CN211629090U - 一种功率半导体模块用电极结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种功率半导体模块用电极结构，所述电极结构的电极弯折处设置有凹槽区，所述凹槽区由点阵排列的凹槽构成。本申请在电极折弯处设置了一种点阵排列的凹槽，来防止折弯过程中裂纹的产生，起到应力缓解的作用；从而有效解决了镀层损伤处会容易被腐蚀，造成电极电阻增加，损耗加大的问题。
Description
技术领域
本实用新型涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种功率半导体模块用电极结构。
背景技术
功率半导体模块通常被应用于电力电子变换装置当中，比如电机驱动装置等。一般功率模块在封装过程当中，电极同模块内部连接，同时电极也会引出同外部进行连接。一般情况下，功率模块的电极在封装的最后是需要进行折弯的。
现有功率模块电极直接进行折弯，电极的折弯处与整个电极是一个整体平面；折弯后可能会出现在折弯处电极表面出现裂纹，镀层损伤的情况，这样会造成产品在实际使用过程当中，镀层损伤处会容易被腐蚀，造成电极电阻增加，损耗加大。
公开于该背景技术部分的信息仅仅旨在加深对本实用新型的总体背景技术的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域技术人员所公知的现有技术。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种功率半导体模块用电极结构，以解决现有技术中存在的技术问题。
为了实现上述目的，本实用新型采用以下技术方案：
本实用新型提供一种功率半导体模块用电极结构，所述电极结构的电极弯折处设置有凹槽区，所述凹槽区由点阵排列的凹槽构成。
作为一种进一步的技术方案，所述点阵排列的凹槽设置在所述电极弯折处的两面。
作为一种进一步的技术方案，所述凹槽区的宽度为2-3mm。
采用上述技术方案，本实用新型具有如下有益效果：
本申请在电极折弯处设置了一种点阵排列的凹槽，来防止折弯过程中裂纹的产生，起到应力缓解的作用；从而有效解决了镀层损伤处会容易被腐蚀，造成电极电阻增加，损耗加大的问题。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本实用新型的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本实用新型实施例提供的功率半导体模块用电极结构的结构示意图；
图2为图1中A处的放大图；
图3为本实用新型实施例提供的功率半导体模块用电极结构的使用状态结构示意图。
具体实施方式
下面将结合附图对本实用新型的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
在本实用新型的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
在本实用新型的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
以下结合附图对本实用新型的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本实用新型，并不用于限制本实用新型。
结合图1-3所示，本实施例提供了一种功率半导体模块用电极结构，所述电极结构的电极弯折处设置有凹槽区1，所述凹槽区1由点阵排列的凹槽2构成。
在该实例中，作为一种进一步的技术方案，所述点阵排列的凹槽2设置在所述电极弯折处的两面。
在该实例中，作为一种进一步的技术方案，所述凹槽区1的宽度为2-3mm。
本申请通过在电极折弯处，设计一种点阵排列的凹槽，凹槽通过五金模具压制而成，之后进行表面电镀。凹槽位置处于电极折弯处区域，整体宽度在2mm-3mm之间。通过凹槽的设计来防止折弯过程中裂纹的产生，起到应力缓解的作用；从而有效解决了镀层损伤处会容易被腐蚀，造成电极电阻增加，损耗加大的问题。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本实用新型进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的范围。
Claims (3)
1.一种功率半导体模块用电极结构，其特征在于，所述电极结构的电极弯折处设置有凹槽区，所述凹槽区由点阵排列的凹槽构成。
2.根据权利要求1所述的功率半导体模块用电极结构，其特征在于，所述点阵排列的凹槽设置在所述电极弯折处的两面。
3.根据权利要求1所述的功率半导体模块用电极结构，其特征在于，所述凹槽区的宽度为2-3mm。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202020183272.0U CN211629090U (zh) | 2020-02-19 | 2020-02-19 | 一种功率半导体模块用电极结构 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202020183272.0U CN211629090U (zh) | 2020-02-19 | 2020-02-19 | 一种功率半导体模块用电极结构 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN211629090U true CN211629090U (zh) | 2020-10-02 |
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Family Applications (1)
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| CN202020183272.0U Active CN211629090U (zh) | 2020-02-19 | 2020-02-19 | 一种功率半导体模块用电极结构 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN211629090U (zh) |
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2020
- 2020-02-19 CN CN202020183272.0U patent/CN211629090U/zh active Active
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