形加厚层30的宽度宽50μm，厚度厚50μm；并且，所述第一环形加厚层30的外周侧面和第二环形加厚层40的外周侧面在竖直方向下平齐。

另外，所述第二环形加厚层40的表面进一步电镀加厚形成有第三环形加厚层50，该第三环形加厚层50具有第三槽孔51，该第三槽孔51的内径小于第二槽孔41的内径，第三槽孔51、第二槽孔41与第一槽孔31组合形成倒V型空腔。并且，所述第二环形加厚层40的厚度小于第三环形加厚层50的厚度，第二环形加厚层40的宽度小于第三环形加厚层50的宽度。

详述本实施例的制作过程如下：

如图1所示，取绝缘基板10，如图2所示，在绝缘基板10需要布线的地方做导通孔11，导通孔11贯穿绝缘基板10的上下表面，接着，如图3所示，在绝缘基板10的上下表面及导通孔11上进行金属化，通过电镀的方案制作下线路层21、上线路层22和环形底层23，当下线路层21、上线路层22和环形底层23做好相应厚度后，如图4-图6所示，对环形底层23进行电镀加厚，第一次加厚厚度100μm后，第二次加厚环形宽度比第一次环形宽度宽50μm，厚度厚50μm，以此类推，依次形成第一环形加厚层30、第二环形加厚层40和第三环形加厚层50，环形加厚层的数量可根据需要增加，直到做到所需要的围坝宽度和高度。

使用时，将封装芯片置于倒V型空腔中并与上线路层22焊接导通即可。

本实用新型的设计重点在于：通过设置第一环形加厚层和第二环形加厚层，并配合由第二槽孔与第一槽孔组合形成倒V型空腔，使得围坝可以遮挡封装芯片的部分光线，形成封装暗盒，满足使用的需要，为使用带来便利。

以上所述，仅是本实用新型的较佳实施例而已，并非对本实用新型的技术范围作任何限制，故凡是依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何细微修改、等同变化与修饰，均仍属于本实用新型技术方案的范围内。

Claims (6)

1.一种带倒V型空腔的3D围坝结构，其特征在于：包括有绝缘基板，该绝缘基板的下表面电镀形成有下线路层，绝缘基板的上表面形成有上线路层和环形底层，该环形底层位于上线路层的外围，且绝缘基板的上下表面贯穿形成有导通孔，该导通孔中填铜而将下线路层和上线路层导通连接；以及，该环形底层的表面自下而上电镀加厚形成有第一环形加厚层和第二环形加厚层，该环形底层、第一环形加厚层和第二环形加厚层组成形成围坝，第一环形加厚层具有第一槽孔，该第二环形加厚层具有第二槽孔，该第二槽孔的内径小于第一槽孔的内径，第二槽孔与第一槽孔组合形成倒V型空腔。

2.根据权利要求1所述的带倒V型空腔的3D围坝结构，其特征在于：所述第一环形加厚层的厚度小于第二环形加厚层的厚度，第一环形加厚层的宽度小于第二环形加厚层的宽度。

3.根据权利要求1所述的带倒V型空腔的3D围坝结构，其特征在于：所述第二环形加厚层的表面进一步电镀加厚形成有第三环形加厚层，该第三环形加厚层具有第三槽孔，该第三槽孔的内径小于第二槽孔的内径，第三槽孔、第二槽孔与第一槽孔组合形成倒V型空腔。

4.根据权利要求3所述的带倒V型空腔的3D围坝结构，其特征在于：所述第二环形加厚层的厚度小于第三环形加厚层的厚度，第二环形加厚层的宽度小于第三环形加厚层的宽度。

5.根据权利要求1所述的带倒V型空腔的3D围坝结构，其特征在于：所述第一环形加厚层的外周侧面和第二环形加厚层的外周侧面在竖直方向下平齐。

6.根据权利要求1所述的带倒V型空腔的3D围坝结构，其特征在于：所述绝缘基板为陶瓷板。

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