CN206998594U - 一种晶片磁力控制研磨装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种晶片磁力控制研磨装置,所述装置包括机架、升降臂、连接臂、安装臂、下压平台、研磨台,所述机架的一侧面垂直安装有升降臂,在升降臂的中间段和连接臂固定连接,连接臂和安装臂固定连接,所述下压平台的内部设置有空腔,空腔的下表面安装有磁力片,所述磁力片上均匀安装有若干个电磁发生器,电磁发生器通过输入线号线、输出线号线和控制器连接。本实用新型的优点是:晶振片放置在行星轮片的通孔内,行星轮片在研磨台和下压平台工作作用下进行研磨,通过电磁发生器控制电磁发生器的磁力,进而来控制电磁铁对行星轮片的下压力,满足的晶片不同加工需求。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种晶振片加工装置,尤其是涉及一种晶片磁力控制研磨装置。
背景技术
石英晶体是目前世界上用量最大的晶体材料,利用晶体本身具有的物理特性制造出的电子元器件,如石英晶体谐振器、晶体滤波器和石英晶体振荡器等。因其在频率端的稳定性特征作为频率基准或是作为频率源,在数字电路、电子产品及通讯设备领域均得到了广泛的应用。晶片的厚度加工精度要求非常高,一般都是通过研磨来获得的,由于晶片是一个小薄片结构,现有技术的研磨机不适用于晶片的研磨。
实用新型内容
本实用新型针对现有产品的不足,而提供一种晶片磁力控制研磨装置。
本实用新型的一种晶片磁力控制研磨装置,所述装置包括机架、升降臂、连接臂、安装臂、下压平台、研磨台,所述机架的一侧面垂直安装有升降臂,在升降臂的中间段和连接臂固定连接,连接臂和安装臂固定连接,安装臂的上方安装有手柄,安装臂的中间设置有花键转轴,花键转轴安装有下压平台,下压平台和研磨台接触配合,研磨台安装在安装座上,研磨台的上表面设置有磨盘,研磨台外侧设置有凸起的研磨台外圈,安装座安装在机架的底部,安装座中间设置有主动轮,主动轮和电机输出轴连接,主动轮的中间安装有传动轴,传动轴的上端设置有花键槽,花键槽和花键套配合连接,花键套固定安装在花键转轴的下端;所述研磨台外圈的内侧设置有内齿轮,传动轴在花键槽的下面设置有外齿轮,下压平台和研磨台之间放置有行星轮片,行星轮片有磁性材料制成且内部设置有放置晶振片的通孔,行星轮片和研磨台外圈的内齿轮、传动轴外齿轮相互咬合连接;所述下压平台的内部设置有空腔,空腔的下表面安装有磁力片,所述磁力片上均匀安装有若干个电磁发生器,电磁发生器通过输入线号线、输出线号线和控制器连接;所述电磁发生器包括一个磁铁铁芯、围绕磁铁铁芯表面的线圈,一个和磁铁铁芯有一段距离的衔接铁块,衔接铁块上方安装有弹簧,弹簧和下压平台的空腔上表面连接。
进一步,所述下压平台的上方活动安装有研磨液法兰,研磨液法兰的圆周壁上均匀分布有研磨液接头,研磨液接头和研磨液输入管道连接,研磨液输入管道固定在连接臂的下方。
进一步,所述研磨台和研磨台外圈之间设置有排水槽,排水槽的底部设置有排出管道。
本实用新型的有益效果是:1、结构合理,易于制造,成本低;2、实用性强,晶振片放置在行星轮片的通孔内,行星轮片和研磨台外圈的内齿轮、传动轴外齿轮相互咬合,研磨台和下压平台工作作用下进行研磨,通过行星轮片的厚度控制晶振片的厚度,精度控制准确。3、通过电磁发生器控制电磁发生器的磁力,进而来控制电磁铁对行星轮片的下压力,调节所述晶片不同区域的研磨压力,满足的晶片不同加工需求。
附图说明
图1为本实用新型的立体结构示意图。
图2为本实用新型的主视图。
图3为图2的剖视图。
图4为本实用新型的电磁发生器的结构示意图。
图中:机架1、升降臂2、连接臂3、安装臂4、下压平台5、研磨台6、研磨台外圈7、安装座8、手柄9、主动轮10、传动轴11、花键套12、排出管道13、行星轮片14、磁力片21、电磁发生器22、输入线号线23、输出线号线24、控制器25。
具体实施方式
下面结合实施例对本实用新型作进一步的描述。
本实用新型的一种晶片磁力控制研磨装置主要由机架1、升降臂2、连接臂3、安装臂4、下压平台5、研磨台6、研磨台外圈7、安装座8、手柄9、主动轮10、传动轴11、花键套12、排出管道13、行星轮片14、磁力片21、电磁发生器22、输入线号线23、输出线号线24、控制器25、组成。
所述机架1的一侧面垂直安装有升降臂2,在升降臂2的中间段和连接臂3固定连接,连接臂3和安装臂4固定连接,安装臂4的上方安装有手柄9,安装臂4的中间设置有花键转轴,花键转轴安装有下压平台5,下压平台5和研磨台6接触配合,研磨台6安装在安装座8上,研磨台6的上表面设置有磨盘,研磨台6外侧设置有凸起的研磨台外圈7,安装座8安装在机架1的底部,安装座8中间设置有主动轮10,主动轮10和电机输出轴连接,主动轮10的中间安装有传动轴11,传动轴11的上端设置有花键槽,花键槽和花键套12配合连接,花键套12固定安装在花键转轴的下端;所述研磨台外圈7的内侧设置有内齿轮,传动轴11在花键槽的下面设置有外齿轮,下压平台5和研磨台6之间放置有行星轮片14,行星轮片14上均布放置晶振片的通孔,行星轮片14和研磨台外圈7的内齿轮、传动轴11外齿轮相互咬合连接;所述下压平台5的内部设置有空腔,空腔的下表面安装有磁力片21,所述磁力片21上均匀安装有若干个电磁发生器22,电磁发生器22通过输入线号线23、输出线号线24和控制器25连接;所述电磁发生器22包括一个磁铁铁芯、围绕磁铁铁芯表面的线圈,一个和磁铁铁芯有一段距离的衔接铁块,衔接铁块上方安装有弹簧,弹簧和下压平台5的空腔上表面连接。
所述下压平台5的上方活动安装有研磨液法兰,研磨液法兰的圆周壁上均匀分布有研磨液接头,研磨液接头和研磨液输入管道连接,研磨液输入管道固定在连接臂3的下方。研磨液法兰和下压平台5之间通过滚动轴承配合连接,研磨液通过输入管道进入到研磨台6,提高晶振片合格率。
所述研磨台6和研磨台外圈7之间设置有排水槽,排水槽的底部设置有排出管道13。
本实用新型的一种晶片磁力控制研磨装置,晶振片放置在行星轮片14的通孔内,行星轮片14和研磨台外圈的内齿轮、传动轴外齿轮相互咬合,研磨台和下压平台工作作用下进行研磨,通过行星轮片14的厚度控制晶振片的厚度,精度控制准确。通过电磁发生器控制电磁发生器的磁力,进而来控制电磁铁对行星轮片的下压力,调节所述晶片不同区域的研磨压力,满足的晶片不同加工需求
以上所述仅为本实用新型的实施例,并非因此限制本实用新型的专利范围,凡是利用本实用新型说明书内容所作的等效结构或等效流程变换,或直接或间接运用在其他相关的技术领域,均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。
Claims (4)
1.一种晶片磁力控制研磨装置,其特征是,所述装置包括机架(1)、升降臂(2)、连接臂(3)、安装臂(4)、下压平台(5)、研磨台(6),所述机架(1)的一侧面垂直安装有升降臂(2),在升降臂(2)的中间段和连接臂(3)固定连接,连接臂(3)和安装臂(4)固定连接,安装臂(4)的上方安装有手柄(9),安装臂(4)的中间设置有花键转轴,花键转轴安装有下压平台(5),下压平台(5)和研磨台(6)接触配合,研磨台(6)安装在安装座(8)上,研磨台(6)的上表面设置有磨盘,研磨台(6)外侧设置有凸起的研磨台外圈(7),安装座(8)安装在机架(1)的底部,安装座(8)中间设置有主动轮(10),主动轮(10)和电机输出轴连接,主动轮(10)的中间安装有传动轴(11),传动轴(11)的上端设置有花键槽,花键槽和花键套(12)配合连接,花键套(12)固定安装在花键转轴的下端;所述研磨台外圈(7)的内侧设置有内齿轮,传动轴(11)在花键槽的下面设置有外齿轮,下压平台(5)和研磨台(6)之间放置有行星轮片(14),行星轮片(14)有磁性材料制成且内部设置有放置晶振片的通孔,行星轮片(14)和研磨台外圈(7)的内齿轮、传动轴(11)外齿轮相互咬合连接;所述下压平台(5)的内部设置有空腔,空腔的下表面安装有磁力片(21),所述磁力片(21)上均匀安装有若干个电磁发生器(22),电磁发生器(22)通过输入线号线(23)、输出线号线(24)和控制器(25)连接。
2.根据权利要求1所述的一种晶片磁力控制研磨装置,其特征是,所述下压平台(5)的上方活动安装有研磨液法兰,研磨液法兰的圆周壁上均匀分布有研磨液接头,研磨液接头和研磨液输入管道连接,研磨液输入管道固定在连接臂(3)的下方。
3.根据权利要求1所述的一种晶片磁力控制研磨装置,其特征是,所述研磨台(6)和研磨台外圈(7)之间设置有排水槽,排水槽的底部设置有排出管道(13)。
4.根据权利要求1所述的一种晶片磁力控制研磨装置,其特征是,所述电磁发生器(22)包括一个磁铁铁芯、围绕磁铁铁芯表面的线圈,一个和磁铁铁芯有一段距离的衔接铁块,衔接铁块上方安装有弹簧,弹簧和下压平台(5)的空腔上表面连接。
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CN111300260A (zh) * | 2020-02-19 | 2020-06-19 | 中国科学院微电子研究所 | 一种抛光减薄装置和抛光减薄方法 |
CN114700873A (zh) * | 2022-03-11 | 2022-07-05 | 上海致领半导体科技发展有限公司 | 集成臭氧发生装置的化学机械抛光机和抛光液供应装置 |
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