CN213522887U - 一种用于5g通讯设备的散热结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型属于散热材料/器件技术领域,尤其涉及一种用于5G通讯设备的散热结构,包括由上到下依次设置的碳纳米管辐射层、第一导热双面胶层、第一石墨烯层、导热铜箔层、第二石墨烯层、铝镁合金网状金属板、第二导热双面胶层和离型膜层,所述第一石墨烯层和所述第二石墨烯层通过溅镀的方式形成于所述导热铜箔层的表面,且所述第一石墨层和所述第二石墨烯层均由若干个均匀分布的凸点构成。相比于现有技术,本实用新型实现X‑Y‑Z三维立体高效散热。
Description
技术领域
本实用新型属于散热材料/器件技术领域,尤其涉及一种用于5G通讯设备的散热结构。
背景技术
全球智能手机步入5G时代,随着智能手机对轻薄化、小型化设计的追求,手机内部集成电路芯片和电子元器件体积不断缩小,其功率密度却快速增加;手机CPU频率正迅速提升,同时封装密度也越来越高、机身越来越薄,其功率密度却快速增加,但由于手机硬件配置的逐步提高、CPU多核高性能的升级,以及通信速率的提升,散热问题已经成为5G通讯设备亟需解决的问题。一旦散热问题处理得不好,就会造成智能手机卡顿、运行程序慢、烧坏主板甚至造成爆炸的危险。目前4G通讯设备广泛应用的散热材料已经很难满足5G通讯设备的需求。
实用新型内容
本实用新型的目的在于:针对现有技术的不足,而提供一种用于5G通讯设备的散热结构,实现X-Y-Z三维立体高效散热。
为了实现上述目的,本实用新型采用以下技术方案:
一种用于5G通讯设备的散热结构,包括由上到下依次设置的碳纳米管辐射层、第一导热双面胶层、第一石墨烯层、导热铜箔层、第二石墨烯层、铝镁合金网状金属板、第二导热双面胶层和离型膜层,所述第一石墨烯层和所述第二石墨烯层通过溅镀的方式形成于所述导热铜箔层的表面,且所述第一石墨层和所述第二石墨烯层均由若干个均匀分布的凸点构成。
作为本实用新型所述的用于5G通讯设备的散热结构的一种改进,所述第二导热双面胶层设置有通孔,所述通孔内填充有导热颗粒。
作为本实用新型所述的用于5G通讯设备的散热结构的一种改进,所述通孔在所述第二导热双面胶层的体积比为40~75%。
作为本实用新型所述的用于5G通讯设备的散热结构的一种改进,所述导热颗粒为纳米氧化铝、纳米氮化铝、纳米氧化硅或纳米氮化硼。
作为本实用新型所述的用于5G通讯设备的散热结构的一种改进,所述碳纳米管辐射层的厚度为6~10μm。
作为本实用新型所述的用于5G通讯设备的散热结构的一种改进,所述第一导热双面胶层和所述第二导热双面胶层的厚度分别为5~8μm。
作为本实用新型所述的用于5G通讯设备的散热结构的一种改进,所述第一石墨烯层和所述第二石墨烯层的厚度分别为25~30μm。
相比于现有技术,本实用新型的有益效果在于:在本实用新型中,使用时,撕开离型膜,将第二导热双面层紧贴发热元件并吸收其表面热量,第二导热双面胶层沿纵向把热量快速导至铝镁合金网状金属板,由于铝镁合金网状金属板传热是无取向方式(X-Y-Z),热量在铝镁合金网状金属板横向(X-Y)展开后,一部分热量沿纵向(Z)传递到第二石墨烯层,一部分热量沿纵向(Z)由第二石墨烯层凸点之间的间隙传递到导热铜箔层,第二石墨烯散热层在横向(X-Y)方向导热,导热铜箔层在纵向(Z)导热,导热铜箔层将一部分热量沿纵向(Z)传递到第一石墨烯层,另一部分热量通过第一石墨烯层凸点之间的间隙传递至第一导热双面胶层,以上多层结构形成体发热,碳纳米管辐射层使热量快速向大气空气中扩散,实现X-Y-Z三维立体高效散热特性,提高导热散热效果。
附图说明
图1是本实用新型的结构示意图。
其中:1-碳纳米管辐射层,2-第一导热双面胶层,3-第一石墨烯层,4-导热铜箔层,5-第二石墨烯层,6-铝镁合金网状金属板,7-第二导热双面胶层,8-离型膜层,31-凸点,51-凸点,71-通孔。
具体实施方式
如在说明书及权利要求当中使用了某些词汇来指称特定组件。本领域技术人员应可理解,硬件制造商可能会用不同名词来称呼同一个组件。本说明书及权利要求并不以名称的差异来作为区分组件的方式,而是以组件在功能上的差异来作为区分的准则。如在通篇说明书及权利要求当中所提及的“包含”为一开放式用语,故应解释成“包含但不限定于”。“大致”是指在可接受的误差范围内,本领域技术人员能够在一定误差范围内解决所述技术问题,基本达到所述技术效果。
在本实用新型的描述中,需要理解的是,术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、水平”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本实用新型和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本实用新型的限制。
在本实用新型中,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
以下结合附图对本实用新型作进一步详细说明,但不作为对本实用新型的限定。
参考图1,一种用于5G通讯设备的散热结构,包括由上到下依次设置的碳纳米管辐射层1、第一导热双面胶层2、第一石墨烯层3、导热铜箔层4、第二石墨烯层5、铝镁合金网状金属板6、第二导热双面胶层7和离型膜层8,第一石墨烯层3和第二石墨烯层5通过溅镀的方式形成于导热铜箔层4的表面,且第一石墨层3和第二石墨烯层5均由若干个均匀分布的凸点31/51构成。
进一步的,第二导热双面胶层7设置有通孔71,通孔71内填充有导热颗粒。如此设置,既保证了第二导热双面胶层粘接的作用,又使得第二导热双面胶层具有良好的散热作用。
进一步的,通孔71在第二导热双面胶层7的体积比为40~75%。通孔71的体积占比过小,填充的导热填料也相应较少,这不利于改善导热性能;而通孔71的体积占比过大,这不利于粘接,也会在一定程度上降低散热膜的强度。
进一步的,导热颗粒为纳米氧化铝、纳米氮化铝、纳米氧化硅或纳米氮化硼。以上材料导热效果好,当然,本实用新型的导热颗粒的材质并不限于此。
进一步的,碳纳米管辐射层1的厚度为6~10μm。第一导热双面胶层2和第二导热双面胶层7的厚度分别为5~8μm。第一石墨烯层3和第二石墨烯层5的厚度分别为25~30μm。需要说明的是,碳纳米管辐射层1、第一石墨烯层3和第二石墨烯层5中各层的厚度过薄则不能起到较为理想的改善导热散热的效果,而各层的厚度过厚则会导致散热结构的整体厚度过大,不适用于某些较为微小化的电子产品,缩小了散热结构的适用范围。而第一导热双面胶层2和第二导热双面胶层7的厚度过薄粘接效果差,厚度过厚则影响导热散热效果。
使用时,撕开离型膜8,将第二导热双面层7紧贴发热元件并吸收其表面热量,第二导热双面胶层7沿纵向把热量快速导至铝镁合金网状金属板6,由于铝镁合金网状金属板6传热是无取向方式(X-Y-Z),热量在铝镁合金网状金属板6横向(X-Y)展开后,一部分热量沿纵向(Z)传递到第二石墨烯层5,一部分热量沿纵向(Z)由第二石墨烯层5凸点之间的间隙传递到导热铜箔层4,第二石墨烯散热层5在横向(X-Y)方向导热,导热铜箔层4在纵向(Z)导热,导热铜箔层4将一部分热量沿纵向(Z)传递到第一石墨烯层3,另一部分热量通过第一石墨烯层3凸点之间的间隙传递至第一导热双面胶层2,以上多层结构形成体发热,碳纳米管辐射层1使热量快速向大气空气中扩散,实现X-Y-Z三维立体高效散热特性,提高导热散热效果。
上述说明示出并描述了本实用新型的若干优选实施方式,但如前所述,应当理解本实用新型并非局限于本文所披露的形式,不应看作是对其他实施方式的排除,而可用于各种其他组合、修改和环境,并能够在本文所述实用新型构想范围内,通过上述教导或相关领域的技术或知识进行改动。而本领域人员所进行的改动和变化不脱离本实用新型的精神和范围,则都应在本实用新型所附权利要求的保护范围内。
Claims (7)
1.一种用于5G通讯设备的散热结构,其特征在于,包括由上到下依次设置的碳纳米管辐射层、第一导热双面胶层、第一石墨烯层、导热铜箔层、第二石墨烯层、铝镁合金网状金属板、第二导热双面胶层和离型膜层,所述第一石墨烯层和所述第二石墨烯层通过溅镀的方式形成于所述导热铜箔层的表面,且所述第一石墨层和所述第二石墨烯层均由若干个均匀分布的凸点构成。
2.根据权利要求1所述的用于5G通讯设备的散热结构,其特征在于,所述第二导热双面胶层设置有通孔,所述通孔内填充有导热颗粒。
3.根据权利要求2所述的用于5G通讯设备的散热结构,其特征在于,所述通孔在所述第二导热双面胶层的体积比为40~75%。
4.根据权利要求2所述的用于5G通讯设备的散热结构,其特征在于,所述导热颗粒为纳米氧化铝、纳米氮化铝、纳米氧化硅或纳米氮化硼。
5.根据权利要求1所述的用于5G通讯设备的散热结构,其特征在于,所述碳纳米管辐射层的厚度为6~10μm。
6.根据权利要求1所述的用于5G通讯设备的散热结构,其特征在于,所述第一导热双面胶层和所述第二导热双面胶层的厚度分别为5~8μm。
7.根据权利要求1所述的用于5G通讯设备的散热结构,其特征在于,所述第一石墨烯层和所述第二石墨烯层的厚度分别为25~30μm。
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CN202022726986.4U CN213522887U (zh) | 2020-11-23 | 2020-11-23 | 一种用于5g通讯设备的散热结构 |
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CN117410013A (zh) * | 2023-12-14 | 2024-01-16 | 浙江正泰电器股份有限公司 | 一种石墨烯导体及石墨烯导体的制备方法 |
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CN117410013A (zh) * | 2023-12-14 | 2024-01-16 | 浙江正泰电器股份有限公司 | 一种石墨烯导体及石墨烯导体的制备方法 |
CN117410013B (zh) * | 2023-12-14 | 2024-03-12 | 浙江正泰电器股份有限公司 | 一种石墨烯导体及石墨烯导体的制备方法 |
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