CN211455713U - 多波长led外延结构、芯片 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供一种多波长LED外延结构、芯片，其中多波长LED外延结构包括：依次层叠的衬底、缓冲层和堆叠结构；所述堆叠结构包括：多个发光结构、非掺杂覆盖层和绝缘层，所述发光结构包括依次层叠的N型导电层、有源层和P型导电层，多个发光结构依次层叠于所述缓冲层远离衬底的一侧且N型导电层靠近所述缓冲层设置；所述非掺杂覆盖层和绝缘层层叠且设于相邻两个发光结构之间，所述非掺杂覆盖层靠近所述缓冲层设置，所述绝缘层远离所述缓冲层设置。具有晶体质量好的优点，实现高效多波长发光。

Description

多波长LED外延结构、芯片

技术领域

本实用新型涉及发光二极管技术领域，尤其涉及一种多波长LED外延结构、芯片。

背景技术

传统的双波长或多波长LED一般采用封装方式实现。例如，穿戴式血氧监控系统，需要波长为660nm和940nm的LED，Vishay等封装厂采用的解决方案是将波长为660nm的LED芯片和波长为920nm的LED芯片封装在同一个封装体内实现双波长功能。该方案需要至少两颗芯片来实现双波长，成本较高，且封装体积大。

目前也有双波长的LED芯片，包括依次堆叠于基板上的第一发光结构、隧穿层、第二发光结构，其中每一发光结构包括N型导电层、有源层和P型导电层，通过隧穿层连接第一发光结构的N型导电层和第二发光结构的P型导电层。例如公开号为US2009/0001389A1的美国专利所述。然而，该方案如果采用现有的一次外延生长工艺，在生长P型材料(具有Mg掺杂)后再生长N型材料会导致晶体严重变差，发光效率低。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型的目的为：提供一种晶体质量好的多波长LED外延结构。

本实用新型的再一个目的为：提供一种多波长LED芯片，实现高效的多波长发光。

本实用新型采用的一个技术方案为：

一种多波长LED外延结构，包括：

依次层叠的衬底、缓冲层和堆叠结构；

所述堆叠结构包括：多个发光结构、非掺杂覆盖层和绝缘层，所述发光结构包括依次层叠的N型导电层、有源层和P型导电层，多个发光结构依次层叠于所述缓冲层远离衬底的一侧且N型导电层靠近所述缓冲层设置；所述非掺杂覆盖层和绝缘层层叠且设于相邻两个发光结构之间，所述非掺杂覆盖层靠近所述缓冲层设置，所述绝缘层远离所述缓冲层设置。

可选的，所述堆叠结构还包括N型掺杂覆盖层，所述非掺杂覆盖层靠近所述缓冲层设置，所述N型掺杂覆盖层靠近所述绝缘层设置。

可选的，所述N型掺杂覆盖层的厚度小于所述非掺杂覆盖层的四分之一，所述N型掺杂覆盖层的厚度为1nm-500nm。

可选的，所述N型掺杂覆盖层的数量为多层，相邻N型掺杂覆盖之间设有所述非掺杂覆盖层。

可选的，所述发光结构的数量为两个，两个所述发光结构分别为第一发光结构和第二发光结构，所述第一发光结构的N型导电层、有源层和P型导电层分别为第一N型导电层、第一有源层和第一P型导电层，所述第二发光结构的N型导电层、有源层和P型导电层分别为第二N型导电层、第二有源层和第二P型导电层，所述第一发光结构、非掺杂覆盖层、绝缘层和第二发光结构构成所述堆叠结构。

本实用新型采用的另一技术方案为：

一种多波长LED芯片，包括：

层叠的透明导电层和堆叠结构，所述堆叠结构包括依次层叠的第一发光结构、非掺杂覆盖层、绝缘层和第二发光结构，所述第一发光结构包括依次层叠的第一N型导电层、第一有源层和第一P型导电层，所述第二发光结构包括依次层叠的第二N型导电层、第二有源层和第二P型导电，所述第一N型导电层和第二N型导电层靠近所述透明导电层设置；所述多波长LED芯片还包括：

自透明导电层向所述第二N型导电层延伸并显露所述第二N型导电层的第一通孔，所述第一通孔的侧壁设有隔离层；

设于所述透明导电层上并设于所述第一通孔内的第一电极，所述第一电极与所述第二N型导电层电连接；

自所述第二P型导电层向所述第一P型导电层延伸并显露所述第一P型导电层的第二通孔，所述第二通孔的侧壁设有隔离层；

设于所述第二P型导电层远离第二有源层的一侧并设于所述第二通孔内的联通层，所述联通层与所述第一P型导电层电连接；以及

依次层叠于所述联通层远离第二P型导电层一侧的反射层、键合层、导电基板和第二电极。

可选的，还包括：

设于芯片侧壁且自所述透明导电层向所述第二N型导电层延伸并显露所述第二N型导电层的台阶，所述台阶的侧壁设有隔离层；

以及设于所述台阶和透明导电层上的第一扩展电极。

可选的，所述第二通孔的数量为多个，多个第二通孔均匀且间隔分布。

可选的，所述堆叠结构还包括N型掺杂覆盖层，所述非掺杂覆盖层靠近所述透明导电层设置，所述N型掺杂覆盖层靠近所述绝缘层设置。

从上述描述可知：

(1)本实用新型的多波长LED外延结构，通过在衬底上堆叠多个发光结构，并且对于相邻两个发光结构，在前一发光结构(更靠近衬底的发光结构)的P型导电层与后一发光结构的N型导电层之间设置非掺杂覆盖层，可有效避免后一发光结构晶体质量变差，最终实现多波长高晶体质量外延结构。

(2)本实用新型的多波长LED芯片，晶体质量好，可实现高效双波长发光，并且有效解决传统双芯片封装产品体积大、成本高的问题。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。

图1为本实用新型实施例一的多波长LED外延结构示意图；

图2为本实用新型实施例二的多波长LED外延结构示意图；

图3为本实用新型实施例三的多波长LED外延结构示意图；

图4-6为本实用新型实施例五中各步骤对应的结构示意图；

图7为本实用新型实施例六的多波长LED芯片结构示意图；

图8-21为本实用新型实施例七中各步骤对应的结构是示意图。

标号说明：

1、衬底；2、缓冲层；3、发光结构；31、N型导电层；32、有源层；33、P型导电层；3a、第一发光结构；3b、第二发光结构；31a、第一N型导电层；32a、第一有源层；33a、第一P型导电层；31b、第二N型导电层；32b、第二有源层；33b、第二P型导电层；4、非掺杂覆盖层；5、绝缘层；6、N型掺杂覆盖层；7、第二通孔；8、隔离层；9、联通层；10、反射层；11、键合层；12、导电基板；13、透明导电层；14、第一通孔，15、台阶；16、第一电极；17、第一扩展电极；18、第二电极。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

本实用新型背景技术中也提到了，传统的多波长LED一般采用封装多颗芯片的方式，但是存在封装体积大、成本高的缺点。现有LED外延生长通常是在衬底上先后依次生长N型导电层、有源层和P型导电层，由于P型材料具有P型(Mg)掺杂，如果采用一次外延多发光结构堆叠的方式，在P型导电层上再生长N型材料(或者在P型材料上的隧穿结构上生长N型材料)，则会导致后续的发光结构晶体质量严重变差。有鉴于此，本实用新型提供：

实施例一

请参考图1，一种多波长LED外延结构，包括：

依次层叠的衬底1、缓冲层2和堆叠结构；

所述堆叠结构包括：多个发光结构3、非掺杂覆盖层4和绝缘层5，所述发光结构3包括依次层叠的N型导电层31、有源层32和P型导电层33，多个发光结构3依次层叠于所述缓冲层2远离衬底1的一侧且N型导电层31靠近所述缓冲层2设置，多个发光结构3具有不同的波长；所述非掺杂覆盖层4和绝缘层5层叠且设于相邻两个发光结构3之间，所述非掺杂覆盖层4靠近所述缓冲层2设置，所述绝缘层5远离所述缓冲层2设置。

图1示出了两个发光结构，本领域技术人员应当可以理解，该图只是示意，本实用新型的发光结构并不限于两个。

本实用新型通过设置多个发光结构，并在发光结构结合处设置非掺杂覆盖层和绝缘层的特殊结构，有效避免晶体质量变差，实现晶体质量优异的外延结构，并且该结构通过一次外延即可制得，具有制作简单的优点。

需要说明的是，本实施例的非掺杂覆盖层具体为不掺Mg，其材料可以是AlGaInP、GaInP、AlInP、AlGaAs、GaAs，也可以是前述任意两种或两种以上的组合。

实施例二

请参考图2，一种多波长LED外延结构，与上述实施例一的区别在于，还包括N型掺杂覆盖层6，该N型掺杂覆盖层6与所述非掺杂覆盖层4层叠，该非掺杂覆盖层4靠近该缓冲层2设置，该N型掺杂覆盖层6靠近该绝缘层5设置。所述N型掺杂覆盖层的材料可以是AlGaInP、GaInP、AlInP、AlGaAs、GaAs，也可以是前述任意两种或两种以上的组合。

在一可选实施方式中，所述N型掺杂覆盖层的厚度小于所述非掺杂覆盖层的四分之一，所述N型掺杂覆盖层的厚度为1nm-500nm。所述N型掺杂覆盖层还可以为多层，相邻N型掺杂覆盖之间设有所述非掺杂覆盖层。通过前述设置，一方面N型掺杂覆盖层远薄于非掺杂覆盖层，可避免后一发光结构的N型材料扩散至前一发光结构的P型导电层；另一方面通过设置N型掺杂覆盖层可以改善外延结构生长过程N型氛围，有利于后续发光结构的高效生长，进一步提高了外延结构的晶体质量。

实施例三

一种多波长LED外延结构，与上述实施例一或实施例二的区别在于，所述发光结构3的数量为两个。为了以示区分，两个发光结构3分别用第一发光结构3a和第二发光结构3b表示，分别用第一N型导电层31a、第一有源层32a和第一P型导电层33a来指代第一发光结构3a中的N型导电层、有源层和P型导电层，分别用第二N型导电层31b、第二有源层32b和第二P型导电层33b来指代第二发光结构3b中的N型导电层、有源层和P型导电层。

请参考图3，具体的，本实施例的多波长LED外延结构包括：

从下至上依次层叠的衬底1、缓冲层2和堆叠结构。所述堆叠结构包括从下至上依次层叠的第一发光结构3a、非掺杂覆盖层4、绝缘层5和第二发光结构3b，所述第一发光结构3a包括从下至上依次层叠的第一N型导电层31a、第一有源层32a和第一P型导电层33a，所述第二发光结构3b包括从下至上依次层叠的第二N型导电层31b、第二有源层32b和第二P型导电层33b。

在一优选实施方式中，所述堆叠结构还包括N型掺杂覆盖层(图中未示出)，该N型掺杂覆盖层与所述非掺杂覆盖层层叠，该非掺杂覆盖层靠近该缓冲层设置，该N型掺杂覆盖层靠近该绝缘层设置。

实施例四

一种多波长LED外延结构的制作方法，用于制作上述实施例一的多波长LED外延结构，具体包括以下步骤：

S101、在反应腔中，以设定载气、设定压力和设定温度(如载气为H2，压强为120mbar，温度为550度)在衬底上从下至上依次生长缓冲层以及一发光结构，所述发光结构包括从下至上依次生长的N型导电层、有源层和P型导电层；

S102、切换载气、降低压力以及提高温度，在所述发光结构上生长非掺杂覆盖层；具体的，将部分载气由H2切换为N2，压强由120mbar降低至70mbar，生长温度由550度提升至600度；低压、高温的腔室环境有利于Mg原子的逸出和改善非掺杂覆盖层的材料沉积于反应腔的侧壁等腔体环境，而载气由H2变为N2，可避免H2与Mg原子形成络合物，进一步增强腔壁Mg原子的逃逸，避免后续生长发光结构时，在温度变化情况下又从腔壁扩散至腔体，影响外延生长氛围；

S103、恢复载气、压力和温度至所述设定载气、设定压力和设定温度，在所述非掺杂覆盖层上生长绝缘层；

S104、在所述绝缘层上继续生长一发光结构；

重复S102至S104若干次。

本实用新型通过切换载气、降低反应室压力，以及提高反应室的温度，外延一层无掺杂的覆盖层，通过该无掺杂的覆盖层降低反应室中的P型掺杂(即Mg掺杂)的气氛，再恢复载气流量、压力和温度至上一发光结构的生长条件，外延绝缘层，再继续生长下一发光结构，实现高晶体质量外延结构的生长。

在一优选设置中，S102之后，S103之前，还包括：生长N型掺杂覆盖层，所述N型掺杂覆盖层的厚度小于所述非掺杂覆盖层的四分之一，所述N型掺杂覆盖层的厚度为1nm-500nm。还可循环S102和S103，生长多层N型掺杂覆盖层，相邻N型覆盖层之间隔有非掺杂覆盖层(对应上述实施例二的外延结构)。一方面、N型掺杂覆盖层远薄于非掺杂覆盖层，避免N型扩散至第一P型导电层；另一方面设置N型掺杂覆盖层使得腔体氛围又恢复原来的Mg氛围，逐渐改善为N型氛围，有利于后续生长高效的第二发光结构。

实施例五

一种具体的多波长LED外延结构的制作方法，与上述实施例四的区别在于，仅生长两个发光结构，用于制作上述实施例三的多波长LED外延结构，具体包括：

S111、在反应腔中，以设定载气、设定压力和设定温度在衬底1上从下至上依次生长缓冲层2、第一N型导电层31a、第一有源层32a和第一P型导电层33a，所述第一N型导电层31a、第一有源层32a和第一P型导电层33a构成第一发光结构3a，请参考图4；

S112、切换载气、降低压力以及提高温度，在所述第一P型导电层33a上生长非掺杂覆盖层4；

S113、恢复载气、压力和温度至所述设定载气、设定压力和设定温度，在所述非掺杂覆盖层4上生长绝缘层5，请参考图5；

S114、在所述绝缘层5上从下至上依次生长第二N型导电层31b、第二有源层32b和第二P型导电层33b，所述第二N型导电层31b、第二有源层32b和第二P型导电层33b构成第二发光结构3b，请参考图6。

在一优选设置中，S112之后，S113之前，还包括：生长N型掺杂覆盖层。外延结构的设置具体参考上述实施例四，此处不再赘述。

实施例六

请参考图7，一种多波长LED芯片，包括：层叠的透明导电层13和堆叠结构，所述堆叠结构包括自靠近所述透明导电层13向远离所述透明导电层13的方向依次层叠的第一发光结构3a、非掺杂覆盖层4、绝缘层5和第二发光结构3b，所述第一发光结构3a包括依次层叠的第一N型导电层31a、第一有源层32a和第一P型导电层33a，所述第二发光结构3b包括依次层叠的第二N型导电层31b、第二有源层32b和第二P型导电33b，所述第一N型导电层31a和第二N型导电层31b均靠近所述透明导电层13设置。所述堆叠结构对应上述实施例三的堆叠结构。

所述多波长LED芯片还包括：

自透明导电层13向所述第二N型导电层31b延伸并显露所述第二N型导电层31b的第一通孔，所述第一通孔的侧壁设有隔离层；设于芯片侧壁且自所述透明导电层13向所述第二N型导电层31b延伸并显露所述第二N型导电层31b的台阶，所述台阶的侧壁设有隔离层；

设于所述透明导电层13上并填充设于所述第一通孔内的第一电极16，所述第一电极16与所述第二N型导电层31b电连接；设于所述台阶和透明导电层13上的第一扩展电极17，所述第一扩展电极17与第二N型导电层31b电连接；

自所述第二P型导电层33b向所述第一P型导电层33a延伸并显露所述第一P型导电层33a的多个第二通孔，多个第二通孔均匀且间隔分布，所述第二通孔的侧壁设有隔离层，所述第二通孔分别与所述第一通孔和所述台阶相互错开；

设于所述第二P型导电层33b远离第二有源层32b的一侧并填充设于所述第二通孔7内的联通层9，所述联通层9与所述第一P型导电层33a电连接；以及

依次层叠于所述联通层9远离第二P型导电层33b一侧的反射层10、键合层11、导电基板12和第二电极18，所述反射层10具有导电性。

在一优选设置中，该覆盖层还包括N型掺杂覆盖层(图中未示出)，该N型掺杂覆盖层与所述非掺杂覆盖层层叠，该非掺杂覆盖层靠近该缓冲层设置，该N型掺杂覆盖层靠近该绝缘层设置。

需要说明的是，本实施例的第一通孔填满第一电极，第二通孔填满联通层，可确保电连接，提高芯片性能。设置台阶、第一扩展电极、透明导电层以及多个均匀间隔分布的第二通孔，实现良好的电流扩展。

实施例七

一种多波长LED芯片的制作方法，用于制作上述实施例六的多波长LED芯片，具体包括以下步骤：

S201、提供一多波长LED外延结构，所述多波长LED外延结构包括从下至上依次层叠的衬底1、缓冲层2、第一发光结构3a、非掺杂覆盖层4、绝缘层5和第二发光结构3b，所述第一发光结构3a包括第一N型导电层31a、第一有源层32a和第一P型导电层33a，所述第二发光结构3b包括第二N型导电层31b、第二有源层32b和第二P型导电层33b，请参考图8；在一优选设置中，所述多波长LED外延结构还可包括与所述非掺杂覆盖层层叠的N型掺杂覆盖层，该非掺杂覆盖层靠近该缓冲层设置，该N型掺杂覆盖层靠近该绝缘层设置(图中未示出)；本步骤中多波长LED外延结构的制作方法参考上述实施例四和实施例五，此处不再赘述；

S202、自第二P型导电层33b蚀刻至第一P型导电层33a形成多个显露所述第一P型导电层33a的第二通孔7，多个第二通孔7均匀且间隔分布，请参考图9和图10，其中图9为沿图10沿P-P’线的剖视图；

S203、在所述第二通孔7的侧壁设置隔离层8，请参考图11；

S204、在所述第二P型导电层33b远离第二有源层32b的一侧以及所述第二通孔7内设置联通层9，所述联通层9的材料填满所述第二通孔7，所述联通层9分别与所述第一P型导电层33a和第二P型导电层33b电连接，请参考图12；

S205、在所述联通层9远离第二P型导电层33b的一侧设置具有导电性的反射层10，请参考图13；

S206、在所述反射层10远离联通层的一侧依次设置键合层11和导电基板12，通过键合层11使得反射层10与导电基板12键合在一起，形成电连接，请参考图14和图15；

S207、去除所述衬底1和缓冲层2，在所述第一N型导电层31a远离所述第一有源层32a的一侧设置透明导电层13，请参考图16和图17；

S208、自所述透明导电层13蚀刻至第二N型导电层31b形成显露所述第二N型导电层31b的第一通孔14，在芯片侧壁蚀刻出自所述透明导电层13向所述第二N型导电层31b延伸并显露所述第二N型导电层31b的台阶15；所述第一通孔14和台阶15分别与所述第二通孔7相互错开，请参考图18和图19，其中图18为图19沿Q-Q’线的剖视图；

S209、在所述第一通孔14的侧壁和所述台阶15的侧壁设置隔离层8，请参考图20；

S208、在所述透明导电层13上以及所述第一通孔14内设置第一电极16，该第一电极16的材料填满所述第一通孔14，该第一电极16分别与所述第二N型导电层31b和所述透明导电层13电连接，在所述透明导电层13上以及所述台阶15上设置第一扩展电极17，该第一扩展电极17分别与所述第二N型导电层31b和所述透明导电层13电连接；在所述导电基板12远离键合层11的一侧层叠设置第二电极18，请参考图21，最终形成双发光波长的LED芯片。

综上所述，本实用新型采用多个外延发光结构堆叠的方式，并在多个发光结构连接处通过设置非掺杂覆盖层和绝缘层的特殊结构，实现高效多波长LED结构，还具有体积小、封装成本低的优点。本实用新型采用一次外延的制作方法，在发光结构连接处做特殊工艺处理，形成具有优异外延晶体质量的多波长外延结构，使得后续生长的发光结构的有源区能保持优异的性能。

可以理解的，本实用新型中所述的“上”、“下”等指示的方位或位置关系是基于附图所示的方位或位置关系，其仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此上述术语不能理解为对本实用新型的限制。

需要说明的是，本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。

对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本实用新型。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本实用新型的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本实用新型将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (9)

1.一种多波长LED外延结构，其特征在于，包括：

依次层叠的衬底、缓冲层和堆叠结构；

所述堆叠结构包括：多个发光结构、非掺杂覆盖层和绝缘层，所述发光结构包括依次层叠的N型导电层、有源层和P型导电层，多个发光结构依次层叠于所述缓冲层远离衬底的一侧且N型导电层靠近所述缓冲层设置；所述非掺杂覆盖层和绝缘层层叠且设于相邻两个发光结构之间，所述非掺杂覆盖层靠近所述缓冲层设置，所述绝缘层远离所述缓冲层设置。

2.根据权利要求1所述的多波长LED外延结构，其特征在于，所述堆叠结构还包括N型掺杂覆盖层，所述非掺杂覆盖层靠近所述缓冲层设置，所述N型掺杂覆盖层靠近所述绝缘层设置。

3.根据权利要求2所述的多波长LED外延结构，其特征在于，所述N型掺杂覆盖层的厚度小于所述非掺杂覆盖层的四分之一，所述N型掺杂覆盖层的厚度为1nm-500nm。

4.根据权利要求2所述的多波长LED外延结构，其特征在于，所述N型掺杂覆盖层的数量为多层，相邻N型掺杂覆盖之间设有所述非掺杂覆盖层。

5.根据权利要求1-4任意一项所述的多波长LED外延结构，其特征在于，所述发光结构的数量为两个，两个所述发光结构分别为第一发光结构和第二发光结构，所述第一发光结构的N型导电层、有源层和P型导电层分别为第一N型导电层、第一有源层和第一P型导电层，所述第二发光结构的N型导电层、有源层和P型导电层分别为第二N型导电层、第二有源层和第二P型导电层，所述第一发光结构、非掺杂覆盖层、绝缘层和第二发光结构构成所述堆叠结构。

6.一种多波长LED芯片，其特征在于，包括：

层叠的透明导电层和堆叠结构，所述堆叠结构包括依次层叠的第一发光结构、非掺杂覆盖层、绝缘层和第二发光结构，所述第一发光结构包括依次层叠的第一N型导电层、第一有源层和第一P型导电层，所述第二发光结构包括依次层叠的第二N型导电层、第二有源层和第二P型导电层，所述第一N型导电层和第二N型导电层靠近所述透明导电层设置；所述多波长LED芯片还包括：

自透明导电层向所述第二N型导电层延伸并显露所述第二N型导电层的第一通孔，所述第一通孔的侧壁设有隔离层；

设于所述透明导电层上并设于所述第一通孔内的第一电极，所述第一电极与所述第二N型导电层电连接；

自所述第二P型导电层向所述第一P型导电层延伸并显露所述第一P型导电层的第二通孔，所述第二通孔的侧壁设有隔离层；

设于所述第二P型导电层远离第二有源层的一侧并设于所述第二通孔内的联通层，所述联通层与所述第一P型导电层电连接；以及

依次层叠于所述联通层远离第二P型导电层一侧的反射层、键合层、导电基板和第二电极。

7.根据权利要求6所述的多波长LED芯片，其特征在于，还包括：

设于芯片侧壁且自所述透明导电层向所述第二N型导电层延伸并显露所述第二N型导电层的台阶，所述台阶的侧壁设有隔离层；

以及设于所述台阶和透明导电层上的第一扩展电极。

8.根据权利要求6所述的多波长LED芯片，其特征在于，所述第二通孔的数量为多个，多个第二通孔均匀且间隔分布。

9.根据权利要求6所述的多波长LED芯片，其特征在于，所述堆叠结构还包括N型掺杂覆盖层，所述非掺杂覆盖层靠近所述透明导电层设置，所述N型掺杂覆盖层靠近所述绝缘层设置。

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