CN211480009U - 一种封装用氧化铝陶瓷多层基板 - Google Patents
一种封装用氧化铝陶瓷多层基板 Download PDFInfo
- Publication number
- CN211480009U CN211480009U CN202020592985.2U CN202020592985U CN211480009U CN 211480009 U CN211480009 U CN 211480009U CN 202020592985 U CN202020592985 U CN 202020592985U CN 211480009 U CN211480009 U CN 211480009U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- alumina ceramic
- electronic device
- packaging
- plate
- groove
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
本实用新型涉及一种封装用氧化铝陶瓷多层基板,在氧化铝陶瓷底板的上表面设置有多个第一电子器件腔室及第一导线槽;多个氧化铝陶瓷中间板的上表面设置有多个第二电子器件腔室及多个第二导线槽,在氧化铝陶瓷底板的下表面设置有向四周延伸的下封装挡板;自氧化铝陶瓷顶板的上表面设置有向四周延伸的上封装挡板;上封装挡板、下封装挡板、氧化铝陶瓷底板的外侧壁、氧化铝陶瓷中间板的外侧壁及氧化铝陶瓷顶板的外侧壁组成封装凹槽。本技术方案,避免了带电子器件烧结工序,不会对电子器件本身因为高温导致的热损害或电子器件内部晶粒在高温下的生长等影响到电子器件的性能,并且制备工艺简单,使用方便,能够有效的提高氧化铝陶瓷的应用范围。
Description
技术领域
本实用新型属于氧化铝陶瓷技术领域,特别是指一种封装用氧化铝陶瓷多层基板。
背景技术
氧化铝陶瓷因其具有良好的耐腐蚀性、热稳定性、绝缘性、导热性及高强度等优良性能,已经在电子行业中得到了广泛的应用。
但是,现电子行业中的氧化铝陶瓷大部分是用于基板,而对于电子器件的封装用氧化铝陶瓷还无法使用,现技术的电子器件的封装还多数以树脂为主,主要的原因是,氧化铝陶瓷需要高温烧制,烧制温度基本在1200℃以上,电子器件在此温度下均已经损坏,而以树脂封装的电子器件不论是强度还是导热性均越来越不适应小尺寸及高度集成化电子器件的发展。
虽然现有使用氧化锌陶瓷用于电子器件的封装,但氧化锌陶瓷的烧制温度也在400℃左右,对封装的电子器件依然存在高温损害,并且氧化锌陶瓷的透明效果不好,且成本高,并且不能用于高性能芯片等的封装。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种封装用氧化铝陶瓷多层基板,以解决现技术不能使用氧化铝陶瓷封装芯片的问题。
本实用新型是通过以下技术方案实现的:
一种封装用氧化铝陶瓷多层基板,包括氧化铝陶瓷底板、氧化铝陶瓷顶板及一个或一个以上的氧化铝陶瓷中间板;
所述氧化铝陶瓷底板的上表面设置有多个用于放置电子器件的第一电子器件腔室及第一导线槽;部分所述第一导线槽在所述氧化铝陶瓷的侧边有开口,用于引出导线;
在所述氧化铝陶瓷底板的下表面设置有向四周延伸的下封装挡板;
在所述氧化铝陶瓷底板上设置有多个第一通孔;
每个所述氧化铝陶瓷中间板的上表面均设置有多个用于放置电子器件的第二电子器件腔室及第二导线槽;
在每个所述氧化铝陶瓷中间板上圴设置有多个第二通孔;
所述氧化铝陶瓷顶板为平板结构,自氧化铝陶瓷顶板的上表面设置有向四周延伸的上封装挡板;
所述上封装挡板、所述下封装挡板、氧化铝陶瓷底板的侧壁表面、氧化铝陶瓷中间板的侧表面及氧化铝陶瓷顶板的侧表面组成封装凹槽。
进一步的,多个所述第一通孔与所述第一电子器件腔室及所述第一导线槽连通。
进一步的,在所述氧化铝陶瓷顶板的下表面,设置有与所述第一电子器件腔室相对应的且形状相同的第一凹槽,及与所述第一导线槽相对应且形状相同的第二凹槽。
进一步的,多个所述第二通孔分别设置于所述第二电子器件腔室内或第二导线槽内。
进一步的,在所述氧化铝陶瓷中间板的下表面,设置有与所述第一电子器件腔室或所述第二电子器件腔室相对应的且形状相同的第三凹槽,及与所述第一导线槽或第二导线槽相对应且形状相同的第四凹槽。
本实用新型的有益效果是:
本技术方案通过单独烧制氧化铝陶瓷底板、氧化铝陶瓷中间板及氧化铝陶瓷顶板,在需要时,将上述氧化铝陶瓷板叠加任意层,以实现满足需要,再将侧部的封装凹槽内使用树脂等进行封装,即实现了芯片封装用氧化铝陶瓷多层基板的使用,不仅结构简单而且烧制成本低。
附图说明
图1为本实用新型多层氧化铝陶瓷基板结构示意图;
图2为氧化铝陶瓷底板俯视图;
图3为氧化铝陶瓷顶板仰视图;
图4为氧化铝陶瓷中间板俯视图。
附图标记说明
1氧化铝陶瓷顶板,11上封装挡板,2氧化铝陶瓷底板,21下封装挡板,22第一电子器件腔室,23第一导线槽,24第一通孔;3氧化铝陶瓷中间板,31第二电子器件腔室,32第二导线槽,33第二通孔,4封装凹槽。
具体实施方式
以下通过实施例来详细说明本实用新型的技术方案,以下的实施例仅是示例性的,仅能用来解释和说明本实用新型的技术方案,而不能解释为是对本实用新型技术方案的限制。
如图1至图4所示,本申请提供一种封装用氧化铝陶瓷多层基板,包括氧化铝陶瓷底板2、氧化铝陶瓷顶板1及多个氧化铝陶瓷中间板3,本申请的上述氧化铝陶瓷板均采用现氧化铝陶瓷制备技术进行制备,没有采用特殊的制备方法,因此,关于氧化铝陶瓷制备方法不进行描述,但是,上述氧化铝陶瓷板的氧化铝含量均大于95%。
氧化铝陶瓷底板2的上表面设置有多个用于放置电子器件的第一电子器件腔室22及第一导线槽23;其中第一电子器件腔室用于放置IC芯片或MEMS芯片等均可,或者是其它的芯片等,第一电器件腔室的形状及数量根据不同的需要可以有不同的设计,还可以直接设置多个腔室,根据需要进行放置即可。第一导线槽用于布设需要的导线或印刷导线,第一导线槽与相应的各第一电子器件腔室均连通,其中,部分的第一导线槽在氧化铝陶瓷底板的侧表面上开口,用于引出导线。在氧化铝陶瓷底板上设置有多个第一通孔24,有的第一通孔设置于与第一电子器件腔室相对的位置,有的第一通孔设置于与第一导线槽相对的位置,有的第一通孔即不与第一电子器件腔室相对与不与第一导线槽相对,但是其在氧化铝陶瓷底板上表面的开口与所述第一电子器件腔室及所述第一导线槽连通。
在氧化铝陶瓷底板的下表面设置有向四周延伸的下封装挡板21;下封装挡板的厚度小于氧化铝陶瓷底板的厚度。
氧化铝陶瓷顶板1为平板结构,自氧化铝陶瓷顶板的上表面设置有向四周延伸的上封装挡板11;在氧化铝陶瓷顶板的下表面,设置有与第一电子器件腔室相对应的且形状相同的第一凹槽,用于提高电子器件腔室的厚度,提高对电子器件的放置范围;与第一导线槽相对应且形状相同的第二凹槽,同样用于提高容纳导线的厚度等。上述情况是氧化铝陶瓷底板与氧化铝陶瓷顶板直接相对的情况,若是包括有氧化铝陶瓷中间板时,其第一凹槽与第二凹槽均与氧化铝陶瓷中间板的相应结构对应。
上封装挡板的厚度小于氧化铝陶瓷顶板的厚度。
进一步的,在氧化铝陶瓷中间板的下表面,设置有与第一电子器件腔室或第二电子器件腔室相对应的且形状相同的第三凹槽,及与第一导线槽或第二导线槽相对应且形状相同的第四凹槽。
具体为,若氧化铝陶瓷中间板的下表面与氧化铝陶瓷底板下对,则第三凹槽与第一电子器件腔室相对应,若与其它的氧化铝陶瓷中间板的上表面相对应,则与第二电子器件腔室相对应。
同样,若氧化铝陶瓷中间板的下表面与氧化铝陶瓷底板下对,则第四凹槽与第一导线槽相对应,若与其它的氧化铝陶瓷中间板的上表面相对应,则与第二导线槽相对应。
在本申请的技术方案中,至少包括一个或一个以上的氧化铝陶瓷中间板3,各个氧化铝陶瓷中间板的外形相同,但是,各氧化铝陶瓷中间板的第二电子器件腔室31的数量、形状等可能并不相同,同样,第二导线槽32的走向也可能并不相同,但是并不妨碍各氧化铝陶瓷中间板之间的叠加。
每个氧化铝陶瓷中间板的上表面均设置有多个用于放置电子器件的第二电子器件腔室31及第二导线槽32;在每个所述氧化铝陶瓷中间板上圴设置有多个第二通孔33;有的第二通孔设置于与第二电子器件腔室相对的位置,有的第二通孔设置于与第二导线槽相对的位置,有的第二通孔即不与第二电子器件腔室相对与不与第二导线槽相对,但是其在氧化铝陶瓷中间板上表面的开口与所述第二电子器件腔室及所述第二导线槽连通。
在使用时,将需要封装的电子器件,比如IC芯片放置于相应的第一电子器件的腔室内,通过导线连接后,再放置绝缘导热胶等,将氧化铝陶瓷中间板与氧化铝陶瓷底板贴合。同样,在氧化铝陶瓷中间板的第二电子器件腔室放置设计的电子器件,在连接好导线后,置入绝缘导热胶或其它设计物质,布好导线,根据需要,第一通孔或第二通孔用于上下层之间导线的连接,此处根据电路设计进行连接,再放置另一个氧化铝陶瓷中间板或氧化铝陶瓷顶板,相邻两氧化铝陶瓷板之间可以使用胶粘接。
上封装挡板、下封装挡板、氧化铝陶瓷底板的外侧壁、氧化铝陶瓷中间板的外侧壁及氧化铝陶瓷顶板的外侧壁组成封装凹槽4。在将电子器件及导线布好后,将封装树脂设置有封装凹槽内,即实现对多层氧化铝陶瓷基板的连接密封。
本技术方案,避免了带电子器件烧结工序,不会对电子器件本身因为高温导致的热损害或电子器件内部晶粒在高温下的生长等影响到电子器件的性能,并且制备工艺简单,使用方便,能够有效的提高氧化铝陶瓷的应用范围。
尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例,对于本领域的普通技术人员而言,可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型,本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (5)
1.一种封装用氧化铝陶瓷多层基板,其特征在于,包括氧化铝陶瓷底板、氧化铝陶瓷顶板及一个或一个以上的氧化铝陶瓷中间板;
所述氧化铝陶瓷底板的上表面设置有多个用于放置电子器件的第一电子器件腔室及第一导线槽;部分所述第一导线槽在所述氧化铝陶瓷的侧边有开口,用于引出导线;
在所述氧化铝陶瓷底板的下表面设置有向四周延伸的下封装挡板;
在所述氧化铝陶瓷底板上设置有多个第一通孔;
每个所述氧化铝陶瓷中间板的上表面均设置有多个用于放置电子器件的第二电子器件腔室及第二导线槽;
在每个所述氧化铝陶瓷中间板上均设置有多个第二通孔;
所述氧化铝陶瓷顶板为平板结构,自氧化铝陶瓷顶板的上表面设置有向四周延伸的上封装挡板;
所述上封装挡板、所述下封装挡板、氧化铝陶瓷底板的侧壁表面、氧化铝陶瓷中间板的侧表面及氧化铝陶瓷顶板的侧表面组成封装凹槽。
2.根据权利要求1所述的封装用氧化铝陶瓷多层基板,其特征在于,多个所述第一通孔与所述第一电子器件腔室及所述第一导线槽连通。
3.根据权利要求1所述的封装用氧化铝陶瓷多层基板,其特征在于,在所述氧化铝陶瓷顶板的下表面,设置有与所述第一电子器件腔室相对应的且形状相同的第一凹槽,及与所述第一导线槽相对应且形状相同的第二凹槽。
4.根据权利要求3所述的封装用氧化铝陶瓷多层基板,其特征在于,多个所述第二通孔分别设置于所述第二电子器件腔室内或第二导线槽内。
5.根据权利要求3所述的封装用氧化铝陶瓷多层基板,其特征在于,在所述氧化铝陶瓷中间板的下表面,设置有与所述第一电子器件腔室或所述第二电子器件腔室相对应的且形状相同的第三凹槽,及与所述第一导线槽或第二导线槽相对应且形状相同的第四凹槽。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202020592985.2U CN211480009U (zh) | 2020-04-20 | 2020-04-20 | 一种封装用氧化铝陶瓷多层基板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202020592985.2U CN211480009U (zh) | 2020-04-20 | 2020-04-20 | 一种封装用氧化铝陶瓷多层基板 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN211480009U true CN211480009U (zh) | 2020-09-11 |
Family
ID=72376423
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202020592985.2U Active CN211480009U (zh) | 2020-04-20 | 2020-04-20 | 一种封装用氧化铝陶瓷多层基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN211480009U (zh) |
-
2020
- 2020-04-20 CN CN202020592985.2U patent/CN211480009U/zh active Active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI325745B (en) | Circuit board structure and fabrication method thereof | |
CN101742813B (zh) | 安装板和半导体模块 | |
CN103430301A (zh) | 热增强堆叠式封装和方法 | |
US8193625B2 (en) | Stacked-chip packaging structure and fabrication method thereof | |
JP2008218669A (ja) | 半導体装置 | |
WO2018098647A1 (zh) | 集成电路多芯片层叠封装结构以及方法 | |
CN211480009U (zh) | 一种封装用氧化铝陶瓷多层基板 | |
US8159066B2 (en) | Semiconductor package having a heat dissipation member | |
CN202816924U (zh) | 一种功率器件封装基板 | |
CN211480010U (zh) | 一种多芯片封装用氧化铝陶瓷多层基板 | |
CN104113979A (zh) | 铝基线路板及其制备方法和全封装电子元件 | |
CN108417545A (zh) | 一种功率器件及其制备方法 | |
CN101908528A (zh) | 电子封装结构及其载板 | |
CN211980603U (zh) | 一种具有底面散热板的半导体产品及电子产品 | |
CN110634850A (zh) | 一种ssd堆叠封装结构及其制备方法 | |
CN218162997U (zh) | 一种防翘曲的高性能陶瓷基板 | |
CN217389106U (zh) | 高导热率的陶瓷基板 | |
CN221486532U (zh) | 片式led封装用陶瓷散热基板 | |
CN2672856Y (zh) | 芯片封装结构 | |
CN104556982B (zh) | 一种led用陶瓷基片 | |
CN216133861U (zh) | 多层线路结构的陶瓷封装基板 | |
TWI842023B (zh) | 包括蓋結構的基板、包括其之封裝基板以及半導體元件 | |
CN220733083U (zh) | 一种嵌入氮化铝陶瓷块的电路板结构 | |
CN110277367B (zh) | 一种ltcc基板结构及其激光加工方法 | |
CN115332241B (zh) | 一种加强散热的存储芯片的封装结构及其制作方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |