CN212947223U - 一种晶圆片抛光用上抛机构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型一种晶圆片抛光用上抛机构，包括上抛盘、置于所述上抛盘上方的上压盘、以及用于连接并控制所述上抛盘和所述上压盘移动的上液压系统，其中，所述上液压系统加压或泄压以控制所述上压盘带动所述上抛盘向远离晶圆片一侧形变或靠近所述晶圆片一侧形变，以调整所述上抛盘的形变量。本实用新型尤其是适用于大尺寸晶圆片的双面抛光，设置结构合理，且结构简单，抛光效率好且可控性高，提升晶圆片品质。
Description
技术领域
本实用新型属于半导体硅片抛光技术领域，尤其是涉及一种晶圆片抛光用上抛机构。
背景技术
现有半导体晶圆片逐步向大尺寸、薄片化发展，而由于晶圆片面积的增大，相应地对其抛光的要求也越来越高，双面抛光是实现批量化生产的管件，而对于双面抛光机中，上抛机构是整个抛光机结构中的管件，上抛机构的设置直接影响着晶圆片抛光效果的一致性和表面几何参数的精确程度。
实用新型内容
本实用新型提供一种晶圆片抛光用上抛机构，尤其是适用于大尺寸晶圆片的双面抛光设备，结构设计合理，整体控制精度高且抛光效果一致性好。
为解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案是：
一种晶圆片抛光用上抛机构，包括上抛盘、置于所述上抛盘上方的上压盘、以及用于连接并控制所述上抛盘和所述上压盘移动的上液压系统，其中，所述上液压系统加压或泄压以控制所述上压盘带动所述上抛盘向远离晶圆片一侧形变或靠近所述晶圆片一侧形变，以调整所述上抛盘的形变量。
进一步的，所述上压盘为倒锥形结构，所述上压盘最大直径面与所述上抛盘远离所述晶圆片一侧接触。
进一步的，所述上液压系统包括用于连接所述上抛盘和所述上压盘并贯穿所述上压盘设置的若干上连杆一和上连杆二，所述上连杆一靠近所述上压盘中部位置设置，所述上连杆二靠近所述上压盘外缘设置。
进一步的，所述上连杆一和所述上连杆二分别沿其在所述上压盘所在位置的圆周均匀设置。
进一步的，靠近所述上连杆一和所述上连杆二的一侧均设有分别与所述上连杆一和所述上连杆二下端面连接的上调节杆一和上调节杆二，且所述上调节杆一与所述上连杆一、以及所述上调节杆二与所述上连杆二均为气动控制连接。
进一步的，所述上调节杆一远离所述上连杆一一端和所述上调节杆二远离所述上连杆二一端均与置于所述上压盘上端面的上液压油缸连接。
进一步的，还包括若干用于抛光液流通的抛光液管组，所述抛光液管组贯穿所述上抛盘和所述上压盘厚度且垂直于所述上抛盘设置。
进一步的，所述抛光液管组包括抛光液管一、抛光液管二和抛光液管三，所述抛光液管一靠近所述上抛盘中心内圆一侧位置设置；所述抛光液管三靠近所述上抛盘外圆一侧位置设置；所述抛光液管二置于所述抛光液管一和所述抛光液管三之间且靠近所述抛光液管三一侧设置。
进一步的，所述抛光液管一、所述抛光液管二和所述抛光液管三均沿其在所述上抛盘所在圆周上均匀设置。
进一步的，在所述上抛盘下方还设有上抛光垫，所述上抛光垫结构与所述上抛盘下端面相适配。
采用本实用新型设计一种晶圆片抛光用上抛机构，尤其是适用于大尺寸晶圆片的双面抛光，设置结构合理，且结构简单，抛光效率好且可控性高，提升晶圆片品质。
根据上抛盘和上压盘连接的特殊方式，采用液压控制的调节系统进行调整，仅需对上抛盘外圆一侧及上抛盘中间位置处的连接杆进行控制，即可调整上抛盘的形变弯曲方向，而且可往复多次进行调整，精度高且可控性好。
贯通上抛盘和上压盘设置的抛光液管组，根据晶圆片表面几何参数监测位置分布设置，不仅保证所有晶圆片在抛光过程中都能均匀获得抛光液浸湿，而且还可保证抛光液管组中的所有抛光液管畅通无堵塞，稳固性能好，保证抛光液流通的一致性；而且还减少抛光液浪费，最大限度地提高抛光液的利用率。
在设置抛光液管的管道下端面上设置用于监控上抛盘形变量的位置传感器，不仅便于安装维护，而且还优化下抛盘的使用空间，并使上抛机构的结构空间利用率最大化。
附图说明
图1是本实用新型一实施例的一种半导体晶圆片抛光设备的结构示意图；
图2是本实用新型一实施例的放置机构的俯视图；
图3是本实用新型一实施例的测量机构在上抛盘的位置示意图。
图中：
100、放置机构 110、外圈盘 120、内圈盘
200、上抛机构 210、上抛盘 220、上抛光垫
230、上压盘 240、上液压系统 241、上连杆一
242、上连杆二 243、上调节杆一 244、上调节杆二
245、上液压油缸 246、上进气管 247、上排气管
250、抛光液管组 251、抛光液管一 252、抛光液管二
253、抛光液管三 300、下抛机构 310、下抛盘
320、下抛光垫 330、下压盘 340、下液压系统
341、下连杆一 342、下连杆二 343、下调节杆一
344、下调节杆二 345、下液压油缸 346、下进气管
347、下排气管 350、轴心轮 400、测量机构
410、第一测量件 420、第二测量件 430、第三测量件
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本实用新型进行详细说明。
本实施例提出一种半导体晶圆片抛光设备，如图1所示，包括：用于放置若干晶圆片的放置机构100、用于抛光晶圆片双面并相互独立转动的上抛机构200和下抛机构300、用于测量上抛机构200下端面不同位置至其与下抛机构300上端面相应位置之间距离的测量机构400、以及用于收集处理测量机构400的测量数据并获得上抛机构200下端面形变量和下抛机构300上端面形变量的控制器。其中，控制器为常用的PLC控制器，如西门子S7-200SMARTPLC，附图省略；控制器分别与测量机构400、上抛机构200和下抛机构300连接。放置机构100内置于下抛机构300的上端面内，并被下抛机构300带动旋转；上抛机构200与下抛机构300反向异速转动，上抛机构200与下抛机构300可相互独立调整上抛机构200下端面距离下抛机构300上端面之间距离，以调整上抛机构200下端面形变量和下抛机构300上端面形变量。
具体地，如图2所示，放置机构100包括设有内齿轮的外圈盘110和若干设有外齿轮的内圈盘120，外圈盘110的外径小于下抛机构300中的下抛盘310的外径并被置于下抛盘310的上端面内。内圈盘120为若干结构相同的圆形盘，内圈盘120置于外圈盘110的内侧且沿外圈盘110的圆周均匀放置。内圈盘120与外圈盘110齿轮啮合的同时，相邻内圈盘120之间相互啮合；且所有内圈盘120均与设置在下抛机构300上端面中心的轴心轮350的外齿轮啮合，轴心轮350贯穿下抛机构300中的下抛盘310的轴心设置。由于外圈盘110放置在下抛盘310上并与下抛盘310的转速和转向均相同；上抛机构200中的上抛盘210直径略小于下抛盘310直径即外圈盘110的直径，且上抛盘210的转向与下抛盘310相反且上抛盘210的转速大于下抛盘310的转速，也就是上抛盘210与外圈盘110的转向相反；轴心轮350与下抛盘310转向相同但转速不同，由于轴心轮350外径较小，为了保证轴心轮350和下抛盘310运行的一致性性，轴心轮350的转速较快，下抛盘310的转速较慢；进而可知，载有晶圆片的内圈盘120与外圈盘110由于有一定的转速比差，使得载有晶圆片的内圈盘120可绕轴心轮350做行星运动，同时上抛盘210相对于下抛盘310反向转动，则晶圆片在随下抛盘310转动的同时也受到上抛盘210反向的转动。同时，在上抛盘210的下端面粘接有上抛光垫220，下抛盘310的上端面上粘接有下抛光垫320，进而晶圆片被上下反向旋转的上抛光垫220和下抛光垫320双面接触磨削，利用实时喷洒的碱性抛光液和SiO2微粒对晶圆片双面表面进行化学机械抛光，从而实现晶圆片的双面抛光，去除双面的损伤层。
在本实施例中，选择的抛光液为NaOH碱液和SiO2微粒的混合液，抛光过程中NaOH起化学腐蚀作用，使晶圆片表面的硅原子转变为Na2SiO3，同时SiO2微粒对晶圆片表面产生机械研磨作用，这两种作用的产物不断进入抛光液中，从而实现对表面损伤层的抛光作用。其中抛光的化学反应式为：
Si+2NaOH+H2O—>Na2SiO3+2H2
如图1所示，上抛机构200包括上抛盘210、置于上抛盘210下方的上抛光垫220以及置于上抛盘210正上方的上压盘230和上液压系统240，其中，上抛光垫220粘接在上抛盘210的下端面，其外径与上抛盘210的外径相适配；上压盘230与上抛盘210可调连接。为了保证上抛光垫220完全自由地在放置机构100中的外圈盘110上并完全最大化地覆盖到所有晶圆片，上抛光垫220的外径略小于外圈盘110的内径，单侧径差5-10mm。上压盘230为倒锥形结构并扣盖在上抛盘210的上端面上，上液压系统240加压或泄压以控制上压盘230带动上抛盘210的外缘部向远离下抛机构300一侧变形或靠近下抛机构300一侧变形，以调整上抛盘210距离下抛机构300上端面的距离。
上液压系统240包括若干连接上压盘230和上抛盘210的上连杆一241和上连杆二242，靠近上连杆一241和上连杆二242的一侧均设有与其下端面连接的上调节杆一243和上调节杆二244，上调节杆一243和上调节杆二244与上液压油缸245连通，上液压油缸245通过上进气管246与外设气泵连接，同时上液压油缸245的排气口与上排气管247连接。
具体地，上连杆一241和上连杆二242的下端面均为气动螺栓连接，即在上连杆一241和上连杆二242的下端面设有气动螺纹，上连杆一241靠近上压盘230的中部设置，上连杆二242靠近上压盘230的外缘设置，上连杆一241和上连杆二242分别沿其所在位置的圆周均匀设置，数量均至少为三个，目的是保证上压盘230与上抛盘210连接受力的均匀性，具体数量多少，可以根据实际情况而定。
加压控制时，上调节杆一243和上调节杆二244的下端面受压使得气动螺纹收紧，即使螺纹向上移动并与上连杆一241和上连杆二242旋紧连接，使得上抛盘210与上压盘230连接加紧，上抛盘210被向上拉起，从而加大上抛盘210外缘及中部区域与下抛盘310之间的距离，从而减弱了上抛光垫220和下抛光垫320对晶圆片的抛光效果。相应地，当泄压回缩控制时，上调节杆一243和上调节杆二244的下端面受拉使得气动螺纹旋松，使螺纹向下移动并与上连杆一241和上连杆二242旋松连接，使得上抛盘210与上压盘230连接不再紧密，上抛盘210被向下旋压，从而缩小上抛盘210外缘及中部区域和下抛盘310之间的距离，从而加强了上抛光垫220和下抛光垫320对晶圆片的抛光效果。
进而可知，通过调整与上调节杆一243和上调节杆二244连接的气压压力，从而可调整上连杆一241和上连杆二242的连接松紧程度，进而调整上抛盘210与上压盘230连接的紧密强度，继而调整上抛盘210距离下抛盘310之间的距离，即可调整上抛光垫220和下抛光垫320对晶圆片的抛光强度。根据上抛盘210和上压盘230连接的特殊方式，采用液压控制的调节系统进行调整，仅需对上抛盘210外圆一侧及上抛盘210中间位置处的连接杆进行控制，即可调整上抛盘210的形变弯曲方向，而且可往复多次进行调整，精度高且可控性好。
进一步的，上抛机构200上还设有若干垂直贯穿上抛盘210和上压盘230用于抛光液流通且用于放置抛光液管组250的管道组，包括靠近上抛盘210中心内圆一侧位置设置的内侧管道、靠近上抛盘210外圆一侧位置设置的外侧管道以及置于内侧管道和外侧管道之间且靠近外侧管道一侧设置的中部管道，内侧管道、中部管道和外侧管道分别与抛光液管组250中的抛光液管一251、抛光液管二252和抛光液管三253相适配。抛光液通过抛光液管一251、抛光液管二252和抛光液管三253流入到上抛光垫220上并随着内圈盘120上的间隙孔流入下抛光垫320上，进而完全流入晶圆片的上、下表面上，从而实现对晶圆片上、下表面的损伤层进行抛光。
贯通上抛盘210和上压盘230设置的抛光液管组250，根据晶圆片表面几何参数监测位置分布设置，不仅保证所有晶圆片在抛光过程中都能均匀获得抛光液浸湿，而且还可保证抛光液管组250中的所有抛光液管畅通无堵塞，稳固性能好，保证抛光液流通的一致性；而且还减少抛光液浪费，最大限度地提高抛光液的利用率。
在本实施例中，抛光液管一251、抛光液管二252和抛光液管三253均沿其在上抛盘210所在圆周上均匀设置，抛光液管一251至少设有三组，由于抛光液管二252和抛光液管三253所在圆的直径较大，为了保证抛光液分布和流通的均匀性，抛光液管二252和抛光液管三253的数量较抛光液管一251的数量多；至于抛光液管一251、抛光液管二252和抛光液管三253的数量，可根据实际情况而定，在此不具体限制。
进一步的，下抛机构300包括下抛盘310、设于下抛盘310上端面的下抛光垫320、置于下抛盘310正下方的下压盘330和下液压系统340、以及依次贯穿下压盘330和下抛盘310并凸出下抛盘310上端面设置的轴心论350。其中，下压盘330与下抛盘310可调连接；下抛光垫320的外径与下抛盘310的内径相适配；下抛盘310与轴心论350同向异速移动，且轴心论350的转速大于下抛盘310的转速，轴心论350与放置晶圆片的内圈盘120相啮合转动，由于轴心论350和下抛盘340有一定的转速比，进而载有晶圆片的内圈盘120可在下抛盘310上旋转；下压盘330与上压盘230的外形结构一样，均为倒锥形结构。下液压系统340加压或泄压以控制下压盘330带动下抛盘310向远离上抛盘210的一侧变形或靠近上抛盘210的一侧变形，以调整下抛盘310距离上抛盘210下端面的距离。
进一步的，下液压系统400包括若干连接上压盘230和上抛盘210的下连杆一341和下连杆二342，靠近下连杆一341和下连杆二342的一侧均设有与其下端面连接的下调节杆一343和下调节杆二344，下调节杆一343和下调节杆二344均与下液压油缸345连通；下液压油缸345再通过下进气管346与外设气泵连接，同时下液压油缸345的排气口与下排气管347连接。
具体地，下压盘330与下抛盘310的连接控制方式与上抛盘210与上压盘230相同，即下连杆一341和下连杆二342的置于下抛盘310内的上端面也均为气动螺栓连接，下连杆一341靠近下压盘330的中部设置，下连杆二342靠近下压盘330的外缘设置。
加压控制时，下调节杆一343和下调节杆二344的上端面受压使得气动螺纹收紧，即使螺纹向下移动并与下连杆一341和下连杆二342旋紧连接，使得下抛盘310与下压盘330加紧连接，下抛盘310被向下拉起，从而加大下抛盘310外缘及中部区域与上抛盘210之间的距离，从而减弱了上抛光垫220和下抛光垫320对晶圆片的抛光效果。相应地，当泄压回缩控制时，下调节杆一343和下调节杆二344的上端面膨胀使得气动螺纹旋松，使螺纹向上移动并与下连杆一341和下连杆二342旋松连接，使得下抛盘310与下压盘330连接不再紧密，下抛盘210被向上膨胀，从而缩小下抛盘310外缘及中部区域和上抛盘210之间的距离，从而加强了上抛光垫220和下抛光垫320对晶圆片的抛光效果。
进而可知，通过调整与下调节杆一343和下调节杆二344连接的气压压力，从而可调整下连杆一341和下连杆二342的连接松紧程度，进而调整下抛盘310与下压盘330连接的紧密强度，继而调整下抛盘310距离上抛盘210之间的距离，即可调整下抛光垫320和上抛光垫220对晶圆片的抛光强度。
如图2所示，测量机构400包括：用于测量上抛盘210内径圆一侧至下抛盘310距离的一号测量件410、用于测量上抛盘210内径圆与其外径圆之间的中部位置至下抛盘310距离的二号测量件420、以及用于测量上抛盘210外径圆一侧至下抛盘310距离的三号测量430，其中一号测量件410、二号测量件420和三号测量件430均同侧设置在上抛盘210的下端面上，且均为位置传感器。
进一步的，一号测量件410被设置于上抛盘210靠近内径圆的一侧，三号测量件430被设置于上抛盘210靠近外径圆的一侧，二号测量件420位于一号测量件410和三号测量件430之间，即被设置于上抛盘210内径圆与其外径圆之间且靠近三号测量件430一侧；同时为了保证一号测量件410、二号测量件420和三号测量件430位置便于安装和维护，分别放置在抛光液管一251、抛光液管二252和抛光液管三253所在的内侧管道、中部管道和外侧管道的下端面，其俯视图分布如图3所示。
在设置抛光液管的管道下端面上设置用于监控上抛盘形变量的位置传感器，不仅便于安装维护，而且还优化下抛盘的使用空间，并使上抛机构的结构空间利用率最大化。
在抛光过程中，一号测量件410、二号测量件420和三号测量件430实时检测上抛盘210与下抛盘310之间的距离，即分别为内侧距离、中部距离和外侧距离，并将测量数据传输给控制器，控制器根据如下公式计算出上抛机构200下端面形变量即上抛盘210的形变量和下抛机构300上端面形变量即下抛盘310的形变量。控制器对上抛盘210的形变量和下抛盘310的形变量进行判断，并分别通过控制上抛液压系统240调整上抛盘210外缘部分被压向下变形或被拉向上变形，以及通过控制下抛液压系统340调整下抛盘310外缘部分被压向上变形或被拉向下变形，进而调整上抛盘210和下抛盘310之间的距离，继而调整上抛盘210的形变量和下抛盘310的形变量。
本实用新型提出的抛光设备，结构设计合理，完全能够控制上抛盘210的形变量和下抛盘310的形变量，进而控制晶圆片双面的几何参数，尤其是晶圆片的总厚度变化GBIR、局部平整度SFQR Max以及边缘局部平整度ESFQR均在合格范围内，且调整后，每批次可以放置多组晶圆片，每批次在2-3min内即可完成双面抛光；较现有技术中单片单面抛光晶圆片形变量调整所用时间提高了近96％；不仅抛光抛光质量好，抛光效率高，尤其适用于批量化大尺寸晶圆片的生产，自动化程度高，生产成本低。
一种半导体晶圆片抛光方法，采用如上所述的抛光设备，步骤包括：
首先：测量机构400测出上抛机构200下端面至下抛机构300上端面之间的内侧距离、中部距离和外侧距离。
具体地，依次通过第一测量件410、第二测量件420和第三测量件430测出其所在上抛盘210的位置处距离下抛盘310之间的内侧距离、中部距离和外侧距离，并实时将测试数据传输给外设的控制器收集。
其次：控制器根据设定公式对内侧距离、中部距离和外侧距离进行处理并得到上抛机构200下端面形变量和下抛机构300上端面形变量，也即是获得上抛盘210形变量和下抛盘310形变量。
进一步的，上抛机构200下端面形变量为内侧距离与外侧距离之差，也即是：
上抛盘形变量Gap＝内侧距离-外侧距离。
下抛机构300上端面形变量为中部距离与内外修正距离之差；其中内外修正距离为外侧距离和第一修正系数之积与内侧距离与第二修正系数之积的和，也即是：
下抛盘形变量SK＝中部距离-(外侧距离×第一修正系数+内侧距离×第二修正系数)。
其中，第一修正系数与第二修正系数之和为1，且第一修正系数为0.60-0.90。
在抛光过程中，通过控制上抛机构200中的上液压系统240和下抛机构中的下液压系统340进行受压或回缩，以调整上抛机构200下端面形变量和下抛机构300上端面形变量。
具体地，当控制器监控到上抛盘210形变量Gap或下抛盘310的形变量SK均小于标准值，则控制器控制上液压油缸245的压力减小且增加下液压油缸345的压力，上调节杆一243和上调节杆二244的连接较蓬松，进而使得上抛盘210与上压盘230连接松动，上抛盘210被向下变形；同时下调节杆一343和下调节杆二344的连接加强，均处于收紧状态，进而使得下抛盘310与下压盘330连接加强，下抛盘210被向下变形，进而使得上抛盘210距离下抛盘310之间的距离加大，进而调整上抛盘210形变量Gap或下抛盘310的形变量SK达到标准范围内，保证晶圆片表面的平整度在合格范围内。
当控制器监控到上抛盘210形变量Gap或下抛盘310的形变量SK均大于标准值，则控制器控制上液压油缸245的压力增小且减小下液压油缸345的压力，上调节杆一243和上调节杆二244的连接加紧，进而使得上抛盘210与上压盘230连接加强，上抛盘210被向上变形；同时下调节杆一343和下调节杆二344的连接减弱，均处于松动状态，进而使得下抛盘310与下压盘330连接松动，下抛盘210被向上变形，进而使得上抛盘210距离下抛盘310之间的距离减小，进而调整上抛盘210形变量Gap或下抛盘310的形变量SK达到标准范围内，保证晶圆片表面的平整度在合格范围内。
通过上述方式，检测到12寸晶圆片的几何参数与现有技术获得几何参数相比，如下表1所示：
表1直径为300的单晶硅棒中各部位硅片的寿命数据
由上可知，采用本实施例抛光方法获得的晶圆片的几何参数均优于采用现有技术的抛光质量，而且形状变形的状态调整时间由单片双面的60min减小到2min，提高了约96％。从而可知，上抛盘210和下抛盘310的不同形状状态对于晶圆片形状的改变主要基于晶圆片直径方向内外摩擦强度的改变，进而在晶圆片的制造加工过程中，通过调整上抛盘形变量Gap值和下抛盘形变量SK值，就可以得到晶圆片的最佳形状，达到高精度加工的目的。
采用本实用新型一种半导体晶圆片抛光设备及抛光方法，尤其是适用于大尺寸晶圆片的双面抛光，通过调整上抛机构和下抛机构之间的距离，以调整上抛机构下端面形变量和下抛机构上端面形变量，进而精确保证晶圆片几何参数，同时还可节约抛光时间，并使单片晶圆片形变量调整抛光时间提高了约96％，抛光效率高，控制精度高，保证晶圆片抛光质量，提升晶圆片品质，降低生产成本。
以上对本实用新型的实施例进行了详细说明，所述内容仅为本实用新型的较佳实施例，不能被认为用于限定本实用新型的实施范围。凡依本实用新型申请范围所作的均等变化与改进等，均应仍归属于本实用新型的专利涵盖范围之内。
Claims (10)
1.一种晶圆片抛光用上抛机构，其特征在于，包括上抛盘、置于所述上抛盘上方的上压盘、以及用于连接并控制所述上抛盘和所述上压盘移动的上液压系统，其中，所述上液压系统加压或泄压以控制所述上压盘带动所述上抛盘向远离晶圆片一侧形变或靠近所述晶圆片一侧形变，以调整所述上抛盘的形变量。
2.根据权利要求1所述的一种晶圆片抛光用上抛机构，其特征在于，所述上压盘为倒锥形结构，所述上压盘最大直径面与所述上抛盘远离所述晶圆片一侧接触。
3.根据权利要求1或2所述的一种晶圆片抛光用上抛机构，其特征在于，所述上液压系统包括用于连接所述上抛盘和所述上压盘并贯穿所述上压盘设置的若干上连杆一和上连杆二，所述上连杆一靠近所述上压盘中部位置设置，所述上连杆二靠近所述上压盘外缘设置。
4.根据权利要求3所述的一种晶圆片抛光用上抛机构，其特征在于，所述上连杆一和所述上连杆二分别沿其在所述上压盘所在位置的圆周均匀设置。
5.根据权利要求4所述的一种晶圆片抛光用上抛机构，其特征在于，靠近所述上连杆一和所述上连杆二的一侧均设有分别与所述上连杆一和所述上连杆二下端面连接的上调节杆一和上调节杆二，且所述上调节杆一与所述上连杆一、以及所述上调节杆二与所述上连杆二均为气动控制连接。
6.根据权利要求5所述的一种晶圆片抛光用上抛机构，其特征在于，所述上调节杆一远离所述上连杆一一端和所述上调节杆二远离所述上连杆二一端均与置于所述上压盘上端面的上液压油缸连接。
7.根据权利要求4-6任一项所述的一种晶圆片抛光用上抛机构，其特征在于，还包括若干用于抛光液流通的抛光液管组，所述抛光液管组贯穿所述上抛盘和所述上压盘厚度且垂直于所述上抛盘设置。
8.根据权利要求7所述的一种晶圆片抛光用上抛机构，其特征在于，所述抛光液管组包括抛光液管一、抛光液管二和抛光液管三，所述抛光液管一靠近所述上抛盘中心内圆一侧位置设置；所述抛光液管三靠近所述上抛盘外圆一侧位置设置；所述抛光液管二置于所述抛光液管一和所述抛光液管三之间且靠近所述抛光液管三一侧设置。
9.根据权利要求8所述的一种晶圆片抛光用上抛机构，其特征在于，所述抛光液管一、所述抛光液管二和所述抛光液管三均沿其在所述上抛盘所在圆周上均匀设置。
10.根据权利要求1-2、4-6、8-9任一项所述的一种晶圆片抛光用上抛机构，其特征在于，在所述上抛盘下方还设有上抛光垫，所述上抛光垫结构与所述上抛盘下端面相适配。
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|---|---|---|---|
| CN202021644203.1U CN212947223U (zh) | 2020-08-10 | 2020-08-10 | 一种晶圆片抛光用上抛机构 |
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Cited By (2)
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|---|---|---|---|---|
| CN116175305A (zh) * | 2023-04-26 | 2023-05-30 | 北京特思迪半导体设备有限公司 | 用于加工扁平工件的压盘结构、设备及其姿态控制方法 |
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2020
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