CN212380409U - 一种半导体设备的铝制加热器盖板的陶瓷提升销 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开的属于半导体技术领域，具体为一种半导体设备的铝制加热器盖板的陶瓷提升销，包括销杆和销帽，所述销帽连接在销杆的一端，所述销杆和销帽同轴连接，所述销杆和销帽为陶瓷材料一体成型结构，且销帽、销杆均呈圆柱状，所述销帽的外壁直径大于销杆的外壁直径，该半导体设备的铝制加热器盖板的陶瓷提升销的制备方法步骤如下：S1：注入模具；S2：打磨成型。在陶瓷提升销的顶端加宽销帽的直径，使它跟加热器盖板的直径相接近，防止制程过程中有大量气体从销帽跟加热器盖板孔缝隙流入带走一些热量，预防销帽处温度较低，钽酸锂晶圆提升销点位置厚度低的问题。
Description
技术领域
本实用新型涉及半导体技术领域，具体为一种半导体设备的铝制加热器盖板的陶瓷提升销。
背景技术
钽酸锂、铌酸锂晶圆是一种重要的功能材料，它具有压电性、介电性、热释电性以及电光效应、非线性光学效应和声光效应等重要特性，在航空航天，通信技术、国防等领域得到广泛应用，如压控滤波器、声表面波(SAW)滤波器、窄带滤波器、光子可调滤波器等重要的新型元器件。
由于起升销孔与加热器和盖板销孔间距太大，导致提升销无法快速的升温。不同的温度区域导致不同的厚度，钽酸锂晶圆片对温度很敏感，导致钽酸锂晶圆片靠四个提升销点位置表面沉积后都会变色异常。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种半导体设备的铝制加热器盖板的陶瓷提升销，以解决上述背景技术中提出的由于起升销孔与加热器和盖板销孔间距太大，导致提升销无法快速的升温。不同的温度区域导致不同的厚度，钽酸锂、铌酸锂晶圆片对温度很敏感，导致钽酸锂、铌酸锂晶圆片靠四个提升销点位置表面沉积后都会变色异常的问题。
在陶瓷提升销的顶端加宽销帽的直径，使它跟加热器盖板的直径相接近，防止制程过程中有大量气体从销帽跟加热器盖板孔缝隙流入带走一些热量，预防销帽处温度较低，钽酸锂、铌酸锂晶圆提升销点位置厚度低的问题。
为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种半导体设备的铝制加热器盖板的陶瓷提升销，包括销杆和销帽，所述销帽连接在销杆的一端，所述销杆和销帽同轴连接，所述销杆和销帽为陶瓷材料一体成型结构，且销帽、销杆均呈圆柱状，所述销帽的外壁直径大于销杆的外壁直径。
优选的，所述销帽的外壁直径为3.5mm-3.8mm，所述销杆的外壁直径为3.1mm-3.2mm。
优选的，所述销帽的外壁直径为3.5mm，所述销杆的外壁直径为3.1mm。
优选的，所述销帽的外壁直径为3.677mm，所述销杆的外壁直径为3.182mm。
优选的，所述销帽的外壁直径为3.8mm，所述销杆的外壁直径为3.2mm。
优选的，所述销杆和销帽的总长度为79.954mm。
与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：
1)在陶瓷提升销的顶端加宽销帽的直径，使它跟加热器盖板的直径相接近，防止制程过程中有大量气体从销帽跟加热器盖板孔缝隙流入带走一些热量，预防销帽处温度较低，钽酸锂晶圆提升销点位置厚度低的问题；
2)减少热量散失，保证产品的质量。
附图说明
图1为本实用新型结构示意图；
图2为现有陶瓷提升销与加热器盖板配合的结构示意图；
图3为耐高温胶带块堵住加热器盖板的结构示意图；
图4为本实用新型与加热器盖板配合使用时的结构示意图；
图5为本实用新型制备方法流程图。
图中：1销杆、2销帽、3加热器盖板、4加热器、5限位挡圈。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。
请参阅图1-5，本实用新型提供一种技术方案：一种半导体设备的铝制加热器盖板的陶瓷提升销，包括销杆1和销帽2，所述销帽2连接在销杆1的一端，所述销杆1和销帽2同轴连接，所述销杆1和销帽2为陶瓷材料一体成型结构，且销帽2、销杆1均呈圆柱状，所述销帽2的外壁直径大于销杆1的外壁直径。
进一步地，所述销帽2的外壁直径为3.5mm-3.8mm，所述销杆1的外壁直径为3.1mm-3.2mm。
进一步地，所述销帽2的外壁直径为3.5mm，所述销杆1的外壁直径为3.1mm。
进一步地，所述销帽2的外壁直径为3.677mm，所述销杆1的外壁直径为3.182mm。
进一步地，所述销帽2的外壁直径为3.8mm，所述销杆1的外壁直径为3.2mm。
进一步地，所述销杆1和销帽2的总长度为79.954mm。
一种半导体设备的铝制加热器盖板的陶瓷提升销的制备方法，该半导体设备的铝制加热器盖板的陶瓷提升销的制备方法步骤如下：
S1：注入模具：将半导体设备的铝制加热器盖板的陶瓷提升销的原料熔融混合均匀并注入半导体设备的铝制加热器盖板的陶瓷提升销的模具中，待模具中的原料冷却成型得到粗坯，将成型粗坯取出；
S2：打磨成型：将步骤S1中制得的粗坯取出，按照尺寸将粗坯表面打磨并使得粗坯的尺寸满足销帽2、销杆1的尺寸，即得到成品。
如图2所示，为现有陶瓷提升销与加热器盖板3配合的结构示意图。由于起升销孔(限位挡圈5中部的孔)与加热器4和加热器盖板3中部销孔间距太大，导致陶瓷提升销无法快速的升温。不同的温度区域导致不同的厚度，钽酸锂晶圆片对温度又很敏感，所以钽酸锂晶圆片靠四个提升销点位置表面沉积后都会变色厚度异常。
如图3所示，为耐高温胶带块堵住加热器盖板3的结构示意图。当气室运行过程中，过程气体将流入为了消除缝隙，带走一些热量,所以销点厚度很低,经过试验，把陶瓷提升销取出，并使用高温胶带块堵住加热器盖板3的孔。用一个钽酸锂晶圆片检查均匀性很好。
如图4所示，为本实用新型与加热器盖板3配合使用时的结构示意图。在陶瓷提升销的顶端加宽提升陶瓷提升销的直径，使它跟加热器盖板3的中部销孔直径相接近，防止制程过程中有大量气体从陶瓷提升销跟加热盖板3的中部销孔缝隙流入带走一些热量，预防提升销点温度较低，钽酸锂晶圆提升销点位置厚度异常的问题。
实施例一：
该半导体设备的铝制加热器盖板的陶瓷提升销的制备方法步骤如下：
S1：注入模具：将半导体设备的铝制加热器盖板的陶瓷提升销的原料熔融混合均匀并注入半导体设备的铝制加热器盖板的陶瓷提升销的模具中，待模具中的原料冷却成型得到粗坯，将成型粗坯取出；
S2：打磨成型：将步骤S1中制得的粗坯取出，按照尺寸将粗坯表面打磨并使得粗坯的尺寸满足销帽2、销杆1的尺寸，销帽2的外壁直径为3.5mm，所述销杆1的外壁直径为3.1mm，即得到成品。
实施例二：
该半导体设备的铝制加热器盖板的陶瓷提升销的制备方法步骤如下：
S1：注入模具：将半导体设备的铝制加热器盖板的陶瓷提升销的原料熔融混合均匀并注入半导体设备的铝制加热器盖板的陶瓷提升销的模具中，待模具中的原料冷却成型得到粗坯，将成型粗坯取出；
S2：打磨成型：将步骤S1中制得的粗坯取出，按照尺寸将粗坯表面打磨并使得粗坯的尺寸满足销帽2、销杆1的尺寸，销帽2的外壁直径为3.677mm，所述销杆1的外壁直径为3.182mm，即得到成品。
实施例三：
该半导体设备的铝制加热器盖板的陶瓷提升销的制备方法步骤如下：
S1：注入模具：将半导体设备的铝制加热器盖板的陶瓷提升销的原料熔融混合均匀并注入半导体设备的铝制加热器盖板的陶瓷提升销的模具中，待模具中的原料冷却成型得到粗坯，将成型粗坯取出；
S2：打磨成型：将步骤S1中制得的粗坯取出，按照尺寸将粗坯表面打磨并使得粗坯的尺寸满足销帽2、销杆1的尺寸，销帽2的外壁直径为3.8mm，所述销杆1的外壁直径为3.2mm，即得到成品。
通过实验数据得到，三个实施例用于半导体加工使用，均能够提高产品的质量，保证均匀性；
且三个实施例中，实施例二的产品较佳。
以上显示和描述了本实用新型的基本原理和主要特征和本实用新型的优点,对于本领域技术人员而言，显然本实用新型不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本实用新型的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本实用新型；因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本实用新型的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本实用新型内，不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (6)
1.一种半导体设备的铝制加热器盖板的陶瓷提升销，包括销杆(1)和销帽(2)，其特征在于：所述销帽(2)连接在销杆(1)的一端，所述销杆(1)和销帽(2)同轴连接，所述销杆(1)和销帽(2)为陶瓷材料一体成型结构，且销帽(2)、销杆(1)均呈圆柱状，所述销帽(2)的外壁直径大于销杆(1)的外壁直径。
2.根据权利要求1所述的一种半导体设备的铝制加热器盖板的陶瓷提升销，其特征在于：所述销帽(2)的外壁直径为3.5mm-3.8mm，所述销杆(1)的外壁直径为3.1mm-3.2mm。
3.根据权利要求2所述的一种半导体设备的铝制加热器盖板的陶瓷提升销，其特征在于：所述销帽(2)的外壁直径为3.5mm，所述销杆(1)的外壁直径为3.1mm。
4.根据权利要求2所述的一种半导体设备的铝制加热器盖板的陶瓷提升销，其特征在于：所述销帽(2)的外壁直径为3.677mm，所述销杆(1)的外壁直径为3.182mm。
5.根据权利要求2所述的一种半导体设备的铝制加热器盖板的陶瓷提升销，其特征在于：所述销帽(2)的外壁直径为3.8mm，所述销杆(1)的外壁直径为3.2mm。
6.根据权利要求1所述的一种半导体设备的铝制加热器盖板的陶瓷提升销，其特征在于：所述销杆(1)和销帽(2)的总长度为79.954mm。
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Cited By (1)
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|---|---|---|---|---|
| CN111739837A (zh) * | 2020-07-27 | 2020-10-02 | 盛吉盛(宁波)半导体科技有限公司 | 一种半导体设备的铝制加热器盖板的陶瓷提升销及其制备方法 |
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2020
- 2020-07-27 CN CN202021504088.8U patent/CN212380409U/zh active Active
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