CN212161815U - 终端设备及其显示面板 - Google Patents
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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Abstract
本申请属于显示技术领域，尤其涉及一种终端设备及其显示面板，显示面板包括开孔区、电导通区和显示区，电导通区位于开孔区的外周，显示区位于电导通区的外周，显示区内具有像素电路，像素电路邻接于电导通区的位置引出有多路横向扫描线和多路竖向信号线，各竖向信号线和一些横向扫描线在电导通区内沿显示面板的高度方向混搭形成多层通过过孔电连接的金属走线层，各层金属走线层均贯通于电导通区并绕过开孔区，相邻两金属走线层之间均设置有绝缘层。通过使得一些横向扫描线和各竖向信号线混搭形成各金属走线层，这样各金属走线层的电阻趋近一致，降低了各金属走线层间电压差，抑制开孔区周围Mura现象，提升开孔区周围的显示亮度的均匀性。
Description
技术领域
本申请属于显示技术领域，尤其涉及一种终端设备及其显示面板。
背景技术
近年来，随着显示技术的进步和发展，手机等移动终端的屏幕的面积已越做越大，而为了追求屏幕尺寸的最大化，业内出现了在屏幕上开孔的技术，如此可将摄像头或是红外探头等器件嵌设于孔内，这样可避免上述器件占用移动终端边框的位置，从而使得屏幕的尺寸能够最大化。
现有技术中，屏幕的像素电路的扫描线和信号线需要绕过屏幕开孔区位置，而这样会使得屏幕开孔区周围的布线空间变得较为拥挤，且扫描线和信号线之间由于电阻大小不一，容易出现电压差，这样一方面会导致屏幕开孔区周围的布线密度较低，使得屏幕的开孔区周围无法实现高分辨率，另一方面还会使得开孔区周围显示亮度不均。
实用新型内容
本申请实施例的目的在于提供一种终端设备及其显示面板，旨在解决现有技术中的终端设备的显示面板开孔区周围的布线密度较低，使得屏幕的开孔区周围无法实现高分辨率，且开孔区周围的显示亮度不均的技术问题。
为实现上述目的，本申请采用的技术方案是：
第一方面，提供一种显示面板，包括开孔区、电导通区和显示区，电导通区位于开孔区的外周，显示区位于电导通区的外周，显示区内具有像素电路，像素电路邻接于电导通区的位置引出有多路横向扫描线和多路竖向信号线，各竖向信号线和一些横向扫描线在电导通区内沿显示面板的高度方向混搭形成多层通过过孔电连接的金属走线层，各层金属走线层均贯通于电导通区并绕过开孔区，相邻两金属走线层之间均设置有绝缘层。
本申请实施例提供的显示面板，像素电路邻接于电导通区的位置引出有多路贯通于电导通区并绕过开孔区的横向扫描线和多路竖向信号线，这样开孔区周围的像素电路即可通过上述横向扫描线和竖向信号线相连接而正常工作，而通过使得一些横向扫描线和竖向信号线在电导通区内混搭形成多层叠层设置并通过过孔电连接的金属走线层，这样引入电导通区的横向扫描线和竖向信号线即可通过过孔跳线的方向布设于对应的各金属走线层内，进而整体堆叠成多层金属走线层，如此便充分利用了电导通区内高度方向的布线空间，从而能够在电导通区内布设更多的横向扫描线和竖向信号线，这样便显著提升了显示面板在开孔区周围的显示区的分辨率。而通过使得一些横向扫描线和各竖向信号线混搭形成各金属走线层，这样便使得各金属走线层的电阻趋近一致，从而降低了各金属走线层间的电压差，这样便能够抑制开孔区周围Mura现象的发生，提升了开孔区周围的显示亮度的均匀性。
可选地，过孔的数量为偶数个，并成对设置，电导通区和开孔区之间形成有环状交界区，在一对过孔中，两过孔分别位于环状交界区的两相对位置。
这样横向扫描线或竖向信号线自邻接于电导通区的像素电路引出时，便可自一对过孔中的一个过孔引至相应的金属走线层上，在绕过开孔区后，到达该对过孔中的另一个过孔并自该过孔中引出，重新进入像素电路中，形成类似于“过桥”的走线方式。
可选地，电导通区的底部布设有贯通于电导通区并绕过开孔区的半导体层，另一些横向扫描线均布设于半导体层上，以形成复合走线层，复合走线层和相邻的金属走线层之间设置有绝缘层。
在电导通区内，横向扫描线是直接布设于半导体层上，这样便相当于增加了横向扫描线的导电横截面积，降低了横向扫描线的电阻，进而使得横向扫描线的线宽能够降低，这样横向扫描线在复合走线层上便能够拥有更多的布设空间。
可选地，各层金属走线层内的各竖向信号线和各横向扫描线均沿开孔区的径向由内而外依序环绕于开孔区的外周。
这样各竖向信号线和各横向扫描线在充分利用各层金属走线层的高度方向走线空间的同时，也利用了每一层金属走线层的沿横向和竖向所构成的二维平面空间的走线空间，这样便能够在电导通区内布设尽可能多地竖向信号线和横向扫描线。
可选地，半导体层为非晶硅半导体层、低温多晶硅半导体层和金属氧化物半导体层。
可选地，绝缘层为有机绝缘膜层或无机物绝缘层。
可选地，有机绝缘层为聚丙烯薄膜，或是：牛皮纸-聚丙烯层-牛皮纸的三层结构。
可选地，无机物绝缘层包括SiOx、SiNx或Al2O3。
可选地，开孔区的直径为4mm～6mm。这样可兼容较多种类的摄像头、红外探头或是呼吸灯等人机交互器件，从而提升了显示面板对摄像头、红外探头或是呼吸灯等人机交互器件的兼容性。
可选地，开孔区的形状为圆形、椭圆形、矩形或梯形。
第二方面，提供一种终端设备，包括上述的显示面板。
本申请实施例提供的终端设备，由于包括有上述的显示面板，而上述的显示面板能够提升其开孔区周围的布线密度，并提升其开孔区周围的分辨率和显示亮度的均匀性，这样便使得显示面板各处的显示质量接近于一致，从而提升了显示面板的显示品质，也使得配置有上述显示面板的终端设备拥有更佳的用户体验。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术附图一；
图2为现有技术附图二；
图3为本申请实施例提供的显示面板的结构示意图；
图4为本申请实施例提供的显示面板的另一结构示意图；
图5为本申请实施例提供的显示面板的电导通区的布线示意图；
图6为本申请实施例提供的显示面板的电导通区的另一布线示意图；
图7为本申请实施例提供的显示面板的电导通区的横截面视图。
其中，图中各附图标记：
10—显示面板 11—开孔区 12—电导通区
13—显示区 14—像素电路 15—横向扫描线
16—竖向信号线 17—环状交界区 121—过孔
122—金属走线层 123—绝缘层 124—半导体层
125—复合走线层 20—封装区 21—第一子区域
22—第二子区域。
具体实施方式
下面详细描述本申请的实施例，实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图1～7描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本申请，而不能理解为对本申请的限制。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本申请中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
为方便理解，下面先对本申请所涉及的技术术语进行解释和描述。
AMOLED：Active-matrix organic light-emitting diode，有源矩阵有机发光二极体或主动矩阵有机发光二极体。其中OLED是用于描述显示技术的具体类型：有机电激发光显示。AM(有源矩阵体或称主动式矩阵体)是指背后的像素寻址技术。
栅极：由金属细丝组成的筛网状或螺旋状电极。多极电子管中排列在阳极和阴极之间的一个或多个具有细丝网或螺旋线形状的电极，起控制阴极表面电场强度从而改变阴极发射电子或捕获二次放射电子的作用。
源漏极：像素电路中，N型硅片两端各引出一个电极，分别称为源极和漏极。
LTPS：Low Temperature Poly-Silicon，低温多晶硅半导体。是多晶硅技术的一个分支。对显示面板10来说，采用低温多晶硅半导体有许多优点，如像素电路14可以做得更薄更小、功耗更低等等。
Mura：是指显示面板的显示亮度不均，造成各种痕迹的现象。
如图1和图2所示，为两种现有技术，图1所示SD1线为源漏极线层，可见图1所示为单源漏极线层的布线方式，存在布线空间不足，且串扰大的问题。图2所示SD1和SD2线均为源漏极线，SD1线和SD2线双层走线，这样虽可一定程度上利用布线空间，但依然难以支持400PPI的高分屏的孔区周围布线。
如图3～5所示，本申请实施例提供了一种终端设备。其中，本申请实施例的终端设备包括但不限于摄像机、手机、平板电脑、可穿戴设备、车载设备、增强现实(augmentedreality，AR)/虚拟现实(virtual reality，VR)设备、笔记本电脑、超级移动个人计算机(ultra-mobile personal computer，UMPC)、上网本、或个人数字助理(personal digitalassistant，PDA)等，本申请实施例对终端设备的具体类型不作任何限制。为了方便描述，在本申请实施例中的终端设备以手机为例进行说明，应理解，不能解释为对本申请的限制。
终端设备包括有显示面板10，显示面板10包括开孔区11、电导通区12和显示区13。其中，开孔区11内可设置有摄像头、红外探头或呼吸灯等一些人机交互器件，这样可使得上述器件直接集成于显示面板10内，从而避免了上述器件对终端设备边框空间的占用，从而使得显示面板10易于在终端设备上实现全面屏。
可选地，显示面板10可以是AMOLED显示面板10，如此可使得显示面板10的显示色域更广，且能够做的更薄，其也能够不采用玻璃作为基板，从而易于实现柔性屏，从而也使得配置有其的终端设备能够做的更薄，且易于被设计为具有柔性折叠屏的终端设备，AMOLED显示面板10也能够提升显示面板10的户外可读性，从而也提升了终端设备的户外操作体验。
具体地，如图3和图4所示，显示面板10的电导通区12位于开孔区11的外周，显示区13位于电导通区12的外周。显示区13内具有像素电路14。其中，开孔区11可以是位于电导通区12内，也可以是位于电导通区12的边缘处，而电导通区12也可以是位于开孔区11的外周，同时也可以是位于开孔区11的边缘处。
像素电路14邻接于电导通区12的位置引出有多路横向扫描线15和多路竖向信号线16。其中，各横向扫描线15分别由像素电路内的TFT矩阵中的第一栅极、第二栅极…第n栅极引出，各竖向信号线16分别由像素电路内的TFT矩阵中的第一源极/漏极、第二源极/漏极…第n源极/漏极所引出。各竖向信号线16可具体为数据信号线(Vdata)或电源信号线(ELVDD)等。
各横向扫描线15和各竖向信号线16均贯通于电导通区12并绕过开孔区11，这样开孔区11周围的像素电路14便能够通过上述的横向扫描线15和各竖向信号线16相连接，而各竖向信号线16和一些横向扫描线15在电导通区12内沿显示面板10的高度方向混搭形成多层通过过孔121电连接的金属走线层122，各层金属走线层122均贯通于电导通区12并绕过开孔区11，且相邻两金属走线层122之间均设置有绝缘层123。这样可避免邻两金属走线层122之间发生短路。
具体地，在同一金属走线层122中，各横向扫描线15相毗邻，各竖向信号线16相毗邻，横向扫描线15和竖向信号线16可以交叉但不相连。
可选地，如图6所示，显示面板10的电导通区12和开孔区11之间还设置有封装区20，通过设置封装区20，可有效阻止水液或氧气侵蚀显示区13内的像素电路14和电导通区12内的各金属走线层122。封装区20可单纯是一整块区域，或是包括靠近开孔区11的第一子区域21和环绕于第一子区域21外，且靠近电导通区12的第二子区域22，第一子区域21内设置有防水胶，以起到隔绝水液的作用。第二子区域22内填充有PbO、SiO2和TiO2的混合粉末，以进一步阻止水液或氧气侵蚀显示区13内的像素电路14。
而通过使得一些横向扫描线15和竖向信号线16在电导通区12内混搭形成多层叠层设置并通过过孔121电连接的金属走线层122，这样引入电导通区12的横向扫描线15和竖向信号线16即可通过过孔121跳线的方向布设于对应的各金属走线层122内，进而整体堆叠成多层金属走线层122，如此便充分利用了电导通区12内高度方向的布线空间，从而能够在电导通区12内布设更多的横向扫描线15和竖向信号线16，这样便显著提升了显示面板10在开孔区11周围的显示区13的分辨率，使得显示面板10的分辨率能够达到400PPI以上。
其中，横向扫描线15可采用金属钼Mo、金属铜Cu、金属钕Nd、钨铼合金或钨钼合金实现。而竖向信号线16则可可采用Mo-Al-Ti合金、Ti-Al-Mo合金、Ti-Al-Ti合金或Mo-Al-Mo合金等制成，由于横向扫描线15和竖向信号线16选材不同，通常会使得横向扫描线15的电阻大于竖向信号线16的电阻，因此通过使得一些横向扫描线15和各竖向信号线16混搭形成各金属走线层122，这样便使得各金属走线层122的电阻能够趋近于一致，进而保证了各金属走线层122之间的电学特性的一致性，从而降低了各金属走线层122间的电压差，这样便能够抑制开孔区11周围Mura现象的发生，提升了开孔区11周围的显示亮度的均匀性。
本申请实施例提供的终端设备，由于包括有上述的显示面板10，而上述的显示面板10能够提升其开孔区11周围的布线密度，并提升其开孔区11周围的分辨率和显示亮度的均匀性，这样便使得显示面板10各处的显示质量接近于一致，从而提升了显示面板10的显示品质，也使得配置有上述显示面板10的终端设备拥有更佳的用户体验。
在本申请的另一些实施例中，过孔121的数量为偶数个，并成对设置，电导通区12和开孔区11之间形成有环状交界区17(如图7中虚线方框所示)，在一对过孔121中，两过孔121分别位于环状交界区17的两相对位置。
具体地，通过使得至少一对过孔121均位于电导通区12和开孔区11的环状交界区17内，并相对设置，这样横向扫描线15或竖向信号线16自邻接于电导通区12的像素电路14引出时，便可自一对过孔121中的一个过孔121引至相应的金属走线层122上，在绕过开孔区11后，到达该对过孔121中的另一个过孔121并自该过孔121中引出，重新进入像素电路14中，形成类似于“过桥”的走线方式。
这样便使得横向扫描线15或竖向信号线16在一进入电导通区12后便可通过跳线布设于对应的金属走线层122上，在绕过开孔区11后，又可自对应的金属走线层122上跳线至对应的像素电路14中，充分利用了电导通区12的走线空间，节省了横向扫描线15和竖向信号线16在电导通区12内的走线长度。
在本申请的另一些实施例中，电导通区12的底部布设有贯通于电导通区12并绕过开孔区11的半导体层124，相对于布设在各层金属走线层122的横向扫描线15，另一些横向扫描线15则布设于半导体层124上，以形成复合走线层125。其中，半导体层124可以是直接从像素电路14的TFT矩阵中的半导体引出形成的。
不同于显示区13内的像素电路14中，横向扫描线15和半导体层124的连接方式，在电导通区12内，横向扫描线15和半导体层124之间取消了阻隔层，横向扫描线15是直接布设于半导体层124上，横向扫描线15和半导体层124之间不存在阻隔层，这样便相当于增加了横向扫描线15的导电横截面积，降低了横向扫描线15的电阻，进而使得横向扫描线15的线宽能够降低，这样横向扫描线15在复合走线层125上便能够拥有更多的布设空间。
同时，复合走线层125和相邻的金属走线层122之间设置有绝缘层123。如此可避免复合走线层125和相邻的金属走线层122之间发生短路。
如图7所示，以横向扫描线15在某一金属走线层122上跳线走线为例，图7中实心箭头表示不同的横向扫描线15在金属走线层122以及半导体层124上的走线方向，空心箭头则表示横向扫描线15绕过开孔区11。
可见，横向扫描线15在进入电导通区12内后，一些横向扫描线15可通过过孔121由其水平方向的初始走线位置跳线至某一金属走线层122的位置，并沿该金属走线层122布线，在绕过开孔区11后，再由对侧的过孔121跳线至其水平方向的初始走线位置，并进入对侧的像素电路的对应的TFT矩阵中。
如此便可实现类似于在开孔区11相对两侧“过桥”或“上下楼梯”的走线布局，从而充分利用显示面板高度方向的布线空间，完成绕开孔区11的布线。而另一些横向扫描线15则可直接布设于半导体层124上，并绕过开孔区11。
在本申请的另一些实施例中，如图5和图6所示，各层金属走线层122内的各竖向信号线16和各横向扫描线15均沿开孔区11的径向由内而外依序环绕于开孔区11的外周。具体地，通过使得同一层金属走线层122的各竖向信号线16和各横向扫描线15逐圈盘绕于开孔区11的外周，这样各竖向信号线16和各横向扫描线15在充分利用各层金属走线层122的高度方向走线空间的同时，也利用了每一层金属走线层122的沿横向和竖向所构成的二维平面空间的走线空间，这样便能够在电导通区12内布设尽可能多地竖向信号线16和横向扫描线15。
在本申请的另一些实施例中，半导体层124为非晶硅半导体层、低温多晶硅半导体层和金属氧化物半导体层。具体地，半导体层124可根据像素电路14中的半导体的类型而确定为非晶硅半导体层、低温多晶硅半导体层和金属氧化物半导体层。
可选地，半导体层124可为低温多晶硅半导体层，如此一方面可降低半导体层124的制造成本，另一方面由于低温多晶硅半导体的薄膜电路面积相较于其他半导体能够做的更小，这样也有助于提升显示区13的分辨率。
在本申请的另一些实施例中，绝缘层123为有机绝缘膜层或无机物绝缘层。具体地，有机绝缘层可以是聚丙烯薄膜，还可以是“牛皮纸-聚丙烯层-牛皮纸”三层结构，这样形成的三层结构一方面保持有聚丙烯薄膜较高的电阻率和击穿场强的优势，还具有较佳的浸极性能和防止局部放电性能。
在本申请的另一些实施例中，当采用无机物绝缘层123时，无机物绝缘层123具体可包括SiOx、SiNx或Al2O3。其中，以SiN层、SiO层或SiN和SiO的混合层为例进行说明：通过采用SiN材料，那么无机物绝缘层123在兼具较高的电阻率的同时，也能够拥有较佳的耐磨性和高温抗氧化性。
而通过将无机物绝缘层123设置为SiO层，那么得益于SiO较佳的高温抗氧化性和疏水特性，那么无机物绝缘层123在兼具较高的电阻率的同时，也能够拥有较佳的耐磨性、高温抗氧化性和防水性能。这样阻隔水汽对无机物绝缘层123的侵蚀影响。
而通过将无机物绝缘层123均设置为SiN和SiO的混合层，这样便在提升无机物绝缘层123的电阻率、高温抗氧化性和防水性能的同时，也能够平衡无机物绝缘层123的制造成本。
在本申请的另一些实施例中，开孔区11的直径为4mm～6mm。
通过将开孔区11的直径设计为4mm～6mm，这样可兼容较多种类的摄像头、红外探头或是呼吸灯等人机交互器件，从而提升了显示面板10对摄像头、红外探头或是呼吸灯等人机交互器件的兼容性。
可选地，开孔区11的直径可为5mm，这样则能够在有效兼容较多种类摄像头、红外探头或是呼吸灯等人机交互器件的同时，也控制了开孔区11的大小，为电导通区12留出了足够的布线空间。
可选地，如图3和图4所示，开孔区11的形状也可以不为圆形，其还可以是矩形、梯形、多边形或是椭圆形等异形孔，通过将其设计为上述异形孔，则能够使得开孔区11便于同时容纳摄像头、红外探头以及呼吸灯等人机交互器件的两两组合放置或是多种并列放置。
在本申请的另一些实施例中，过孔121的直径为3μm～5μm，这样过孔121可供大多数线宽在3μm～5μm的横向扫描线15和竖向信号线16穿过，从而提升了过孔121对不同线宽的横向扫描线15和竖向信号线16的兼容性。
可选地，过孔121的直径可具体为4μm。这样则在满足大多数横向扫描线15和竖向信号线16穿过的同时，也避免了过孔121在各层金属走线层122上占据过多空间，为横向扫描线15和竖向信号线16的走线留出了足够空间。
可选地，横向扫描线15的线宽可为2μm～4μm。这样便在控制横向扫描线15的电阻和降低线宽之间保持了平衡，使得各层金属走线层122和复合走线层125能够容纳更多的横向扫描线15。竖向信号线16的线宽亦可为2μm～4μm，其有益效果如上。
可选地，在同一金属走线层上，相邻的两横向扫描线15或是相邻的两竖向信号线16之间的间距可为2μm～2.5μm，如此一方面降低了相邻的两横向扫描线15或是相邻的两竖向信号线16之间的耦合效应、互感和互容，从而降低相邻的两横向扫描线15或是相邻的两竖向信号线16之间的串扰。另一方面也实现了同一金属走线层上各横向扫描线15以及各竖向信号线16的紧密排布，提升了电导通区的布线空间利用率。
以上仅为本申请的较佳实施例而已，并不用以限制本申请，凡在本申请的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种显示面板，其特征在于：包括开孔区、电导通区和显示区，所述电导通区位于所述开孔区的外周，所述显示区位于所述电导通区的外周，所述显示区内具有像素电路，所述像素电路邻接于所述电导通区的位置引出有多路横向扫描线和多路竖向信号线，各所述竖向信号线和一些所述横向扫描线在所述电导通区内沿所述显示面板的高度方向混搭形成多层通过过孔电连接的金属走线层，各层所述金属走线层均贯通于所述电导通区并绕过所述开孔区，相邻两所述金属走线层之间均设置有绝缘层。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于：所述过孔的数量为偶数个，并成对设置，所述电导通区和所述开孔区之间形成有环状交界区，在一对所述过孔中，两所述过孔分别位于所述环状交界区的两相对位置。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于：所述电导通区的底部布设有贯通于所述电导通区并绕过所述开孔区的半导体层，另一些所述横向扫描线均布设于所述半导体层上，以形成复合走线层，所述复合走线层和相邻的所述金属走线层之间设置有所述绝缘层。
4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于：各层所述金属走线层内的各所述竖向信号线和各所述横向扫描线均沿所述开孔区的径向由内而外依序环绕于所述开孔区的外周。
5.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于：所述半导体层为非晶硅半导体层、低温多晶硅半导体层和金属氧化物半导体层。
6.根据权利要求1～5任一项所述的显示面板，其特征在于：所述绝缘层为有机绝缘膜层或无机物绝缘层。
7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于：所述有机绝缘膜层为聚丙烯薄膜，或是：牛皮纸-聚丙烯层-牛皮纸的三层结构。
8.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于：所述无机物绝缘层包括SiOx、SiNx或Al2O3。
9.根据权利要求1～5任一项所述的显示面板，其特征在于：所述开孔区的形状为圆形、椭圆形、矩形或梯形。
10.一种终端设备，其特征在于：包括权利要求1～9任一项所述的显示面板。
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