CN212449623U - 一种二极管吸咀结构 - Google Patents

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Abstract

本实用新型提供一种二极管吸咀结构,包括吸咀本体,所述吸咀本体从上至下依次包括抓取部、连接部、吸取部,所述连接部的一端与所述抓取部连接,所述连接部的另一端与所述吸取部连接,所述抓取部贯穿设置有第一气腔,所述连接部贯穿设置有第二气腔,所述吸取部贯穿设置有第三气腔,所述第一气腔、第二气腔、第三气腔相互连通;所述吸取部远离所述连接部的一端开设有与二极管形状对应的让位槽。本实用新型的有益效果是:当吸咀本体对二极管进行吸取动作时,二极管的上部正好嵌合在让位槽内,从而实现对二极管的限位固定,有效防止二极管在吸附时的转动。

Description

一种二极管吸咀结构
技术领域
本实用新型涉及二极管加工技术领域,尤其涉及一种二极管吸咀结构。
背景技术
在二极管加工过程中,二极管的取料设备一般是采用吸咀抽真空产生负压,从而对生产线上的二极管进行吸取,再进行位置的转移。而取料设备中使用的吸咀,其吸口截面均设置为水平,当将二极管吸起后,二极管所处的方向将难以判断,导致下一加工工序上需增设二极管方向判断的工位进行调整,增加了生产的成本。鉴于这种情况,亟待改进。
实用新型内容
基于此,本实用新型的目的在于提供一种结构改良的二极管吸咀。
本实用新型提供一种二极管吸咀结构,包括吸咀本体,所述吸咀本体从上至下依次包括抓取部、连接部、吸取部,所述连接部的一端与所述抓取部连接,所述连接部的另一端与所述吸取部连接,所述抓取部贯穿设置有第一气腔,所述连接部贯穿设置有第二气腔,所述吸取部贯穿设置有第三气腔,所述第一气腔、第二气腔、第三气腔相互连通;所述吸取部远离所述连接部的一端开设有与二极管形状对应的让位槽。
作为优选方案,所述第一气腔的内径大于所述第三气腔的内径;所述第二气腔包括上段气腔和下段气腔,所述上段气腔与所述第一气腔连通,所述上段气腔的内径与所述第一气腔的内径相同;所述下段气腔设置为漏斗状,所述下段气腔的上部内径与所述上段气腔相同,所述下段气腔的下部与所述第三气腔相同。
作为优选方案,所述让位槽的一侧设置有限位板A,所述吸取部的一侧与所述限位板A对应的位置设置有调节螺丝,所述调节螺丝的尾部与所述限位板A连接,所述让位槽的另一侧设置有与所述限位板A对应的限位板B,所述吸取部的另一侧与所述限位板B对应的位置设置有调节螺丝,所述调节螺丝的尾部与所述限位板B连接。
作为优选方案,所述限位板A的上表面设置有导向凸块,所述让位槽的顶部靠近所述第三气腔的位置设置有与所述导向凸块对应的导向槽;所述限位板B的上表面设置有导向凸块,所述让位槽的顶部靠近所述第三气腔的位置设置有与所述导向凸块对应的导向槽。
作为优选方案,所述让位槽的顶部围绕着所述第三气腔的位置凸设有缓冲凸粒。
本实用新型的有益效果为:
1、吸取部远离连接部的一端开设有与二极管形状对应的让位槽,当吸咀本体对二极管进行吸取动作时,二极管的上部正好嵌合在让位槽内,从而实现对二极管的限位固定,有效防止二极管在吸附时的转动;
2、设置限位板A和限位板B,当需要吸附尺寸不同的二极管时,让位槽的大小可以因应二极管壳体的大小进行调整,只需要旋转相应位置的调节螺丝,即可调整限位板A和限位板B之间的相对距离,操作简便。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图。
图2为本实用新型的结构示意图(二极管处于被吸附状态)。
图3为本实用新型的剖视图。
图4为吸取部的平面视图(显示限位板A和限位板B)。
附图标记为:吸咀本体10、抓取部11、连接部12、吸取部13、第一气腔14、让位槽15、二极管16、第三气腔17、限位板B18、调节螺丝19、限位板A20、导向凸块21、导向槽22、上段气腔23、下段气腔24、缓冲凸粒25、第二气腔26。
具体实施方式
为能进一步了解本实用新型的特征、技术手段以及所达到的具体目的、功能,下面结合具体实施方式和附图对本实用新型作进一步详细描述。
本实用新型中,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
参照图1-4所示,本实用新型提供一种二极管吸咀结构,包括吸咀本体10,吸咀本体10从上至下依次包括抓取部11、连接部12、吸取部13,连接部12的一端与抓取部11连接,连接部12的另一端与吸取部13连接,所述抓取部11、连接部12、吸取部13一体成型。抓取部11贯穿设置有第一气腔14,连接部12贯穿设置有第二气腔26,吸取部13贯穿设置有第三气腔17,第一气腔14、第二气腔26、第三气腔17相互连通;吸取部13远离连接部12的一端开设有与二极管16形状对应的让位槽15。
本实施方式中,吸取部远离连接部的一端开设有与二极管形状对应的让位槽,当吸咀本体对二极管进行吸取动作时,二极管的上部正好嵌合在让位槽内,从而实现对二极管的限位固定,有效防止二极管在吸附时的转动。
作为优选的实施方式,第一气腔14的内径大于第三气腔17的内径;第二气腔26包括上段气腔23和下段气腔24,上段气腔23与第一气腔14连通,上段气腔23的内径与第一气腔14的内径相同;下段气腔24设置为漏斗状,下段气腔24的上部内径与上段气腔23相同,下段气腔24的下部与第三气腔17相同。通过这样的结构设置,形成了阶梯式的真空气腔结构,增强吸力。
作为优选的实施方式,让位槽15的一侧设置有限位板A20,吸取部13的一侧与限位板A20对应的位置设置有调节螺丝19,调节螺丝19的尾部与限位板A20连接,让位槽15的另一侧设置有与限位板A20对应的限位板B18,吸取部13的另一侧与限位板B18对应的位置设置有调节螺丝19,调节螺丝19的尾部与限位板B18连接。通过这样的结构设置,当需要吸附尺寸不同的二极管时,让位槽的大小可以因应二极管壳体的大小进行调整,只需要旋转相应位置的调节螺丝,即可调整限位板A和限位板B之间的相对距离,操作简便。
作为优选的实施方式,限位板A20的上表面设置有导向凸块21,让位槽15的顶部靠近第三气腔17的位置设置有与导向凸块21对应的导向槽22;限位板B18的上表面设置有导向凸块21,让位槽15的顶部靠近第三气腔17的位置设置有与导向凸块21对应的导向槽22。在限位板A20或者限位板B18移动时,通过导向凸块21和导向槽22的配合,避免限位板A或者限位板B在移动时发生晃动。
作为优选的实施方式,让位槽15的顶部围绕着第三气腔17的位置凸设有缓冲凸粒25,在二极管被吸附起来时,二极管的顶部先与缓冲凸粒接触,从而提供一个缓冲的作用力。
以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本实用新型的保护范围。因此,本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (5)

1.一种二极管吸咀结构,其特征在于:包括吸咀本体(10),所述吸咀本体(10)从上至下依次包括抓取部(11)、连接部(12)、吸取部(13),所述连接部(12)的一端与所述抓取部(11)连接,所述连接部(12)的另一端与所述吸取部(13)连接,所述抓取部(11)贯穿设置有第一气腔(14),所述连接部(12)贯穿设置有第二气腔(26),所述吸取部(13)贯穿设置有第三气腔(17),所述第一气腔(14)、第二气腔(26)、第三气腔(17)相互连通;所述吸取部(13)远离所述连接部(12)的一端开设有与二极管(16)形状对应的让位槽(15)。
2.根据权利要求1所述的一种二极管吸咀结构,其特征在于:所述第一气腔(14)的内径大于所述第三气腔(17)的内径;所述第二气腔(26)包括上段气腔(23)和下段气腔(24),所述上段气腔(23)与所述第一气腔(14)连通,所述上段气腔(23)的内径与所述第一气腔(14)的内径相同;所述下段气腔(24)设置为漏斗状,所述下段气腔(24)的上部内径与所述上段气腔(23)相同,所述下段气腔(24)的下部与所述第三气腔(17)相同。
3.根据权利要求1所述的一种二极管吸咀结构,其特征在于:所述让位槽(15)的一侧设置有限位板A(20),所述吸取部(13)的一侧与所述限位板A(20)对应的位置设置有调节螺丝(19),所述调节螺丝(19)的尾部与所述限位板A(20)连接,所述让位槽(15)的另一侧设置有与所述限位板A(20)对应的限位板B(18),所述吸取部(13)的另一侧与所述限位板B(18)对应的位置设置有调节螺丝(19),所述调节螺丝(19)的尾部与所述限位板B(18)连接。
4.根据权利要求3所述的一种二极管吸咀结构,其特征在于:所述限位板A(20)的上表面设置有导向凸块(21),所述让位槽(15)的顶部靠近所述第三气腔(17)的位置设置有与所述导向凸块(21)对应的导向槽(22);所述限位板B(18)的上表面设置有导向凸块(21),所述让位槽(15)的顶部靠近所述第三气腔(17)的位置设置有与所述导向凸块(21)对应的导向槽(22)。
5.根据权利要求4所述的一种二极管吸咀结构,其特征在于:所述让位槽(15)的顶部围绕着所述第三气腔(17)的位置凸设有缓冲凸粒(25)。
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CN114464565A (zh) * 2022-01-25 2022-05-10 先之科半导体科技(东莞)有限公司 一种高精度可调贴片二极管吸笔结构
CN116093003A (zh) * 2022-12-27 2023-05-09 先之科半导体科技(东莞)有限公司 一种免干涉二极管吸笔结构

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