CN212750868U - 高可靠性的功率器件 - Google Patents

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何洪运
郝艳霞
沈加勇
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Suzhou Goodark Electronics Co ltd
Suzhou Good Ark Electronics Co Ltd
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Abstract

本实用新型公开一种高可靠性的功率器件，包括由环氧封装体包覆的芯片基板、芯片和连接片，所述连接片的下表面自环氧封装体中裸露出，所述芯片的一表面与此连接片的上表面焊接连接，所述芯片的另一表面与连接片的一端连接，所述连接片的另一端自环氧封装体内延伸出；分别位于芯片上、下两侧的连接片、芯片基板之间的厚度比值为1：0.9~1.1。本实用新型降低了产品的结构应力，大大减小了芯片碎裂的风险，提高了器件的稳定性和使用寿命。

Description

高可靠性的功率器件
技术领域
本实用新型涉及半导体封装领域，特别涉及一种高可靠性的功率器件。
背景技术
7KW左右的大功率TVS产品主要用于车载电控单元的瞬态浪涌电流保护，对产品的可靠性及功率密度要求较高。现有产品的结构应力较大，对于大尺寸芯片，在严苛的使用条件下，有芯片受应力损伤的风险。
实用新型内容
本实用新型目的是提供一种高可靠性的功率器件，该高可靠性的功率器件降低了产品的结构应力，大大减小了芯片碎裂的风险，提高了器件的稳定性和使用寿命。
为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是：一种高可靠性的功率器件，包括由环氧封装体包覆的芯片基板、芯片和连接片，所述连接片的下表面自环氧封装体中裸露出，所述芯片的一表面与此连接片的上表面焊接连接，所述芯片的另一表面与连接片的一端连接，所述连接片的另一端自环氧封装体内延伸出；
分别位于芯片上、下两侧的连接片、芯片基板之间的厚度比值为1：0.9~1.1。
上述技术方案中进一步改进的方案如下：
1. 上述方案中，所述连接片的厚度与芯片基板的厚度比值为1：1。
2. 上述方案中，所述芯片基板与芯片连接的表面上设置有一镀镍层。
由于上述技术方案运用，本实用新型与现有技术相比具有下列优点和效果：
本实用新型高可靠性的功率器件，其分别位于芯片上、下两侧的连接片、芯片基板之间的厚度比值为1：0.9~1.1，通过对芯片基板与连接片厚度的匹配设置，形成对称结构，降低产品的结构应力，大大减小了芯片碎裂的风险，提高了器件的稳定性和使用寿命。
附图说明
附图1为本实用新型高可靠性的功率器件结构侧剖图。
以上附图中：1、环氧封装体；2、芯片基板；3、芯片；4、连接片。
具体实施方式
下面结合附图及实施例对本实用新型作进一步描述：
实施例1：一种高可靠性的功率器件，包括由环氧封装体1包覆的芯片基板2、芯片3和连接片4，所述连接片4的下表面自环氧封装体1中裸露出，所述芯片3的一表面与此连接片4的上表面焊接连接，所述芯片3的另一表面与连接片4的一端连接，所述连接片4的另一端自环氧封装体1内延伸出；
分别位于芯片3上、下两侧的连接片4、芯片基板2之间的厚度比值为1：0.9；上述芯片基板2与芯片3连接的表面上设置有一镀镍层，既提高了导通性能以及高温环境下导通性能的稳定性，又可避免芯片基板与芯片之间的结合强度过低而导致的虚焊。
实施例2：一种高可靠性的功率器件，包括由环氧封装体1包覆的芯片基板2、芯片3和连接片4，所述连接片4的下表面自环氧封装体1中裸露出，所述芯片3的一表面与此连接片4的上表面焊接连接，所述芯片3的另一表面与连接片4的一端连接，所述连接片4的另一端自环氧封装体1内延伸出；
分别位于芯片3上、下两侧的连接片4、芯片基板2之间的厚度比值为1：1。
采用上述高可靠性的功率器件时，其通过对芯片基板与连接片厚度的匹配设置，形成对称结构，降低产品的结构应力，大大减小了芯片碎裂的风险，提高了器件的稳定性和使用寿命。
上述实施例只为说明本实用新型的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本实用新型的内容并据以实施，并不能以此限制本实用新型的保护范围。凡根据本实用新型精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。

Claims (3)

1.一种高可靠性的功率器件，其特征在于：包括由环氧封装体（1）包覆的芯片基板（2）、芯片（3）和连接片（4），所述连接片（4）的下表面自环氧封装体（1）中裸露出，所述芯片（3）的一表面与此连接片（4）的上表面焊接连接，所述芯片（3）的另一表面与连接片（4）的一端连接，所述连接片（4）的另一端自环氧封装体（1）内延伸出；
分别位于芯片（3）上、下两侧的连接片（4）、芯片基板（2）之间的厚度比值为1：0.9~1.1。
2.根据权利要求1所述的高可靠性的功率器件，其特征在于：所述连接片（4）的厚度与芯片基板（2）的厚度比值为1：1。
3.根据权利要求1所述的高可靠性的功率器件，其特征在于：所述芯片基板（2）与芯片（3）连接的表面上设置有一镀镍层。
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