CN211265415U - 半导体晶圆离子注入溅射工艺用的钨钼加工件 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供一种半导体晶圆离子注入溅射工艺用的钨钼加工件。所述半导体晶圆离子注入溅射工艺用的钨钼加工件包括上盖；底座，所述底座设于所述上盖的下方；前连接板，所述前连接板设于所述上盖与所述底座之间；后连接板，所述后连接板设于所述上盖和所述底座之间；左连接板，所述左连接板设于所述上盖与所述底座之间；右连接板，所述右连接板设于所述上盖和所述底座之间。本实用新型提供的半导体晶圆离子注入溅射工艺用的钨钼加工件金属钨和钼作为离子注入的溅射材料，耐高温，最高可达到2300度，增加使用寿命，提高了溅射的稳定作用。
Description
技术领域
本实用新型涉及半导体加工技术领域，尤其涉及一种半导体晶圆离子注入溅射工艺用的钨钼加工件。
背景技术
半导体晶圆离子注入溅射工艺用的零部件，主要是应用在半导体芯片原材料晶圆生产过程中的一个重要环节，利用离子注入机实现半导体的掺杂，改变半导体的导电性与晶体管结构。由于在离子注入时，离子源转换为电浆离子会产生2000℃以上的工作温度，离子束喷发的时候也会产生很大的离子动能，而传统的零部件材料为铝材料及铝合金材料的离子注入溅射材料，此时材料使用寿命短，稳定性较差。
因此，有必要提供一种新的半导体晶圆离子注入溅射工艺用的钨钼加工件解决上述技术问题。
实用新型内容
本实用新型解决的技术问题是提供一种采用金属钨和钼作为离子注入的溅射材料，耐高温，最高可达到2300度，增加使用寿命，提高了溅射的稳定作用的半导体晶圆离子注入溅射工艺用的钨钼加工件。
为解决上述技术问题，本实用新型提供的半导体晶圆离子注入溅射工艺用的钨钼加工件包括：上盖；底座，所述底座设于所述上盖的下方；前连接板，所述前连接板设于所述上盖与所述底座之间；后连接板，所述后连接板设于所述上盖和所述底座之间；左连接板，所述左连接板设于所述上盖与所述底座之间；右连接板，所述右连接板设于所述上盖和所述底座之间。
优选的，所述上盖和所述底座相互靠近的一侧均开设有两个横向卡槽和两个纵向卡槽，两个所述横向卡槽均与两个所述纵向卡槽相连通，所述左连接板和所述右连接板的底部分别与相应的纵向卡槽相适配，所述前连接板与所述后连接板的底部分别与相应的横向卡槽相适配。
优选的，所述横向卡槽与所述纵向卡槽夹角为90度。
优选的，所述上盖顶部为弧形结构，弧度为度，所述上盖上开设有椭圆形通孔。
优选的，所述前连接板和所述后连接板相互靠近的一侧均开设有两个竖直卡槽，所述左连接板和所述右连接板的两侧分别与相应的竖直卡槽相适配。
优选的，所述上盖、所述底座、所述前连接板、所述后连接板、所述左连接板和所述右连接板的材质均为金属钼或金属钨。
与相关技术相比较，本实用新型提供的半导体晶圆离子注入溅射工艺用的钨钼加工件具有如下有益效果：
本实用新型提供一种半导体晶圆离子注入溅射工艺用的钨钼加工件，采用金属钨和钼作为离子注入的溅射材料，耐高温，最高可达到2300度，增加使用寿命，提高了溅射的稳定作用，备料是采用轧机设备制造出一张金属钨或者金属钼整板，规格不限，市场有不同规格，所以无法确定正板的详细尺寸；然后把扎制好的整板放在线切割，或者是激光切割机上，进行切割成加工件的尺寸；然后在把切割好的板材放在平面磨床上，对板材的表面进行加工，磨光的粗糙度0.8-1.6；在把磨好的板子放在CNC机械加工中心或者是铣床进行加工，加工到市场要求的各种形状和规格，主要加工作用分为开槽，倒角，弧度，表面，扩孔，修边；将加工完成的产品在放在钻孔机上，对产品进行钻孔，钻孔的尺寸和位置都不一样，可以是各种位置，各种大小；钻完孔后，用超声波清洗机或者是自来水，或者是工业酒精对产品进行全方位的清洗；清洗完成后把产品放入一般的烘干箱中烘干就行，一般烘干的时间是3到15分钟，时间根据产品的尺寸来决定。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图；
图2为本实用新型的爆炸分解图。
图中标号：1、上盖，2、底座，3、前连接板，4、后连接板，5、左连接板，6、右连接板。
具体实施方式
下面结合附图和实施方式对本实用新型作进一步说明。
请结合参阅图1-2，其中，图1为本实用新型的结构示意图；图 2为本实用新型的爆炸分解图。半导体晶圆离子注入溅射工艺用的钨钼加工件包括：上盖1；底座2，所述底座2设于所述上盖1的下方；前连接板3，所述前连接板3设于所述上盖1与所述底座2之间；后连接板4，所述后连接板4设于所述上盖1和所述底座2之间；左连接板5，所述左连接板5设于所述上盖1与所述底座2之间；右连接板6，所述右连接板6设于所述上盖1和所述底座2之间。
所述上盖1和所述底座2相互靠近的一侧均开设有两个横向卡槽和两个纵向卡槽，两个所述横向卡槽均与两个所述纵向卡槽相连通，所述左连接板5和所述右连接板6的底部分别与相应的纵向卡槽相适配，所述前连接板3与所述后连接板4的底部分别与相应的横向卡槽相适配。
所述横向卡槽与所述纵向卡槽夹角为90度。
所述上盖1顶部为弧形结构，两头厚，中间薄弧度为40度，所述上盖1上开设有椭圆形通孔。
所述前连接板3和所述后连接板4相互靠近的一侧均开设有两个竖直卡槽，所述左连接板5和所述右连接板6的两侧分别与相应的竖直卡槽相适配。
所述上盖1、所述底座2、所述前连接板3、所述后连接板4、所述左连接板5和所述右连接板6的材质均为金属钼或金属钨。
所述前连接板3、所述后连接板4、所述左连接板5和所述右连接板6均其连接作用。
上盖1部分由金属钨或钼的板材料加工成行尺寸不等，内表面、外表面；所述内表面3的外壁61与内壁62具有一定的倾斜角度a，通常介于43～46度，该角度不宜太小，太小易产生清洗死角，盖板的外直径较小的时候a可适度大一些，反之则小一些，本实施例优选为45度；所述内表面3内凹的深度h通常为0.8mm～1.2mm，本实施例优选为1mm，所述盖板厚度J介于为2.75mm～3.75mm，本实施例优选为2.85mm。所述盖板的外直径(图中未标出，即外形尺寸) 为13.5mm(小规格)或31.5mm(较大的规格)；所述外表面4的曲率半径R优选为36.5mm。因所述所述注液孔1、中心孔2的孔径通常不变，若不考虑误差所述中心孔2的孔径优选为3.9mm，所述注液孔1 的孔径为1.12mm。所述注液孔1和中心孔2之间的孔距L和所述盖板的外直径的比值保持为1:3即可。所述盖板的材料优选为不锈钢、钢材、钛或钛合金。
本实用新型提供的半导体晶圆离子注入溅射工艺用的钨钼加工件的加工方法如下：
包括备料、切割分料、平面磨、铣床加工、钻孔、清洗、烘干的步骤；
所述备料的步骤，是依据盖板的不同规格合理选择整张材料备料，备料可以是金属钨，金属钼，含量为99.95以上的板材料；
所述切割分料的步骤，是采用线切割，激光切割对整张备料进行剪切分料形成所需要尺寸的板块；
所述平面磨的步骤，是利用平面磨床对板材料进行六个表面的光洁度提高。
所述铣的步骤，是利用CNC加工中心或者普通铣床来加工各种规格尺寸的卡槽，倒角，弧度，表面。
所述钻孔的步骤，是对所述加工件的开孔，不同大小的孔。
所述清洗的步骤，是用酒精或者是水对表面进行清洗，或者是超声波清洗。
所述烘干的步骤，加工件清洗完成后，将加工件放进烘干机，烘干时间为2到15分钟，根据加工件的大小来制定时间。
与相关技术相比较，本实用新型提供的半导体晶圆离子注入溅射工艺用的钨钼加工件具有如下有益效果：
本实用新型提供一种半导体晶圆离子注入溅射工艺用的钨钼加工件，备料是采用轧机设备制造出一张金属钨或者金属钼整板，规格不限，市场有不同规格，所以无法确定正板的详细尺寸。然后把扎制好的整板放在线切割，或者是激光切割机上，进行切割成加工件的尺寸。然后在把切割好的板材放在平面磨床上，对板材的表面进行加工， 0.8-1.6。在把磨好的板子放在CNC机械加工中心或者是铣床进行加工，加工到市场要求的各种形状和规格，主要加工作用分为开槽，倒角，弧度，表面，扩孔，修边。将加工完成的产品在放在钻孔机上，对产品进行钻孔，钻孔的尺寸和位置都不一样，可以是各种位置，各种大小。钻完孔后，用超声波清洗机或者是自来水，或者是工业酒精对产品进行全方位的清洗。清洗完成后把产品放入一般的烘干箱中烘干就行，一般烘干的时间是3到15分钟，时间根据产品的尺寸来决定。
以上所述仅为本实用新型的实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其它相关的技术领域，均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。
Claims (6)
1.一种半导体晶圆离子注入溅射工艺用的钨钼加工件，其特征在于，包括：
上盖；
底座，所述底座设于所述上盖的下方；
前连接板，所述前连接板设于所述上盖与所述底座之间；
后连接板，所述后连接板设于所述上盖和所述底座之间；
左连接板，所述左连接板设于所述上盖与所述底座之间；
右连接板，所述右连接板设于所述上盖和所述底座之间。
2.根据权利要求1所述的半导体晶圆离子注入溅射工艺用的钨钼加工件，其特征在于，所述上盖和所述底座相互靠近的一侧均开设有两个横向卡槽和两个纵向卡槽，两个所述横向卡槽均与两个所述纵向卡槽相连通，所述左连接板和所述右连接板的底部分别与相应的纵向卡槽相适配，所述前连接板与所述后连接板的底部分别与相应的横向卡槽相适配。
3.根据权利要求2所述的半导体晶圆离子注入溅射工艺用的钨钼加工件，其特征在于，所述横向卡槽与所述纵向卡槽夹角为90度。
4.根据权利要求1所述的半导体晶圆离子注入溅射工艺用的钨钼加工件，其特征在于，所述上盖顶部为弧形结构，弧度为度，所述上盖上开设有椭圆形通孔。
5.根据权利要求1所述的半导体晶圆离子注入溅射工艺用的钨钼加工件，其特征在于，所述前连接板和所述后连接板相互靠近的一侧均开设有两个竖直卡槽，所述左连接板和所述右连接板的两侧分别与相应的竖直卡槽相适配。
6.根据权利要求1所述的半导体晶圆离子注入溅射工艺用的钨钼加工件，其特征在于，所述上盖、所述底座、所述前连接板、所述后连接板、所述左连接板和所述右连接板的材质均为金属钼或金属钨。
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2019
- 2019-12-25 CN CN201922362451.0U patent/CN211265415U/zh active Active
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