CN213186550U - 麦克风模组和电子设备 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开一种麦克风模组和电子设备，所述麦克风模组包括：基板，所述基板设有间隔设置的声孔和防溢槽；外壳，所述外壳与所述基板围合形成收容空间，所述声孔连通所述收容空间，所述防溢槽位于所述收容空间内；传感组件，所述传感组件设于所述收容空间内，并与所述基板电性连接，所述传感组件对应所述声孔设置，所述防溢槽位于所述外壳和所述传感组件之间。本实用新型旨在提供一种有效防止胶水外溢的麦克风模组，该麦克风模组不仅提高了基板和外壳的焊接效果，同时降低了麦克风模组的焊接风险。

Description

麦克风模组和电子设备

技术领域

本实用新型涉及麦克风技术领域，特别涉及一种麦克风模组和应用该麦克风模组的电子设备。

背景技术

MEMS麦克风是采用微机电系统(Micro-Electro-Mechanical Systems，MEMS)工艺制作的麦克风。这种麦克风内含两个芯片：MEMS芯片和专用集成电路(ApplicationSpecific Integrated Circuit，ASIC)芯片，该两枚芯片封装在一个基板和壳体组成的封装结构中。相关技术中麦克风的芯片通过胶水固定与基板上，芯片固定后胶水会外溢，从而影响壳体与基板的焊接效果，导致麦克风出现焊接风险。

实用新型内容

本实用新型的主要目的是提供一种麦克风模组和电子设备，旨在提供一种有效防止胶水外溢的麦克风模组，该麦克风模组不仅提高了基板和外壳的焊接效果，同时降低了麦克风模组的焊接风险。

为实现上述目的，本实用新型提出的麦克风模组，所述麦克风模组包括：

基板，所述基板设有间隔设置的声孔和防溢槽；

外壳，所述外壳与所述基板围合形成收容空间，所述声孔连通所述收容空间，所述防溢槽位于所述收容空间内；及

传感组件，所述传感组件设于所述收容空间内，并与所述基板电性连接，所述传感组件对应所述声孔设置，所述防溢槽位于所述外壳和所述传感组件之间。

在一实施例中，所述基板包括依次层叠设置的基材层、第一铜层及第一阻焊层，所述声孔贯穿所述基材层、所述第一铜层及所述第一阻焊层，所述第一阻焊层于所述基材层的投影面积小于所述第一铜层于所述基材层的投影面积，所述外壳与所述第一铜层连接，并与所述第一阻焊层间隔设置，以使所述外壳、所述第一铜层及所述第一阻焊层围合形成所述防溢槽，所述传感组件设于所述第一阻焊层，并与所述第一铜层电性连接。

在一实施例中，所述第一铜层对应所述防溢槽设有通槽，所述通槽与所述防溢槽连通。

在一实施例中，所述第一铜层设有多个所述通槽，多个所述通槽间隔设置，并与所述防溢槽连通，多个所述通槽环绕所述第一阻焊层的周缘设置。

在一实施例中，所述基材层对应所述通槽设有凹槽，所述凹槽、所述通槽及所述防溢槽依次连通。

在一实施例中，所述基板还包括设于所述基材层背向所述第一铜层一侧第二铜层和第二阻焊层，所述第二阻焊层设于所述第二铜层背向所述基材层的一侧，所述声孔贯穿所述第二铜层和所述第二阻焊层。

在一实施例中，所述基板设有多个所述防溢槽，多个所述防溢槽间隔设置，并位于所述外壳和所述传感组件之间；

且/或，定义所述传感组件与所述外壳内壁之间的距离为L1，定义所述防溢槽的宽度为L2，0＜L2≤L1。

在一实施例中，所述传感组件包括ASIC芯片和MEMS芯片，所述ASIC芯片与所述MEMS芯片和所述基板电性连接，所述MEMS芯片罩盖所述声孔设置。

在一实施例中，所述基板背离所述外壳的表面设有焊盘。

本实用新型还提出一种电子设备，包括壳体和上述所述的麦克风模组，所述麦克风模组设于所述壳体。

本实用新型技术方案的麦克风模组通过在基板上设置与声孔间隔设置的防溢槽，外壳与基板围合形成收容空间，使得声孔连通收容空间，将传感组件设置于收容空间内，并对应声孔设置，从而使得防溢槽位于外壳和传感组件之间，如此可利用防溢槽有效防止传感组件封装时出现的胶水外溢现象，避免外溢的胶水影响外壳与基板的焊接效果，有效降低了麦克风模组的焊接风险。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。

图1为本实用新型一实施例中麦克风模组的剖面示意图；

图2为图1中A处的放大示意图；

图3为本实用新型另一实施例中麦克风模组的剖面示意图；

图4为本实用新型又一实施例中麦克风模组的剖面示意图；

图5为本实用新型再一实施例中麦克风模组的剖面示意图；

图6为本实用新型一实施例中基板面向外壳一侧的结构示意图；

图7为本实用新型一实施例中基板背向外壳一侧的结构示意图。

附图标号说明：

标号	名称	标号	名称
				100	麦克风模组	17	第二阻焊层
1	基板	18	焊盘
				11	声孔	19	锡膏
12	防溢槽	2	外壳
				13	基材层	3	收容空间
131	凹槽	4	传感组件
				14	第一铜层	41	ASIC芯片
141	通槽	42	MEMS芯片
				15	第一阻焊层	43	胶层
16	第二铜层

本实用新型目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

需要说明，本实用新型实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。

同时，全文中出现的“和/或”或“且/或”的含义为，包括三个方案，以“A和/或B”为例，包括A方案，或B方案，或A和B同时满足的方案。

另外，在本实用新型中如涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本实用新型要求的保护范围之内。

MEMS麦克风是采用微机电系统(Micro-Electro-Mechanical Systems，MEMS)工艺制作的麦克风。这种麦克风内含两个芯片：MEMS芯片和专用集成电路(ApplicationSpecific Integrated Circuit，ASIC)芯片，该两枚芯片封装在一个基板和壳体组成的封装结构中。相关技术中麦克风的芯片通过胶水固定与基板上，芯片固定后胶水会外溢，从而影响壳体与基板的焊接效果，导致麦克风出现焊接风险。

基于上述构思和问题，本实用新型提出一种麦克风模组100。可以理解的，该麦克风模组100应用于电子设备，电子设备可以时音频设备、穿戴电子设备、移动终端或是其他需要具备声电转换功能的设备，在此不作限定。

请结合参照图1、图2、图3、图4、图5、图6和图7所示，在本实用新型实施例中，该麦克风模组100包括基板1、外壳2及传感组件4，其中，所述基板1设有间隔设置的声孔11和防溢槽12；所述外壳2与所述基板1围合形成收容空间3，所述声孔11连通所述收容空间3，所述防溢槽12位于所述收容空间3内；所述传感组件4设于所述收容空间3内，并与所述基板1电性连接，所述传感组件4对应所述声孔11设置，所述防溢槽12位于所述外壳2和所述传感组件4之间。

可以理解的，基板1和外壳2围合形成的收容空间3能够为传感组件4提供屏蔽空间，从而有效阻止外部元件和信号对其造成影响。基板1开设有连通收容空间3的声孔11，可以使得外部声音通过声孔11进入，通过作用于传感组件4，并进而处理和放大，能够将声学信号转换为电信号，继而实现收声功能。

在本实施例中，基板1为PCB板，该PCB板上印制有线路，实现对应的电气功能，可以根据实际需要进行选择设计。可以理解的，PCB板有多层结构构成，例如包括基材层、一层或多层铜箔层以及一层或多层阻焊油墨层，具体根据实际用于场景选择。

在本实施例中，通过在基板1上设置防溢槽12，使防溢槽12位于收容空间3内，并位于外壳2和传感组件4之间，从而有效通过防溢槽12防止传感组件4封装过程中胶水外溢，从而影响外壳2与基板1的焊接效果。可以理解的，防溢槽12可以是凹设于基板1上的凹槽结构，防溢槽12也可以是凸设于基板1上的其他凸起结构围合形成的凹槽结构，在此不做限定。

作为一种可选实施方式，防溢槽12可选为凹设于基板1上的凹槽结构。当基板1为多层结构时，防溢槽12可以是从面向外壳1一侧的表面向贯穿基板1的方向凹陷形成凹槽结构。可以理解的，防溢槽12可以由基板1的一层或多层凹陷形成，只要防溢槽12不贯穿基板1即可，在此不做限定。

本实用新型的麦克风模组100通过在基板1上设置与声孔11间隔设置的防溢槽12，外壳2与基板1围合形成收容空间3，使得声孔11连通收容空间3，将传感组件4设置于收容空间3内，并对应声孔11设置，从而使得防溢槽12位于外壳2和传感组件4之间，如此可利用防溢槽12有效防止传感组件4封装时出现的胶水外溢现象，避免外溢的胶水影响外壳2与基板1的焊接效果，有效降低了麦克风模组100的焊接风险。

在本实施例中，外壳2的纵切面呈U型设置，外壳2可以为一体成型的金属外壳(金属的材质可选择不锈钢材料、铝质材料，铝合金材料、铜质材料、铜合金材料、铁质材料、铁合金材料等)或是涂覆有金属材质的非金属外壳，外壳2以开口方向的一端和基板1围成封闭的收容空间3。可以理解地，外壳2和所述基板1可通过导电胶或锡膏19连接，可以实现外壳2与基板1的电连接，从而形成一个导通的屏蔽空腔，传感组件4设于该收容空间3内，可以防止外界电磁波干扰，增强对两者的保护作用，保证传感组件4的转换性能。当然，外壳2与基板1之间还可以通过其他导电的材料连通，在此不做限定。

可选地，外壳2和基板1围合形成的结构的形状可以是方体、圆柱体或球体等，在此不作限定。

为了将基板1与所应用的产品或系统进行固定和电信号的传输，在一实施例中，如图1至图5、图7所示，所述基板1背离所述外壳2的表面设有焊盘18。可以理解的，焊盘18可以焊点或焊脚，该焊脚或焊盘18可以方便通过SMT等工艺焊接到具体产品的主板电路上。可选地，焊盘18可以有3个或4个，以提高结构连接和数据传输的稳定性。

在本实施例中，为了实现传感组件4的收声功能，基板1上开设有声孔11，声孔11连通收容空间3，方便声音信号的流入，也即声孔11贯通基板1。

在一实施例中，如图1、图2、图3、图4、图5和图6所示，所述基板1包括依次层叠设置的基材层13、第一铜层14及第一阻焊层15，所述声孔11贯穿所述基材层13、所述第一铜层14及所述第一阻焊层15，所述第一阻焊层15于所述基材层13的投影面积小于所述第一铜层14于所述基材层13的投影面积，所述外壳2与所述第一铜层14连接，并与所述第一阻焊层15间隔设置，以使所述外壳2、所述第一铜层14及所述第一阻焊层15围合形成所述防溢槽12，所述传感组件4设于所述第一阻焊层15，并与所述第一铜层14电性连接。

在本实施例中，基板1由依次层叠设置的基材层13、第一铜层14及第一阻焊层15形成，外壳2位于第一阻焊层15背向第一铜层14的一侧，并与第一铜层14连接。可以理解的，第一阻焊层15于基材层13的投影面积小于第一铜层14于基材层13的投影面积，从而使得第一铜层14的周缘外露，从而方便与外壳2进行连接。

为了方便形成防溢槽12，外壳2与第一铜层14连接后，外壳2的内壁与第一阻焊层15的周缘之间形成有间隙，该间隙即为防溢槽12，也即外壳2、第一铜层14及第一阻焊层15围合形成防溢槽12，从而在传感组件4设于第一阻焊层15，并与第一铜层14电性连接时，防溢槽12有效防止胶水外溢，避免胶水影响外壳2与第一铜层14的焊接效果。

在本实施例中，通过将基板1设置为依次层叠设置的基材层13、第一铜层14及第一阻焊层15，使得传感组件4设于第一阻焊层15，有效增加了传感组件4与基板1之间的间隔空间，从而增大了形成声腔的前腔体积，能够有效衰减低频，提高高频音质；同时也可以改善频响曲线，进而提高音质效果。

可选地，第一阻焊层15可以是多层结构，从而使得叠设的多层阻焊层可以通过一道工序直接完成，无需增加其他结构的组装，有效提高生产效率。可以理解的，第一阻焊层15的设置是在制备基板1过程中增加的阻焊层，为基板1提供保护。在本实施例中，第一阻焊层15可选为油墨层。

在一实施例中，如图1至图6所示，所述第一铜层14对应所述防溢槽12设有通槽141，所述通槽141与所述防溢槽12连通。

可以理解的，通过在第一铜层14上设置通槽141，使得通槽141与防溢槽12对应并连通，从而有效增加了防溢槽12的整体深度，如此可有效避免传感组件4与基板1的第一阻焊层15之间的胶水外溢至外壳2与基板1的第一铜层14焊接处，进而影响焊接效果。

在本实施例中，通槽141与防溢槽12正对且连通，从而形成垂直于基板1的槽体结构，也即通槽141与防溢槽12沿垂直于基板1表面的方向依次排布并连通。

在一实施例中，如图1至图6所示，所述第一铜层14设有多个所述通槽141，多个所述通槽141间隔设置，并与所述防溢槽12连通，多个所述通槽141环绕所述第一阻焊层15的周缘设置。

可以理解的，通过在第一铜层14设置多个通槽141，使得多个通槽141间隔设置，并与防溢槽12连通，一方面有效加深防溢槽12的深度，防止胶水外溢；另一方面，使得第一铜层14的周缘(即与外壳2连接的部分)与第一铜层14的中间部分(即与第一阻焊层15连接的部分)实现导通，从而确保外壳2与基板1处于电连接导通的状态，实现屏蔽效果。可选地，多个通槽141环绕第一阻焊层15的周缘设置。

在一实施例中，如图4所示，所述基材层13对应所述通槽141设有凹槽131，所述凹槽131、所述通槽141及所述防溢槽12依次连通。

可以理解的，通过在基材层13上设置凹槽131，使得凹槽131与通槽141和防溢槽12对应并连通，从而有效增加了防溢槽12的整体深度，如此可有效避免传感组件4与基板1的第一阻焊层15之间的胶水外溢至外壳2与基板1的第一铜层14焊接处，进而影响焊接效果。

在本实施例中，凹槽131与通槽141和防溢槽12正对且连通，从而形成垂直于基板1的槽体结构，也即凹槽131、通槽141及防溢槽12沿垂直于基板1表面的方向依次排布并连通。

在一实施例中，基材层13设有多个所述凹槽131，多个所述凹槽131间隔设置，每一凹槽131与一通槽141对应且连通，多个所述凹槽131环绕所述第一阻焊层15的周缘设置。

可以理解的，通过在基材层13设置多个凹槽131，使得多个凹槽131间隔设置，并与通槽141和防溢槽12连通，有效有效加深防溢槽12的深度，防止胶水外溢。可选地，多个通槽141环绕第一阻焊层15的周缘设置。

在一实施例中，如图1至图5、图7所示，所述基板1还包括设于所述基材层13背向所述第一铜层14一侧第二铜层16和第二阻焊层17，所述第二阻焊层17设于所述第二铜层16背向所述基材层13的一侧，所述声孔11贯穿所述第二铜层16和所述第二阻焊层17。

可以理解的，焊盘18是有第二铜层16形成，也即第二阻焊层17对应焊盘18的位置开始有缺口，从而使得第二铜层16外露形成焊盘18。在本实施例中，通过设置第二铜层16和焊盘18，从而方便麦克风模组100与外部产品的电路实现焊接，从而连接导通。通过设置第二阻焊层17，从而有效保护第二铜层16，避免第二铜层16被氧化或损坏而失效。在本实施例中，第二阻焊层17可选为油墨层。

在一实施例中，如图5所示，所述基板1设有多个所述防溢槽12，多个所述防溢槽12间隔设置，并位于所述外壳2和所述传感组件4之间。可以理解的，多个防溢槽12呈并行设置，并位于外壳2和传感组件4之间，如此从而利用邻近传感组件4的防溢槽12有效防止胶水外溢，邻近外壳2的防溢槽12有效防止外壳2与基板1之间的锡膏19外溢。

在一实施例中，如图1所示，定义所述传感组件4与所述外壳2内壁之间的距离为L1，定义所述防溢槽12的宽度为L2，0＜L2≤L1。

可以理解的，传感组件4与外壳2内壁之间的距离L1为传感组件4的周缘与外壳2内壁之间的距离。防溢槽12的宽度L2为防溢槽12邻近传感组件4一侧的内壁与防溢槽12邻近外壳一侧的内壁之间的距离。可选地，1/5L1≤L2≤4/5L1。

在本实施例中，如图1至图5所示，外壳2包括顶板和连接顶板的侧板，外壳2的顶板、侧板与基板1围合形成收容空间3，外壳2的侧板背离外壳2的顶板的一端齐平于基板1的第一铜层14所在的平面连接。

可以理解的，外壳2的侧板与基板1的第一铜层14焊接连接或者粘接连接。可选地，外壳2的侧板与基板1的第一铜层14通过锡膏19连接。

在一实施例中，如图1、图3至图5所示，所述传感组件4包括ASIC芯片41和MEMS芯片42，所述ASIC芯片41与所述MEMS芯片42和所述基板1电性连接，所述MEMS芯片42罩盖所述声孔11设置。

在本实施例中，MEMS芯片42用于感知和检测从声孔11流入的声音信号，可将声音信号转换为电信号进行传输，并传输至ASIC芯片41；ASIC芯片41用于为MEMS芯片42提供电压，并对MEMS芯片42输出的信号进行处理放大，从而使得麦克风模组100为电子设备提供收声功能。与此同时，为了提高MEMS芯片42朝向声孔11的一侧与基板1之间围设形成的前腔空间，在该实施例中，在第一阻焊层15上还叠设有至少一阻焊层，MEMS芯片42设于第二层阻焊层上，从而增加了MEMS芯片42与基板1之间的垂直距离。

可以理解的，所述MEMS芯片42包括衬底和振膜，所述衬底环绕声孔11与第一阻焊层15连接，所述振膜设于所述衬底背离所述第一阻焊层15的一端，且对应所述声孔11设置。

本实施例中，MEMS芯片42的衬底的材质一般为单晶硅、多晶硅或是氮化硅等材料，衬底的外部形状大致呈方体，其与第一阻焊层15可以通过胶体43连接。该衬底环绕声孔11的周缘设置，形成麦克风模组100的声腔腔体，可保证声音传入的顺畅性。振膜可以是压电式结构，也可以是电容式结构，在此不作限定。例如，当振膜为压电式结构时，其包括有振膜和设于振膜两侧的压电材料，通过声音信号对振膜产生激励从而使振膜振动，使得压电材料的压力产生变化，从而输出对应的电信号。

可以理解的，MEMS芯片42与ASIC芯片41电连接，是通过振膜与ASIC芯片41电连接。在本实施例中，所述MEMS芯片42通过金属线与所述ASIC芯片41电连接，即，振膜通过金属线与ASIC芯片41电连接，此处，金属线可以是金线或铜线等，有效提高电连接的稳定性。

在本实施例中，所述第一阻焊层15在所述基板1的投影面积大于等于所述衬底在所述基板1上的投影面积。设置第一阻焊层15在基板1的投影面积大于等于衬底在基板1的投影面积，一方面能够方便在第一阻焊层15上进行点胶处理，避免于衬底外周缘的胶体溢出流到ASIC芯片41上，以及通过防溢槽12避免胶水外溢至外壳2与基板1的连接处，从而影响外壳2与基板1的焊接效果，继而影响其性能；另一方面也能够为衬底提供较为稳定的支撑，保证MEMS芯片42固定的稳定性。

在本实施例中，所述ASIC芯片41贴设于所述基板1；或，所述ASIC芯片41焊接于所述基板1。

可以理解的，将ASIC芯片41通过胶层43贴设于第一阻焊层15上，从而实现稳定的连接结构；然后通过金属线将ASIC芯片41与基板1的第一铜层14电连接，以实现电气连接。此处，金属线可以是金线或铜线等。当然，于其他实施例中，也可以在第一阻焊层15上开孔，将ASIC芯片41通过植锡球的焊接方式固定于基板1的第一铜层14上。

在本实施例中，MEMS芯片42在不同温度下的性能都十分稳定，其敏感性不会受温度、振动、湿度和时间的影响。由于耐热性强，MEMS芯片42可承受260℃的高温回流焊，而性能不会有任何变化。由于组装前后敏感性变化很小，还可以节省制造过程中的音频调试成本。ASIC(Application Specific Integrated Circuit)芯片41为MEMS芯片42提供外部偏置，有效的偏置将使MEMS芯片42在整个操作温度范围内都可保持稳定的声学和电气参数，还支持具有不同敏感性的麦克风设计，保证麦克风模组100的工作稳定性。

本实用新型还提出一种电子设备，包括壳体和麦克风模组100，所述麦克风模组100设于所述壳体，所述麦克风模组100的具体结构参照上述实施例，由于本电子设备的麦克风模组100采用了上述所有实施例的全部技术方案，因此至少具有上述实施例的技术方案所带来的所有有益效果，在此不再一一赘述。

其中，电子设备可以是穿戴电子设备，例如智能手表或手环，也可以是移动终端，例如，手机或笔记本电脑等，或是其他需要具备声电转换功能的设备，在此不作限定。

以上所述仅为本实用新型的可选实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是在本实用新型的构思下，利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本实用新型的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种麦克风模组，其特征在于，所述麦克风模组包括：

基板，所述基板设有间隔设置的声孔和防溢槽；

外壳，所述外壳与所述基板围合形成收容空间，所述声孔连通所述收容空间，所述防溢槽位于所述收容空间内；及

传感组件，所述传感组件设于所述收容空间内，并与所述基板电性连接，所述传感组件对应所述声孔设置，所述防溢槽位于所述外壳和所述传感组件之间。

2.如权利要求1所述的麦克风模组，其特征在于，所述基板包括依次层叠设置的基材层、第一铜层及第一阻焊层，所述声孔贯穿所述基材层、所述第一铜层及所述第一阻焊层，所述第一阻焊层于所述基材层的投影面积小于所述第一铜层于所述基材层的投影面积，所述外壳与所述第一铜层连接，并与所述第一阻焊层间隔设置，以使所述外壳、所述第一铜层及所述第一阻焊层围合形成所述防溢槽，所述传感组件设于所述第一阻焊层，并与所述第一铜层电性连接。

3.如权利要求2所述的麦克风模组，其特征在于，所述第一铜层对应所述防溢槽设有通槽，所述通槽与所述防溢槽连通。

4.如权利要求3所述的麦克风模组，其特征在于，所述第一铜层设有多个所述通槽，多个所述通槽间隔设置，并与所述防溢槽连通，多个所述通槽环绕所述第一阻焊层的周缘设置。

5.如权利要求3所述的麦克风模组，其特征在于，所述基材层对应所述通槽设有凹槽，所述凹槽、所述通槽及所述防溢槽依次连通。

6.如权利要求2所述的麦克风模组，其特征在于，所述基板还包括设于所述基材层背向所述第一铜层一侧第二铜层和第二阻焊层，所述第二阻焊层设于所述第二铜层背向所述基材层的一侧，所述声孔贯穿所述第二铜层和所述第二阻焊层。

7.如权利要求1至6中任一项所述的麦克风模组，其特征在于，所述基板设有多个所述防溢槽，多个所述防溢槽间隔设置，并位于所述外壳和所述传感组件之间；

且/或，定义所述传感组件与所述外壳内壁之间的距离为L1，定义所述防溢槽的宽度为L2，0＜L2≤L1。

8.如权利要求1至6中任一项所述的麦克风模组，其特征在于，所述传感组件包括ASIC芯片和MEMS芯片，所述ASIC芯片与所述MEMS芯片和所述基板电性连接，所述MEMS芯片罩盖所述声孔设置。

9.如权利要求1至6中任一项所述的麦克风模组，其特征在于，所述基板背离所述外壳的表面设有焊盘。

10.一种电子设备，其特征在于，包括壳体和如权利要求1至9中任一项所述的麦克风模组，所述麦克风模组设于所述壳体。

Images