CN206271441U - 一种纳米银线导电透明薄膜 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种纳米银线导电透明薄膜，包括透明基材，层叠在透明基材的顶面上的第一纳米银线导电层，以及通过粘合层层叠在透明基材的底面上的第二纳米银线导电层；第一纳米银线导电层具有在第一方向平行排列的第一纳米银线，第二纳米银线导电层具有在第二方向平行排列的第二纳米银线；第一方向和第二方向呈垂直正交，第一纳米银线和第二纳米银线形成网格形状。在单张基材的双面上实现具有方向垂直的纳米银线网格，不仅大幅降低产品厚度、实现轻薄要求，而且透光率好、大幅提高应用范围。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种导电透明薄膜，特别是涉及一种纳米银线导电透明薄膜，属于导电薄膜技术领域。
背景技术
透明导电薄膜 (TCFs) 是指在可见光范围内（λ=380-780nm）有较高的透光率，导电性优良（电阻率一般低于10-3 Ω·cm）的薄膜材料。透明导电膜应用非常广泛，主要用于光电器件如液晶显示器的透明电极、触摸屏、薄膜太阳能电池的透明电极等领域。透光度和导电性是两个相互牵制的指标，一般来讲，导电性提高，透光度就会下降，反之也一样。目前常见的透明导电薄膜包括ITO(Indium Tin Oxides锡掺杂三氧化铟)、GZO(Gallium ZincOxides 镓掺杂氧化锌)、AZO(Aluminum Zinc Oxides 铝掺杂氧化锌）等，这些氧化物只吸收紫外光，不吸收可见光。
在最近 20 年里，透明导电膜应用主要以ITO材料为主，而在制程上以磁控溅镀工艺为主。高的可见光透光率与相当低的电阻率结合在一起，使 ITO 薄膜成为综合性能优异的透明导电材料之一。但是ITO材料本身暴露出诸多缺陷，如原材料缺乏、成本高、制备工艺复杂等。而且，未来移动终端、可穿戴设备、智能家电等产品，对触摸面板有着更强劲需求，同时随着触控面板大尺寸化、低价化，以及传统ITO薄膜不能用于可弯曲应用，导电性及透光率等本质问题不易克服等因素，业界纷纷开始研究ITO的替代品，纳米银线（SNW，silvernanowire）技术是未来最可取代ITO方案之一。
纳米银线是将纳米银线墨水材料涂抹在塑胶或者玻璃基板上，然后利用镭射光刻技术，刻画制成具有纳米级别银线导电网络图案的透明的导电薄膜。受限于现有镭射光刻技术及加工成本，现纳米银线大多以单方向排列为主，如要达成网格形状，则成本呈几何级增长，无法承受。但单方向之纳米银线，对于多点触控及定位方面有精度较低及反应较慢问题，业界基本上采用两张纳米银线方向垂直的导电薄膜用OCA胶粘合方式实现网格。
如图1所示，第一张导电薄膜包括自上而下层叠的第一纳米银线层11和第一基材12，第二张导电薄膜包括自上而下层叠的第二基材13和第二纳米银线层14，第一基材12和第二基材13之间通过OCA胶15进行粘合，第一纳米银线层11的纳米银线和第二纳米银线层14的纳米银线方向垂直形成网格。所以整个导电薄膜包括自上而下层叠的第一纳米银线层11、第一基材12、OCA粘着层15、第二基材13和第二纳米银线层14，共5层。此种方式不仅增加了产品的厚度，不符合现有轻薄化趋势；而且需要两块基材，多了一块基材及OCA粘着层，大幅降低透光率；更是由于OCA胶的温度使用范围有限，使得产品的应用范围受到很大的限制，譬如室外、车用屏幕的场所等。
实用新型内容
本实用新型的主要目的在于，克服现有技术中的不足，提供一种结构紧凑、拆装方便、制作容易、安全可靠、实用性强的纳米银线导电透明薄膜，特别适用于各种高分辨率及大尺寸电容触控屏幕产品，且具有产业上的利用价值。
为了达到上述目的，本实用新型所采用的技术方案是：
一种纳米银线导电透明薄膜，包括透明基材，层叠在透明基材的顶面上的第一纳米银线导电层，以及通过粘合层层叠在透明基材的底面上的第二纳米银线导电层。
其中，所述第一纳米银线导电层具有在第一方向平行排列的第一纳米银线，所述第二纳米银线导电层具有在第二方向平行排列的第二纳米银线；所述第一方向和第二方向呈垂直正交，所述第一纳米银线和第二纳米银线形成网格形状。
进一步的：所述透明基材为透明塑胶或透明玻璃。
进一步的：所述透明基材的厚度为0.02mm～0.5mm。
进一步的：所述第一纳米银线的厚度为10nm～0.1mm。
进一步的：所述第二纳米银线的厚度为10nm～0.1mm。
进一步的：所述粘合层采用高分子粘合剂。
与现有技术相比，本实用新型具有的有益效果是：
本实用新型提供一种结构紧凑、拆装方便、制作容易、安全可靠、实用性强的纳米银线导电透明薄膜，在单张基材的双面上实现具有方向垂直的纳米银线网格，不仅大幅降低产品厚度、实现轻薄要求，而且透光率好、大幅提高应用范围。
上述内容仅是本实用新型技术方案的概述，为了更清楚的了解本实用新型的技术手段，下面结合附图对本实用新型作进一步的描述。
附图说明
图1为现有技术中纳米银线导电薄膜的结构剖示图；
图2为本实用新型一种纳米银线导电透明薄膜的结构剖示图；
图3为本实用新型一种纳米银线导电透明薄膜的俯视结构示意图；
图4为本实用新型一种纳米银线导电透明薄膜的制作方法的工艺流程图；
图5为本实用新型一种纳米银线导电透明薄膜的制作方法的产品流程图。
具体实施方式
下面结合说明书附图，对本实用新型作进一步的说明。
本实用新型提供一种纳米银线导电透明薄膜，如图2所示，包括透明基材1，层叠在透明基材1的顶面上的第一纳米银线导电层2，以及通过粘合层10层叠在透明基材1的底面上的第二纳米银线导电层3；其中，所述透明基材1为透明塑胶或透明玻璃，厚度为0.02mm～0.5mm。
如图2和图3所示，所述第一纳米银线导电层2具有在第一方向平行排列的第一纳米银线20，所述第二纳米银线导电层3具有在第二方向平行排列的第二纳米银线30；所述第一方向和第二方向呈垂直正交，所述第一纳米银线20和第二纳米银线30形成网格形状。所述第一纳米银线20和第二纳米银线30的厚度一般为10nm～0.1mm，所述粘合层10采用高分子粘合剂印刷制成。
本实用新型提供的一种纳米银线导电透明薄膜，其制作方法，如图4和图5所示，包括以下步骤：
1）将纳米银线墨水材料涂抹在第一透明基材100的顶面上，利用镭射光刻技术，刻画制成具有第一纳米银线导电层101的第一导电薄膜A；
其中，第一纳米银线导电层101具有在第一方向平行排列的第一纳米银线102；
2）将离型剂印刷或涂布于第二透明基材200的顶面上，形成层叠在第二透明基材200的顶面上的离型层201；
将纳米银线墨水材料涂抹在第二透明基材200的离型层上，利用镭射光刻技术，刻画制成具有第二纳米银线导电层202的第二导电薄膜B；
其中，第二纳米银线导电层202具有在第二方向平行排列的第二纳米银线203；
3）将第一导电薄膜A和第二导电薄膜B通过粘合层300相叠加，保持第一导电薄膜A的底面通过粘合层300层叠于第二导电薄膜B的第二纳米银线导电层202上，并使得第一方向和第二方向呈垂直正交，以使第一纳米银线102和第二纳米银线203形成网格形状；
4）将第二导电薄膜B的第二透明基材200和离型层201剥离，使得第二纳米银线导电层202通过粘合层300层叠在第一透明基材100的底面上。
其中，粘合层300是通过在镭射光刻之前或之后采用高分子粘合剂印刷在第一透明基材100的底面或第二纳米银线导电层202的顶面形成，形成的粘合层层叠在第一透明基材100的底面上或第二纳米银线导电层202的顶面上。
其中，第一透明基材100和第二透明基材200可以采用透明塑胶或透明玻璃。
以上所述，仅是本实用新型的较佳实施例而已，并非对本实用新型作任何形式上的限制，虽然本实用新型已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本实用新型，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本实用新型技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容做出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本实用新型技术方案的内容，依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何的简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本实用新型技术方案的范围内。
Claims (6)
1.一种纳米银线导电透明薄膜，其特征在于：包括透明基材，层叠在透明基材的顶面上的第一纳米银线导电层，以及通过粘合层层叠在透明基材的底面上的第二纳米银线导电层；
所述第一纳米银线导电层具有在第一方向平行排列的第一纳米银线，所述第二纳米银线导电层具有在第二方向平行排列的第二纳米银线；
所述第一方向和第二方向呈垂直正交，所述第一纳米银线和第二纳米银线形成网格形状。
2.根据权利要求1所述的一种纳米银线导电透明薄膜，其特征在于：所述透明基材为透明塑胶或透明玻璃。
3.根据权利要求1所述的一种纳米银线导电透明薄膜，其特征在于：所述透明基材的厚度为0.02mm～0.5mm。
4.根据权利要求1所述的一种纳米银线导电透明薄膜，其特征在于：所述第一纳米银线的厚度为10nm～0.1mm。
5.根据权利要求1所述的一种纳米银线导电透明薄膜，其特征在于：所述第二纳米银线的厚度为10nm～0.1mm。
6.根据权利要求1所述的一种纳米银线导电透明薄膜，其特征在于：所述粘合层采用高分子粘合剂。
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| CN201621149813.8U CN206271441U (zh) | 2016-10-24 | 2016-10-24 | 一种纳米银线导电透明薄膜 |
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| CN201621149813.8U Active CN206271441U (zh) | 2016-10-24 | 2016-10-24 | 一种纳米银线导电透明薄膜 |
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| CN (1) | CN206271441U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106328252A (zh) * | 2016-10-24 | 2017-01-11 | 昆山峰实电子科技有限公司 | 一种纳米银线导电透明薄膜及其制作方法 |
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2016
- 2016-10-24 CN CN201621149813.8U patent/CN206271441U/zh active Active
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| CN106328252A (zh) * | 2016-10-24 | 2017-01-11 | 昆山峰实电子科技有限公司 | 一种纳米银线导电透明薄膜及其制作方法 |
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