CN210974859U - 一种氧化铌靶材 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供了一种氧化铌靶材,包括铜板,所述铜板包括正面和背面,所述铜板的正面设有嵌合槽,所述嵌合槽内嵌合有由若干块氧化铌拼接而成的靶材,所述靶材与嵌合槽槽底之间设有一层金属铟,沿着所述铜板边沿设有若干固定通孔,所述铜板的背面设有水冷槽。本实用新型靶材结构简单、设计合理,可满足对靶材较大尺寸的要求,此外,铜板和水冷槽的设计使得靶材的散热效果好,从而可防止溅射过程中靶材龟裂甚至断裂而影响溅射。
Description
技术领域
本实用新型涉及磁控溅射技术领域,具体而言,涉及一种氧化铌靶材。
背景技术
氧化铌溅射靶材是制备高折射率薄膜的溅射材料,应用在液晶显示器(LCD)、等离子显示器(PDP)、触摸屏(Touch Panel)、光学镜片等方面。随着半导体技术的迅猛发展,以及为了达到更好的溅射效果,对靶材的尺寸要求也相应增长(有时其长度需达到1米以上),因现有设备限制且为了生产方便,现有的靶材的尺寸较小(一般长度为0.2~0.4米)无法满足一些溅射镀膜要求,此外,氧化铌靶材在溅射过程中的因断裂而影响后续溅射也是亟待解决的一个问题。
鉴于此,本申请发明人发明了一种氧化铌靶材。
发明内容
本实用新型的目的在于提供一种结构简单、设计合理,可有效防止靶材龟裂甚至断裂的氧化铌靶材。
为实现上述目的,本实用新型采用以下技术方案:一种氧化铌靶材,包括铜板,所述铜板包括正面和背面,所述铜板的正面设有嵌合槽,所述嵌合槽内嵌合有由若干块氧化铌拼接而成的靶材,所述靶材与嵌合槽槽底之间设有一层金属铟,沿着所述铜板边沿设有若干固定通孔,所述铜板的背面设有水冷槽。
进一步地,所述水冷槽的位置与嵌合槽的位置相对应。
进一步地,所述水冷槽包括多个,相邻水冷槽内的水流方向相反。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:
本实用新型靶材结构简单、设计合理,可满足对靶材较大尺寸的要求,此外,铜板和水冷槽的设计使得靶材的散热效果好,从而可防止溅射过程中靶材龟裂甚至断裂影响而溅射。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施方式的技术方案,下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单地介绍,应当理解,以下附图仅示出了本实用新型的某些实施例,因此不应被看作是对范围的限定,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1是本实用新型靶材立体状态示意图;
图2是本实用新型靶材正面示意图;
图3是图2中A-A方向剖视图;
图4是本实用新型靶材背面示意图。
主要元件符号说明
10-铜板,
11-嵌合槽,12-固定通孔,13-水冷槽,
20-靶材,
30-金属铟。
具体实施方式
为使本实用新型实施方式的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本实用新型实施方式中的附图,对本实用新型实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施方式是本实用新型一部分实施方式,而不是全部的实施方式。基于本实用新型中的实施方式,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式,都属于本实用新型保护的范围。因此,以下对在附图中提供的本实用新型的实施方式的详细描述并非旨在限制要求保护的本实用新型的范围,而是仅仅表示本实用新型的选定实施方式。基于本实用新型中的实施方式,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式,都属于本实用新型保护的范围。
在本实用新型中,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或成一体;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
在本实用新型中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触,也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方,或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
实施例
参照图1所示,本实用新型公开了一种氧化铌靶材,包括铜板10,所述铜板10包括正面和背面,所述铜板10的正面设有嵌合槽11,所述嵌合槽11内嵌合有由若干块氧化铌拼接而成的靶材20,其中,靶材20四周边沿高于铜板10的正面,本实施例中,所述铜板10大致呈长方形,其长度为1.2米,其中嵌合槽11也呈长方形,其长度为1.1米,靶材20与嵌合槽11完全嵌合,氧化铌具体的块数则根据氧化铌的尺寸不同而会不同,将嵌合槽11填满即可,而拼接而成的靶材20其长度远大于单块氧化铌作为靶材20,从而可满足越来越高的溅射要求,所述靶材20与嵌合槽11槽底之间设有一层金属铟30,铟是一种质地极软的易熔金属。熔点156.61℃,因为铜板10和氧化铌靶材无法通过普通的胶水粘合固定,将金属铟30放置于铜板10的嵌合槽11内,从铜板10背面对铜板10进行加热,铜板10导热性能好,可快速导热至嵌合槽11内的铟,待铟受热熔化后停止加热,同时将氧化铌块拼接嵌入嵌合槽11,嵌合完成后待铟冷却固化,即将氧化铌靶材固定在了铜板10的嵌合槽11内,沿着所述铜板10边沿设有若干固定通孔12,本实施例中,为了冷却水槽的设计,仅沿着铜板10长度方向的边沿设有固定通孔12,固定通孔12均匀分布,用于将铜板10固定在溅射装置上。
所述铜板10的背面设有水冷槽13,所述水冷槽13的位置与嵌合槽11的位置相对应,水冷槽13的设置,用于铺设水冷管路从而对靶材20进行散热,将水冷管路(图中未示出)直接嵌设在铜板10上,其散热效果好,因在真空溅镀过程中会发出大量的热量,故需对靶材20进行散热,一方面,散热可防止氧化铌受热龟裂,另一方面,可防止因温度过高而导致铟熔化,从而可防止氧化铌从铜板10上脱落,其中,所述水冷槽13包括多个,其均呈长条状且沿着铜版的长度方向延伸,每个水冷槽13内均单独设有水冷管路,相邻水冷槽13内水冷管路的水流方向相反,水冷管路采用导热性能的材质制成,如可采用铜管,水冷管路里的水流过铜板10时,可带走大量的热量,而铜板10的优异导热性能,可同时带走靶材20大量的热量。
以上所述仅为本实用新型的优选实施方式而已,并不用于限制本实用新型,对于本领域的技术人员来说,本实用新型可以有各种更改和变化。凡在本实用新型的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (3)
1.一种氧化铌靶材,其特征在于,包括铜板,所述铜板包括正面和背面,所述铜板的正面设有嵌合槽,所述嵌合槽内嵌合有由若干块氧化铌拼接而成的靶材,所述靶材与嵌合槽槽底之间设有一层金属铟,沿着所述铜板边沿设有若干固定通孔,所述铜板的背面设有水冷槽。
2.根据权利要求1所述的氧化铌靶材,其特征在于:所述水冷槽的位置与嵌合槽的位置相对应。
3.根据权利要求1或2所述的氧化铌靶材,其特征在于:所述水冷槽包括多个,相邻水冷槽内的水流方向相反。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201922094891.2U CN210974859U (zh) | 2019-11-29 | 2019-11-29 | 一种氧化铌靶材 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201922094891.2U CN210974859U (zh) | 2019-11-29 | 2019-11-29 | 一种氧化铌靶材 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN210974859U true CN210974859U (zh) | 2020-07-10 |
Family
ID=71446479
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201922094891.2U Active CN210974859U (zh) | 2019-11-29 | 2019-11-29 | 一种氧化铌靶材 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN210974859U (zh) |
-
2019
- 2019-11-29 CN CN201922094891.2U patent/CN210974859U/zh active Active
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