CN211152314U - 电元件、致动器以及通信装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供一种即使在使基底基材变薄的情况下也能够抑制霍尔元件的灵敏度的变化的电元件、以及具备该电元件的致动器和通信装置。一种电元件(1),线圈(2)和霍尔元件(3)连接于一个基底基材(4),基底基材(4)由具有可挠性的树脂基材构成,具有厚度薄的第一区域(R1)和厚的第二区域(R2),线圈(2)在第一区域(R1)进行连接,霍尔元件(3)与第二区域(R2)连接,线圈(2)由绝缘基材和导体图案(20、21)形成,形成线圈(2)的绝缘基材和基底基材(4)由相同种类的树脂基材构成。
Description
技术领域
本实用新型涉及电元件、致动器以及通信装置。
背景技术
以前,提出了使用电磁铁构成的致动器,该电磁铁经多层形成了由导体图案构成的线圈。
例如,在专利文献1中,在作为四边形的框体状的绝缘基材的印刷线圈基板的四个边设置导体图案的线圈,准备多个这样的印刷线圈基板并进行层叠,由此形成层叠线圈。而且,在专利文献1中,通过使该层叠线圈与配置为可移动的永久磁铁的下表面对置,从而构成了致动器。
在先技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2016-191849号公报
实用新型内容
实用新型要解决的课题
然而,专利文献1的电元件由于配置霍尔元件的基底基材被层叠而构成得厚,所以并不适合用于例如有薄型化的趋势的便携式设备等。另一方面,在为了用于便携式设备等而使基底基材变薄的情况下,由于基底基材变形而对霍尔元件的封装件施加应力,其结果是,存在霍尔元件的灵敏度变化这样的问题。
本实用新型的课题在于,提供一种即使在使基底基材变薄的情况下也能够抑制霍尔元件的灵敏度的变化的电元件。
用于解决课题的技术方案
(1)本实用新型提供一种电元件,线圈和霍尔元件连接于一个基底基材,所述电元件的特征在于,所述基底基材由具有可挠性的树脂基材构成,具有厚度薄的第一区域和厚的第二区域,所述线圈在所述第一区域进行连接,所述霍尔元件与所述第二区域连接,所述线圈由绝缘基材和导体图案形成,形成所述线圈的绝缘基材和所述基底基材由相同种类的树脂基材构成。
(2)优选地,在上述(1)中,配置有霍尔元件,使得在高度方向上至少一部分与线圈形成区域重叠。
(3)优选地,在上述(1)或(2)中,所述基底基材在所述第一区域被折弯。
(4)优选地,在上述(3)中,所述基底基材在所述第一区域被折弯,并被装配于外部的装配部。
(5)优选地,在上述(1)~(4)中,所述第一区域和所述第二区域中的至少一者设置有多个。
(6)优选地,在上述(5)中,所述霍尔元件配置在被所述线圈夹着的区域。
(7)优选地,在上述(3)~(6)中,从配置有所述线圈的区域观察,被折弯的所述第一区域是配置有所述霍尔元件的区域的相反侧。
(8)优选地,在上述(1)~(7)中,在所述线圈的内侧配置有所述霍尔元件。
(9)本实用新型还提供一种致动器,其特征在于,具备上述(1)~ (7)中的任一项所述的电元件。
(10)本实用新型还提供一种通信装置,其特征在于,具备上述(1) ~(7)中的任一项所述的电元件。
实用新型效果
根据本实用新型,即使在使基底基材变薄的情况下也能够抑制霍尔元件的灵敏度的变化。
附图说明
图1的(A)是示意性地示出本实用新型的第一实施方式涉及的电元件的构造的侧视剖视图,图1的(B)是示意性地示出图1的(A)的线圈的俯视图。
图2的(A)、图2的(B)是用于说明线圈2的制造方法的图。
图3是用于说明第一实施方式的电元件的制造方法的图。
图4是示意性地示出本实用新型的第二实施方式中的电元件的构造的侧视剖视图。
图5的(A)是示意性地示出本实用新型的第三实施方式中的电元件的构造的侧视剖视图,图5的(B)是示意性地示出本实用新型的第三实施方式中的电元件的俯视图。
图6是示意性地示出本实用新型的第四实施方式中的构成线圈的各层中的绝缘基材的俯视图。
图7的(A)是示意性地示出第四实施方式中的电元件的俯视图,图 7的(B)是示意性地示出第四实施方式中的电元件的侧视剖视图。
图8是示意性地示出本实用新型的应用例的致动器的侧视剖视图。
图9是示意性地示出本实用新型的应用例的通信装置的侧视剖视图。
具体实施方式
以下,参照附图对用于实施本实用新型的各种实施方式进行说明。在各附图中,对具有相同的功能的对应的构件标注相同的附图标记。考虑到要点的说明或理解的容易性,方便起见,将实施方式分开示出,但是能够进行在不同的实施方式中示出的结构的部分置换或组合。在第二实施方式以后,省略关于与第一实施方式共同的事项的记述,仅对不同点进行说明。特别是,关于基于同样的结构的同样的作用效果,将不在每个实施方式中逐次提及。
在所有的图中,将绝缘基材的厚度方向,即,层叠方向表示为Z轴方向,在与Z轴正交的平面,将与永久磁铁移动的方向对应的长度方向表示为X轴方向,将与其正交的宽度方向表示为Y轴方向。
<第一实施方式>
图1的(A)是示意性地示出本实用新型的第一实施方式涉及的电元件1的构造的侧视剖视图,图1的(B)是示意性地示出图1的(A)的线圈2的俯视图。图1的(A)的线圈2示出了图1的(B)中的A-A’剖面。
本实施方式的电元件1具备线圈2、霍尔元件3、以及基底基材4。电元件1例如用于致动器或RFID(Radio Frequency Identifier,射频标签) 读取器等。
线圈2由导体图案20、21和绝缘基材2a、2b、2c(参照图2的(A)。) 形成。图2的(A)、图2的(B)是用于说明线圈2的制造方法的图。首先,如图2的(A)所示,准备在单面的整个面贴附了铜箔的3片绝缘基材2a、2b、2c。作为绝缘基材2a、2b、2c,例如,能够使用像液晶聚合物(LCP:Liquid Crystal Polymer)那样的热塑性树脂。接着,通过光刻等图案化处理,形成导体图案20、21以及电极22。另外,关于导体图案20、 21,从Z轴方向观察形成在绝缘基材2a、2b的下表面,关于电极22,从 Z轴方向观察形成在绝缘基材2c的下表面。接着,从未贴附导体图案20、 21的铜箔的绝缘基材2a、2b的上表面侧,以及从未贴附电极22的铜箔的绝缘基材2c的上表面侧,通过激光加工等,形成贯通了绝缘基材2a、2b、 2c的通孔。在该通孔填充包含以Sn-Cu合金为代表的导电性材料的导电性膏。
接着,对形成了导体图案20、21以及电极22并在通孔填充了导电性膏的绝缘基材2a、2b、2c进行层叠,通过加热压制等使其一体化。此时,填充到通孔的导电性膏也被加热而固化,形成将各绝缘基材的导体图案电连接的层间连接导体6a、6b、6c、6d。通过层间连接导体6a、6b、6c、6d,导体图案20、21以及电极22被电连接。像以上那样,形成如图2的(B) 所示的线圈2。
如图2的(A)所示,导体图案20、21在绝缘基材2a、2b的下表面被卷绕两匝而形成矩形的线圈。导体图案20的端部20a经由层间连接导体6b、6c与电极22连接。此外,导体图案21的端部21a经由层间连接导体6d与电极22连接。电极22经由后述的基底基材4的电极41与电流的供给源连接。
霍尔元件3对磁场进行检测,并输出与其大小成比例的模拟信号。用于与电元件1对置地配置的构件等的位置检测。霍尔元件3可以用树脂进行封装,或者也可以用硅酮树脂或环氧树脂等进行灌封。或者,霍尔元件 3也可以被氧化锆制等的覆盖件覆盖。在本实施方式中,作为一个例子,作为霍尔元件而使用了进行了树脂封装的霍尔元件。如图1的(A)所示,在从Z轴方向观察的霍尔元件3的下表面,设置有用于导出从霍尔元件3 输出的模拟信号的电极30。
基底基材4由与形成线圈2的绝缘基材2a、2b、2c相同种类的树脂基材形成。例如,能够使用像液晶聚合物(LCP:Liquid Crystal Polymer) 那样的热塑性树脂来形成基底基材4。如图1的(A)所示,本实施方式的基底基材4具有Z轴方向上的厚度薄的第一区域R1和厚的第二区域R2。厚的第二区域R2例如通过如下方式来形成,即,在与厚的第二区域R2 相当的部分层叠液晶聚合物,并通过加热压制等使其一体化。此外,在本实施方式中,在从Z轴方向观察的基底基材4的上表面形成有与线圈2的电极22对应的电极41和与霍尔元件3的电极30对应的电极42。电极41、 42例如由铜箔形成。
本实施方式的基底基材4能够通过下述那样的制造方法来形成。首先,准备在单面的整个面贴附了铜箔的两片树脂基材。接着,通过光刻等图案化处理,形成电极41、电极42以及省略图示的布线图案。接着,将形成了电极41以及布线图案的树脂基材和形成了电极42以及布线图案的树脂基材层叠在与厚的第二区域R2对应的位置,并通过加热压制等使其一体化。像以上那样,形成基底基材4。
在本实施方式中,基底基材4的第一区域R1的厚度设定为80μm,厚的第二区域R2的厚度设定为130μm。不过,这些厚度是一个例子,能够根据电元件1的用途等而适当地进行变更。
图3是用于说明本实施方式的电元件1的制造方法的图。如图3所示,首先,准备像上述的那样制造的基底基材4、像上述的那样制造的线圈2、以及霍尔元件3。接着,使用焊料7(参照图1的(A)。)对线圈2的电极22和基底基材4的电极41进行焊接,并使用焊料7(参照图1的(A)。) 对霍尔元件3的电极30和基底基材4的电极42进行焊接。
像以上那样,可制造线圈2与基底基材4的薄的第一区域R1连接且霍尔元件3与基底基材4的厚的第二区域R2连接的电元件1。像这样制造的电元件1通过对线圈2的导体图案20、21供给电流,从而产生从线圈2的上表面朝向下表面或者从下表面朝向上表面的方向的磁场。能够使用该磁场而利用为致动器或通信装置。此外,通过将线圈2用作天线,从而能够利用为通信装置。
在本实施方式中,电元件1的基底基材4由具有可挠性的树脂基材形成,因此能够谋求薄型化,并且,通过基底基材4的变形,能够使得向各种装置的装配变得容易。此外,电元件1的连接了霍尔元件3的区域成为基底基材4的厚的第二区域R2,因此霍尔元件3的连接部变得不易变形,能够抑制由于基底基材4的变形而产生的应力传递到霍尔元件3,能够防止霍尔元件3的灵敏度变化。
此外,在本实施方式中,用与形成线圈2的绝缘基材相同种类的可挠性的树脂基材形成了基底基材4,因此在将线圈2安装到基底基材4之后,能够使得不易产生由热收缩等造成的应变,还能够使得起因于应变的应力不易传递到霍尔元件3。其结果是,能够防止霍尔元件3的灵敏度变化。
进而,在本实施方式中,通过将霍尔元件3与基底基材4的厚的第二区域R2连接,从而如图1的(A)所示,能够配置为,在高度方向(Z轴方向)上,霍尔元件3的至少一部分与线圈形成区域B重叠,能够提高霍尔元件3的灵敏度。
像以上那样,根据本实施方式,将线圈2与基底基材4的薄的第一区域R1连接,将霍尔元件3与基底基材4的厚的第二区域R2连接,因此能够在实现电元件1的薄型化的同时抑制由于基底基材4的变形而产生的应力传递到霍尔元件3,能够防止霍尔元件3的灵敏度变化。
<变形例>
虽然在本实施方式中,作为一个例子,对将基底基材4的薄的第一区域R1设为一层的树脂基材并将基底基材4的厚的第二区域R2设为两层的树脂基材的方式进行了说明,但是本实用新型并不限定于这样的方式,各区域的层叠数能够适当地进行变更。
虽然在本实施方式中,作为一个例子,对由3层绝缘基材2a、2b、2c 构成线圈2的方式进行了说明,但是本实用新型并不限定于这样的方式,线圈2的层叠数能够适当地进行变更。
虽然在本实施方式中,作为一个例子,对由导体图案20、21形成矩形的线圈的方式进行了说明,但是本实用新型并不限定于这样的方式,线圈的形状也可以是圆形或椭圆状等。
此外,虽然在本实施方式中,作为一个例子,对将导体图案20、21 的匝数设为两匝的方式进行了说明,但是本实用新型并不限定于这样的方式,匝数能够适当地进行变更。此外,也可以将导体图案20、21的匝数设为多个,并使各自的匝数不同。在该情况下,优选使线圈2的上表面侧的导体图案20的匝数比导体图案21的匝数多。
虽然在本实施方式中,作为一个例子,对使导体图案20、21的线宽相等的方式进行了说明,但是本实用新型并不限定于这样的方式,也可以使导体图案20的线宽与导体图案21的线宽不同。
<第二实施方式>
接着,参照附图对本实用新型的第二实施方式进行说明。图4是示意性地示出本实施方式中的电元件1A的构造的侧视剖视图。
本实施方式的电元件1A与第一实施方式的不同之处在于,基底基材 4在薄的第一区域R1-2处被折弯。如图4所示,在本实施方式的电元件 1A中,基底基材4中的薄的第一区域设置在第一区域R1-1以及第一区域 R1-2这两处,此外,厚的第二区域设置在第二区域R2-1以及第二区域R2-2 这两处。连接有线圈2的薄的第一区域R1-1和连接有霍尔元件3的厚的第二区域R2-1分别与第一实施方式的第一区域R1、第二区域R2相同。但是,在本实施方式的电元件1A中,如图4所示,以配置有霍尔元件3 的厚的第二区域R2-1为中心,在X轴方向的负方向侧设置有配置了线圈 2的薄的第一区域R1-1,并且在X轴方向的正方向侧设置有薄的第一区域 R1-2。在设置于比第二区域R2-1靠X轴方向的正方向侧的薄的第一区域 R1-2中,基底基材4被折弯。
此外,在本实施方式的电元件1A中,在基底基材4被折弯的薄的第一区域R1-2的折弯方向侧设置有厚的第二区域R2-2,在该第二区域R2-2 连接有作为外部的装配部的连接器8。
在本实施方式中,基底基材4也由与形成线圈2的绝缘基材2a、2b、 2c相同种类的液晶聚合物等树脂基材形成。本实施方式的基底基材4中的两处厚的第二区域R2-1、R2-2例如通过如下方式来形成,即,由单层的树脂基材构成薄的第一区域R1-1、R1-2,在与两处厚的第二区域R2-1、R2-2相当的部分层叠树脂基材,并通过加热压制等使其一体化。此外,在本实施方式中,在基底基材4的上表面,如图4所示,除了电极41、42 以外,还形成有与连接器8的电极80对应的电极43。电极43与电极41、 42同样地,例如由铜箔形成。
本实施方式的基底基材4能够通过下述那样的制造方法来形成。首先,准备在单面的整个面贴附了铜箔的3片树脂基材。接着,通过光刻等图案化处理,形成电极41、电极42、电极43以及省略图示的布线图案。接着,在与两处厚的第二区域R2-1、R2-2对应的位置层叠形成了电极41以及布线图案的树脂基材和形成了电极42以及布线图案的树脂基材、以及形成了电极43以及布线图案的树脂基材,并通过加热压制等使其一体化。像以上那样,形成基底基材4。
在本实施方式中,基底基材4的第一区域R1-1、R1-2的厚度设定为 80μm,连接霍尔元件3的厚的第二区域R2-1的厚度设定为130μm。此外,连接连接器8的厚的第二区域R2-2的厚度设定为130μm。不过,这些厚度是一个例子,能够根据电元件1A的用途等而适当地进行变更。
在本实施方式中,在像以上那样制造的基底基材4与第一实施方式同样地通过焊料7对线圈2和霍尔元件3进行焊接。接着,通过焊料7对形成在基底基材4的电极43和连接器8的电极80进行焊接。然后,将比连接有线圈2的薄的第一区域R1-1靠X轴方向的正方向侧的薄的第一区域 R1-2折弯,并将连接有线圈2的薄的第一区域R1-1和连接有霍尔元件3 的厚的第二区域R2-1装配在给定位置。
在本实施方式中,在像以上那样装配电元件1A时,进行基底基材4 的折弯加工,而进行折弯加工的区域是薄的第一区域R1-2,因此能够容易地进行折弯加工。此外,霍尔元件3与厚的第二区域R2-1连接,因此即使在进行以上那样的折弯加工的情况下,也能够使得由折弯加工造成的应力不易传递到霍尔元件3。其结果是,能够防止霍尔元件3的灵敏度变化。
此外,在像本实施方式这样将基底基材4折弯并装配于连接器8等外部的装配部的情况下,可认为产生了内部应力或者残留应力,但是由于霍尔元件3与厚的第二区域R2-1连接,所以能够使得以上那样的内部应力或者残留应力不易传递到霍尔元件3。其结果是,能够防止霍尔元件3的灵敏度变化。
进而,在本实施方式中,与连接器8的连接部设为厚的第二区域R2-2,因此能够抑制与连接器8的接合不良。
<变形例>
虽然在本实施方式中,作为一个例子,对将薄的第一区域设为第一区域R1-1以及第一区域R1-2这两处并将厚的第二区域设为第二区域R2-1 以及第二区域R2-2这两处的方式进行了说明,但是本实用新型并不限定于这样的方式,设置薄的第一区域以及厚的第二区域的部位数能够适当地进行变更。
虽然在本实施方式中,作为一个例子,对将基底基材4的薄的第一区域R1设为一层的树脂基材并将两处厚的第二区域R2-1、R2-2设为两层的树脂基材的方式进行了说明,但是本实用新型并不限定于这样的方式,各区域的层叠数能够适当地进行变更。
在本实施方式中,由导体图案20、21构成的线圈的形状也不限定于矩形的线圈,导体图案20、21的匝数也不限定于两匝。此外,导体图案 20、21的线宽也能够适当地进行变更。
<第三实施方式>
接着,参照附图对本实用新型的第三实施方式进行说明。图5的(A) 是示意性地示出本实施方式中的电元件1B的构造的侧视剖视图。图5的 (B)是示意性地示出本实施方式中的电元件1B的构造的俯视图。图5 的(A)示出了图5的(B)中的A-A’剖面。
本实施方式的电元件1B与第二实施方式的不同之处在于,在基底基材4连接了两个线圈2。如图5的(A)所示,在本实施方式的电元件1B 中,在X轴方向上,在连接有霍尔元件3的厚的第二区域R2-1的两侧,设置有两处薄的第一区域R1-1、R1-3,在这两处薄的第一区域R1-1、R1-3 分别连接有线圈2。换言之,在被与两处线圈2的连接部夹着的位置设置有霍尔元件3的连接部。进而,在X轴方向上,从连接有霍尔元件3的厚的第二区域R2-1观察,连接线圈2的薄的第一区域R1-1、R1-3的外侧的薄的第一区域R1-4、R1-5被折弯。
在本实施方式中,基底基材4也由与形成线圈2的绝缘基材2a、2b、2c相同种类的液晶聚合物等树脂基材形成。本实施方式的基底基材4中的两处厚的第二区域R2-1例如通过如下方式来形成,即,由单层的树脂基材构成薄的第一区域R1-1、R1-3、R1-4、R1-5,在与厚的第二区域R2-1 相当的部分层叠树脂基材,并通过加热压制等使其一体化。此外,在本实施方式中,在基底基材4的上表面,如图5的(A)所示,与两个线圈2 对应地,在各个薄的第一区域R1-1、R1-3形成有电极41。
本实施方式的基底基材4能够通过下述那样的制造方法来形成。首先,准备在单面的整个面贴附了铜箔的两片树脂基材。接着,通过光刻等图案化处理,形成电极41、电极42以及省略图示的布线图案。此时,关于电极41,像上述的那样与两个线圈2对应地形成在各个薄的第一区域R1-1、 R1-3。接着,将形成了电极41以及布线图案的树脂基材和形成了电极42 以及布线图案的树脂基材在与厚的第二区域R2-1对应的位置进行层叠,并通过加热压制等使其一体化。像以上那样,形成基底基材4。
在本实施方式中,在像以上那样制造的基底基材4与第一实施方式同样地通过焊料7焊接霍尔元件3,并通过焊料7焊接两个线圈2。接着,将两端部的薄的第一区域R1-4、R1-5折弯,并将电元件1B装配在给定的位置。
在本实施方式中,在像以上那样装配电元件1B时,进行基底基材4 的折弯加工,而如图5的(A)、图5的(B)所示,在被两个线圈2的安装部夹着的位置配置了霍尔元件3,因此能够抑制伴随着折弯加工的应力的产生,能够防止霍尔元件3的灵敏度变化。此外,进行折弯加工的区域是薄的第一区域R1-4、R1-5,因此能够容易地进行折弯加工。进而,在折弯加工后,即使在霍尔元件3的安装部的附近产生了变形,也能够抑制伴随着变形的应力的产生,能够防止霍尔元件3的灵敏度变化。
<变形例>
虽然在本实施方式中,作为一个例子,对将两个线圈2装配于基底基材4的方式进行了说明,但是本实用新型并不限定于这样的方式,也可以装配线圈2和线圈2以外的IC等部件。
在本实施方式中,作为一个例子,对如下的方式进行了说明,即,将作为线圈2的安装部的薄的第一区域R1-1、R1-3设为两处,将作为霍尔元件3的安装部的厚的第二区域R2-1设为一处,以及将作为折弯部的薄的第一区域R1-4、R1-5设为两处。但是,本实用新型并不限定于这样的方式,设置各区域的部位数能够适当地进行变更。
虽然在本实施方式中,作为一个例子,对将基底基材4的薄的第一区域R1-1、R1-3、R1-4、R1-5设为一层的树脂基材并将厚的第二区域R2-1 设为两层的树脂基材的方式进行了说明,但是本实用新型并不限定于这样的方式,各区域的层叠数能够适当地进行变更。
在本实施方式中,由导体图案20、21构成的线圈的形状也不限定于矩形的线圈,导体图案20、21的匝数也不限定于两匝。此外,导体图案 20、21的线宽也能够适当地进行变更。
<第四实施方式>
接着,参照附图对本实用新型的第四实施方式进行说明。图6是示意性地示出本实施方式中的构成线圈2的各层中的绝缘基材2a、2b、2c的俯视图。图7的(A)是示意性地示出本实施方式中的电元件1C的俯视图,图7的(B)是示意性地示出本实施方式中的电元件1C的侧视剖视图。图7的(B)示出了图7的(A)中的A-A’剖面。
如图6所示,本实施方式的电元件1C中的线圈2与第一实施方式的不同之处在于,利用在中央部形成了贯通孔9的绝缘基材2a、2b、2c而形成。关于线圈2的制造方法,与第一实施方式相同,只要将绝缘基材2a、 2b、2c层叠而使得贯通孔9重叠,并通过加热压制等进行一体化即可。
此外,如图7的(B)所示,在本实施方式中的基底基材4中,在X 轴方向上,在形成与线圈2的两处电极22对应的两处电极41的薄的第一区域R1-6、R1-7之间,设置连接霍尔元件3的厚的第二区域R2-1。基底基材4与上述的各实施方式同样地,由与形成线圈2的绝缘基材2a、2b、 2c相同种类的液晶聚合物等树脂基材形成。本实施方式的基底基材4中的厚的第二区域R2-1例如通过如下方式来形成,即,由单层的树脂基材构成薄的第一区域R1-6、R1-7,在与厚的第二区域R2-1相当的部分层叠树脂基材,并通过加热压制等使其一体化。
本实施方式的基底基材4能够通过下述那样的制造方法来形成。首先,准备在单面的整个面贴附了铜箔的两片树脂基材。接着,通过光刻等图案化处理,形成两处电极41、电极42以及省略图示的布线图案。此时,两处电极41之间隔开,使得能够形成霍尔元件3的安装部。接着,在形成了两处电极41的树脂基材上,层叠形成了电极42以及布线图案的树脂基材,使得位于两处电极41之间,并通过加热压制等使其一体化。像以上那样,形成基底基材4。
在本实施方式中,在像以上那样制造的基底基材4与第一实施方式同样地通过焊料7焊接霍尔元件3。接着,通过焊料7将线圈2焊接于基底基材4,使得霍尔元件3配置在线圈2的贯通孔9内。
在本实施方式中,像以上那样,在线圈2的内侧形成厚的第二区域 R2-1并配置了霍尔元件3,因此在安装了线圈2之后,能够使得霍尔元件 3的周围不易变形,能够抑制伴随着应力的产生的霍尔元件3的灵敏度变化。
<变形例>
在本实施方式中,也可以与第二实施方式以及第三实施方式同样地设置折弯部。折弯部优选设为薄的第一区域R1。
虽然在本实施方式中,作为一个例子,对将基底基材4的薄的第一区域R1-6、R1-7设为一层的树脂基材并将厚的第二区域R2-1设为两层的树脂基材的方式进行了说明,但是本实用新型并不限定于这样的方式,各区域的层叠数能够适当地进行变更。
在本实施方式中,由导体图案20、21构成的线圈的形状也不限定于矩形的线圈,导体图案20、21的匝数也不限定于两匝。此外,导体图案 20、21的线宽也能够适当地进行变更。
<应用例>
上述的实施方式的电元件1、1A、1B、1C能够应用于各种设备。例如,如图8所示,能够用于致动器35。图8是示意性地示出应用例的致动器35的侧视剖视图。如图8所示,致动器35在第三实施方式中说明的电元件1C的上方(Z轴方向)设置为移动体10能够向X轴方向的正方向以及负方向移动。在移动体10的Z轴方向上的下表面,设置有两个永久磁铁11。在这样的致动器35中,通过对线圈2的导体图案20、21供给电流,从而从线圈2产生磁场,利用电磁力和永久磁铁11的斥力以及吸引力,能够使移动体10向X轴方向的正方向以及负方向移动。
另外,在构成这样的致动器时,也能够使用在第三实施方式中说明的电元件1C以外的其它实施方式的电元件。
此外,例如,如图9所示,上述的实施方式的电元件1、1A、1B、1C 能够用于通信装置40。图9是示意性地示出应用例的通信装置40的侧视剖视图。在图9所示的通信装置40中,将在第一实施方式中说明的电元件1用作RFID读取器。在该通信装置40中,通过将RF标签50拿到作为RFID读取器的电元件1的上方(Z轴方向),从而能够用霍尔元件3 对RF标签50的位置进行检测,并且通过作为RFID读取器的电元件1读取标签信息。
另外,在构成这样的通信装置时,也能够使用在第一实施方式中说明的电元件1以外的其它实施方式的电元件。
此外,在上述的例子以外,还能够将本实用新型应用于使用磁场耦合的各种装置。
上述的实施方式的说明在所有的方面均为例示,并不是限制性的。对本领域技术人员而言,能够适当地进行变形以及变更。本实用新型的范围不是由上述的实施方式示出,而是由权利要求书示出。进而,本实用新型的范围包含从与权利要求书等同的范围内的实施方式的变更。
产业上的可利用性
本实用新型能够利用于使用了电磁铁的电元件、以及使用了该电元件的致动器、或者RFID读取器等通信装置的领域。
附图标记说明
1、1A、1B、1C:电元件;
2:线圈;
3:霍尔元件;
4:基底基材;
8:连接器;
20、21:导体图案;
30:致动器;
40:通信装置;
R1:第一区域;
R1-1~R1-7:第一区域;
R2:第二区域;
R2-1、R2-2:第二区域。
Claims (10)
1.一种电元件,线圈和霍尔元件连接于一个基底基材,所述电元件的特征在于,
所述基底基材由具有可挠性的树脂基材构成,
具有厚度薄的第一区域和厚的第二区域,
所述线圈在所述第一区域进行连接,
所述霍尔元件与所述第二区域连接,
所述线圈由绝缘基材和导体图案形成,
形成所述线圈的绝缘基材和所述基底基材由相同种类的树脂基材构成。
2.根据权利要求1所述的电元件,其特征在于,
配置有霍尔元件,使得在高度方向上至少一部分与线圈形成区域重叠。
3.根据权利要求1或2所述的电元件,其特征在于,
所述基底基材在所述第一区域被折弯。
4.根据权利要求3所述的电元件,其特征在于,
所述基底基材在所述第一区域被折弯,并被装配于外部的装配部。
5.根据权利要求1或2所述的电元件,其特征在于,
所述第一区域和所述第二区域中的至少一者设置有多个。
6.根据权利要求5所述的电元件,其特征在于,
所述霍尔元件配置在被所述线圈夹着的区域。
7.根据权利要求3所述的电元件,其特征在于,
从配置有所述线圈的区域观察,被折弯的所述第一区域是配置有所述霍尔元件的区域的相反侧。
8.根据权利要求1或2所述的电元件,其特征在于,
在所述线圈的内侧配置有所述霍尔元件。
9.一种致动器,其特征在于,
具备权利要求1~7中的任一项所述的电元件。
10.一种通信装置,其特征在于,
具备权利要求1~7中的任一项所述的电元件。
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