CN110835781B - 一种铌酸锂或钽酸锂晶片的黑化方法 - Google Patents
一种铌酸锂或钽酸锂晶片的黑化方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110835781B CN110835781B CN201810932998.7A CN201810932998A CN110835781B CN 110835781 B CN110835781 B CN 110835781B CN 201810932998 A CN201810932998 A CN 201810932998A CN 110835781 B CN110835781 B CN 110835781B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- lithium
- powder
- wafer
- lithium niobate
- blackening
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
- C30B33/02—Heat treatment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/16—Oxides
- C30B29/22—Complex oxides
- C30B29/30—Niobates; Vanadates; Tantalates
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Abstract
本发明涉及晶体材料后处理领域,特别涉及一种铌酸锂或钽酸锂晶片的黑化方法。本发明采用强还原性粉末与碳酸锂粉末按照一定质量比机械球磨,均匀混合后得到复合还原剂;将待处理的铌酸锂或钽酸锂晶片放入坩埚中并填充复合还原剂;然后将其置于气氛炉中,在保护气体气氛中,以8~12℃/min升温速率将晶片加热至300~380℃并恒温保持0.5~1.2 h;自然冷却后取出即得铌酸锂或钽酸锂黑片。通过本发明制备的铌酸锂或钽酸锂黑片,在不影响压电性能的前提下,电阻率下降了2~3个数量级,热释电效应明显减弱。本发明采用的铌酸锂或钽酸锂晶片的黑化方法时间短、温度低、效率高,适合于工业化生产。
Description
技术领域
本发明涉及晶体材料后处理领域,特别涉及一种铌酸锂或钽酸锂晶片的黑化方法。
背景技术
铌酸锂和钽酸锂晶片具有高压电系数、高机电耦合系数和低插入损耗等突出的优点,是制备高频SAW滤波器的重要材料。但铌酸锂和钽酸锂均为铁电晶体,其热释电系数分别高达4×10-5C/m2·K和23×10-5C/m2·K,在制作器件时晶片表面容易累积大量静电荷,电荷释放导致损伤晶片,从而严重影响器件的成品率。另外经过抛光切割后晶片的颜色通常为无色透明,具有较高的光透率,在光刻过程中容易在衬底背部形成漫反射,降低光刻精度。
目前,主要通过高温化学还原的方法来降低晶片电阻率,从而减弱其热释电效应。晶片经黑化后其颜色由无色透明变成茶色,电阻率下降了1~2个数量级,热释电效应可明显减弱。然而目前铌酸锂晶片黑化的温度高达1000oC左右,钽酸锂晶片黑化的温度也高达550~600oC,均接近两者的居里点温度,容易导致晶片退极化。另外化学还原的时间长达2~24 h,耗时长黑化效率低下。
发明内容
本发明的目的是:针对目前存在的黑化温度高、时间长、容易导致晶片退极化等问题,本发明提供一种铌酸锂或钽酸锂晶片的黑化方法,在不影响压电性能的前提下,能够在短时间内获得较低电阻率的铌酸锂或钽酸锂晶片,显著降低了黑化温度,且大尺寸晶片黑化均匀,同时工艺简单、成本低廉、绿色环保,适用于大规模工业化生产。
实现本发明目的的技术方案是:一种铌酸锂或钽酸锂晶片的黑化方法,包括以下步骤:
A将强还原性粉末与碳酸锂粉末按照一定的质量比进行机械球磨,均匀混合后得到复合还原剂;
B 将待处理的铌酸锂或钽酸锂晶片放入坩埚中,并填充复合还原剂;
C 将其放置于气氛炉中,通入保护气体,以一定速率升温至黑化温度并恒温一段时间,待自然冷却后取出即得到铌酸锂或钽酸锂黑片。
所述的强还原性粉末包括铁粉、铜粉、碳粉中的一种与石墨烯粉体的混合物,质量比为95~99:1~5。
所述强还原性粉末与碳酸锂粉末的质量比为3~5:95~97。
所述坩埚材质为氧化锆、石墨中的一种。
所述保护气体为氮气、氦气、氩气的一种。
所述加热炉的升温速率为8~12oC/min。
所述黑化温度为300~380oC。
所述恒温时间为0.5~1.2h。
本发明通过在还原剂中加入一定量的石墨烯粉体,提高了还原剂的均匀性及反应活性,在保护气体以及较低的温度下,制备出低电阻率且压电性能未受影响的铌酸锂或钽酸锂黑片,显著缩短了铌酸锂或钽酸锂黑片的制备时间,降低了黑化温度;采用本发明得到的铌酸锂或钽酸锂黑片,在不影响压电性能的前提下,电阻率下降了2~3个数量级,可实现6英寸以上大尺寸晶片的黑化,颜色为茶色,色相均匀不透光;采用的还原剂用量少,成本低、对环境无污染;实施过程简单,有助于工业化规范操作与生产。
附图说明
图1为本发明提供的未经黑化的铌酸锂晶片的外观图。
图2为本发明提供的铌酸锂黑片的外观图。
具体实施方式
(实施例1)
称取质量比为99:1的铜粉与石墨烯粉体,混合得到强还原性粉末;称取质量比为3:97的强还原性粉末与碳酸锂粉末,经机械球磨混合24 h后得到复合还原剂。然后将铌酸锂晶片(如图1)放入底部铺有厚度为2mm复合还原剂的氧化锆坩埚中,并同时在其表面再覆盖一层厚度约为1mm的复合还原剂将其放置于气氛炉中,通入高纯氦气,以12oC/min的速率升温至380oC并恒温1h,待自然冷却之后取出得到铌酸锂黑片(如图2)。经测试,铌酸锂黑片的电阻率为1.4×1011Ω·cm(黑化前2.6×1014Ω·cm),d33=16pC/N(黑化前16pC/N),目视观察不透光且未产生色相不均匀。
(实施例2)
称取质量比为99:1的铁粉与石墨烯粉体经混合得到强还原性粉末;称取质量比为4:96的强还原性粉末与碳酸锂粉末,经机械球磨混合24 h后得到复合还原剂。然后将铌酸锂晶片放入底部铺有厚度为3mm复合还原剂的氧化锆坩埚中,并同时在其表面再覆盖一层厚度约为1mm的复合还原剂,将其放置于气氛炉中,通入高纯氩气,以10oC/min的速率升温至350oC并恒温0.5h,待自然冷却后取出得到铌酸锂黑片。经测试,铌酸锂黑片的电阻率为2.1×1012Ω·cm(黑化前2.6×1014Ω·cm),d33=16pC/N(黑化前6pC/N),目视观察不透光且未产生色相不均匀。
(实施例3)
称取质量比为95:5的碳粉与石墨烯粉体经混合得到强还原性粉末;称取质量比为5:95的强还原性粉体与碳酸锂粉末,经机械球磨混合24 h后得到复合还原剂。然后将钽酸锂晶片放入底部铺有厚度为2mm复合还原剂的氧化锆坩埚中,并同时在其表面再覆盖一层厚度约为1mm的复合还原剂,将其放置于气氛炉中,通入高纯氮气,以8oC/min的速率升温至300oC并恒温0.5h,待自然冷却后取出得到钽酸锂黑片。经测试,钽酸锂黑片的电阻率为5.8×1012Ω·cm(黑化前2.6×1014Ω·cm),d33=14pC/N(黑化前14pC/N),目视观察不透光且未产生色相不均匀。
以上所述的具体实施例,对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明,所应理解的是,以上所述仅为本发明的具体实施例而已,并不用于限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所做的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (1)
1. 一种铌酸锂或钽酸锂晶片的黑化方法,其特征在于:该方法包括以下步骤: A将强还原性粉末与碳酸锂粉末按照一定的质量比进行机械球磨,均匀混合后得到复合还原剂;B 将待处理的铌酸锂或钽酸锂晶片放入坩埚中,并填充复合还原剂; C 将其放置于气氛炉中,通入保护气体,以一定速率升温至黑化温度并恒温一段时间,待自然冷却后取出即得到铌酸锂或钽酸锂黑片;所述的强还原性粉末包括铁粉、铜粉、碳粉中的一种与石墨烯粉体的混合物,质量比为95~99:1~5;所述强还原性粉末与碳酸锂粉末的质量比为3~5:95~97;所述坩埚材质为氧化锆、石墨中的一种;所述保护气体为氮气、氦气、氩气的一种;所述气氛炉的升温速率为8~12℃ /min;所述黑化温度为300~380℃ ;所述恒温时间为0.5~1.2h。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201810932998.7A CN110835781B (zh) | 2018-08-16 | 2018-08-16 | 一种铌酸锂或钽酸锂晶片的黑化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201810932998.7A CN110835781B (zh) | 2018-08-16 | 2018-08-16 | 一种铌酸锂或钽酸锂晶片的黑化方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN110835781A CN110835781A (zh) | 2020-02-25 |
CN110835781B true CN110835781B (zh) | 2021-08-31 |
Family
ID=69573442
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201810932998.7A Active CN110835781B (zh) | 2018-08-16 | 2018-08-16 | 一种铌酸锂或钽酸锂晶片的黑化方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN110835781B (zh) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111799364B (zh) * | 2020-06-29 | 2021-12-21 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种基于离子注入的铌酸锂或钽酸锂晶圆黑化方法 |
WO2022061884A1 (zh) * | 2020-09-28 | 2022-03-31 | 福建晶安光电有限公司 | 晶片的黑化方法、黑化后的晶片及声表面波滤波器 |
CN114836836B (zh) * | 2022-06-23 | 2023-07-14 | 济南大学 | 一种铌酸锂晶片/钽酸锂晶片局域快速黑化方法 |
CN115676888B (zh) * | 2022-11-18 | 2024-01-02 | 山东派智新能源科技有限公司 | 改性钽酸锂修饰石墨烯纳米材料及其制备方法和应用 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101608342A (zh) * | 2009-07-27 | 2009-12-23 | 中电科技德清华莹电子有限公司 | 一种处理铌酸锂或钽酸锂晶片的方法 |
CN105463581A (zh) * | 2015-11-30 | 2016-04-06 | 上海召业申凯电子材料有限公司 | 钽酸锂晶体基片的黑化处理方法 |
CN106544735A (zh) * | 2016-12-06 | 2017-03-29 | 中国电子科技集团公司第二十六研究所 | 一种钽酸锂黑片的制作方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI346719B (en) * | 2003-11-25 | 2011-08-11 | Sumitomo Metal Mining Co | Lithium niobate substrate and method of producing the same |
-
2018
- 2018-08-16 CN CN201810932998.7A patent/CN110835781B/zh active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101608342A (zh) * | 2009-07-27 | 2009-12-23 | 中电科技德清华莹电子有限公司 | 一种处理铌酸锂或钽酸锂晶片的方法 |
CN105463581A (zh) * | 2015-11-30 | 2016-04-06 | 上海召业申凯电子材料有限公司 | 钽酸锂晶体基片的黑化处理方法 |
CN106544735A (zh) * | 2016-12-06 | 2017-03-29 | 中国电子科技集团公司第二十六研究所 | 一种钽酸锂黑片的制作方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN110835781A (zh) | 2020-02-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN110835781B (zh) | 一种铌酸锂或钽酸锂晶片的黑化方法 | |
CN101608342B (zh) | 一种处理铌酸锂或钽酸锂晶片的方法 | |
CN106048735B (zh) | 一种钽酸锂或铌酸锂晶体基片黑化方法 | |
CN101158049B (zh) | P型透明导电氧化物CuAlO2薄膜的制备方法 | |
CN105220232B (zh) | 具有梯度折射率效应的二次电光晶体及其制备与应用方法 | |
CN104416160B (zh) | 高致密度氧化锌基靶材及其制备方法 | |
WO2015055034A1 (zh) | 无铅高压电活性晶体材料及其制备方法 | |
CN105200526B (zh) | 一种氧化镓晶片去应力退火方法 | |
CN110357624B (zh) | 高介电常数玻璃料改性锆酸锶掺杂铌酸钾钠无铅透明陶瓷材料及其制备方法 | |
CN108751991A (zh) | 一种激光烧结制备Tb:Lu2O3陶瓷的方法 | |
CN106064942A (zh) | 高居里温度无铅snkbt压电陶瓷及其制备方法 | |
CN104876587A (zh) | 一种替代蓝宝石用防紫晕透明陶瓷面板的制备方法 | |
CN1702055A (zh) | 一种织构铌酸盐无铅压电材料及其制备方法 | |
CN106929916A (zh) | 一种铌酸锂黑片的制作方法 | |
CN102815945A (zh) | 锆酸镧钆透明陶瓷材料及其制备方法 | |
CN108866627A (zh) | 一种钕铒共掺gyag激光晶体及其制备方法 | |
CN115196964B (zh) | 一种含钠的氧化钼陶瓷溅射靶材制备方法 | |
CN113213909A (zh) | 一种抗紫外线辐射的yag基透明陶瓷及其制备方法 | |
CN108134119B (zh) | 一种固体氧化物燃料电池氧化铋基电解质膜及制备方法 | |
WO2017068810A1 (ja) | ニオブ酸リチウム単結晶基板の製造方法 | |
Liu et al. | Effects of LiF sintering additive on the microstructure and mechanical properties of hot-pressed CaF2 transparent ceramics | |
US10715101B2 (en) | Lithium niobate single crystal substrate and method of producing the same | |
CN109665846A (zh) | 一种以市售氟化钙粉末为原料真空热压烧结制备透明陶瓷的方法 | |
CN108624961A (zh) | 一种钽酸锂黑片的回收再利用方法 | |
EP3312313A1 (en) | Lithium niobate single crystal substrate and method for producing same |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |