CN212434588U - 一种硅晶圆刻蚀装置 - Google Patents
一种硅晶圆刻蚀装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN212434588U CN212434588U CN202021612897.0U CN202021612897U CN212434588U CN 212434588 U CN212434588 U CN 212434588U CN 202021612897 U CN202021612897 U CN 202021612897U CN 212434588 U CN212434588 U CN 212434588U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- screw rod
- silicon wafer
- uniform distribution
- bearing
- lifting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 44
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 44
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 44
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 42
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims abstract description 87
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims abstract description 60
- 239000004744 fabric Substances 0.000 claims abstract description 50
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 47
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 25
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 claims description 33
- 238000007791 dehumidification Methods 0.000 claims description 22
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 claims description 22
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 4
- 230000009467 reduction Effects 0.000 claims description 4
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 abstract description 28
- 238000012545 processing Methods 0.000 abstract description 16
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 7
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 46
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 8
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Weting (AREA)
Abstract
本实用新型涉及一种硅晶圆刻蚀装置。采用的技术方案是：包括刻蚀装置外壳、控制面板、硅晶圆承载机构、滴胶机构、均布机构、氮气平布机构、检测箱和恒温恒湿机构，所述硅晶圆承载机构上部设置有所述滴胶机构，所述滴胶机构一侧设置有所述均布机构，所述均布机构后侧设置有所述氮气平布机构。本实用新型的有益效果：通过刻蚀装置外壳实现硅晶圆刻蚀装置加工环境封闭，通过硅晶圆承载机构实现四片晶圆同时刻蚀加工，便于晶圆取放，通过滴胶机构保障加工过程中光刻胶滴胶均匀，同时保持光刻胶质量和品质，通过均布机构和氮气平布机构实现对光刻胶均匀涂布，保障涂布平整，通过恒温恒湿机构完成装置内部空气循环，保障工作环境稳定，保障硅晶圆刻蚀质量。
Description
技术领域
本实用新型属于晶圆蚀刻技术领域，涉及一种硅晶圆刻蚀装置。
背景技术
晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆，在半导体制造过程中，常常需要对晶圆背面减薄，背面薄膜去除，背面清洗及背面图形蚀刻等，当前三维集成电路技术迅速发展，随着双面抛光技术的应用以及背面制程工艺被越来越频繁地使用，这些处理工艺的形成需要藉由蚀刻技术来完成，广义上讲，所谓蚀刻技术，包含了将材质整面均匀移除及图案选择性部分去除的技术，在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，硅晶圆加工中其中一个重要的步骤为刻蚀，刻蚀主要是在完成显影检验后，刻蚀工艺分为两大类：湿法和干法刻蚀，而不管采用哪一种方法其目的都是需要将光刻掩膜版上的图形精确的转移到晶圆表面，在转移中都是需要将光刻胶涂覆到硅片上，然后再通过曝光转移设计图形到光刻胶上，而光刻胶在添加至晶片上时，须严格控制其滴量，以保证晶片上光刻胶涂覆的均匀，但是由于胶体具有流动性以及粘性，在重力作用下会滴落在晶片上影响光刻胶在晶片上的均匀度，蚀刻过程对加工环境要求严格，光刻胶的滴胶均匀度直接决定了晶圆蚀刻品质。
实用新型内容
鉴于现有技术中所存在的问题，本实用新型公开了一种硅晶圆刻蚀装置，采用的技术方案是，包括刻蚀装置外壳、控制面板、硅晶圆承载机构、滴胶机构、均布机构、氮气平布机构、检测箱和恒温恒湿机构，所述刻蚀装置外壳一侧设置有所述控制面板，所述刻蚀装置外壳内侧下部设置有所述硅晶圆承载机构，所述硅晶圆承载机构上部设置有所述滴胶机构，所述滴胶机构一侧设置有所述均布机构，所述均布机构后侧设置有所述氮气平布机构，所述氮气平布机构另一侧设置有所述检测箱，所述检测箱上部设置有所述恒温恒湿机构，检测箱可检测晶圆上光刻胶涂布情况，便于工作人员检验；
所述滴胶机构包括滴胶箱，所述滴胶箱内侧设置有滴胶管道，所述滴胶管道上侧固定连接分流管道，所述分流管道一侧固定连接供胶泵，所述供胶泵后侧固定连接供胶管道，所述供胶管道后侧连接胶液储存箱，所述胶液储存箱后侧上部设置有加注管道，所述滴胶管道通过插槽连接所述分流管道，所述分流管道通过螺栓连接所述供胶泵，所述供胶泵通过所述供胶管道连接所述胶液储存箱，所述胶液储存箱可完成胶液搅拌保持胶液温度，保障加工过程中光刻胶滴胶均匀，同时保证光刻胶品质。
作为本实用新型的一种优选方案，所述刻蚀装置外壳包括装置壳体，所述装置壳体前部设置有滑门轨道，所述滑门轨道前部滑动连接侧滑门，所述侧滑门上设置有观察窗，所述装置壳体底部设置有支撑垫，所述装置壳体通过螺栓连接所述滑门轨道，所述滑门轨道通过滑槽连接所述侧滑门，所述观察窗为玻璃材质，所述支撑垫为橡胶材质，使硅晶圆刻蚀装置加工环境封闭，保障加工质量稳定。
作为本实用新型的一种优选方案，所述硅晶圆承载机构包括承载板，所述承载板下部滑动连接承载轨道，所述承载板上部设置有承载转盘，所述承载转盘下部设置有转盘减速器，所述转盘减速器一侧连接转盘电机，所述转盘减速器另一侧设置有螺旋杆，所述螺旋杆后端滑动连接螺旋杆支座，所述螺旋杆前段转动连接螺旋杆减速器，所述螺旋杆减速器后侧连接螺旋杆电机，所述承载板通过轴承连接所述承载转盘，所述承载转盘通过联轴器连接所述转盘减速器，所述转盘减速器通过齿轮连接所述转盘电机，所述螺旋杆减速器通过螺栓连接所述承载板，所述螺旋杆减速器通过联轴器连接所述螺旋杆，所述螺旋杆通过螺纹连接所述螺旋杆支座，所述螺旋杆电机通过齿轮连接所述螺旋杆减速器，便于晶圆取放，实现晶圆各加工步骤转移，实现同时对四片硅晶圆进行刻蚀滴胶。
作为本实用新型的一种优选方案，所述均布机构包括升降均布箱，所述升降均布箱一侧滑动连接升降轨道，所述升降轨道一侧设置有升降电机，所述升降电机内侧设置有升降减速器，所述升降电机一侧设置有均布旋转电机，所述均布旋转电机下部转动连接均布轮，所述均布轮下部设置有均布叶片，所述升降均布箱通过滑槽连接所述升降轨道，所述升降电机通过齿轮连接所述升降减速器，所述均布旋转电机通过螺栓连接所述升降均布箱，所述均布旋转电机通过联轴器连接所述均布轮，所述均布轮下端均匀布置所述均布叶片，实现对光刻胶均匀涂布，保障涂布均匀。
作为本实用新型的一种优选方案，所述氮气平布机构包括氮气平布箱，所述氮气平布箱内侧设置有平布风槽，所述平布风槽一侧设置有供气泵，平布风槽上端连接供气管道，所述供气泵后侧设置有氮气罐，所述氮气平布箱通过螺栓连接所述平布风槽，所述平布风槽通过所述供气管道连接所述供气泵，所述供气泵通过导气管道连接所述氮气罐，进一步对光刻胶进行平整，保障涂布加工效果。
作为本实用新型的一种优选方案，所述恒温恒湿机构包括恒温除湿箱，所述恒温除湿箱一侧设置有散热网，所述恒温除湿箱前部固定连接除湿风道，所述除湿风道通过螺栓连接所述恒温除湿箱，实现装置内部空气循环，保障加工合适温度和湿度。
本实用新型的有益效果：通过刻蚀装置外壳实现硅晶圆刻蚀装置加工环境封闭，保障加工质量稳定，通过硅晶圆承载机构实现四片晶圆同时刻蚀加工，便于晶圆取放，实现晶圆各加工步骤之间转移，通过滴胶机构保障加工过程中光刻胶滴胶均匀，同时保持光刻胶质量和品质，通过均布机构和氮气平布机构实现对光刻胶均匀涂布，保障涂布平整，通过恒温恒湿机构完成装置内部空气循环，保障工作环境稳定，使加工处于合适温度和湿度，保障硅晶圆刻蚀质量。
附图说明
图1为本实用新型的整体结构第一示意图；
图2为本实用新型的整体结构第二示意图；
图3为本实用新型的硅晶圆承载机构结构示意图；
图4为本实用新型的滴胶机构结构示意图；
图5为本实用新型的均布机构结构示意图。
图中：1、刻蚀装置外壳；2、控制面板；3、硅晶圆承载机构；4、滴胶机构；5、均布机构；6、氮气平布机构；7、检测箱；8、恒温恒湿机构；101、装置壳体；102、滑门轨道；103、侧滑门；104、观察窗；105、支撑垫；301、承载板；302、承载轨道；303、承载转盘；304、转盘减速器；305、转盘电机；306、螺旋杆；307、螺旋杆支座；308、螺旋杆电机；309、螺旋杆减速器；401、滴胶箱；402、滴胶管道；403、分流管道；404、供胶泵；405、供胶管道；406、胶液储存箱；407、加注管道；501、升降均布箱；502、升降轨道；503、升降电机；504、升降减速器；505、均布旋转电机；506、均布轮；507、均布叶片；601、氮气平布箱；602、平布风槽；603、供气泵；604、供气管道；605、氮气罐；801、恒温除湿箱；802、除湿风道；803、散热网。
具体实施方式
如图1至图5所示，本实用新型所述的一种硅晶圆刻蚀装置，采用的技术方案是，包括刻蚀装置外壳1、控制面板2、硅晶圆承载机构3、滴胶机构4、均布机构5、氮气平布机构6、检测箱7和恒温恒湿机构8，所述刻蚀装置外壳1一侧设置有所述控制面板2，所述刻蚀装置外壳1内侧下部设置有所述硅晶圆承载机构3，所述硅晶圆承载机构3上部设置有所述滴胶机构4，所述滴胶机构4一侧设置有所述均布机构5，所述均布机构5后侧设置有所述氮气平布机构6，所述氮气平布机构6另一侧设置有所述检测箱7，所述检测箱7上部设置有所述恒温恒湿机构8；
所述滴胶机构4包括滴胶箱401，所述滴胶箱401内侧设置有滴胶管道402，所述滴胶管道402上侧固定连接分流管道403，所述分流管道403一侧固定连接供胶泵404，所述供胶泵404后侧固定连接供胶管道405，所述供胶管道405后侧连接胶液储存箱406，所述胶液储存箱406后侧上部设置有加注管道407，所述滴胶管道402通过插槽连接所述分流管道403，所述分流管道403通过螺栓连接所述供胶泵404，所述供胶泵404通过所述供胶管道405连接所述胶液储存箱406，所述胶液储存箱406可完成胶液搅拌保持胶液温度。
所述刻蚀装置外壳1包括装置壳体101，所述装置壳体101前部设置有滑门轨道102，所述滑门轨道102前部滑动连接侧滑门103，所述侧滑门103上设置有观察窗104，所述装置壳体101底部设置有支撑垫105，所述装置壳体101通过螺栓连接所述滑门轨道102，所述滑门轨道102通过滑槽连接所述侧滑门103，所述观察窗104为玻璃材质，所述支撑垫105为橡胶材质。
所述硅晶圆承载机构3包括承载板301，所述承载板301下部滑动连接承载轨道302，所述承载板301上部设置有承载转盘303，所述承载转盘303下部设置有转盘减速器304，所述转盘减速器304一侧连接转盘电机305，所述转盘减速器304另一侧设置有螺旋杆306，所述螺旋杆306后端滑动连接螺旋杆支座307，所述螺旋杆306前段转动连接螺旋杆减速器309，所述螺旋杆减速器309后侧连接螺旋杆电机308，所述承载板301通过轴承连接所述承载转盘303，所述承载转盘303通过联轴器连接所述转盘减速器304，所述转盘减速器304通过齿轮连接所述转盘电机305，所述螺旋杆减速器309通过螺栓连接所述承载板301，所述螺旋杆减速器309通过联轴器连接所述螺旋杆306，所述螺旋杆306通过螺纹连接所述螺旋杆支座307，所述螺旋杆电机308通过齿轮连接所述螺旋杆减速器309。
所述均布机构5包括升降均布箱501，所述升降均布箱501一侧滑动连接升降轨道502，所述升降轨道502一侧设置有升降电机503，所述升降电机503内侧设置有升降减速器504，所述升降电机503一侧设置有均布旋转电机505，所述均布旋转电机505下部转动连接均布轮506，所述均布轮506下部设置有均布叶片507，所述升降均布箱501通过滑槽连接所述升降轨道502，所述升降电机503通过齿轮连接所述升降减速器504，所述均布旋转电机505通过螺栓连接所述升降均布箱501，所述均布旋转电机505通过联轴器连接所述均布轮506，所述均布轮506下端均匀布置所述均布叶片507。
所述氮气平布机构6包括氮气平布箱601，所述氮气平布箱601内侧设置有平布风槽602，所述平布风槽602一侧设置有供气泵603，平布风槽602上端连接供气管道604，所述供气泵603后侧设置有氮气罐605，所述氮气平布箱601通过螺栓连接所述平布风槽602，所述平布风槽602通过所述供气管道604连接所述供气泵603，所述供气泵603通过导气管道连接所述氮气罐605。
所述恒温恒湿机构8包括恒温除湿箱801，所述恒温除湿箱801一侧设置有散热网803，所述恒温除湿箱801前部固定连接除湿风道802，所述除湿风道802通过螺栓连接所述恒温除湿箱801。
本实用新型的工作原理：工作人员将待加工晶圆放入承载转盘303，关闭侧滑门103完成装置封闭，保证加工环境稳定，工作人员操作控制面板2实现装置控制和操作，可通过观察窗104查看加工情况，硅晶圆承载机构3可完成四片晶圆刻蚀加工，螺旋杆电机308通过螺旋杆减速器309减速带动螺旋杆306旋转驱动承载板301伸缩，便于晶圆取放，转盘电机305通过转盘减速器304减速驱动承载转盘303旋转，实现晶圆各加工步骤转移，光刻胶通过加注管道407加入胶液储存箱406，胶液储存箱406可实现光刻胶搅拌和恒温，保障光刻胶质量，光刻胶通过供胶泵404和供胶管道405泵入分流管道403，经过分流管道403分流进入滴胶管道402完成均匀滴胶，升降电机503通过升降减速器504减速控制升降均布箱501升降，均布旋转电机505驱动均布轮506旋转，均布轮506带动均布叶片507缓慢旋转完成光刻胶均布平整，氮气罐605中的氮气通过供气泵603和供气管道604进入平布风槽602，平布风槽602完成硅晶光刻胶进一步平布，检测箱7可检测晶圆上光刻胶涂布情况便于工作人员检验，恒温除湿箱801通过除湿风道802完成装置内部空气循环，保障工作环境稳定，使加工处于合适温度和湿度，保障硅晶圆刻蚀质量。
本文中未详细说明的电路控制方式为现有技术。
上述虽然对本实用新型的具体实施例作了详细说明，但是本实用新型并不限于上述实施例，在本领域普通技术人员所具备的知识范围内，还可以在不脱离本实用新型宗旨的前提下做出各种变化，而不具备创造性劳动的修改或变形仍在本实用新型的保护范围以内。
Claims (6)
1.一种硅晶圆刻蚀装置，其特征在于：包括刻蚀装置外壳(1)、控制面板(2)、硅晶圆承载机构(3)、滴胶机构(4)、均布机构(5)、氮气平布机构(6)、检测箱(7)和恒温恒湿机构(8)，所述刻蚀装置外壳(1)一侧设置有所述控制面板(2)，所述刻蚀装置外壳(1)内侧下部设置有所述硅晶圆承载机构(3)，所述硅晶圆承载机构(3)上部设置有所述滴胶机构(4)，所述滴胶机构(4)一侧设置有所述均布机构(5)，所述均布机构(5)后侧设置有所述氮气平布机构(6)，所述氮气平布机构(6)另一侧设置有所述检测箱(7)，所述检测箱(7)上部设置有所述恒温恒湿机构(8)；
所述滴胶机构(4)包括滴胶箱(401)，所述滴胶箱(401)内侧设置有滴胶管道(402)，所述滴胶管道(402)上侧固定连接分流管道(403)，所述分流管道(403)一侧固定连接供胶泵(404)，所述供胶泵(404)后侧固定连接供胶管道(405)，所述供胶管道(405)后侧连接胶液储存箱(406)，所述胶液储存箱(406)后侧上部设置有加注管道(407)，所述滴胶管道(402)通过插槽连接所述分流管道(403)，所述分流管道(403)通过螺栓连接所述供胶泵(404)，所述供胶泵(404)通过所述供胶管道(405)连接用于胶液搅拌保持胶液温度的所述胶液储存箱(406)。
2.根据权利要求1所述的一种硅晶圆刻蚀装置，其特征在于：所述刻蚀装置外壳(1)包括装置壳体(101)，所述装置壳体(101)前部设置有滑门轨道(102)，所述滑门轨道(102)前部滑动连接侧滑门(103)，所述侧滑门(103)上设置有观察窗(104)，所述装置壳体(101)底部设置有支撑垫(105)，所述装置壳体(101)通过螺栓连接所述滑门轨道(102)，所述滑门轨道(102)通过滑槽连接所述侧滑门(103)，所述观察窗(104)为玻璃材质，所述支撑垫(105)为橡胶材质。
3.根据权利要求1所述的一种硅晶圆刻蚀装置，其特征在于：所述硅晶圆承载机构(3)包括承载板(301)，所述承载板(301)下部滑动连接承载轨道(302)，所述承载板(301)上部设置有承载转盘(303)，所述承载转盘(303)下部设置有转盘减速器(304)，所述转盘减速器(304)一侧连接转盘电机(305)，所述转盘减速器(304)另一侧设置有螺旋杆(306)，所述螺旋杆(306)后端滑动连接螺旋杆支座(307)，所述螺旋杆(306)前段转动连接螺旋杆减速器(309)，所述螺旋杆减速器(309)后侧连接螺旋杆电机(308)，所述承载板(301)通过轴承连接所述承载转盘(303)，所述承载转盘(303)通过联轴器连接所述转盘减速器(304)，所述转盘减速器(304)通过齿轮连接所述转盘电机(305)，所述螺旋杆减速器(309)通过螺栓连接所述承载板(301)，所述螺旋杆减速器(309)通过联轴器连接所述螺旋杆(306)，所述螺旋杆(306)通过螺纹连接所述螺旋杆支座(307)，所述螺旋杆电机(308)通过齿轮连接所述螺旋杆减速器(309)。
4.根据权利要求1所述的一种硅晶圆刻蚀装置，其特征在于：所述均布机构(5)包括升降均布箱(501)，所述升降均布箱(501)一侧滑动连接升降轨道(502)，所述升降轨道(502)一侧设置有升降电机(503)，所述升降电机(503)内侧设置有升降减速器(504)，所述升降电机(503)一侧设置有均布旋转电机(505)，所述均布旋转电机(505)下部转动连接均布轮(506)，所述均布轮(506)下部设置有均布叶片(507)，所述升降均布箱(501)通过滑槽连接所述升降轨道(502)，所述升降电机(503)通过齿轮连接所述升降减速器(504)，所述均布旋转电机(505)通过螺栓连接所述升降均布箱(501)，所述均布旋转电机(505)通过联轴器连接所述均布轮(506)，所述均布轮(506)下端均匀布置所述均布叶片(507)。
5.根据权利要求1所述的一种硅晶圆刻蚀装置，其特征在于：所述氮气平布机构(6)包括氮气平布箱(601)，所述氮气平布箱(601)内侧设置有平布风槽(602)，所述平布风槽(602)一侧设置有供气泵(603)，平布风槽(602)上端连接供气管道(604)，所述供气泵(603)后侧设置有氮气罐(605)，所述氮气平布箱(601)通过螺栓连接所述平布风槽(602)，所述平布风槽(602)通过所述供气管道(604)连接所述供气泵(603)，所述供气泵(603)通过导气管道连接所述氮气罐(605)。
6.根据权利要求1所述的一种硅晶圆刻蚀装置，其特征在于：所述恒温恒湿机构(8)包括恒温除湿箱(801)，所述恒温除湿箱(801)一侧设置有散热网(803)，所述恒温除湿箱(801)前部固定连接除湿风道(802)，所述除湿风道(802)通过螺栓连接所述恒温除湿箱(801)。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202021612897.0U CN212434588U (zh) | 2020-08-06 | 2020-08-06 | 一种硅晶圆刻蚀装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202021612897.0U CN212434588U (zh) | 2020-08-06 | 2020-08-06 | 一种硅晶圆刻蚀装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN212434588U true CN212434588U (zh) | 2021-01-29 |
Family
ID=74273624
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202021612897.0U Active CN212434588U (zh) | 2020-08-06 | 2020-08-06 | 一种硅晶圆刻蚀装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN212434588U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113448187A (zh) * | 2021-08-31 | 2021-09-28 | 中熵科技(徐州)有限公司 | 一种复合半导体薄膜材料光刻胶去除装置 |
-
2020
- 2020-08-06 CN CN202021612897.0U patent/CN212434588U/zh active Active
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113448187A (zh) * | 2021-08-31 | 2021-09-28 | 中熵科技(徐州)有限公司 | 一种复合半导体薄膜材料光刻胶去除装置 |
| CN113448187B (zh) * | 2021-08-31 | 2021-11-23 | 中熵科技(徐州)有限公司 | 一种复合半导体薄膜材料光刻胶去除装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN212434588U (zh) | 一种硅晶圆刻蚀装置 | |
| JPH09186118A (ja) | ケミカルメカニカルポリシングシステムのスラリ分散の装置及び方法 | |
| CN106113921A (zh) | 自动进出料铺刮印刷机及印刷方法 | |
| CN211390586U (zh) | 一种塑料薄膜烘干设备 | |
| CN214077588U (zh) | 一种锂电池极片涂布机 | |
| CN203579356U (zh) | 一种汽车玻璃深加工的前处理生产系统 | |
| CN100496765C (zh) | 联机式涂敷装置 | |
| JPH11239754A (ja) | 流体塗布装置および流体塗布方法 | |
| CN201556607U (zh) | 一种多功能抛动旋转机构 | |
| CN104941864A (zh) | 带传胶轴的相册内芯片材双面过胶机 | |
| CN110673444B (zh) | 超大超重衬底表面光刻胶均匀涂覆的旋涂设备 | |
| CN106914826A (zh) | 一种用于大尺寸陶瓷盘的修复装置 | |
| CN207326710U (zh) | 研磨头及化学机械研磨装置 | |
| CN114260139B (zh) | 一种半导体晶圆加工用高效匀胶装置 | |
| CN206998638U (zh) | 一种用于大尺寸陶瓷盘的修复装置 | |
| CN206985226U (zh) | 一种改良的平板印刷机的走纸装置 | |
| CN208570569U (zh) | 一种半导体及泛半导体基板自动化上料装置 | |
| CN107015444A (zh) | 显影工艺中的玻璃基板的水洗装置及方法 | |
| CN209222544U (zh) | 一种加热旋转平台装置 | |
| CN203124184U (zh) | 一种高速刮刀式涂布机 | |
| CN214324523U (zh) | 一种纳米印刷子版膜定位设备 | |
| CN220811846U (zh) | 一种3d树脂工艺品成套开发设备 | |
| CN216727938U (zh) | 一种cipp局部修复用离型膜涂胶装置 | |
| CN208507637U (zh) | 晶片表面自动涂源设备 | |
| CN213494628U (zh) | 一种微晶锌版生产加工用感光胶涂布机 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right | ||
| PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right |
Denomination of utility model: A silicon wafer etching device Granted publication date: 20210129 Pledgee: China Construction Bank Corporation Wuyi Sub-branch Pledgor: ZHEJIANG MORITA NEW MATERIALS Co.,Ltd. Registration number: Y2024980008023 |