CN202975590U - 一种提供浸没式光刻机扫描路径的工作结构 - Google Patents
一种提供浸没式光刻机扫描路径的工作结构 Download PDFInfo
- Publication number
- CN202975590U CN202975590U CN 201220510663 CN201220510663U CN202975590U CN 202975590 U CN202975590 U CN 202975590U CN 201220510663 CN201220510663 CN 201220510663 CN 201220510663 U CN201220510663 U CN 201220510663U CN 202975590 U CN202975590 U CN 202975590U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- scanning pattern
- wafer
- silicon chip
- scanning path
- zone
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
本实用新型公开了一种提供浸没式光刻机扫描路径的工作结构,包括:一硅片,所述硅片置于浸没式光刻机的曝光镜头下方,其特征在于,所述硅片包括多个晶圆,所述多个晶圆还包括底部抗反射层和光刻胶;所述多个晶圆包括中心扫描路径区域的晶圆和外围扫描路径区域的晶圆,所述中心扫描路径区域和所述外围扫描路径区域均为螺旋扫描路径结构。本实用新型将待曝光的硅片中的晶圆分为两个区域,并且该两个区域为螺旋扫描工作路径结构,以确保硅片的绝大部分位置免受particles影响,以达到曝光质量从而提升产品良率。
Description
技术领域
本实用新型涉及微电子领域,尤其涉及一种提供浸没式光刻机扫描路径的工作结构。
背景技术
随着半导体的快速发展,55nm制程及以下工艺,业界均匀采用浸没式(immersion)光刻机。由于immersion光刻机在曝光时会用纯水以提高分辨率,而使用纯水曝光时会引入更多的粒子(particles),其来源主要在硅片边缘时硅片背面的particles。
这是由于曝光时的particles来源主要是曝光在硅片边缘时引入的,曝光时引入的particle主要是曝光到硅片的边缘(wafer edge)时,由于纯水会扩散到wafer背面;由于通常wafer背面是particle的主要来源,因此该particle会被纯水带到wafer正面而影响曝光质量。
如图1中所示,图1中包括一硅片1,该硅片包括多个晶圆(wafer)2,传统扫描路径结构是从wafer顶部以“S”型曝光,但该扫描路径的工作结构由于过早曝光到wafer edge位子,从而引入particle,这样会引起再接下来的曝光过程中一直受到particle的影响从而使得第一排一下的dies均受到纯水中particles的影响,使得wafer因曝光问题引起产品良率低下。
实用新型内容
针对上述存在的问题,本实用新型的目的是提供一种提供浸没式光刻机扫描路径的工作结构。该硅片中的晶圆分为两个区域,并且该两个区域为螺旋扫描工作路径结构,以确 保硅片的绝大部分位置免受particles影响,以达到曝光质量从而提升产品良率。
本实用新型的目的是通过下述技术方案实现的:
一种提供浸没式光刻机扫描路径的工作结构,包括:硅片,所述硅片置于浸没式光刻机的曝光镜头下方,其特征在于,所述硅片包括多个晶圆,所述多个晶圆还包括底部抗反射层和光刻胶;所述多个晶圆包括中心扫描路径区域的晶圆和外围扫描路径区域的晶圆,所述中心扫描路径区域和所述外围扫描路径区域均为螺旋扫描路径结构。
上述的提供浸没式光刻机扫描路径的工作结构,其中,在所述硅片和所述曝光镜头之间充满了液体。
上述的提供浸没式光刻机扫描路径的工作结构,其中,所述液体为纯水。
上述的提供浸没式光刻机扫描路径的工作结构,其中,在所述光刻胶的表面还包括顶部涂层。
上述的提供浸没式光刻机扫描路径的工作结构,其中,所述中心扫描路径区域为逆时针螺旋扫描路径结构,所述外围扫描路径区域为顺时针螺旋扫描路径结构。
与已有技术相比,本实用新型的有益效果在于:
将硅片上的晶圆划分成两个扫描路径区域,且将该两个扫描路径区域设定为螺旋扫描工作结构,从而可以实现对硅片上的晶圆依次进行曝光,通过该方式,避免了由于过早曝光到wafer edge位子,从而引入particles,使得其它晶圆受到污染进而影响到以后的曝光过程。
附图说明
图1是现有技术中的提供浸没式光刻机扫描路径工作结构的示意图。
图2是本实用新型的一个实施例中的一种提供浸没式光刻机扫描路径的工作结构的示意图。
具体实施方式
下面结合原理图和具体操作实施例对本实用新型作进一步说明。
参看图2中所示,本实用新型的一种提供浸没式光刻机扫描路径的工作结构具体包括:
硅片1,所述硅片包括多个晶圆2,在硅片1的衬底表面包括底部抗反射层(图中未标示)、光刻胶(图中未标示);为了防止浸没式光刻胶的挥发物对光刻机镜头损伤,还可以在所述光刻胶的表面还包括一层顶部涂层(图中未标示),该顶部涂层是可以完全溶解在显影液体中的疏水涂层。顶部涂层还可以是一层顶部抗反射涂层(TARC),其被涂布在光刻胶的表面的,用于减少光的反射的物质。
将硅片1置于光刻机的晶圆扫描工作台上,并利用Chuck(卡盘),对硅片1进行真空吸附,在曝光过程中,将硅片1置于光刻机的曝光镜头下方,在硅片1和曝光镜头之间充满了液体,最佳地,该液体是纯水,纯水可以减小对光刻胶稳定性影响的同时,增大镜头的数值孔径,从而很好地实现光刻效果。
在曝光前,对光刻机的扫描路径进行划分,将硅片1上的晶圆划分为中心扫描路径区域21和外围扫描路径区域22,在本实用新型的一个实施例中,将该中心扫描路径区域21中的中心位置定义为扫描的起始位置,以螺旋方式进行扫描,并且外围扫描路径区域22也以螺旋方式进行扫描直至到硅片的边缘。
如图2中所示,在中心扫描路径区域21中的工作结构是以所述硅片的中心位置为起始位置,在中心扫描以逆时针的螺旋扩张的方式进行扫描,在外围扫描路径区域22中则以顺时针的螺旋工作路径对位于外围扫描路径区域22中的晶圆进行曝光。
通过以上实施方式,避免了由于过早曝光到wafer edge位子,从而引入particles,使得其它晶圆受到污染进而影响到以后的曝光过程。
以上对本实用新型的具体实施例进行了详细描述,但本实用新型并不限制于以上描述的具体实施例,其只是作为范例。对于本领域技术人员而言,任何等同修改和替代也都在 本实用新型的范畴之中。因此,在不脱离本实用新型的精神和范围下所作出的均等变换和修改,都应涵盖在本实用新型的范围内。
Claims (5)
1.一种提供浸没式光刻机扫描路径的工作结构,包括:硅片,所述硅片置于浸没式光刻机的曝光镜头下方,其特征在于,所述硅片包括多个晶圆,所述多个晶圆还包括底部抗反射层和光刻胶;所述多个晶圆包括中心扫描路径区域的晶圆和外围扫描路径区域的晶圆,所述中心扫描路径区域和所述外围扫描路径区域均为螺旋扫描路径结构。
2.如权利要求1所述的提供浸没式光刻机扫描路径的工作结构,其特征在于,在所述硅片和所述曝光镜头之间充满了液体。
3.如权利要求2所述的提供浸没式光刻机扫描路径的工作结构,其特征在于,所述液体为纯水。
4.如权利要求1所述的提供浸没式光刻机扫描路径的工作结构,其特征在于,在所述光刻胶的表面还包括顶部涂层。
5.如权利要求1所述的提供浸没式光刻机扫描路径的工作结构,其特征在于,所述中心扫描路径区域为逆时针螺旋扫描路径结构,所述外围扫描路径区域为顺时针螺旋扫描路径结构。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN 201220510663 CN202975590U (zh) | 2012-05-21 | 2012-10-08 | 一种提供浸没式光刻机扫描路径的工作结构 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201210157816.6 | 2012-05-21 | ||
CN2012101578166A CN102707576A (zh) | 2012-05-21 | 2012-05-21 | 一种提供浸没式光刻机扫描路径的工作结构 |
CN 201220510663 CN202975590U (zh) | 2012-05-21 | 2012-10-08 | 一种提供浸没式光刻机扫描路径的工作结构 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN202975590U true CN202975590U (zh) | 2013-06-05 |
Family
ID=46900477
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2012101578166A Pending CN102707576A (zh) | 2012-05-21 | 2012-05-21 | 一种提供浸没式光刻机扫描路径的工作结构 |
CN 201220510663 Expired - Lifetime CN202975590U (zh) | 2012-05-21 | 2012-10-08 | 一种提供浸没式光刻机扫描路径的工作结构 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2012101578166A Pending CN102707576A (zh) | 2012-05-21 | 2012-05-21 | 一种提供浸没式光刻机扫描路径的工作结构 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (2) | CN102707576A (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105093849A (zh) * | 2015-08-11 | 2015-11-25 | 上海华力微电子有限公司 | 一种基于多曝光程序的多硅片循环运动方法 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106970506B (zh) * | 2017-04-10 | 2018-11-20 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 一种基于粒子群优化算法的晶圆曝光路径规划方法 |
CN110908246A (zh) * | 2018-09-18 | 2020-03-24 | 长鑫存储技术有限公司 | 浸润式曝光机装置及曝光方法 |
-
2012
- 2012-05-21 CN CN2012101578166A patent/CN102707576A/zh active Pending
- 2012-10-08 CN CN 201220510663 patent/CN202975590U/zh not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105093849A (zh) * | 2015-08-11 | 2015-11-25 | 上海华力微电子有限公司 | 一种基于多曝光程序的多硅片循环运动方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102707576A (zh) | 2012-10-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN1193405C (zh) | 光掩模、其制造方法、图形形成方法及半导体装置的制造方法 | |
KR20210134072A (ko) | 유기금속 포토레지스트 현상제 조성물 및 처리 방법 | |
CN202975590U (zh) | 一种提供浸没式光刻机扫描路径的工作结构 | |
CN103345124B (zh) | 一种准确和定量的缺陷检测确认光刻工艺窗口的方法 | |
CN1350205A (zh) | 曝光方法 | |
CN103344660B (zh) | 一种按照电路图形进行缺陷检测的电子显微镜分析方法 | |
CN101251713A (zh) | 深紫外光刻制作“t”型栅的方法 | |
CN101819382A (zh) | 在边缘光刻胶去除过程中减少晶圆缺陷的方法及晶圆结构 | |
CN105405811B (zh) | 一种蓝宝石衬底制作工艺 | |
CN1215382C (zh) | 用于光刻胶的抗反射涂料 | |
CN107731675A (zh) | 一种半导体晶片机械开槽工艺 | |
CN208865479U (zh) | 一种铜制程用剥离液的制备装置 | |
KR20110066081A (ko) | 현상 처리 방법 및 컴퓨터 기억 매체 | |
CN102446712B (zh) | 一种增加两次图形曝光工艺窗口的方法 | |
TWI280463B (en) | Sacrificial surfactanated pre-wet for defect reduction in a semiconductor photolithography developing process | |
CN101211778A (zh) | 防止有机底部防反射层上缺陷形成的方法 | |
CN213338319U (zh) | 一种高分辨率高精度的石英光刻版 | |
CN104407503B (zh) | 曝光方法和半导体器件的制造方法 | |
CN210776180U (zh) | 提高晶圆匀胶显影均匀性的吸附装置 | |
CN104037064B (zh) | 浸没式光刻工艺方法 | |
CN110133094B (zh) | 测试片及其制造方法和光刻胶缺陷的检测方法 | |
CN201464801U (zh) | 光阻复合结构 | |
JP5423073B2 (ja) | ステンシルマスク及び電子線露光方法 | |
KR20120121333A (ko) | 마스크 블랭크용 기판의 측면연마방법과 이를 통해 제조된 마스크 블랭크용 기판 및 마스크 블랭크 | |
CN1971428B (zh) | 使用浸没式光刻法制造半导体装置的方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CX01 | Expiry of patent term |
Granted publication date: 20130605 |
|
CX01 | Expiry of patent term |