CN208507637U - 晶片表面自动涂源设备 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开一种晶片表面自动涂源设备,属于半导体器件生产技术领域,包括操作台,操作台中设有至少一个旋转工作台,旋转工作台的下方连接有旋转装置,旋转工作台的上方对应设置有摆臂升降装置,摆臂升降装置的外部联接有源液循环管道,源液循环管道上联接有循环泵,摆臂升降装置的下方设有出源口,出源口正对旋转工作台,源液循环管道的外部还联接有源液放置瓶,源液放置瓶的下方设有搅拌装置,本设备能够满足改善扩散源在晶体表面的均匀性涂覆,同时改善人员操作对生产效率及稳定性影响,解决了现有技术中出现的问题。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种晶片表面自动涂源设备,属于半导体器件生产技术领域。
背景技术
半导体晶片的生产工艺需要在硼扩生产前进行空面凃源,对已清洗好的晶片硼扩前需要进行凃源、烘烤、收片、装舟等操作,因其容易出扩散浓度不匀现象,其凃源均匀成为质量改善的影响因素,其缺点如下:现有的人工毛笔凃源随意性大不易控制,影响硼源在晶片表面均匀性;人员不定因素较大,影响生产进度。这是现有技术的不足之处。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种晶片表面自动涂源设备,能够满足改善扩散源在晶体表面的均匀性涂覆,同时改善人员操作对生产效率及稳定性影响,解决了现有技术中出现的问题。
本实用新型所述的晶片表面自动涂源设备,包括操作台,操作台中设有至少一个旋转工作台,旋转工作台的下方连接有旋转装置,旋转工作台的上方对应设置有摆臂升降装置,摆臂升降装置的外部联接有源液循环管道,源液循环管道上联接有循环泵,摆臂升降装置的下方设有出源口,出源口正对旋转工作台,源液循环管道的外部还联接有源液放置瓶,源液放置瓶的下方设有搅拌装置。
对晶片进行涂源时,首先启动搅拌装置,再次启动循环泵,待液体完成一循环后,拿取晶片分别放置到旋转工作台上,启动开始按钮,液体自出源口喷至晶片表面后旋转装置开始低速转动,晶片表面液体至1/2-1/4处时高速旋转,旋转完成后真空压力停止取下晶片放置加热板烘烤,完成涂源作业。
所述的操作台中设有放置槽,旋转装置设置在放置槽中,旋转装置包括电机和电机转轴,电机连接电机转轴,电机转轴连接旋转工作台;通过电机带动电机转轴旋转从而带动旋转工作台进行旋转。
所述的电机转轴内部中空,且内部设有负压装置,旋转工作台的上方设有吸盘,负压装置联接吸盘;电机为中空电机,内部中空可允许物体穿过;负压装置采用工业迷你型负压真空发生器,负压装置联接吸盘,通过吸盘可以有效固定晶片避免晶片移动。
所述的摆臂升降装置包括升降气缸,升降气缸的活塞杆的下方联接出源口,出源口上设有旋盖;出源口压力由高压氮气控制。
所述的操作台的上方联接有上支架,上支架上设有排风装置,操作台顶端排风开口大小与排风装置管道内径相同。
所述的电机的外部连接有控制面板,控制面板包括控制器用于控制电机,控制面板连接负压装置和循环泵,控制面板的外部连接有操作按钮;控制器控制电机的转速,设定转速范围要求400r/min-2000r/min。
所述的搅拌装置包括磁力搅拌器;磁力搅拌器可通过高压气罐对广口瓶内液体进行搅拌。
所述的循环泵包括四氟齿轮泵,可有效防止金属污染。
所述的源液循环管道包括四氟软管,液体始终在循环防止液体沉淀;晶片与液体可直接接触到的装置、管路、接口、桌面均为四氟材质,可有效防止有机溶剂腐蚀,同时可有效防止晶片污染。
所述的操作台顶端右侧连接有加热板排风金属罩。
本实用新型与现有技术相比,具有如下有益效果:
本实用新型所述的晶片表面自动涂源设备,能够满足改善扩散源在晶体表面的均匀性涂覆,同时改善人员操作对生产效率及稳定性影响,同时结构简单,方便操作,解决了现有技术中出现的问题。
附图说明
图1为本实用新型实施例的结构示意图;
图2为本实用新型实施例的俯视图;
图3为本实用新型实施例中控制器的电路连接框图;
图中:1、排风装置;2、源液分支管道;3、摆臂升降装置;4、固定架;5、放置槽;6、操作台;7、底座;8、磁力搅拌器;9、搅拌器放置架;10、源液放置瓶;11、循环泵;12、源液循环管道;13、负压装置;14、电机转轴;15、旋转工作台;16、吸盘;17、出源口;18、上支架;19、旋盖。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步的说明:
实施例1:
如图1-3所示,本实用新型所述的晶片表面自动涂源设备,包括操作台6,操作台6中设有多个旋转工作台15,每个旋转工作台15的下方连接有旋转装置,每个旋转工作台15的上方对应设置有摆臂升降装置3,摆臂升降装置3固定在固定架4上,摆臂升降装置3的外部联接有源液循环管道12,源液循环管道12上联接有循环泵11,摆臂升降装置3的下方设有出源口17,出源口17正对旋转工作台15,源液循环管道12通过源液分支管道2与各个摆臂升降装置3上的出源口17联接,源液循环管道12的外部还联接有源液放置瓶10,源液放置瓶10的下方设有搅拌装置。
为了进一步说明上述实施例,操作台6中设有放置槽5,旋转装置设置在放置槽5中,旋转装置包括电机和电机转轴14,电机连接电机转轴14,电机转轴14连接旋转工作台15。
为了进一步说明上述实施例,电机转轴14内部中空,且内部设有负压装置13,旋转工作台15的上方设有吸盘16,负压装置13联接吸盘16。
为了进一步说明上述实施例,摆臂升降装置3包括升降气缸,升降气缸的活塞杆的下方联接出源口17,出源口17上设有旋盖19。
为了进一步说明上述实施例,操作台6的上方联接有上支架18,上支架18上设有排风装置1,操作台6顶端排风开口大小与排风装置1管道内径相同。
为了进一步说明上述实施例,电机的外部连接有控制面板,控制面板包括控制器用于控制电机,控制面板连接负压装置13和循环泵11,控制面板的外部连接有操作按钮。
为了进一步说明上述实施例,搅拌装置包括磁力搅拌器8;搅拌装置和源液放置瓶10放置在搅拌器放置架9中,搅拌器放置架9联接在操作台6的下方。
为了进一步说明上述实施例,循环泵11包括四氟齿轮泵。
为了进一步说明上述实施例,源液循环管道12包括四氟软管。
为了进一步说明上述实施例,操作台6顶端右侧连接有加热板排风金属罩。
本实施例的工作原理为:操作台6的下方可设置底座7,首先启动磁力搅拌器8,再次启动四氟齿轮泵,待液体完成一循环后,右手拿取晶片分别放置到吸盘16上,启动开始按钮,液体自出源口17喷至晶片表面后电机开始低速转动,晶片表面液体至1/2-1/4处时高速旋转,旋转完成后真空压力停止取下晶片放置加热板烘烤。
操作台6顶端排风开口大小与排风管道内径相同,常规16cm
操作台6顶端右侧可连接加热板排风金属罩,厚度为5mm。
电机中空可连接负压,压力>30cm/Hg。
电机转速由控制器设定转速范围要求400r/min-2000r/min。
摆臂升降速率由高压氮气控制,压力范围0.2MPa-0.3MPa。
出源口17压力由高压氮气控制压力范围0.3MPa-0.4MPa,出源时间由控制器进行控制,控制时间范围0.5S-1.0S。
控制器采用PLC控制器,实现部件的自动控制;电机为现有技术中的中空式步进电机,可方便控制电机旋转的快慢和圈数。
采用以上结合附图描述的本实用新型的实施例的晶片表面自动涂源设备,能够满足改善扩散源在晶体表面的均匀性涂覆,同时改善人员操作对生产效率及稳定性影响,解决了现有技术中出现的问题。但本实用新型不局限于所描述的实施方式,在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下这些对实施方式进行的变化、修改、替换和变形仍落入本实用新型的保护范围内。
Claims (10)
1.一种晶片表面自动涂源设备,包括操作台(6),其特征在于:所述的操作台(6)中设有至少一个旋转工作台(15),旋转工作台(15)的下方连接有旋转装置,旋转工作台(15)的上方对应设置有摆臂升降装置(3),摆臂升降装置(3)的外部联接有源液循环管道(12),源液循环管道(12)上联接有循环泵(11),摆臂升降装置(3)的下方设有出源口(17),出源口(17)正对旋转工作台(15),源液循环管道(12)的外部还联接有源液放置瓶(10),源液放置瓶(10)的下方设有搅拌装置。
2.根据权利要求1所述的晶片表面自动涂源设备,其特征在于:所述的操作台(6)中设有放置槽(5),旋转装置设置在放置槽(5)中,旋转装置包括电机和电机转轴(14),电机连接电机转轴(14),电机转轴(14)连接旋转工作台(15)。
3.根据权利要求2所述的晶片表面自动涂源设备,其特征在于:所述的电机转轴(14)内部中空,且内部设有负压装置(13),旋转工作台(15)的上方设有吸盘(16),负压装置(13)联接吸盘(16)。
4.根据权利要求1所述的晶片表面自动涂源设备,其特征在于:所述的摆臂升降装置(3)包括升降气缸,升降气缸的活塞杆的下方联接出源口(17),出源口(17)上设有旋盖(19)。
5.根据权利要求1所述的晶片表面自动涂源设备,其特征在于:所述的操作台(6)的上方联接有上支架(18),上支架(18)上设有排风装置(1),操作台(6)顶端排风开口大小与排风装置(1)管道内径相同。
6.根据权利要求2所述的晶片表面自动涂源设备,其特征在于:所述的电机的外部连接有控制面板,控制面板包括控制器用于控制电机,控制面板连接负压装置(13)和循环泵(11),控制面板的外部连接有操作按钮。
7.根据权利要求1所述的晶片表面自动涂源设备,其特征在于:所述的搅拌装置包括磁力搅拌器(8)。
8.根据权利要求1所述的晶片表面自动涂源设备,其特征在于:所述的循环泵(11)包括四氟齿轮泵。
9.根据权利要求1所述的晶片表面自动涂源设备,其特征在于:所述的源液循环管道(12)包括四氟软管。
10.根据权利要求1所述的晶片表面自动涂源设备,其特征在于:所述的操作台(6)顶端右侧连接有加热板排风金属罩。
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CN201821286188.0U Active CN208507637U (zh) | 2018-08-10 | 2018-08-10 | 晶片表面自动涂源设备 |
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- 2018-08-10 CN CN201821286188.0U patent/CN208507637U/zh active Active
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