CN211864346U - 用于半导体废气的处理装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供用于半导体废气的处理装置,所述进风管的末端连接在预处理室侧面,预处理室远离进风管的侧面为第一洗涤室,预处理室和第一洗涤室内部分别设置有喷淋系统,预处理室和第一洗涤室的下方为洗涤液一槽;第一洗涤室远离预处理室的侧面为第二洗涤室,第二洗涤室的下方为洗涤液二槽,第二洗涤室内部设置有喷淋系统,所述风机设置在第二洗涤室远离第一洗涤室的侧面;本专利申请为晶圆工艺设备提供稳定风量,有效防止晶圆工艺设备的排风管路堵塞,且简单易满足,处理成本较低。
Description
技术领域
本实用新型属于废气处理领域,尤其涉及用于半导体废气的处理装置。
背景技术
ECS(Exhaust Control System),废气控制装置,目前应用于半导体晶圆清洗领域,其工作原理为废气和洗涤液采用逆流原理,使得废气在经过吸收填料时,与洗涤液得到充分接触被吸收,因此洗涤液对吸收效率有着至关重要的作用。
目前采用的洗涤液为工业用水,可以满足对半导体清洗工艺过程中产生的酸碱、有机水溶性废气的吸收;但是随着半导体工艺的进步与发展,其工艺清洗剂的种类会增加,工艺过程中产生的废气类别、浓度等都会和现阶段有所不同,对ECS装置的吸收性能要求更高,因此需要对ECS装置进行工艺改进,才能满足国内快速发展的半导体产业的需求。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供废气处理装置,实现晶圆工艺废气的处理,通过以下技术方案来实现:包括:进风管、预处理室、第一洗涤室、第二洗涤室、洗涤液一槽、洗涤二槽和排风机,所述进风管的末端连接在预处理室侧面,预处理室远离进风管的侧面为第一洗涤室,预处理室和第一洗涤室内部分别设置有喷淋系统,预处理室和第一洗涤室的下方为洗涤液一槽;第一洗涤室远离预处理室的侧面为第二洗涤室,第二洗涤室的下方为洗涤液二槽,第二洗涤室内部设置有喷淋系统,所述风机设置在第二洗涤室远离第一洗涤室的侧面。
优选的,预处理室上方还设置有旁路排气系统,所述旁路排气系统连接预处理室和备用排气管道。
优选的,所述预处理室和第一洗涤室之间设置有隔板,隔板顶部到达框架顶部。
优选的,第一洗涤室内部设置有填充料,喷淋系统的喷淋头位于填充料的上方。
优选的,洗涤液一槽内储存有洗涤药剂,洗涤液一槽和洗涤液二槽之间通过隔板隔离,洗涤液二槽内部存储有工业水。
优选的,第一洗涤室和第二洗涤室之间还设置有气流方向转换室,气流方向转换室与第一洗涤室、第二洗涤室之间通过隔板隔离。
优选的,气流方向转换室靠近第一洗涤室一侧的隔板顶部悬空,气流方向转换室靠近第二洗涤室一侧的隔板顶部至框架顶部。
优选的,第二洗涤室内部设置有填充料,填充料的上方还设置有除雾器,喷淋系统位于填充料上方、除雾器下方。
优选的,所述除雾器的高度不高于排风机的风口高度。
本实用新型的有益效果:本专利申请接在晶圆工艺设备的出风口,废气在预处理室、第一洗涤室内通过洗涤药剂喷淋,并在第一洗涤室内进行吸附处理,并在第二洗涤室内进行工业水喷淋、吸附以及除雾,再通过风机的动力进入到排气管排出,本专利申请为晶圆工艺设备提供稳定风量,有效防止晶圆工艺设备的排风管路堵塞,提高了设备连续运转时间;降低动力侧酸碱排气负载,节省动力侧排风设备投资;降低设备端的含酸碱废气,降低了动力侧废气处理量,且简单易满足,处理成本较低。
附图说明
图1为本专利申请的结构示意图;
图2为本专利申请的简化示意图;
1、进风管;2、预处理室;3、第一洗涤室;4、第二洗涤室;
5、洗涤液一槽;6、洗涤液二槽;7、除雾器;8、风机;
9、设备框架;10、气流方向转换室;11、旁路排气系统;
12、填充料。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型作进一步详细说明。
在晶圆工艺清洗过程中,大都使用酸碱药液进行晶圆清洗处理,因此也会产生大量的酸碱性气体,必须经过处理后才能达到排放标准,本专利申请使用水对废气进行处理,图1、图2所示,包括:进风管、预处理室、第一洗涤室、第二洗涤室、洗涤液一槽、洗涤二槽和排风机,所述进风管与晶圆工艺设备腔室出风口相连接,用于接入待处理的废气,进风管的末端连接在预处理室侧面,预处理室远离进风管的侧面为第一洗涤室,预处理室和第一洗涤室内部分别设置有喷淋系统,预处理室和第一洗涤室的下方为洗涤液一槽,废气经过预处理室进行雾化喷淋后进入到第一洗涤室进行再次雾化喷淋;第一洗涤室远离预处理室的侧面为第二洗涤室,第二洗涤室的下方为洗涤液二槽,第二洗涤室内部设置有喷淋系统,对废气再次进行喷淋,所述风机设置在第二洗涤室远离第一洗涤室的侧面,提供废气流动的动力,同时将其排出。
优选的,预处理室上方还设置有旁路排气系统,所述旁路排气系统连接预处理室和备用排气管道,设备正常运转时是关闭的,当设备不能正常运转时,才会打开,防止设备出现故障时气体无法及时排出。
优选的,所述预处理室和第一洗涤室之间设置有隔板,隔板顶部到达框架顶部。
优选的,第一洗涤室内部设置有填充料,如防火pp材料,喷淋系统的喷淋头位于填充料的上方,第一洗涤室对废气进行喷淋吸附。
优选的,洗涤液一槽内储存有洗涤药剂,该洗涤槽内的洗涤药剂根据废气进行选择,一般碱性气体的话,就用酸性洗涤液,而酸性气体用碱性洗涤液,洗涤液一槽内的洗涤药剂经过喷淋管道进入到预处理室和第一洗涤室内,预处理室、洗涤一室的下方与洗涤液一槽之间设置有滤网,雾化喷头喷洒的洗涤药剂循环至水槽内。
优选的,洗涤液一槽和洗涤液二槽之间通过隔板隔离,两个水槽还分别接进水管和排水管,进水管连接厂务,提供充足的废气吸收所需水量,排水管用来把吸收废气后的废水排到厂务进行处理。
洗涤液二槽内部存储有工业水,该槽内的工业水通过喷淋管道输送到第二洗涤室内,第二洗涤室的下方与洗涤液二槽之间设置有滤网,雾化喷头喷洒工业水的循环至水槽内。
将两个洗涤室完全分离开来,预处理室和第一洗涤室可针对半导体不同工艺产生的废气选择合适的洗涤药液,第二洗涤室采用工业水作为洗涤液,不仅可以进一步吸收废气,还可以对预处理室和第一洗涤室使用的洗涤液挥发的气体进行吸收处理,这一工艺提升了ECS装置的废气处理能力,使ECS装置的使用范围更广。
优选的,第一洗涤室和第二洗涤室之间还设置有气流方向转换室,气流方向转换室与第一洗涤室、第二洗涤室之间通过隔板隔离。
优选的,气流方向转换室靠近第一洗涤室一侧的隔板顶部悬空,气流方向转换室靠近第二洗涤室一侧的隔板顶部至框架顶部,气流方向转换室保障气体在洗涤室由下到上流。
优选的,第二洗涤室内部设置有填充料,填充料的上方还设置有除雾器,喷淋系统位于填充料上方、除雾器下方。
优选的,所述除雾器的高度不高于排风机的风口高度,除雾器的功能是把在喷雾吸收过程中,废气夹带的雾粒、浆液滴捕集下来,防止进入风机管道后造成腐蚀堵塞,影响风力和风机使用寿命。
本专利申请为晶圆清洗设备提供稳定风量,有效防止设备的排风管路堵塞,提高了设备连续运转时间;降低动力侧酸碱排气负载,节省动力侧排风设备投资;降低设备端的含酸碱废气,降低了动力侧废气处理量。
本专利申请为晶圆清洗设备提供稳定风量,有效防止设备的排风管路堵塞,提高了设备连续运转时间;降低动力侧酸碱排气负载,节省动力侧排风设备投资;降低设备端的含酸碱废气,降低了动力侧废气处理量。
需要说明的是,术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本实用新型和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本实用新型的限制。此外,术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性。
最后应说明的是:以上实施例仅用以说明而非限制本实用新型的技术方案,尽管参照上述实施例对本实用新型进行了详细说明,本领域的普通技术人员应当理解:依然可以对本实用新型进行修改或者等同替换,而不脱离本实用新型的精神和范围,而所附权利要求意在涵盖落入本实用新型精神和范围中的这些修改或者等同替换。
Claims (9)
1.用于半导体废气的处理装置,包括:进风管、预处理室、第一洗涤室、第二洗涤室、洗涤液一槽、洗涤二槽和排风机,其特征在于:所述进风管的末端连接在预处理室侧面,预处理室远离进风管的侧面为第一洗涤室,预处理室和第一洗涤室内部分别设置有喷淋系统,预处理室和第一洗涤室的下方为洗涤液一槽;第一洗涤室远离预处理室的侧面为第二洗涤室,第二洗涤室的下方为洗涤液二槽,第二洗涤室内部设置有喷淋系统,所述风机设置在第二洗涤室远离第一洗涤室的侧面。
2.根据权利要求1所述的用于半导体废气的处理装置,其特征在于:预处理室上方还设置有旁路排气系统,所述旁路排气系统连接预处理室和备用排气管道。
3.根据权利要求1所述的用于半导体废气的处理装置,其特征在于:所述预处理室和第一洗涤室之间设置有隔板,隔板顶部到达框架顶部。
4.根据权利要求1所述的用于半导体废气的处理装置,其特征在于:第一洗涤室内部设置有填充料,喷淋系统的喷淋头位于填充料的上方。
5.根据权利要求1所述的用于半导体废气的处理装置,其特征在于:洗涤液一槽内储存有洗涤药剂,洗涤液一槽和洗涤液二槽之间通过隔板隔离,洗涤液二槽内部存储有工业水。
6.根据权利要求1所述的用于半导体废气的处理装置,其特征在于:第一洗涤室和第二洗涤室之间还设置有气流方向转换室,气流方向转换室与第一洗涤室、第二洗涤室之间通过隔板隔离。
7.根据权利要求6所述的用于半导体废气的处理装置,其特征在于:气流方向转换室靠近第一洗涤室一侧的隔板顶部悬空,气流方向转换室靠近第二洗涤室一侧的隔板顶部至框架顶部。
8.根据权利要求1所述的用于半导体废气的处理装置,其特征在于:第二洗涤室内部设置有填充料,填充料的上方还设置有除雾器,喷淋系统位于填充料上方、除雾器下方。
9.根据权利要求8所述的用于半导体废气的处理装置,其特征在于:所述除雾器的高度不高于排风机的风口高度。
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CN202020321373.XU Active CN211864346U (zh) | 2020-03-16 | 2020-03-16 | 用于半导体废气的处理装置 |
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- 2020-03-16 CN CN202020321373.XU patent/CN211864346U/zh active Active
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