CN213459708U - 覆晶薄膜封装体用散热体 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及通过提高芯片与散热罩的紧密性来以能够提高散热性能的方式形成排气孔的覆晶薄膜封装体用散热体及设置有覆晶薄膜封装体用散热体的覆晶薄膜封装体以及覆晶薄膜封装体的制备方法，根据本实用新型的一实施方式，提供覆晶薄膜封装体用散热体，包括：散热罩，凹陷形成用于收容安装在基膜的芯片的芯片收容部；以及粘结层，使上述散热罩粘结于安装有芯片的基膜。

Description

覆晶薄膜封装体用散热体

技术领域

本实用新型涉及覆晶薄膜封装体用散热体，更详细地，涉及通过提高芯片与散热罩的紧密性来以提高散热性能的方式形成排气孔的覆晶薄膜封装体用散热体。

背景技术

随着节减液晶显示装置的生产成本且大型化及高性能化的倾向，带状配线基板的使用增加。带状配线基板为如下的结构：在由聚酰亚胺树脂等的绝缘材料构成的薄且具有可挠性的薄膜形成配线图案及与之相连接的引线，在这种薄膜安装驱动液晶显示装置所需的各种器件等。

另一方面，近来，随着液晶显示装置的急速大型化、薄型化，将在这种带状配线基板安装芯片的形态采用为覆晶薄膜(COF，Chip on Film)封装体的驱动器集成电路(IC)的比率增加。

另一方面，在这种覆晶薄膜封装体中也具有器件发热的问题，这种发热采用如下的结构：在器件的外侧面附着金属材质的散热罩，并通过热传导进行散热。

图1为示出以往的散热结构的图。如图1所示，在安装于基板的芯片的上部面附着金属等的散热罩来通过传导向外部释放在芯片生成的热量。

上述散热罩以片形态形成，通过粘结剂等附着在上述芯片的上部面及基板，通过附着时按压的压力弯曲变形并附着于芯片及基板。

在此情况下，在上述金属材质散热罩的刚性大的情况下，上述散热罩不易变形，这可导致粘结不良。

因此，需要利用延伸率优秀的材质薄薄地形成等，无法自由选择散热罩40的材质和厚度，在散热罩40的刚性过于低的情况下，由于意外的外力，结构崩坏，从而具有发生不良的概率增加的问题。

并且，金属材质的散热罩40的厚度越厚，热容量越大，由此提高散热性，结构稳定性变好，但是，由于如上所述的理由，无法增加散热罩40的厚度，使得散热性的提高受限。

现有技术文献

专利文献

韩国授权专利10-1370445号

实用新型的内容

本实用新型用于解决如上所述的问题，其目的在于，提供可提高散热性及组装性的覆晶薄膜封装体。

本实用新型的目的并不局限于以上所提及的目的，普通技术人员可通过以下记载明确理解未提及的其他目的。

为了实现如上所述的目的，根据本实用新型的一实施方式，提供覆晶薄膜封装体用散热体，包括：散热罩，凹陷形成用于收容安装在基膜的芯片的芯片收容部；粘结层，使上述散热罩粘结于安装有芯片的基膜；以及一个以上的排气孔，形成于与上述散热罩的芯片收容部相对应的区域或与以薄膜形态形成的上述粘结层的芯片收容部相对应的区域。

上述散热罩的厚度可在上述芯片的厚度的5％至40％以内。

上述散热罩可包括：粘结区域，属于通过与基膜相接触来与上述基膜相粘结的区域；收容区域，与上述粘结区域形成高度差，用于收容安装于上述基膜的芯片；以及倾斜区域，设置于上述粘结区域与收容区域之间，用于连接上述粘结区域与收容区域。

上述散热罩由铝、铜或不锈钢中的一种金属材质形成，在上述散热罩的材质为铝的情况下，上述铝可由合金牌号在A1000～A8000之间的H18以上的硬质铝材质形成，上述散热罩的厚度可以为30微米以上，在上述散热罩的材质为铜的情况下，上述散热罩的厚度可以为20微米以上，在上述散热罩的材质为不锈钢的情况下，上述散热罩的厚度可以为10微米以上。

上述收容区域的面积大于上述芯片的上侧面的面积，上述收容区域的任意一边的长度可大于与上述芯片的上部面相对应的边的长度。

上述倾斜区域的至少一部分可与上述芯片相接触。

另一方面，根据本实用新型的另一实施方式，提供覆晶薄膜封装体用散热体，包括：金属散热层，位于在一侧面安装有芯片的基膜的另一侧面；绝缘层，形成于与上述金属散热层的基膜相接触的一侧面或其另一侧面中的一个；以及粘结层，形成于与上述金属散热层的基膜相接触的面或其另一侧面中的一个。

上述金属散热层可由铝、铜或不锈钢中的一个金属材质形成。

上述金属散热层的厚度可以为20～30μm。

根据本实用新型的覆晶薄膜封装体用散热体，具有如下的效果。

事先凹陷形成芯片收容部，因此，可提高可操作性。

通过第一排气孔或第二排气孔向外部排出芯片收容部的空气，因此，排出起到绝热层的作用的空气，可使芯片与散热罩紧贴，从而可提高散热性。

并且，由于空气被排出，当附着金属材质的散热罩时，无需变形，由此，可提高材质的自由度，可使散热罩的厚度形成得更厚，从而可提高散热性。

并且，可增加散热罩的刚性，当组装或保管散热罩时，发生不良的情况减少，可适用于更多种尺寸的芯片。

本实用新型的效果并不局限于以上所提及的效果，普通技术人员可通过实用新型要求保护范围的记载明确理解未提及的其他效果。

附图说明

可通过附图更好地理解以下所说明的本申请的优选实施例的详细说明以及以上所说明的摘要。以例示本实用新型的目的，在附图示出优选实施例。但是，需要理解的是，本申请并不限定于所示的准确配置和单元。

图1为示出设置有以往的散热罩的覆晶薄膜封装体。

图2为示出本实用新型第一实施例的附着散热罩之前的覆晶薄膜封装体的形态的剖视图。

图3为示出附着图2的散热罩的状态的覆晶薄膜封装体的形态的剖视图。

图4为示出本实用新型第二实施例的覆晶薄膜封装体的立体图。

图5为示出作为图4的剖视图的附着散热罩之前的覆晶薄膜封装体的形态的剖视图。

图6为示出作为图4的剖视图的附着散热罩的状态的覆晶薄膜封装体的形态的剖视图。

图7为作为本实用新型第三实施例的覆晶薄膜封装体的剖视图的附着散热罩之前的覆晶薄膜封装体的形态的剖视图。

图8为作为本实用新型第三实施例的覆晶薄膜封装体的剖视图的附着散热罩的状态的覆晶薄膜封装体的形态的剖视图。

图9为示出本实用新型的按照各个实施例制备覆晶薄膜封装体用散热体的状态的图。

图10为示出本实用新型第四实施例的覆晶薄膜封装体用散热体的立体图。

图11为图10的剖视图。

图12为示出本实用新型第五实施例的覆晶薄膜封装体用散热体的剖视图。

图13为比较本实用新型的覆晶薄膜封装体用散热体的散热罩的芯片收容部的长度与芯片的长度的图。

图14为示出本实用新型第六实施例的覆晶薄膜封装体用散热体的剖视图。

图15为示出本实用新型第七实施例的覆晶薄膜封装体用散热体的剖视图。

图16为示出本实用新型的覆晶薄膜封装体制备方法的第一实施例的流程图。

图17为示出本实用新型的覆晶薄膜封装体制备方法的第二实施例的流程图；

图18为示出本实用新型的覆晶薄膜封装体制备方法的第三实施例的流程图。

附图标记的说明

100：覆晶薄膜封装体 120：基膜

130：芯片 140：散热罩

142：芯片收容部 144：第一排气孔

146：突出部 150：粘结层

152：第二排气孔 154：喷射粘结层

S110：罩穿孔步骤 S120：粘结层穿孔步骤

S130：接合步骤 S140：芯片附着步骤

具体实施方式

以下，参照附图说明可具体实现本实用新型的目的的本实用新型的优选实施例。在说明本实施例的过程中，对于相同构成，使用相同的名称及相同的附图标记，并省略其附加说明。

以下，说明本实用新型的覆晶薄膜封装体用散热体的第一实施例。

如图2及图3所示，本实施例的覆晶薄膜封装体用散热体100可包括散热罩140以及粘结层150。

上述散热罩140可由金属等的热传导率优秀的材质形成，可在内部凹陷形成用于收容芯片的芯片收容部142。

上述芯片130可安装于形成有配线图案的基膜120。

并且，在上述芯片130的外侧可附着金属材质的上述散热罩140。

并且，为了附着上述散热罩140，粘结层150可位于上述散热罩140与芯片130之间。这种粘结层150能够利用合成树脂等的材质以具有伸缩性的薄膜形态提供。

上述粘结层150先附着于上述散热罩140之后，在安装于上述基膜120的芯片130收容于上述散热罩140的内侧的同时，这种覆晶薄膜封装体用散热体100附着于上述散热罩140。

但是，当上述粘结层150附着于散热罩140时，不是先紧贴于上述芯片收容部142的凹陷的部分，而是以平坦的状态附着，如图3所示，上述芯片130向上述芯片收容部142的内部引入，而且平坦状态的上述粘结层150也被芯片130推挤，能够以紧贴于芯片收容部142的内侧面的形态附着。

因此，预先在上述散热罩140形成芯片收容部，当附着芯片时，无需使上述金属材质的散热罩变形，由此可提高可操作性。

并且，预先形成上述芯片收容部142，当附着时，无需用手按压变形，还可稍微增加散热罩的厚度来提高散热性。

如图4至图6所示，本实用新型第二实施例的覆晶薄膜封装体用散热体可包括散热罩140以及粘结层150。

上述散热罩140曲折或弯曲形成，使得用于收容安装于基膜120的芯片130的芯片收容部142凹陷，可在与上述芯片收容部142相对应的区域形成一个以上的第一排气孔144。

上述基膜120可包括：上部绝缘层及下部绝缘层(未图示)，由柔韧且具有绝缘性的材质形成，相互层叠并附着；以及引线(未图示)，配置于上部绝缘层与下部绝缘层之间。

例如，上述上部绝缘层及下部绝缘层由聚酰亚胺材质形成，上述引线可由铜等的具有充足的柔性和导电性的材质形成。并且，上述上部绝缘层在一部分区间被切开并开口来露出上述引线，芯片130安装并固定于露出上述引线的部分，由此可与上述引线电连接。

另一方面，上述散热罩140以覆盖安装于上述基膜120的芯片130的方式形成，可凹陷形成用于收容上述芯片130的芯片收容部142。并且，在与上述散热罩140的上述芯片收容部142相对应的区域可形成一个以上的第一排气孔144。

在本实施例中，以在上述芯片收容部142的上部面形成两个上述第一排气孔144为例进行说明，本实用新型并不限定于此，上述第一排气孔144可形成一个，也可形成两个以上的多个。

并且，上述粘结层150可位于上述散热罩140的内侧面来使上述散热罩140和上述基膜120及上述散热罩140和上述芯片130附着。

如上所述的粘结层150能够以具有优秀的伸缩性的合成树脂材质的薄膜形态提供。并且，上述粘结层150可由具有优秀的热传导率的材质形成或者包括具有优秀的热传导率的材质的粒子等。在本实施例中，以上述粘结层150适用丙烯压敏胶(PSA，PressureSensitive Adhesive)带为例进行说明，但本实用新型并不限定于此。

即，如图5所示，上述粘结层150附着于上述散热罩140的下部面(朝向上述基膜120的面)，在此情况下，在上述芯片收容部142的内侧收容上述芯片130之前的上述粘结层150并不是沿着上述芯片收容部142的曲折全部附着于上述散热罩140的下部面，而是可维持平坦的状态。

并且，如图6所示，安装于上述基膜120及上述基膜120的芯片130和上述散热罩140可附着。

在此情况下，上述芯片130接近上述芯片收容部142的内侧并收容，在此情况下，上述粘结层150也被上述芯片130推挤并变形，由此可向上述芯片收容部142的内侧引入。

另一方面，在上述芯片收容部142与粘结层150中存在空气60，若上述芯片收容部142的空间被上述散热罩140和粘结层150密封，则上述芯片收容部142中的空气60处于被粘结层150限制的状态，最终，如图3所示，可在粘结层150与芯片收容部142之间生成空气层60。

但是，这种空气60通过绝热作用降低热传导率，从而可妨碍芯片130的散热。

并且，由于这种空气层60，金属材质的散热罩40的芯片收容部142以鼓起的形态变形并附着，若在金属材质的散热罩40的刚性大的情况下，散热罩40不容易变形，这可导致粘结不良。

因此，需要利用延伸率优秀的材质薄薄地形成等，不能自由选择散热罩140的材质和厚度，在散热罩40的厚度薄而使刚性过于低的情况下，由于意想不到的外力，结构崩坏，从而可增加发生不良的概率。

并且，若金属材质的散热罩140的厚度越厚，则热容量增加，由此提高散热性，且结构稳定性变好，但是，在厚度过于厚的情况下，刚性也过于增加，难以通过内部空气60适当变形，由此可发生粘结不良，从而使厚度增加受限。

但是，根据本实施例，通过上述第一排气孔144向外部排出存在于上述芯片收容部142内侧的空气，由此，可使上述芯片130与上述散热罩140紧贴，从而可增大散热效果。

并且，随着空气的排出，散热罩140无需通过空气的压力变形，因此，可提高上述散热罩140的刚性，并可提高选择材料的自由度，还可增加散热罩140的厚度，从而可进一步加强散热性。

另一方面，如图4及图5所示，在上述散热罩140可形成粘结区域L1、收容区域A3以及倾斜区域L2。

上述粘结区域L1为通过上述粘结层150与上述基膜120相接触并与上述基膜120相粘结的区域。为了顺畅地与上述基膜120相粘结，上述粘结区域L1可呈平坦状。

上述收容区域A3为如下的区域：从上述粘结区域L1朝向上侧形成高度差，来与上述基膜120的之间形成空间，从而收容安装于上述基膜120的芯片130。

并且，上述倾斜区域L2形成于上述粘结区域L1与收容区域A3之间，使上述粘结区域L1与收容区域A3之间相连接。

并且，上述粘结区域L1、收容区域A3以及倾斜区域L2均连续形成，可通过冲压等弯曲一个板材来形成。

即，实际上，上述芯片收容部142通过上述收容区域A3和倾斜区域L2形成。

并且，如图4所示，上述粘结区域L1能够以在形成有上述收容区域A3的位置的两个端部附近扩张地宽的方式形成。并且，为了维持与上述粘结层150的最小限度的粘结面积，粘结区域L1未被扩张的部分也可形成最小限度的粘结区域L1。

并且，上述第一排气孔144可形成于上述收容区域A3。如图4及图5所示，上述第一排气孔144可形成于上述收容区域A3的横向截面上的中间位置。如图4所示，这种第一排气孔144可分别配置于上述收容区域A3的前侧和后侧附近。

并且，在本实施例中，上述收容区域A3的宽度可在1.90～2.00mm的范围内，优选地，可以为1.94mm。并且，上述倾斜区域L2的长度可在0.60～0.70mm的范围内，优选地，可以为0.63mm。并且，在宽位置上的从上述倾斜区域L2的粘结区域L1的长度在3.50～4.00mm的范围内，优选地，可以为3.56mm，在窄位置上的从上述倾斜区域L2的粘结区域L1的长度在1.00～0.70mm的范围内，优选地，可以为0.84mm。

当然，这种数值可根据上述芯片130的大小不同，上述粘结区域L1、倾斜区域L2、收容区域A3的宽度仅为一例，可根据需求变更。

另一方面，可定义为上述收容区域A3与上述粘结区域L1形成的高度差的高度的芯片收容部142的高度h可以为0.8mm以下，在本实施例中，以0.47mm为例进行说明。上述芯片收容部142的高度可根据安装于上述基膜120且收容于上述芯片收容部142的芯片130的高度不同。根据本申请人的实验，若上述芯片收容部142的高度h大于0.8mm，则在上述散热罩140产生裂纹的频率增加。当然，这可根据散热罩140的材质和厚度不同，根据散热罩140的材质和厚度以及加工方法，上述芯片收容部142的高度可大于0.8mm。

并且，上述第一排气孔144的直径d可在0.1～2.0mm的范围内。在本实施例中，以0.4mm为例进行说明。根据本申请人的实验，在上述第一排气孔144的直径d大于2.0mm的情况下，观察到散热性能反而降低等的恶劣影响。并且，在第一排气孔144的直径过于大的情况下，当评价可靠性(恒温恒湿，聚对苯二甲酸1，4-环己烷二甲醇酯(PCT)等)时，观察到水分可向第一排气孔144内侧进入的缺点。

上述散热罩140只要是热传导优秀且具有刚性的材质就可以，在本实施例中，以由金属材质形成的情况为例进行说明。

例如，上述散热罩140可由作为热传导率优秀且具有刚性、加工性也优秀的金属材质的铝、铜或不锈钢中的一个材质或包含它们的合金材质形成。

上述散热罩140的厚度可按照材质不同，若厚度过于薄，则刚性过于弱化，当在覆晶薄膜封装体的制备工序中卷绕在辊等时，结构可能会变形，厚度越厚，越对于散热性有利，但是具有重量增加的风险，因此，需按材质以适当厚度制备。

在此情况下，在上述散热罩140的材质为铝的情况下，上述散热罩140的厚度可以为30微米以上。

或者，在上述散热罩140的材质为铜的情况下，上述散热罩140的厚度可以为20微米以上。

或者，在上述散热罩140的材质为不锈钢的情况下，上述散热罩140的厚度可以为10微米以上。

在此情况下，在上述散热罩140的材质为铝的情况下，上述铝可以为硬质材质。更详细地，上述铝可使用合金牌号在A1000～A8000之间的H18以上的硬质铝。在本实施例中，以使用上述铝的合金牌号为A1235、状态标记为H18的铝为例进行说明。即，为了获取规定的机械性质，不进行追加硬处理，仅进行加工固化，可以为通过常规加工获取的最大抗拉强度的硬质。

即，使用硬质铝，在此情况下，上述铝可以为铝合金或纯铝材质。并且，与是否追加热处理无关地，纯铝可使用通过加工固化增加强度的H状态。

或者，可使用加工硬化的H1状态或加工固化后进行软化热处理的H2状态。通常，从HX1越接近HX9越硬，可使用HX4以上。

当然，本实用新型的铝的合金牌号及状态并不限定于此，可根据需求适用多种合金及状态。

并且，上述散热罩的厚度可根据上述芯片的厚度不同。例如，上述散热罩的厚度可在上述芯片的厚度的5％至40％以内。更优选地，可在上述芯片的厚度的7％至35％以内。或者，上述散热罩的厚度可在上述芯片的厚度的10％至20％以内。

并且，各个材质的上述散热罩140的厚度可不同，对于散热性能方面，尽可能厚的更有利，但是，若厚度越厚，则具有作为散热罩140的加工性降低且重量增加的缺点，因此，可适当调节。

另一方面，如图6所示，若观察上述散热罩140的粘结区域L1与基膜120粘结的部分的截面，则可在上述散热罩140的上侧附着聚酰亚胺膜147。并且，在上述散热罩140与聚酰亚胺膜147之间设置粘结片148，由此，可附着上述散热罩140与聚酰亚胺膜147。上述粘结片148可以为丙烯系列的粘结剂成分。

并且，可在上述散热罩140与上述基膜120之间设置粘结层150。上述粘结层150也可为丙烯系列的粘结剂成分。

在此情况下，上述聚酰亚胺膜147的厚度t1为6～25μm，配置于上述聚酰亚胺膜147与散热罩140之间的粘结片148的厚度t2可以为5～30μm。并且，上述散热罩140的厚度t3为10～100μm，上述粘结层150的厚度t4可以为5～30μm。

当然，这种数值仅为一例，可根据需求修改。

并且，代替上述聚酰亚胺材质的薄膜，可使用聚酰亚胺酰胺(Polyimideamide)材质的薄膜。在上述聚酰亚胺酰胺材质的薄膜的情况下，厚度可在0.5μm～10μm之间。

另一方面，根据本实用新型的第三实施例，可在粘结层150形成第二排气孔152。

即，如图7及图8所示，可在上述粘结层150形成一个以上的第二排气孔152。在此情况下，上述第二排气孔152可形成于与上述散热罩140的芯片收容部142相对应的区域。在此情况下，上述第二排气孔152能够以圆形孔形态形成或槽形态形成。例如，上述第二排气孔152可以为利用刀等切开的形态，而不是圆形的孔形态。

本实用新型并不限定于上述第一排气孔144或第二排气孔152的数量或形态。

因此，当上述基膜120及芯片130附着于上述散热膜时，通过向上述芯片收容部142的内侧引入的芯片130，上述粘结层150也被推挤并变形，从而可向上述芯片收容部142的内侧引入，在此情况下，可通过上述第二排气孔152向外部排出存在于上述芯片收容部142内侧的空气，由此，使上述芯片130与上述散热罩140紧贴，从而可增大散热效果。

当然，上述第一排气孔144和第二排气孔152均可同时形成。在上述第一排气孔144和第二排气孔152均形成的情况下，上述芯片收容部142内部的空气均可向上述第一排气孔144和第二排气孔152排出。

因此，如图9的(a)部分所示，当利用如上所述的覆晶薄膜封装体用散热体制备覆晶薄膜封装体时，在上述粘结层150接合形成有第一排气孔144的散热罩140，之后，可将其附着于安装有芯片130的基罩，或者，如图9的(b)部分所示，在上述粘结层150形成第二排气孔152，使其与上述散热罩140接合并附着于安装有芯片130的基膜120。

或者，如图9的(c)部分所示，接合形成有上述第一排气孔144的散热罩140与形成有上述第二排出孔的粘结层150，之后，可将其附着于安装有芯片130的基罩。

并且，通过如上所述的方法制备的芯片130还可在薄膜封装体的基膜120组装配线或其他各种部件来形成半导体封装体。

另一方面，根据本实用新型的第三实施例，如图10及图11所示，在上述倾斜区域A2朝向上述芯片130还可形成朝向上述芯片收容部142内侧突出形成的突出部146。

上述突出部146可在上述倾斜区域A2两侧对称形成一个以上的多个，大小或数量及形态可多种多样。

形成上述突出部146，并向上述突出部146之间插入芯片130，可使上述散热罩140与上述芯片130物理固定。并且，上述突出部146与芯片130物理接触，因此，解除面积增加，从而可提高散热性能。

或者，根据本实用新型的第四实施例，如图12所示，上述倾斜区域A2形成的角度可垂直于上述粘结区域A1。

即，垂直于上述粘结区域A1的竖线与上述倾斜区域A2平行，由此，上述芯片130的上部面及侧面可紧贴于上述散热罩140，由此，可增加接触面积，从而可提高散热性能。

另一方面，在如上所述的实施例中，如图13所示，上述芯片收容部142的收容区域A3可大于上述芯片130的上侧面的面积。即，如图13所示，上述收容区域A3的任意一边的长度L3可大于与上述芯片130的上部面相对应的边的长度L4。

这是考虑附着上述芯片130与散热罩140的设备的公差及上述粘结层的厚度的，在本实施例中，上述收容区域A3的任意一边的长度L3可比与上述芯片的上部面相对应的边的长度L4长大约500微米以上。当然，这种数值仅为一例，为可通过设备的组装公差、制造公差、粘结层150的厚度等随意变更的数值。或者，上述收容区域A3的面积可比上述芯片的上侧面的面积大5％至30％。

并且，如图14所示，根据本实用新型的第五实施例，上述粘结层150可由向上述散热罩140的内侧面喷射或涂敷的粘结成分形成。在此情况下，在上述粘结层150与散热罩140的内侧面之间没有限制空气的空间，因此，不形成额外的第一排气孔144及第二排气孔152也无妨。

并且，还可在通过如上所述的方式制备的覆晶薄膜封装体用散热体的基膜120组装配线或其他各种部件来形成半导体封装体。

另一方面，上述粘结层150在上述粘结区域A1与上述散热罩140相粘结，上述收容区域A3及倾斜区域A2中的至少一个可不与上述散热罩140相粘结。

即，如图13所示，上述粘结层150在粘结区域A1与上述散热罩140及基膜120相粘结，在上述倾斜区域A2中，不与上述散热罩140及芯片130的侧面相粘结，在上述收容区域A3中，可与芯片130的上部面和收容区域A3相粘结。或者，在上述粘结区域A1中，与上述散热罩140及基膜120相粘结，在上述倾斜区域A2及收容区域A3中，上述粘结层150可不与散热罩140相粘结。

并且，上述粘结层150具有伸缩性，在可自由弯曲的薄膜等的两面可涂敷或形成粘结物质。在此情况下，出与上述粘结层150的收容区域A3及倾斜区域A2相对应的部位中的一个之外的剩余一区域或除与上述粘结层的收容区域A3及倾斜区域A2相对应的所有部位之外的剩余区域可涂敷粘结物质。

或者，还可仅在与上述粘结层150的粘结区域A1相对应的部位涂敷粘结物质。

因此，上述粘结层150仅在涂敷有粘结物质的部位与上述散热罩140或芯片130相粘结，在剩余部分可不粘结。

当然，本实用新型并不限定于此，可在上述粘结层150的所有区域涂敷粘结物质。

并且，根据本实用新型的第六实施例，金属散热层158还可设置于芯片130与基膜120之间。

图15为示出本实用新型第六实施例的覆晶薄膜封装体用散热体的图。如图15所示，本实施例的覆晶薄膜封装体用散热体可包括金属散热层158、绝缘层154以及粘结层156。

上述金属散热层158位于在一侧面安装有芯片的基膜的另一侧面，可接收在上述芯片130生成的热量并向外部散热。

并且，上述绝缘层154可形成于与上述金属散热层158的上述基膜120相接触的一侧面或另一侧面中的一个。

并且，上述粘结层156可形成于与上述金属散热层158的基膜120相接触的面或其另一侧面中的未形成上述绝缘层154的另一个。

在本实施例中，以上述绝缘层154形成于与上述金属散热层158的基膜120相接触的一侧面且上述粘结层156形成于上述金属散热层158的另一侧面为例进行说明。

上述金属散热层158可由铝、铜或不锈钢中的一种金属材质形成。在本实施例的说明中，以上述金属散热层158由铝(A1)材质形成为例进行说明，但并不限定于此。

如上所述的金属散热层158还可由20～30μm之间的厚度形成。

并且，上述绝缘层154可由聚酰胺-酰亚胺(PAI，Polyamide-imide)材质形成，可由2～5μm之间的厚度形成。

并且，以上述粘结层156以20～30μm的厚度适用银丙烯压敏胶(PressureSensitive Adhesive)带为例进行说明，本实用新型并不限定于此。

因此，可通过上述金属散热层158向基膜120及外部散热在上述芯片130生成的热量。

以下，说明本实用新型的覆晶薄膜封装体用散热体的形成方法的第一实施例。

如图16所示，本实施例的覆晶薄膜封装体用散热体的形成方法可包括罩穿孔步骤S110、接合步骤S130以及芯片附着步骤S140。

上述罩穿孔步骤S110为在上述散热罩140的收容区域A3形成第一排气孔144的步骤。上述罩穿孔步骤S110可在加工上述散热罩140时一同执行。

并且，在上述接合步骤S130中，上述粘结层150可与上述散热罩140接合。

在此情况下，上述粘结层150附着于上述散热罩140的下部面(朝向上述基膜120的面)，上述粘结层150并不沿着由上述倾斜区域L2和收容区域A3形成的芯片收容部142的曲折全部附着于倾斜区域L2和收容区域A3，可仅附着于上述粘结区域L1来维持平坦的状态。

另一方面，上述芯片附着步骤S140为如下的步骤：上述芯片130收容于上述散热罩140的芯片收容部142的内侧，与上述粘结层150的芯片收容部142相对应的部分与上述芯片130一同向芯片收容部142的内侧推挤并引入，通过上述第一排气孔144向外部排出上述芯片收容部142内部的空气，同时，附着上述芯片130和上述散热罩140、上述基膜120和上述散热罩140。

以下，说明本实用新型的覆晶薄膜封装体用散热体的形成方法的第二实施例。

如图17所示，本实施例的覆晶薄膜封装体用散热体的形成方法可包括粘结层穿孔步骤S120、接合步骤S130以及芯片附着步骤S140。

上述粘结层穿孔步骤S120为在与上述粘结层150的上述芯片收容部142相对应的部分形成第二排气孔152的步骤。在此情况下，上述第二排气孔152可由圆形的孔形态形成或槽形态形成。例如，上述第二排气孔152可以为利用刀等切开的形态，而不是圆形的孔形态。上述第二排气孔152可在整个上述粘结层150以规定间隔形成。

并且，在上述接合步骤S130中，形成有上述第二排气孔152的粘结层150可与上述散热罩140相粘结。

在此情况下，上述粘结层150附着于上述散热罩140的下部面(朝向上述基膜120的面)，上述粘结层150并不是沿着由上述倾斜区域L2和收容区域A3形成的芯片收容部142的弯曲全部附着于倾斜区域L2和收容区域A3，仅可附着于上述粘结区域L1来维持平坦的状态。

另一方面，上述芯片附着步骤S140为如下的步骤：上述芯片130收容于上述散热罩140的芯片收容部142的内侧，与上述粘结层150的芯片收容部142相对应的部分与上述芯片130一同向芯片收容部142的内侧推挤并引入，通过上述第二排气孔152向外部排出上述芯片收容部142内部的空气，并附着上述芯片130和上述散热罩140、上述基膜120和上述散热罩140。

以下，说明本实用新型的覆晶薄膜封装体用散热体的形成方法的第三实施例。

如图18所示，本实施例的覆晶薄膜封装体用散热体的形成方法可包括罩穿孔步骤S110、粘结层穿孔步骤S120、接合步骤S130以及芯片附着步骤S140。

上述罩穿孔步骤S110为在上述散热罩140的收容区域A3形成第一排气孔144的步骤。上述罩穿孔步骤S110可在加工上述散热罩140时一同执行。

上述粘结层穿孔步骤S120为在与上述粘结层150的上述芯片收容部142相对应的部分形成第二排气孔152的步骤。在此情况下，上述第二排气孔152可由圆形孔形态形成或槽形态形成。

并且，在上述接合步骤S130中，形成有上述第二排气孔152的粘结层150可与上述散热罩140相粘结。

在此情况下，上述粘结层150附着在上述散热罩140的下部面(朝向上述基膜120的面)，上述粘结层150不沿着由上述倾斜区域L2和收容区域A3形成的芯片收容部142的弯曲全部附着在倾斜区域L2和收容区域A3，可仅附着在上述粘结区域L1来维持平坦的状态。

另一方面，上述芯片附着步骤S140为如下的步骤：上述芯片130收容在上述散热罩140的芯片收容部142内侧，与上述粘结层150的芯片收容部142相对应的部分和上述芯片130一同向芯片收容部142的内侧推挤并引入，上述芯片收容部142内部的空气通过上述第一排气孔144及第二排气孔152向外部排出，同时，上述芯片130和上述散热罩140、上述基膜120和上述散热罩140附着。

并且，如上所述的实施例说明了用于收容芯片130的散热罩140，但并不限定于此，还可适用于附着在安装有电路基板或基膜的芯片的背面的金属材质散热罩。

当然，无需附着在安装有芯片的背面，与是否收容芯片或芯片的背面与否无关地，只要是可附着在电路基板或基膜的金属材质散热罩就可以。

如上所述，说明了本实用新型的优选实施例，除如上所述的实施例之外，本实用新型可在不超出本实用新型的主旨或范围的情况下具体化为其他特定形态，这对本技术领域的普通技术人员而言是显而易见的。因此，如上所述的实施例仅为例示，并不限定本实用新型，由此，本实用新型并不限定于如上所述的说明，可在实用新型要求保护范围及其等同范围内变更。

Claims (9)

1.一种覆晶薄膜封装体用散热体，其特征在于，包括：

散热罩，凹陷形成用于收容安装在基膜的芯片的芯片收容部；

粘结层，使上述散热罩粘结于安装有芯片的基膜；以及

一个以上的排气孔，形成于与上述散热罩的芯片收容部相对应的区域或与以薄膜形态形成的上述粘结层的芯片收容部相对应的区域。

2.根据权利要求1所述的覆晶薄膜封装体用散热体，其特征在于，上述散热罩的厚度在上述芯片的厚度的5％至40％以内。

3.根据权利要求1所述的覆晶薄膜封装体用散热体，其特征在于，上述散热罩包括：

粘结区域，属于通过与基膜相接触来与上述基膜相粘结的区域；

收容区域，与上述粘结区域形成高度差，用于收容安装于上述基膜的芯片；以及

倾斜区域，设置于上述粘结区域与收容区域之间，用于连接上述粘结区域与收容区域。

4.根据权利要求3所述的覆晶薄膜封装体用散热体，其特征在于，

上述散热罩由铝、铜或不锈钢中的一种金属材质形成，

在上述散热罩的材质为铝的情况下，上述铝由合金牌号在A1000～A8000之间的H18以上的硬质铝材质形成，上述散热罩的厚度为30微米以上，

在上述散热罩的材质为铜的情况下，上述散热罩的厚度为20微米以上，

在上述散热罩的材质为不锈钢的情况下，上述散热罩的厚度为10微米以上。

5.根据权利要求4所述的覆晶薄膜封装体用散热体，其特征在于，

上述收容区域的面积大于上述芯片的上侧面的面积，

上述收容区域的任意一边的长度大于与上述芯片的上部面相对应的边的长度。

6.根据权利要求4所述的覆晶薄膜封装体用散热体，其特征在于，上述倾斜区域的至少一部分与上述芯片相接触。

7.一种覆晶薄膜封装体用散热体，其特征在于，包括：

金属散热层，位于在一侧面安装有芯片的基膜的另一侧面；

绝缘层，形成于与上述金属散热层的基膜相接触的一侧面或其另一侧面中的一个；以及

粘结层，形成于与上述金属散热层的基膜相接触的面或其另一侧面中的一个。

8.根据权利要求7所述的覆晶薄膜封装体用散热体，其特征在于，上述金属散热层由铝、铜或不锈钢中的一个金属材质形成。

9.根据权利要求7所述的覆晶薄膜封装体用散热体，其特征在于，上述金属散热层的厚度为20～30μm。

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