CN213314181U - 一种多晶硅生产工艺中氢气纯化装置 - Google Patents
一种多晶硅生产工艺中氢气纯化装置 Download PDFInfo
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Abstract
本实用新型公开了一种多晶硅生产工艺中氢气纯化装置，属于多晶硅生产技术领域，包括4个吸附塔，吸附塔下方设置有第一进出气口，第一进出气口分别与原料进管、第一循环管线、热氢出管和第二循环管线相连，第一循环管线与第二循环管线的连接处设置有冷却器，吸附塔上方设置有第二气体进出口，第二气体进出口分别与热氢进管、产品出管和第三循环管线相连。本实用新型具有再生性能好、热量利用率高、产品纯度高和运营成本低等优点。
Description
技术领域
本实用新型涉及多晶硅生产技术领域，具体涉及一种多晶硅生产工艺中氢气纯化装置。
背景技术
多晶硅材料是以硅为原料经一系列物理化学反应提纯后达到一定纯度的电子材料，是硅产品产业链中一个极为重要的中间产品，是制造硅抛光片、太阳能电池及高纯硅制品的主要原料，是半导体、电子信息业、太阳能光伏电池业最基础的功能性材料。多晶硅生产多采用改良西门子技术，改良西门子工艺尾气回收工段，H2采用活性炭吸附的方法进行净化，获得高纯度产品H2用于还原SiHCl3制备多晶硅。
目前活性炭吸附塔采用A、B、C三塔序贯的方式进行，如图3所示。每个吸附塔按“吸附-加热再生-冷却”三个步骤进行一个周期的循环。
对于A吸附塔（其他吸附塔原理相同）：
阶段1吸附：原料H2先从底部进入A吸附塔，开始吸附操作，经纯化后的H2从A吸附塔顶部出，得到产品H2送至还原工段。A吸附塔吸附一段时间θ1后，A吸附塔内的活性炭杂质吸附达到饱和，不再具有吸附能力，原料H2则切换进入已经冷却好的B吸附塔进行吸附。
阶段2再生：A吸附塔开始进行加热再生，再生阶段，A吸附塔内盘管和外夹套管通入高温流体，同时从顶部反吹少量热H2把从活性炭脱附下来的杂质带出A吸附塔。A吸附塔加热再生一段时间θ2后，A吸附塔内的活性炭得到全部再生，开始进入第三阶段，即冷却。
阶段3冷却：A吸附塔内盘管和外夹套管的流体从高温流体切换回低温流体，同时从顶部反吹少量产品H2（B吸附塔顶出）加强冷却效果。当冷却一段时间θ3后，A吸附塔内的活性炭得到全部冷却，可以开始循环进行吸附操作。
三个吸附塔在时间和空间上的序贯示意如表1。
表1
目前工艺技术主要存在以下几个问题：（1）采用热流体加热，再生温度不高，再生不彻底。（2）盘管处于冷热交变的环境，其焊缝容易泄露。（3）冷热流体外部输送管道长，冷热损失较大。（4）主要依靠热传导的方式对活性炭进行冷却和加热，而活性炭导热系数低，而盘管也不能密布热传递效率低，加热和冷却所需要的时间长。（5）由于放大效应，活性炭装填量不能太多，导致处理量不高。（6）单吸附塔的H2纯度有限，容易导致多晶硅产品质量不高。
实用新型内容
本实用新型旨在解决现有技术中存在的问题，提供一种多晶硅生产工艺中氢气纯化装置，本实用新型采用四个吸附塔连用，吸附塔采用内置内部加热器，每个塔依次经过吸附I、加热再生、冷却和吸附II等步骤，使得原料气经过两次吸附，吸附得到的H2纯度更高，吸附塔的再生率更高。
本实用新型的目的是通过以下技术方案实现的：
一种多晶硅生产工艺中氢气纯化装置，其特征在于：包括4个吸附塔，所述吸附塔下方设置有第一进出气口，所述第一进出气口分别与原料进管、第一循环管线、热氢出管和第二循环管线相连，所述第一进出气口通过原料支管与原料进管相连，所述第一进出气口通过第一支管与第一循环管线相连，所述第一进出气口通过第一热氢支管与热氢出管相连，所述第一进出气口通过第二支管与第二循环管线相连，所述第一循环管线与第二循环管线的连接处设置有冷却器，所述吸附塔上方设置有第二气体进出口，所述第二气体进出口分别与热氢进管、产品出管和第三循环管线相连，所述第二气体进出口通过第二热氢支管与热氢进管相连，所述第二气体进出口通过第三支管和第四支管与第三循环管线相连，所述第二气体进出口通过产品支管与产品出管相连。
优选的，所述原料支管上设置有原料进气阀，所述第一支管上设置有第一循环进气阀，所述第一热氢支管上设置有热氢出气阀，所述第二支管上设置有第一循环出气阀，所述第二热氢支管上设置有热氢进气阀，所述第三支管上设置有第二循环进气阀，所述第四支管上设置有第二循环出气阀，所述产品支管上设置有产品出气阀。
一种多晶硅生产工艺中氢气纯化装置，其特征在于：包括4个吸附塔，所述吸附塔下方设置有第一进出气口，所述第一进出气口分别与原料进管、第一循环管线、热氢出管和第二循环管线相连，所述第一进出气口通过原料支管与原料进管相连，所述第一进出气口通过第一支管与第一循环管线相连，所述第一进出气口通过第一热氢支管与热氢出管相连，所述第一进出气口通过第二支管与第二循环管线相连，所述第一循环管线与第二循环管线的连接处设置有冷却器，所述吸附塔上方设置有第二气体进出口，所述第二气体进出口分别与第四循环管线、产品出管和第三循环管线相连，所述第二气体进出口通过第五支管与第四循环管线相连，所述第二气体进出口通过第三支管和第四支管与第三循环管线相连，所述第二气体进出口通过产品支管与产品出管相连，所述产品出管通过循环支管与第四循环管线相连，所述第四循环管线上设置有加热器。
优选的，所述原料支管上设置有原料进气阀，所述第一支管上设置有第一循环进气阀，所述第一热氢支管上设置有热氢出气阀，所述第二支管上设置有第一循环出气阀，所述第五支管上设置有热氢进气阀，所述第三支管上设置有第二循环进气阀，所述第四支管上设置有第二循环出气阀，所述产品支管上设置有产品出气阀，所述循环支管上设置有循环进气阀。
优选的，所述吸附塔内部设置有内部加热器。
优选的，所述产品出管上设置有过滤器。
优选的，所述热氢出管上设置有第一流量调节阀。
优选的，所述热氢进管上设置有第二流量调节阀。
优选的，所述产品出管上还设置有第三流料调节阀。
工作原理：对于A吸附塔（其他吸附塔原理相同）：
阶段1吸附I：如图4所示，原料H2先从底部的第一进出气口进入A吸附塔，开始初吸附操作，经初吸附后的H2从A吸附塔第二气体进出口出，得到较纯的H2送至B吸附塔第二气体进出口，较纯的H2从B吸附塔第一进出气口排出，完成B吸附塔的冷却，最后通过C吸附塔第一进出气口进入C吸附塔，进行二次吸附。A吸附塔吸附一段时间θ1后，A吸附塔内的活性炭杂质吸附达到饱和，不再具有吸附能力，原料H2则切换进入已经C吸附塔进行初吸附。
阶段2再生：如图5所示，A吸附塔开始进行加热再生，再生阶段，A吸附塔内电加热管内的电阻丝进行通电，对A吸附塔内的活性炭进行加热。电加热管排布较多，间距小，且电加热管的温度可以达到300℃甚至更高，与活性炭的传热温差大。同时从顶部反吹少量热H2把从活性炭脱附下来的杂质带出A吸附塔。A吸附塔加热再生一段时间θ2后，A吸附塔内的活性炭得到全部再生，开始进入第三阶段，即冷却。
阶段3冷却：如图6所示，A吸附塔加热再生完成的活性炭，温度较高，需要进行冷却才能具备吸附能力。冷却方式采用初吸附后的部分或全部H2反吹冷却的方式，即经B吸附塔初吸附的H2，从顶部部分或全部反吹入A吸附塔，由于B吸附塔出来的初吸附的H2温度低，≤20℃左右，A吸附塔的活性炭经一段时间θ3后，被冷H2所冷却。A吸附塔的冷反吹H2被活性炭加热，从A吸附塔底部出，经过外部冷却器冷却后，进入到D吸附塔进行再吸附净化。
阶段4吸附II：如图7所示，A吸附塔被冷却到指定温度后，即可接受来自C吸附塔出来经外部冷却器冷却的H2进行二次吸附，获得更高纯度的产品H2。经一段时间θ4后，完成一个循环，重复第1阶段的初阶I。
四个吸附塔在时间和空间上的序贯示意如表2。
表2
| 时间 | A | B | C | D |
| θ1 | 吸附I | 冷却 | 吸附II | 加热再生 |
| θ2 | 加热再生 | 吸附II | 吸附I | 冷却 |
| θ3 | 冷却 | 吸附I | 加热再生 | 吸附II |
| θ4 | 吸附II | 加热再生 | 冷却 | 吸附I |
本技术方案的有益效果如下：
（1）采用内置电加热管，再生温度高，再生彻底。
（2）无流体进入吸附塔，避免了泄露造成不良后果。
（3）内置内部加热器，电功率全部用于活性炭加热上，避免了热量损失。
（4）取消了冷热流体的系统，投资、运行和维护费用大大降低。
（5）采用两级吸附，得到纯度更高的产品氢气。
（6）再生和冷却时间变短。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图；
图2为本实用新型另一技术方案的结构示意图；
图3为现有纯化装置；
图4为A吸附塔阶段1吸附I流程图；
图5为A吸附塔阶段2再生流程图；
图6为A吸附塔阶段3冷却流程图；
图7为A吸附塔阶段4吸附II流程图；
其中：1、吸附塔；2、第一进出气口； 4、原料进管；5、第一循环管线；6、原料支管；7、第一支管；8、热氢出管；9、第二循环管线；10、第一热氢支管；11、第二支管；12、冷却器；13、第二气体进出口；14、热氢进管；15、产品出管；16、第三循环管线；17、第二热氢支管；18、第三支管；19、第四支管；20、产品支管；21、原料进气阀；22、第一循环进气阀；23、热氢出气阀；24、第一循环出气阀；25、热氢进气阀；26、第二循环进气阀；27、第二循环出气阀；28、产品出气阀；29、过滤器；30、第一流量调节阀；31、第二流量调节阀；32、第三流料调节阀；33、第四循环管线；34、循环支管；35、循环进气阀；36、加热器；37、第五支管。
具体实施方式
下面结合实施例对本实用新型作进一步地详细说明，但本实用新型的实施方式不限于此。
实施例1
作为本实用新型一种最基本的实施方案，本实施例公开了一种多晶硅生产工艺中氢气纯化装置，如图1所示，包括4个吸附塔1，所述吸附塔1下方设置有第一进出气口2，所述第一进出气口2分别与原料进管 4、第一循环管线5、热氢出管8和第二循环管线9相连，所述第一进出气口2通过原料支管6与原料进管 4相连，所述第一进出气口2通过第一支管7与第一循环管线5相连，所述第一进出气口2通过第一热氢支管10与热氢出管8相连，所述第一进出气口2通过第二支管11与第二循环管线9相连，所述第一循环管线5与第二循环管线9的连接处设置有冷却器12，所述吸附塔1上方设置有第二气体进出口13，所述第二气体进出口13分别与热氢进管14、产品出管15和第三循环管线16相连，所述第二气体进出口13通过第二热氢支管17与热氢进管14相连，所述第二气体进出口13通过第三支管18和第四支管19与第三循环管线16相连，所述第二气体进出口13通过产品支管20与产品出管15相连。
优选的，所述原料支管6上设置有原料进气阀21，所述第一支管7上设置有第一循环进气阀22，所述第一热氢支管10上设置有热氢出气阀23，所述第二支管11上设置有第一循环出气阀24，所述第二热氢支管17上设置有热氢进气阀25，所述第三支管18上设置有第二循环进气阀26，所述第四支管19上设置有第二循环出气阀27，所述产品支管20上设置有产品出气阀28。
实施例2
作为本实用新型一种优选的实施方案，本实施例公开了一种多晶硅生产工艺中氢气纯化装置，如图2所示，包括4个吸附塔1，所述吸附塔1下方设置有第一进出气口2，所述第一进出气口2分别与原料进管 4、第一循环管线5、热氢出管8和第二循环管线9相连，所述第一进出气口2通过原料支管6与原料进管 4相连，所述第一进出气口2通过第一支管7与第一循环管线5相连，所述第一进出气口2通过第一热氢支管10与热氢出管8相连，所述第一进出气口2通过第二支管11与第二循环管线9相连，所述第一循环管线5与第二循环管线9的连接处设置有冷却器12，所述吸附塔1上方设置有第二气体进出口13，所述第二气体进出口13分别与第四循环管线33、产品出管15和第三循环管线16相连，所述第二气体进出口13通过第五支管37与第四循环管线33相连，所述第二气体进出口13通过第三支管18和第四支管19与第三循环管线16相连，所述第二气体进出口13通过产品支管20与产品出管15相连，所述产品出管15通过循环支管34与第四循环管线33相连，所述第四循环管线33上设置有加热器36。
优选的，所述原料支管6上设置有原料进气阀21，所述第一支管7上设置有第一循环进气阀22，所述第一热氢支管10上设置有热氢出气阀23，所述第二支管11上设置有第一循环出气阀24，所述第五支管37上设置有热氢进气阀25，所述第三支管18上设置有第二循环进气阀26，所述第四支管19上设置有第二循环出气阀27，所述产品支管20上设置有产品出气阀28，所述循环支管34上设置有循环进气阀35。
实施例3
作为本实用新型一种优选的实施方案，本实施例公开了一种多晶硅生产工艺中氢气纯化装置，如图1所示，包括4个吸附塔1，所述吸附塔1下方设置有第一进出气口2，所述第一进出气口2分别与原料进管 4、第一循环管线5、热氢出管8和第二循环管线9相连，所述第一进出气口2通过原料支管6与原料进管 4相连，所述第一进出气口2通过第一支管7与第一循环管线5相连，所述第一进出气口2通过第一热氢支管10与热氢出管8相连，所述第一进出气口2通过第二支管11与第二循环管线9相连，所述第一循环管线5与第二循环管线9的连接处设置有冷却器12，所述吸附塔1上方设置有第二气体进出口13，所述第二气体进出口13分别与热氢进管14、产品出管15和第三循环管线16相连，所述第二气体进出口13通过第二热氢支管17与热氢进管14相连，所述第二气体进出口13通过第三支管18和第四支管19与第三循环管线16相连，所述第二气体进出口13通过产品支管20与产品出管15相连。
优选的，所述原料支管6上设置有原料进气阀21，所述第一支管7上设置有第一循环进气阀22，所述第一热氢支管10上设置有热氢出气阀23，所述第二支管11上设置有第一循环出气阀24，所述第二热氢支管17上设置有热氢进气阀25，所述第三支管18上设置有第二循环进气阀26，所述第四支管19上设置有第二循环出气阀27，所述产品支管20上设置有产品出气阀28。
优选的，所述吸附塔1内部设置有内部加热器36。
优选的，所述产品出管15上设置有过滤器29。
优选的，所述热氢出管8上设置有第一流量调节阀30。
优选的，所述热氢进管14上设置有第二流量调节阀31。
优选的，所述产品出管15上还设置有第三流料调节阀32。
工作原理：对于A吸附塔（其他吸附塔原理相同）：
阶段1吸附I：如图4所示，原料H2先从底部的第一进出气口2进入A吸附塔1，开始初吸附操作，经初吸附后的H2从A吸附塔1第二气体进出口13出，得到较纯的H2送至B吸附塔1第二气体进出口13，较纯的H2从B吸附塔1第一进出气口2排出，完成B吸附塔1的冷却，最后通过C吸附塔1第一进出气口2进入C吸附塔1，进行二次吸附。A吸附塔1吸附一段时间θ1后，A吸附塔1内的活性炭杂质吸附达到饱和，不再具有吸附能力，原料H2则切换进入已经C吸附塔1进行初吸附。
阶段2再生：如图5所示，A吸附塔开始进行加热再生，再生阶段，A吸附塔内电加热管内的电阻丝进行通电，对A吸附塔内的活性炭进行加热。电加热管排布较多，间距小，且电加热管的温度可以达到300℃，与活性炭的传热温差大。同时从顶部反吹少量热H2把从活性炭脱附下来的杂质带出A吸附塔。A吸附塔加热再生一段时间θ2后，A吸附塔内的活性炭得到全部再生，开始进入第三阶段，即冷却。
阶段3冷却：如图6所示，A吸附塔加热再生完成的活性炭，温度较高，可达250℃左右，需要进行冷却才能具备吸附能力。冷却方式采用初吸附后的H2反吹冷却的方式，即经B吸附塔初吸附的H2，从顶部全部反吹入A吸附塔，由于B吸附塔出来的初吸附的H2温度低，≤20℃左右，A吸附塔的活性炭经一段时间θ3后，被冷H2所冷却。A吸附塔的冷反吹H2被活性炭加热，从A吸附塔底部出，经过外部冷却器冷却后，进入到D吸附塔进行再吸附净化。
阶段4吸附II：如图7所示，A吸附塔被冷却到指定温度后，即可接受来自C吸附塔出来经外部冷却器冷却的H2进行二次吸附，获得更高纯度的产品H2。经一段时间θ4后，完成一个循环，重复第1阶段的初阶I。
四个吸附塔在时间和空间上的序贯示意如表2。
表2
| 时间 | A | B | C | D |
| θ1 | 吸附I | 冷却 | 吸附II | 加热再生 |
| θ2 | 加热再生 | 吸附II | 吸附I | 冷却 |
| θ3 | 冷却 | 吸附I | 加热再生 | 吸附II |
| θ4 | 吸附II | 加热再生 | 冷却 | 吸附I |
本技术方案的有益效果如下：
（1）采用内置电加热管，再生温度高，再生彻底。
（2）无液体进入吸附塔1，避免了泄露造成严重后果。
（3）内置内部加热器，电功率全部用于活性炭加热上，避免了热量损失。
（4）取消了冷热流体的系统，投资、运行和维护费用大大降低。
（5）采用两级吸附，得到纯度更高的产品氢气。
实施例4
作为本实用新型一种优选的实施方案，本实施例公开了一种多晶硅生产工艺中氢气纯化装置，如图2所示，包括4个吸附塔1，所述吸附塔1下方设置有第一进出气口2，所述第一进出气口2分别与原料进管 4、第一循环管线5、热氢出管8和第二循环管线9相连，所述第一进出气口2通过原料支管6与原料进管 4相连，所述第一进出气口2通过第一支管7与第一循环管线5相连，所述第一进出气口2通过第一热氢支管10与热氢出管8相连，所述第一进出气口2通过第二支管11与第二循环管线9相连，所述第一循环管线5与第二循环管线9的连接处设置有冷却器12，所述吸附塔1上方设置有第二气体进出口13，所述第二气体进出口13分别与第四循环管线33、产品出管15和第三循环管线16相连，所述第二气体进出口13通过第五支管37与第四循环管线33相连，所述第二气体进出口13通过第三支管18和第四支管19与第三循环管线16相连，所述第二气体进出口13通过产品支管20与产品出管15相连，所述产品出管15通过循环支管34与第四循环管线33相连，所述第四循环管线33上设置有加热器36。
优选的，所述原料支管6上设置有原料进气阀21，所述第一支管7上设置有第一循环进气阀22，所述第一热氢支管10上设置有热氢出气阀23，所述第二支管11上设置有第一循环出气阀24，所述第五支管37上设置有热氢进气阀25，所述第三支管18上设置有第二循环进气阀26，所述第四支管19上设置有第二循环出气阀27，所述产品支管20上设置有产品出气阀28，所述循环支管34上设置有循环进气阀35。
优选的，所述吸附塔1内部设置有内部加热器36。
优选的，所述产品出管15上设置有过滤器29。
优选的，所述热氢出管8上设置有第一流量调节阀30。
优选的，所述热氢进管14上设置有第二流量调节阀31。
优选的，所述产品出管15上还设置有第三流料调节阀32。
工作原理：对于A吸附塔（其他吸附塔原理相同）：
阶段1吸附I：如图4所示，原料H2先从底部的第一进出气口2进入A吸附塔1，开始初吸附操作，经初吸附后的H2从A吸附塔1第二气体进出口13出，得到较纯的H2送至B吸附塔1第二气体进出口13，较纯的H2从B吸附塔1第一进出气口2排出，完成B吸附塔1的冷却，最后通过C吸附塔1第一进出气口2进入C吸附塔1，进行二次吸附。A吸附塔1吸附一段时间θ1后，A吸附塔1内的活性炭杂质吸附达到饱和，不再具有吸附能力，原料H2则切换进入已经C吸附塔1进行初吸附。
阶段2再生：如图5所示，A吸附塔开始进行加热再生，再生阶段，A吸附塔内电加热管内的电阻丝进行通电，对A吸附塔内的活性炭进行加热。电加热管排布较多，间距小，且电加热管的温度可以达到300℃，与活性炭的传热温差大。同时从顶部反吹少量热H2把从活性炭脱附下来的杂质带出A吸附塔。A吸附塔加热再生一段时间θ2后，A吸附塔内的活性炭得到全部再生，开始进入第三阶段，即冷却。
阶段3冷却：如图6所示，A吸附塔加热再生完成的活性炭，温度较高，可达250℃左右，需要进行冷却才能具备吸附能力。冷却方式采用初吸附后的H2反吹冷却的方式，即经B吸附塔初吸附的H2，从顶部全部反吹入A吸附塔，由于B吸附塔出来的初吸附的H2温度低，≤20℃左右，A吸附塔的活性炭经一段时间θ3后，被冷H2所冷却。A吸附塔的冷反吹H2被活性炭加热，从A吸附塔底部出，经过外部冷却器冷却后，进入到D吸附塔进行再吸附净化。
阶段4吸附II：如图7所示，A吸附塔被冷却到指定温度后，即可接受来自C吸附塔出来经外部冷却器冷却的H2进行二次吸附，获得更高纯度的产品H2。经一段时间θ4后，完成一个循环，重复第1阶段的初阶I。
四个吸附塔在时间和空间上的序贯示意如表2。
表2
| 时间 | A | B | C | D |
| θ1 | 吸附I | 冷却 | 吸附II | 加热再生 |
| θ2 | 加热再生 | 吸附II | 吸附I | 冷却 |
| θ3 | 冷却 | 吸附I | 加热再生 | 吸附II |
| θ4 | 吸附II | 加热再生 | 冷却 | 吸附I |
本技术方案的有益效果如下：
（1）采用内置电加热管，再生温度高，再生彻底。
（2）无液体进入吸附塔1，避免了泄露造成严重后果。
（3）内置内部加热器，电功率全部用于活性炭加热上，避免了热量损失。
（4）取消了冷热流体的系统，投资、运行和维护费用大大降低。
（5）采用两级吸附，得到纯度更高的产品氢气。
以上所述，仅是本实用新型的较佳实施例，并非对本实用新型做任何形式上的限制，凡是依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化，均落入本实用新型的保护范围之内。
Claims (9)
1.一种多晶硅生产工艺中氢气纯化装置，其特征在于：包括4个吸附塔（1），所述吸附塔（1）下方设置有第一进出气口（2），所述第一进出气口（2）分别与原料进管（ 4）、第一循环管线（5）、热氢出管（8）和第二循环管线（9）相连，所述第一进出气口（2）通过原料支管（6）与原料进管（ 4）相连，所述第一进出气口（2）通过第一支管（7）与第一循环管线（5）相连，所述第一进出气口（2）通过第一热氢支管（10）与热氢出管（8）相连，所述第一进出气口（2）通过第二支管（11）与第二循环管线（9）相连，所述第一循环管线（5）与第二循环管线（9）的连接处设置有冷却器（12），所述吸附塔（1）上方设置有第二气体进出口（13），所述第二气体进出口（13）分别与热氢进管（14）、产品出管（15）和第三循环管线（16）相连，所述第二气体进出口（13）通过第二热氢支管（17）与热氢进管（14）相连，所述第二气体进出口（13）通过第三支管（18）和第四支管（19）与第三循环管线（16）相连，所述第二气体进出口（13）通过产品支管（20）与产品出管（15）相连。
2.根据权利要求1所述的一种多晶硅生产工艺中氢气纯化装置，其特征在于：所述原料支管（6）上设置有原料进气阀（21），所述第一支管（7）上设置有第一循环进气阀（22），所述第一热氢支管（10）上设置有热氢出气阀（23），所述第二支管（11）上设置有第一循环出气阀（24），所述第二热氢支管（17）上设置有热氢进气阀（25），所述第三支管（18）上设置有第二循环进气阀（26），所述第四支管（19）上设置有第二循环出气阀（27），所述产品支管（20）上设置有产品出气阀（28）。
3.根据权利要求1所述的一种多晶硅生产工艺中氢气纯化装置，其特征在于：所述热氢进管（14）上设置有第二流量调节阀（31）。
4.一种多晶硅生产工艺中氢气纯化装置，其特征在于：包括4个吸附塔（1），所述吸附塔（1）下方设置有第一进出气口（2），所述第一进出气口（2）分别与原料进管（ 4）、第一循环管线（5）、热氢出管（8）和第二循环管线（9）相连，所述第一进出气口（2）通过原料支管（6）与原料进管（ 4）相连，所述第一进出气口（2）通过第一支管（7）与第一循环管线（5）相连，所述第一进出气口（2）通过第一热氢支管（10）与热氢出管（8）相连，所述第一进出气口（2）通过第二支管（11）与第二循环管线（9）相连，所述第一循环管线（5）与第二循环管线（9）的连接处设置有冷却器（12），所述吸附塔（1）上方设置有第二气体进出口（13），所述第二气体进出口（13）分别与第四循环管线（33）、产品出管（15）和第三循环管线（16）相连，所述第二气体进出口（13）通过第五支管（37）与第四循环管线（33）相连，所述第二气体进出口（13）通过第三支管（18）和第四支管（19）与第三循环管线（16）相连，所述第二气体进出口（13）通过产品支管（20）与产品出管（15）相连，所述产品出管（15）通过循环支管（34）与第四循环管线（33）相连，所述第四循环管线（33）上设置有加热器（36）。
5.根据权利要求4所述的一种多晶硅生产工艺中氢气纯化装置，其特征在于：所述原料支管（6）上设置有原料进气阀（21），所述第一支管（7）上设置有第一循环进气阀（22），所述第一热氢支管（10）上设置有热氢出气阀（23），所述第二支管（11）上设置有第一循环出气阀（24），所述第五支管（37）上设置有热氢进气阀（25），所述第三支管（18）上设置有第二循环进气阀（26），所述第四支管（19）上设置有第二循环出气阀（27），所述产品支管（20）上设置有产品出气阀（28），所述循环支管（34）上设置有循环进气阀（35）。
6.根据权利要求1或4所述的一种多晶硅生产工艺中氢气纯化装置，其特征在于：所述吸附塔（1）内部设置有内部加热器。
7.根据权利要求1或4所述的一种多晶硅生产工艺中氢气纯化装置，其特征在于：所述产品出管（15）上设置有过滤器（29）。
8.根据权利要求1或4所述的一种多晶硅生产工艺中氢气纯化装置，其特征在于：所述热氢出管（8）上设置有第一流量调节阀（30）。
9.根据权利要求1或4所述的一种多晶硅生产工艺中氢气纯化装置，其特征在于：所述产品出管（15）上还设置有第三流量调节阀（32）。
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| CN114146532B (zh) * | 2021-12-17 | 2024-04-26 | 新疆大全新能源股份有限公司 | 一种多晶硅尾气回收工序活性炭吸附塔的运行工艺 |
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