CN212676478U - 天线装置以及通信终端装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供一种天线装置以及通信终端装置。天线装置(101)具有：第1辐射元件(11)；第2辐射元件(12)；第1线圈(L1)，与第1辐射元件以及供电电路(30)中的一者连接；以及第2线圈(L2)，与第2辐射元件连接，并相对于第1线圈进行电磁场耦合。第1辐射元件和第2辐射元件进行电场耦合。天线耦合元件(20)包含第1线圈以及第2线圈。在由天线耦合元件和第2辐射元件赋予的谐振频率下，通过第1线圈和第2线圈的电磁场耦合而流过第2辐射元件的电流与通过电场耦合而流过第2辐射元件的电流的相位差的绝对值为90度以下。

Description

天线装置以及通信终端装置

技术领域

本实用新型涉及具备连接在多个辐射元件与供电电路之间的天线耦合元件的天线装置以及通信终端装置。

背景技术

为了使天线装置的能够使用的频带宽带化，或者为了应对多个频带，使用具备直接或间接地进行耦合的两个辐射元件的天线装置。此外，在专利文献1示出了一种天线装置，其具备：两个辐射元件；以及天线耦合元件，对针对这两个辐射元件的供电进行控制。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利第5505561号公报

实用新型内容

实用新型要解决的课题

例如，在便携式电话的通信用天线中，有覆盖0.6GHz～2.7GHz这样的宽带的通信用天线。此外，为了应对通过同时使用多个频带而提高传输速率的载波聚合，要求能够同时使用宽带的天线装置。

专利文献1所示的天线装置是在两个辐射元件(供电辐射元件以及无供电辐射元件)与供电电路之间连接有包含变压器的天线耦合元件的天线装置。该结构的天线装置在同时覆盖宽带方面非常有用。

可是，当伴随着具备天线装置的通信终端装置的高功能化而使天线空间受到限制时，供电辐射元件和无供电辐射元件将被靠近配置。由此，供电辐射元件和无供电辐射元件的电场耦合变强。

在这样的状况下，产生如下的不良情况，即，若通过天线耦合元件而流过无供电辐射元件的电流和通过上述电场耦合而流过无供电辐射元件的电流成为彼此相互减弱的关系，则得不到充分的辐射效率。

像这样，在应流过无供电辐射元件的电流量下降的状态下，无供电辐射元件的辐射效率会下降。

因此，本实用新型的目的在于，提供一种如下的天线装置以及通信终端装置，即，在存在两个辐射元件间的直接的耦合和经由天线耦合元件的间接的耦合的情况下，可抑制由于流过辐射元件的电流的抵消而造成的辐射效率的下降。

用于解决课题的技术方案

(1)根据本实用新型的一个方面的天线装置具有：第1辐射元件；第2辐射元件；第1线圈，与所述第1辐射元件以及供电电路中的一者连接；以及第2线圈，与所述第2辐射元件连接，并相对于所述第1线圈进行电磁场耦合，

所述第1辐射元件和所述第2辐射元件进行电场耦合，

天线耦合元件包含所述第1线圈以及所述第2线圈，在由所述天线耦合元件和所述第2辐射元件赋予的谐振频率下，通过所述第1线圈和所述第2线圈的电磁场耦合而流过所述第2辐射元件的电流与通过所述电场耦合而流过所述第2辐射元件的电流的相位差的绝对值为90度以下。

根据上述结构，通过第1线圈和第2线圈的电磁场耦合而流过第2 辐射元件的电流不被通过第1辐射元件和第2辐射元件的电场耦合而流过第2辐射元件的电流所抵消，可抑制第2辐射元件的辐射效率的下降。

(2)优选地，在上述(1)的天线装置中，作为包含所述天线耦合元件的所述第2辐射元件的基波的谐振频率的第2谐振频率比作为所述第1 辐射元件的基波的谐振频率的第1谐振频率高。

(3)优选地，在上述(1)的天线装置中，所述第1辐射元件和所述第2辐射元件具有相互并行的部分，并在所述并行的部分中进行所述电场耦合。

(4)优选地，在上述(1)至(3)中的任一项的天线装置中，所述第1线圈以及所述第2线圈使在从所述第1线圈向所述第1辐射元件流过电流时在所述第1线圈产生的磁场的方向与在从所述第2线圈向所述第2 辐射元件流过电流时在所述第2线圈产生的磁场的方向为相互相反的关系。

(5)优选地，在上述(1)至(3)中的任一项的天线装置中，所述第1线圈以及所述第2线圈使在从所述第1线圈向所述第1辐射元件流过电流时在所述第1线圈产生的磁场的方向与在从所述第2线圈向所述第2 辐射元件流过电流时在所述第2线圈产生的磁场的方向为相同方向的关系。

(6)根据本实用新型的另一个方面的通信终端装置具备：上述(1) 至(5)中的任一项的天线装置；以及所述供电电路，

所述供电电路对包含所述第1辐射元件的谐振频率的低频段的通信信号和包含基于所述天线耦合元件和所述第2辐射元件的谐振频率的高频段的通信信号进行操作。

实用新型效果

根据本实用新型，可得到如下的天线装置以及通信终端装置，即，在存在由两个辐射元件间的寄生电容造成的直接的耦合和经由天线耦合元件的间接的耦合的情况下，可抑制由于流过辐射元件的电流的抵消而造成的辐射效率的下降。

附图说明

图1是在作为本实用新型的一个实施方式的天线装置以及通信终端装置中使用的天线耦合元件20的立体图和天线耦合元件20的一部分的分解立体图。

图2是示出天线装置101和具备该天线装置101的通信终端装置111 的主要的结构的俯视图。

图3是包含天线耦合元件20的天线装置101的电路图。

图4是示出天线装置101的辐射效率的频率特性的图。

图5(A)、图5(B)均是示出本实用新型的一个实施方式的天线装置的结构的图。

图6是示出天线装置102和具备该天线装置102的通信终端装置112 的主要的结构的俯视图。

图7是示出天线装置103和具备该天线装置103的通信终端装置113 的主要的结构的俯视图。

图8是示出天线装置103的结构的图。

图9是示出天线装置104的结构的图。

图10是示出天线装置105的结构的图。

具体实施方式

图1是在作为本实用新型的一个实施方式的天线装置以及通信终端装置中使用的天线耦合元件20的立体图和天线耦合元件20的一部分的分解立体图。本实施方式的天线耦合元件20是安装在通信终端装置内的电路基板的长方体状的片式部件。在图1中，将天线耦合元件20的外形和其内部的构造分离而进行了图示。在天线耦合元件20的外表面形成有第1辐射元件连接端子T1、供电电路连接端子T2、接地连接端子T3、以及第2辐射元件连接端子T4。此外，天线耦合元件20具备第1面MS1和作为与该第1面MS1相反侧的面的第2面MS2。在本实施方式中，第1 面MS1或第2面MS2是安装面。

在天线耦合元件20的内部形成有导体图案L1a、L1b、L2a、L2b。导体图案L1a和导体图案L1b经由层间连接导体V1连接。导体图案L2a 和导体图案L2b经由层间连接导体V2连接。在该图1中，在层叠方向上分离地表示了形成有各导体图案的绝缘基材S11、S12、S21、S22。

在天线耦合元件20包含树脂多层基板的情况下，上述绝缘基材例如是液晶聚合物(LCP)片材，导体图案L1a、L1b、L2a、L2b例如是对铜箔进行了图案化的导体图案。此外，在天线耦合元件20包含陶瓷多层基板的情况下，上述绝缘基材例如是低温共烧陶瓷(LTCC[LowTemperature Co-fired Ceramics])，导体图案L1a、L1b、L2a、L2b例如是对铜膏进行印刷而形成的导体图案。

像这样，由于基材层是非磁性体(因为不是磁性体铁氧体)，从而即使在0.6GHz～2.7GHz的高频带也能够用作给定电感、给定耦合系数的变压器。

另外，因为使导体图案L1a、L1b、L2a、L2b集中在层叠体的中间层，所以在将该天线耦合元件20安装在电路基板的状态下，可确保存在于电路基板的接地导体与第1线圈L1以及第2线圈L2的间隔。此外，即使某种金属构件靠近天线耦合元件20的上部，也可确保该金属构件与第1 线圈L1以及第2线圈L2的间隔。因此，在后面示出的第1线圈L1以及第2线圈L2的磁场不易受到来自外部的影响，可得到稳定的特性。

图2是示出天线装置101和具备该天线装置101的通信终端装置111 的主要的结构的俯视图。该通信终端装置111具备第1辐射元件11、第2 辐射元件12、电路基板40、用于形成辐射元件的树脂部以及壳体50。

在电路基板40构成了供电电路30。此外，在该电路基板40安装有天线耦合元件20以及电感器L11。

壳体50具有导电性，在俯视下包围第1辐射元件11、第2辐射元件 12、电路基板40。第1辐射元件11包含壳体50的一部分，该壳体的一部分构成为与壳体50的其它部分电独立。第2辐射元件12包含通过LDS (Laser-Direct-Structuring，激光直接成型)工法形成在壳体50内的树脂部的导体图案。此外，并不限于此，例如也可以包含通过光致抗蚀剂工法形成在FPC(Flexible Printed Circuit，柔性印刷电路)的导体图案。

天线耦合元件20的第1辐射元件连接端子T1与第1辐射元件11连接，第2辐射元件连接端子T4与第2辐射元件12连接。供电电路连接端子T2与供电电路30连接，接地连接端子T3与接地导体图案连接。由此，图1所示的天线耦合元件20中的第1线圈以及第2线圈构成为，在从第1线圈向第1辐射元件流过电流时在第1线圈产生的磁场的方向与在从第2线圈向第2辐射元件流过电流时在第2线圈产生的磁场的方向成为相同方向的关系。

电感器L11连接在第1辐射元件11的一个端部与地(ground)之间。

第1辐射元件11通过电感器L11以及形成在电路基板的接地导体图案作为环形天线而发挥作用。第2辐射元件12作为单极天线而发挥作用。

在第1辐射元件11的一部分和第2辐射元件12的一部分的靠近部 PP产生辐射元件间的寄生电容C12。在图2所示的例子中，在靠近部PP 中，第1辐射元件11的一部分和包含第2辐射元件12的前端部的第2 辐射元件12的一部分相互并行，特别是，在该部分中产生寄生电容C12。也就是说，第1辐射元件11和第2辐射元件12经由该寄生电容C12进行电场耦合。由此，第1辐射元件11的一部分和第2辐射元件12的前端部特别强烈地进行电场耦合。另外，也可以附属地存在第1辐射元件11 和第2辐射元件12的磁场耦合。

如果如图2所示地包含第1辐射元件11而构成环形天线，则能够削减该第1辐射元件11的空间。此外，如果是环形天线构造，则能够抑制由于人体的靠近而造成的第1辐射元件11的天线特性的变动。进而，通过在该环形天线的构造上的内侧配置单极构造的第2辐射元件12，从而还能够抑制由于人体的靠近而造成的第2辐射元件12的天线特性的变动。

图3是包含上述天线耦合元件20的天线装置101的电路图。天线耦合元件20包含相互进行电磁场耦合的第1线圈L1以及第2线圈L2。

第1辐射元件11在低频段(例如，0.60GHz～0.96GHz)的频带内进行谐振。也就是说，连接了第1线圈L1的第1辐射元件11至少支持低频段。位于这样的低频段内的谐振频率是本实用新型涉及的“第1谐振频率”。此外，第1辐射元件在作为比上述低频段高的频带的高频段(例如， 1.71GHz～2.69GHz)的频带内也进行谐振。例如，在基于连接了第1线圈 L1的第1辐射元件11的基波的谐振频率处于低频段内且其三倍波的谐振频率处于高频段的情况下，可以说，第1辐射元件既在低频段进行谐振，也在高频段进行谐振。

第2辐射元件12与天线耦合元件20一同在高频段(例如， 1.71GHz～2.69GHz)的频带内进行谐振。该谐振频率是本实用新型涉及的“第2谐振频率”，例如是2.3GHz。也就是说，第2辐射元件12支持高频段，并使高频段宽带化。因而，基于至少连接了第1线圈L1的第1辐射元件的基波的谐振频率比基于第2辐射元件12和天线耦合元件的基波的谐振频率低。

第1辐射元件11从供电电路30经由第1线圈L1被供电。第2辐射元件12从第2线圈L2被供电(通过在第2线圈L2产生的感应电动势进行供电)。例如，在第1线圈L1流过电流i1时，在第2线圈L2感应出电流i2，并通过该电流i2对第2辐射元件12进行供电(驱动)。进而，第2辐射元件12经由寄生电容C12与第1辐射元件11进行电场耦合，因此存在通过该电场耦合而流入到第2辐射元件12侧的电流i12。

如图3所示，谐振电路RC包含第1辐射元件11与第2辐射元件12 之间的寄生电容C12、第1线圈L1以及第2线圈L2。也就是说，通过在进行电场耦合的第1辐射元件11和第2辐射元件12连接天线耦合元件 20，从而寄生地构成谐振电路RC。若该谐振电路RC的谐振频率在上述第2谐振频率的附近，则如下所述，在第2谐振频率的频带(高频段)中，流过第2线圈L2的电流和流过第2辐射元件12的电流的方向将变得重要。

第1线圈L1与第2线圈L2的耦合的极性决定为，在上述第2谐振频率下，上述电流i2和电流i12成为彼此不相互减弱的关系。也就是说，第1线圈L1和第2线圈L2进行耦合，使得在由包含第1线圈L1以及第 2线圈L2的天线耦合元件20和第2辐射元件12赋予的第2谐振频率下，通过第1线圈L1和第2线圈L2的电磁场耦合而流过第2辐射元件12的电流i12与通过电场耦合而流过第2辐射元件12的电流i2的相位差的绝对值成为90度以下。

也就是说，根据天线的电场耦合部位，从第1线圈L1对第1辐射元件11流过电流时的、在第1线圈L1产生的磁场的方向和从第2线圈L2 向第2辐射元件12流过电流时的、在第2线圈L2产生的磁场的方向的关系可以成为相同方向，也可以成为相反方向，但是上述耦合关系不变。例如，根据天线的电场耦合的部位，天线耦合元件20也可以将端子T3 作为第2辐射元件连接端子，并将端子T4作为接地连接端子。在这样的情况下，第1线圈L1以及第2线圈L2构成为，在从第1线圈L1向第1 辐射元件11流过电流时在第1线圈L1产生的磁场的方向和在从第2线圈L2向第2辐射元件12流过电流时在第2线圈L2产生的磁场的方向成为相互相反的关系。

通过上述的关系，从而上述电流i12和电流i2彼此不相互减弱，因此高频段的辐射效率提高。此外，在电流i12与电流i2的相位差的绝对值比90度小的情况下，可以说两者彼此相互增强，由此，高频段的辐射效率进一步提高。

图4是示出天线装置101的辐射效率的频率特性的图。在图4中， RE1是比较例的天线装置的辐射效率，RE2是本实施方式的天线装置101 的辐射效率。

比较例的天线装置的天线耦合元件20的第1线圈L1与第2线圈L2 的耦合的极性与本实施方式涉及的天线装置101具备的天线耦合元件20 的、第1线圈L1与第2线圈L2的耦合的极性处于相反的关系。也就是说，在比较例的天线装置中，图3所示的、通过第1线圈L1和第2线圈 L2的电磁场耦合而流过第2辐射元件12的电流i12与通过电场耦合而流过第2辐射元件12的电流i2的相位差的绝对值变得比90度大，从而电流i12和电流i2彼此相互减弱。

在本实施方式中，像在图4表示的那样，在0.6GHz～2.0GHz，天线装置的辐射效率是同等的，但是在2.0GHz以上，本实施方式的天线装置 101的辐射效率更高。这是因为，在该频带中，在比较例的天线装置中上述电流i12和电流i2彼此相互减弱，相对于此，在本实施方式的天线装置中电流i12和电流i2彼此不相互减弱，反而会相加。

通过上述的电磁场耦合而流过第2辐射元件12的电流i12的相位例如可通过如下方式得到，即，在如图2所示的天线装置101的配置中，进行配置变更，使得第1辐射元件11和第2辐射元件12在物理上充分地分开，并通过网络分析仪等在第2谐振频率对流过第2辐射元件与第2线圈 L2之间的电流的相位进行测定。然而，实际上难以在使电流探针之间不靠近的情况下直接进行测定。因此，例如通过如下方式得到，即，首先测定将第1辐射元件11的输入端(第1辐射元件11的电源侧的一端)和第 2辐射元件12的输入端(第2辐射元件12的接地侧的一端)这两个输入端作为输入端的2×2的S参数、和具有端子T1～T4这四个端子的仅天线耦合元件20的4×4的S参数，然后使用配置变更后的天线装置101的电路结构和上述S参数在电路仿真器上对流过第2辐射元件12与第2线圈 L2之间的电流进行计算。此外，通过电场耦合而流过第2辐射元件12的电流i2的相位例如可通过如下方式得到，即，在如图2所示的天线装置 101的配置中，进行配置变更，使得去掉天线耦合元件20，并通过网络分析仪等在第2谐振频率对流过第2辐射元件12与地之间的电流的相位进行测定。在该情况下，也可以例如通过如下方式得到，即，测定将第1 辐射元件11的输入端和第2辐射元件12的输入端这两个输入端作为输入的2×2的S参数，然后使用去掉了耦合元件20的配置变更后的天线装置 101的电路结构和所述2×2的S参数在电路仿真器上对流过第2辐射元件 12与地之间的电流进行计算。

图2、图3所示的供电电路30对包含第1辐射元件11的谐振频率的低频段的通信信号和包含基于天线耦合元件20和第2辐射元件12的谐振频率的高频段的通信信号进行输入输出。由此，可得到处理宽带的通信信号的通信终端装置。

接着，示出如下的例子，即，无论天线耦合元件20的第1线圈L1 与第2线圈L2的耦合的极性是哪种情况，在第2谐振频率下，通过第1 线圈L1与第2线圈L2的电磁场耦合而流过第2辐射元件12的电流i12 和通过电场耦合而流过第2辐射元件12的电流i2彼此都不会相互减弱。

图5(A)、图5(B)均是示出本实用新型的一个实施方式的天线装置的结构的图。图5(A)、图5(B)所示的任一天线装置均具备第1 辐射元件11、第2辐射元件12、以及天线耦合元件20。第1辐射元件11 以及第2辐射元件12均为单极型的辐射元件。

在图5(A)、图5(B)所示的天线装置中，对第1辐射元件11的供电点相同，但是第2辐射元件12的靠近位置不同。也就是说，在图5 (A)和图5(B)中，在分布于第1辐射元件11的电位的极性不同的位置，第2辐射元件12与第1辐射元件11进行电场耦合。

因此，在第2谐振频率下，在通过第1线圈L1与第2线圈L2的电磁场耦合而流过第2辐射元件12的电流i12和通过电场耦合而流过第2 辐射元件12的电流i2不相互抵消的条件的基础上，在图5(A)所示的天线耦合元件20和图5(B)所示的天线耦合元件20中，第1线圈L1与第2线圈L2的耦合的极性相反。

只要预先准备第1线圈L1与第2线圈L2的耦合的极性不同的两种天线耦合元件20，并根据该天线耦合元件20的应用对象的条件而使用给定的耦合极性的天线耦合元件20即可。此外，在图1所示的例子中，关于天线耦合元件20，还能够根据将其上表面或下表面中的哪一个作为安装面而选择上述耦合的极性。

接着，对于各部分的结构与至此为止所示的天线装置不同的天线装置，示出几个例子。

图6是示出天线装置102和具备该天线装置102的通信终端装置112 的主要的结构的俯视图。该通信终端装置112具备第1辐射元件11、第2 辐射元件12、第3辐射元件13、电路基板40以及壳体50。

在电路基板40构成了供电电路30。此外，在该电路基板40安装有天线耦合元件20以及电感器L11。

第1辐射元件11、第2辐射元件12以及第3辐射元件13包含通过 LDS(Laser-Direct-Structuring，激光直接成型)工法等形成在壳体50内的树脂部的导体图案。此外，并不限于此，也可以形成在电路基板40上，还可以包含通过光刻工法等形成在FPC(Flexible Printed Circuit，柔性印刷电路)的导体图案。像这样，在全部的辐射元件形成在壳体内的情况下，壳体50也可以包含不具有导电性的玻璃、树脂等的绝缘性构件。

天线耦合元件20的第1辐射元件连接端子T1与第1辐射元件11连接，第2辐射元件连接端子T4与第2辐射元件12连接。供电电路连接端子T2与供电电路30连接，接地连接端子T3与接地导体图案连接。

电感器L11连接在第1辐射元件11的一个端部与地之间。

第1辐射元件11通过电感器L11以及形成在电路基板的接地导体图案作为环形天线而发挥作用。第2辐射元件12作用单极天线而发挥作用。第3辐射元件13例如是GPS用天线，并与不同于供电电路30的供电电路连接。

其它结构与图2、图5(A)、图5(B)等所示的天线装置相同。像这样，第1辐射元件11也可以包含导体图案。

图7是示出天线装置103和具备天线装置103的通信终端装置113 的主要的结构的俯视图。该通信终端装置113具备第1辐射元件11、第2 辐射元件12、电路基板40以及壳体50。

第1辐射元件11包含壳体的一部分，并与壳体的其它部分电独立。电路基板40具备形成有接地导体图案42的接地区域GZ和未形成接地导体图案42的非接地区域NGZ。在该非接地区域NGZ形成有第2辐射元件12。

第2辐射元件12包含在中途具有折叠部12FB的线状的导体图案。像这样，通过包含在中途具有折叠部的线状的导体图案，从而可省空间地设置第2辐射元件12。此外，在该例子中，具有从天线耦合元件20延伸的第1线状导体图案部12A和向从第1辐射元件11远离的一侧折叠的第 2线状导体图案部12B。通过该构造，靠近第1辐射元件11的部分短，且延伸方向为相互相反方向，因此与第1辐射元件11的实质性的电场耦合小。

另外，第2线状导体图案部12B的线宽度比第1线状导体图案部12A 粗，因此能够扩展包含第2辐射元件12的谐振电路的谐振带宽。

图8是示出天线装置103的结构的图。该天线装置103具备第1辐射元件11、第2辐射元件12、天线耦合元件20、电感器L11a、L11b、电容器C11a、C11b以及开关4。开关4根据从天线装置外部提供的控制信号，将电感器L11a、L11b、电容器C11a、C11b中的一者选择性地与第1 辐射元件11的前端进行连接。因此，变得能够通过开关4变更天线的有效长度。

在电感器L11a和电感器L11b中，电感不同，在电容器C11a和电容器C11b中，电容不同。根据选择这些电抗元件L11a、L11b、C11a、C11b 中的哪一个元件，可切换第1辐射元件11的谐振频率。其它结构如图2 所示。

图9是示出天线装置104的结构的图。该天线装置104具备第1辐射元件11、第2辐射元件12、以及天线耦合元件20。在第1辐射元件11 的供电端经由天线耦合元件20的第1线圈L1连接有供电电路30。而且，第1辐射元件11的前端开放，中途的给定的接地位置PS与地进行接地。通过该结构，第1辐射元件11作为倒F天线而发挥作用。此外，如果第 1辐射元件11是呈面状扩展的导体，则作为PIFA(planar inverted-F antenna，平面倒F天线)而发挥作用。像这样，通过将第1辐射元件11设为倒F 型天线、PIFA，从而能够使第1辐射元件11的阻抗为与供电电路的阻抗相同的程度，阻抗匹配变得容易。

像这样，本实用新型也能够应用于第1辐射元件11为倒F天线、PIFA 的天线装置。

图10是示出天线装置105的结构的图。该天线装置105具备第1辐射元件11、第2辐射元件12、以及天线耦合元件20。作为第1辐射元件 11的给定的接地位置PS与地之间的短路销(short pin)，连接有天线耦合元件20的第1线圈L1。而且，在天线耦合元件20的第2线圈L2连接有第2辐射元件12。通过该结构，第1辐射元件11作为倒F天线而发挥作用。此外，如果第1辐射元件11是呈面状扩展的导体，则作为PIFA (planar inverted-F antenna，平面倒F天线)而发挥作用。

本实用新型也能够应用于包含这样的构造的倒F天线、PIFA的天线装置。

最后，上述的实施方式的说明在所有的方面均为例示，而不是限制性的。对本领域技术人员而言，能够适当地进行变形以及变更。本实用新型的范围不是由上述的实施方式示出，而是由权利要求书示出。进而，本实用新型的范围包含从与权利要求书等同的范围内的实施方式进行的变更。

附图标记说明

C11a、C11b：电容器；

C12：辐射元件间寄生电容；

GZ：接地区域；

L1：第1线圈；

L1a、L1b、L2a、L2b：导体图案；

L11、L11a、L11b：电感器；

L2：第2线圈；

MS1：第1面；

MS2：第2面；

NGZ：非接地区域；

PP：靠近部；

PS：接地位置；

RC：谐振电路；

S11、S12、S21、S22：绝缘基材；

T1：第1辐射元件连接端子；

T2：供电电路连接端子；

T3：接地连接端子；

T4：第2辐射元件连接端子；

V1、V2：层间连接导体；

4：开关；

11：第1辐射元件；

12：第2辐射元件；

12A：第1线状导体图案部；

12B：第2线状导体图案部；

13：第3辐射元件；

20：天线耦合元件；

30：供电电路；

40：电路基板；

42：接地导体图案；

50：壳体；

101～105：天线装置；

111～113：通信终端装置。

Claims (6)

1.一种天线装置，其特征在于，

具有：第1辐射元件；第2辐射元件；第1线圈，与所述第1辐射元件以及供电电路中的一者连接；以及第2线圈，与所述第2辐射元件连接，并相对于所述第1线圈进行电磁场耦合，

所述第1辐射元件和所述第2辐射元件进行电场耦合，

天线耦合元件包含所述第1线圈以及所述第2线圈，在由所述天线耦合元件和所述第2辐射元件赋予的谐振频率下，通过所述第1线圈和所述第2线圈的电磁场耦合而流过所述第2辐射元件的电流与通过所述电场耦合而流过所述第2辐射元件的电流的相位差的绝对值为90度以下。

2.根据权利要求1所述的天线装置，其特征在于，

作为包含所述天线耦合元件的所述第2辐射元件的基波的谐振频率的第2谐振频率比作为所述第1辐射元件的基波的谐振频率的第1谐振频率高。

3.根据权利要求1所述的天线装置，其特征在于，

所述第1辐射元件和所述第2辐射元件具有相互并行的部分，并在所述并行的部分中进行所述电场耦合。

4.根据权利要求1至3中的任一项所述的天线装置，其特征在于，

所述第1线圈以及所述第2线圈使在从所述第1线圈向所述第1辐射元件流过电流时在所述第1线圈产生的磁场的方向与在从所述第2线圈向所述第2辐射元件流过电流时在所述第2线圈产生的磁场的方向为相互相反的关系。

5.根据权利要求1至3中的任一项所述的天线装置，其特征在于，

所述第1线圈以及所述第2线圈使在从所述第1线圈向所述第1辐射元件流过电流时在所述第1线圈产生的磁场的方向与在从所述第2线圈向所述第2辐射元件流过电流时在所述第2线圈产生的磁场的方向为相同方向的关系。

6.一种通信终端装置，其特征在于，

具备：权利要求1至5中的任一项所述的天线装置；以及所述供电电路，

所述供电电路对包含所述第1辐射元件的谐振频率的低频段的通信信号和包含基于所述天线耦合元件和所述第2辐射元件的谐振频率的高频段的通信信号进行操作。

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