CN210776180U - 提高晶圆匀胶显影均匀性的吸附装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种提高晶圆匀胶显影均匀性的吸附装置，包括匀胶凸台，所述匀胶凸台表面通过十字形下沉通道将上表面分为四个扇形吸附凸台，所述四个扇形吸附凸台均设置有真空通道，所述匀胶凸台内部还设置有十字形真空槽，所述十字形真空槽的端部分别设置有真空孔，所述真空孔设置在所述扇形吸附平台下部并和所述真空通道连通。本实用新型的吸片装置满足完整片匀胶和显影的生产需求的同时可以兼顾非规则片的需求，大大提高匀胶和显影的一致性，提高产品良率。

Description

提高晶圆匀胶显影均匀性的吸附装置

技术领域

本实用新型涉及半导体制造领域，尤其涉及一种提高晶圆匀胶显影均匀性的吸附装置。

背景技术

信息产业是国民经济的战略性、基础性支柱产业,已成为我国工业经济40大类行业中第一支柱。半导体芯片是信息产业的核心和基础。光刻是半导体芯片制作工艺中非常重要的一个步骤，通常会采用曝光、显影的方法将光刻掩模版的图形精确地复制到外延片表面上。在半导体芯片制作过程中，一般需要多次光刻，且光刻质量是影响半导体芯片性能、成品率及可靠性的关键因素之一。光刻工艺包括晶片匀胶即涂覆胶层、前烘、曝光、显影、坚膜、腐蚀、去胶等步骤，其中匀胶工艺是让光刻胶均匀分布在晶圆表面上，通过曝光、显影获得掩膜版上的图形，光刻胶厚度不均匀会影响芯片的质量。

匀胶通常都是采用电机带动吸附在真空吸盘上的晶片旋转，在离心力的作用下使胶均匀分布在晶片上，胶膜厚度可以通过设定转速来进行控制。但在生产过程中常常遇到非规则片的匀胶和显影工艺，比如2inch晶片的1/2片、2inch晶片的1/4片、3inch晶片的1/2片、3inch晶片的1/4片等情况。2inch和3inch完整晶片因其几何中心在其圆心，可以使晶片的中心在匀胶夹具的中心位置，在旋转过程中匀胶会很均匀。而对于非标准片很难找到其几何中心，为了得到很好的匀胶效果，一般会考虑设计单独的1/2片的匀胶吸片装置和单独的1/4片的匀胶吸片装置来进行匀胶，单个非规则片对应一个匀胶吸片装置,无疑增加了生产成本；另外，非规格片在匀胶工艺时存在不均匀性，晶片上的胶层的厚度不一，边胶很厚，导致光刻线条不均匀，从而大大影响光刻线条的精度。同时，由于一次匀胶一个不规则的晶片，也降低了生产效率。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题在于针对现有技术中晶片的非规格片匀胶显影的不均匀性、且成本高、效率低的缺陷，提供一种提高晶圆匀胶显影均匀性的吸附装置，满足完整片匀胶和显影的生产需求的同时可以兼顾非规则片的需求，大大提高匀胶和显影的一致性，提高产品良率。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：

提供一种提高晶圆匀胶显影均匀性的吸附装置，包括匀胶凸台，所述匀胶凸台表面通过十字形下沉通道将上表面分为四个扇形吸附凸台，所述四个扇形吸附凸台均设置有真空通道，所述匀胶凸台内部还设置有十字形真空槽，所述十字形真空槽的端部分别设置有真空孔，所述真空孔设置在所述扇形吸附平台下部并和所述真空通道连通。

接上述技术方案，所述四个扇形吸附凸台的半径为40±3mm。

接上述技术方案，所述十字形下沉通道的宽度为10±2mm，深度为5±1mm。

接上述技术方案，所述匀胶凸台上的四个扇形吸附凸台的外围等圆周设置多个固定柱。

接上述技术方案，所述扇形吸附平台上的真空通道为十字形真空通道，设置方向和所述十字形下沉通道方向一致。

接上述技术方案，所述匀胶凸台内部的十字形真空槽的底部设置有大真空孔，所述大真空孔和外部真空装置连接。

本实用新型产生的有益效果是：本实用新型提供一种提高晶圆匀胶显影均匀性的吸附装置，通过在匀胶凸台表面通过十字形下沉通道将上表面分为四个扇形吸附凸台，并在四个扇形吸附凸台均设置有真空通道形成四个独立吸附平台进行独立吸片。本实用新型的吸片装置满足完整片匀胶和显影的生产需求的同时可以兼顾非规则片的需求，大大提高匀胶和显影的一致性，提高产品良率。

附图说明

下面将结合附图及实施例对本实用新型作进一步说明，附图中：

图1是本实用新型实施例的提高晶圆匀胶显影均匀性的吸附装置的俯视图；

图2是本实用新型实施例的提高晶圆匀胶显影均匀性的吸附装置的剖视图；

图3是本实用新型实施例的提高晶圆匀胶显影均匀性的吸附装置的内部真空截面图。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

如图1所示，本实用新型提供一种提高晶圆匀胶显影均匀性的吸附装置，包括匀胶凸台1，匀胶凸台1表面通过十字形下沉通道2将上表面分为四个扇形吸附凸台3，四个扇形吸附凸台3均设置有真空通道4，匀胶凸台1内部还设置有十字形真空槽6，十字形真空槽6的端部分别设置有真空孔8，真空孔8设置在扇形吸附平台3下部并和真空通道4连通。本实用新型的吸片装置满足完整片匀胶和显影的生产需求的同时可以兼顾非规则片的需求，即可以固定一个完整片，也可以固定4个1/4晶片或2个1/2晶片，大大提高匀胶和显影的一致性，提高产品良率。

进一步地，四个扇形吸附凸台3的半径为40±3mm。

进一步地，十字形下沉通道2的宽度为10±2mm，深度为5±1mm。

进一步地，所述匀胶凸台上的四个扇形吸附凸台的外围等圆周设置多个固定柱5，多个固定柱5可以将晶片限定在吸片装置的中心位置。

进一步地，扇形吸附凸台3上的真空通道4为十字形真空通道，设置方向和十字形下沉通道2方向一致。

进一步地，匀胶凸台1内部的十字形真空槽6的底部设置有大真空孔7，大真空孔7和外部真空装置连接。

本实用新型的提高晶圆匀胶显影均匀性的吸附装置可使不规则晶片的匀胶厚度均匀，满足生产制作工艺要求，并可以有效降低生产成本和工艺一致性问题，同时一次可匀胶多个非规则晶片，提升了生产效率。以国产光刻胶为例，利用本实用新型的吸附装置对不同规则的晶片进行的匀胶的效果如下表1所示：

表1对不同规则的晶片进行匀胶的效果

	3000rpm	4000rpm	5000rpm
				1/4x 4x 2inch	1.8um±0.15	1.5um±0.15	1.3um±0.15
1/2x 2x 2inch	1.8um±0.13	1.5um±0.13	1.3um±0.12
				2inch	1.8um±0.1	1.5um±0.1	1.3um±0.1

应当理解的是，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，而所有这些改进和变换都应属于本实用新型所附权利要求的保护范围。

Claims (6)

1.一种提高晶圆匀胶显影均匀性的吸附装置，其特征在于，包括匀胶凸台，所述匀胶凸台表面通过十字形下沉通道将上表面分为四个扇形吸附凸台，所述四个扇形吸附凸台均设置有真空通道，所述匀胶凸台内部还设置有十字形真空槽，所述十字形真空槽的端部分别设置有真空孔，所述真空孔设置在所述扇形吸附平台下部并和所述真空通道连通。

2.根据权利要求1所述的提高晶圆匀胶显影均匀性的吸附装置，其特征在于，所述四个扇形吸附凸台的半径为40±3mm。

3.根据权利要求1所述的提高晶圆匀胶显影均匀性的吸附装置，其特征在于，所述十字形下沉通道的宽度为10±2mm，深度为5±1mm。

4.根据权利要求1所述的提高晶圆匀胶显影均匀性的吸附装置，其特征在于，所述匀胶凸台上的四个扇形吸附凸台的外围等圆周设置多个固定柱。

5.根据权利要求1所述的提高晶圆匀胶显影均匀性的吸附装置，其特征在于，所述扇形吸附平台上的真空通道为十字形真空通道，设置方向和所述十字形下沉通道方向一致。

6.根据权利要求1所述的提高晶圆匀胶显影均匀性的吸附装置，其特征在于，所述匀胶凸台内部的十字形真空槽的底部设置有大真空孔，所述大真空孔和外部真空装置连接。

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