CN212864661U - 一种用于ito导电膜的保护膜 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供了一种用于ITO导电膜的保护膜，涉及ITO导电膜领域，包括从下往上依次贴合的基材、抗静电层和亚克力胶层；所述抗静电层采用将抗静电剂涂布在所述基材上固化后形成，所述抗静电层的厚度为0.1‑2μm；本实用新型提供的一种用于ITO导电膜的保护膜，在贴合过程中，撕除离型膜时静电很快消散，环境中异物灰尘不会吸附到胶层表面，降低环境中颗粒物的影响，提高了产品良率；由于消除了静电影响，可实现在线贴合，减少覆膜机设备的投入，减少了一道制程的损耗，提高了产出率，节约了制造成本；并且抗静电层的厚度采用0.1‑2μm，在节省成本的前提下，能够起到较好的消除静电效果；克服了现有ITO用保护膜良率低以及无法在线贴合的缺陷。

Description

一种用于ITO导电膜的保护膜

技术领域

本实用新型涉及ITO导电膜领域，特别是涉及一种用于ITO导电膜的保护膜。

背景技术

随着智能触摸显示设备的兴起，透明导电膜需求量巨大，透明导电膜技术路线中，ITO导电膜因为电阻稳定、成本低等优势成为市场主流。ITO透明导电膜成为主流触控薄膜，其是通过在双面硬化膜的一面溅射ITO导电层实现导电效果，但是ITO蚀刻纹路明显，且因为ITO后道制程多，容易产生划伤问题，所以需要在非镀膜面贴合保护膜。

现有的ITO用保护膜对贴膜环境洁净度要求高，由于静电吸附异物易造成异物点和凹凸点，其异物点不良多，良率低，无法实现在线贴合。

实用新型内容

(一)要解决的技术问题

本实用新型所要解决的问题是提供一种用于ITO导电膜的保护膜，以克服现有ITO用保护膜良率低以及无法在线贴合的缺陷。

(二)技术方案

为解决所述技术问题，本实用新型提供一种用于ITO导电膜的保护膜，包括从下往上依次贴合的基材、抗静电层和亚克力胶层；所述抗静电层采用将抗静电剂涂布在所述基材上固化后形成；所述抗静电剂为离子型、高分子型或金属氧化物型。所述抗静电层的厚度为0.1-2μm，优选为0.1-0.5μm。本保护膜通过调整保护膜内部结构，能够导出静电，减少异物吸附，解决了在线贴膜问题，减少了损耗，提高了良率，降低了成本；并且抗静电层厚度选用0.1-2μm，在节省成本的前提下，能够起到较好的消除静电效果。

进一步的，所述基材的厚度为23-188μm，优选50-125μm。所述基材的材料为PET、COP、TAC、PC、PMMA、SRF和PI中的任意一种。

进一步的，所述亚克力胶层的材料为耐高温亚克力胶；所述亚克力胶层的厚度为5-30μm，优选10-15μm；所述亚克力胶层的上端还贴合有离型膜。

(三)有益效果

本实用新型提供的一种用于ITO导电膜的保护膜，通过基材、抗静电层和亚克力胶层的配合，通过在基材上涂布抗静电层以形成导电通路，在抗静电层上涂布亚克力胶层，降低阻抗和撕膜电压；在贴合过程中，撕除离型膜时静电很快消散，环境中异物灰尘不会吸附到胶层表面，降低环境中颗粒物的影响，提高了产品良率；由于消除了静电影响，可实现在线贴合，减少覆膜机设备的投入，减少了一道制程的损耗，提高了产出率，节约了制造成本；并且抗静电层的厚度采用0.1-2μm，在节省成本的前提下，能够起到较好的消除静电效果；克服了现有ITO用保护膜良率低以及无法在线贴合的缺陷。

附图说明

图1为现有ITO导电膜的结构示意图；

图2为本实用新型一种用于ITO导电膜的保护膜结构示意图；

图3为本实用新型一种用于ITO导电膜的保护膜贴合后的结构示意图；

图中各个附图标记的对应的部件名称是：1、基材；2、抗静电层；3、亚克力胶层；4、离型膜。

具体实施方式

下面结合附图和实施例，对本实用新型的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本实用新型，但不用来限制本实用新型的范围。

参阅图2，本实用新型提供一种用于ITO导电膜的保护膜，包括从下往上依次贴合的基材1、抗静电层2和亚克力胶层3。抗静电层2采用将抗静电剂涂布在基材1上固化后形成。抗静电剂为离子型、高分子型或金属氧化物型。抗静电层2的厚度为0.1-2μm，优选0.1-0.5μm。抗静电层2的厚度选用过大时会增加成本，选用较小时会影响抗静电效果；本实施例中，抗静电层2的厚度采用0.1μm，在节省成本的前提下，能够获得最好的抗静电效果。

基材1的厚度为23-188μm，优选50-125μm。基材1的材料为PET(聚对苯二甲酸乙二酯)、COP(环烯烃聚合物)、TAC(三醋酸纤维素)、PC(聚碳酸酯)、PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)、SRF和PI(聚酰亚胺)中的任意一种。本实施例中，基材1的材料选用PET。

亚克力胶层的材料为耐高温亚克力胶；亚克力胶层3的厚度为5-30μm，优选10-15μm；亚克力胶层3的上端还贴合有离型膜4。

参阅图1，现有的ITO导电膜包括基材、分别设置在基材上下两端的硬化层以及在上侧硬化层上溅射的ITO导电层；参阅图3，贴合时，先制备ITO导电膜的双面硬化层结构，然后撕去离型膜4，将亚克力胶层3贴合在下层的硬化层上，最后再在上侧硬化层上溅射的ITO导电层。

本实施例提供的一种用于ITO导电膜的保护膜，结构简单，制作方便；通过基材、抗静电层和亚克力胶层的配合，通过在基材上涂布抗静电层以形成导电通路，在抗静电层上涂布亚克力胶层，降低阻抗和撕膜电压；在贴合过程中，撕除离型膜时静电很快消散，环境中异物灰尘不会吸附到胶层表面，降低环境中颗粒物的影响，提高了产品良率；由于消除了静电影响，可实现在线贴合，减少覆膜机设备的投入，减少了一道制程的损耗，提高了产出率，节约了制造成本；克服了现有ITO用保护膜良率低以及无法在线贴合的缺陷。

以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。

Claims (6)

1.一种用于ITO导电膜的保护膜，其特征在于：包括从下往上依次贴合的基材(1)、抗静电层(2)和亚克力胶层(3)；所述抗静电层(2)采用将抗静电剂涂布在所述基材(1)上固化后形成，所述抗静电层(2)的厚度为0.1-2μm。

2.如权利要求1所述的用于ITO导电膜的保护膜，其特征在于：所述抗静电层(2)的厚度为0.1-0.5μm。

3.如权利要求1所述的用于ITO导电膜的保护膜，其特征在于：所述基材(1)的厚度为23-188μm。

4.如权利要求1所述的用于ITO导电膜的保护膜，其特征在于：所述亚克力胶层(3)的厚度为5-30μm。

5.如权利要求1所述的用于ITO导电膜的保护膜，其特征在于：所述基材(1)的材料为PET、COP、TAC、PC、PMMA、SRF和PI中的任意一种。

6.如权利要求1所述的用于ITO导电膜的保护膜，其特征在于：所述亚克力胶层(3)的上端还贴合有离型膜(4)。

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