CN210724709U - 一种超高频石英晶体谐振器 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供了一种超高频石英晶体谐振器，包括：底座、基座振子单元和外壳；所述基座与底座焊接在一起，所述振子单元包括电极和石英晶片，所述振子单元设置在所述基座上，所述基座上设有装配凹槽，所述装配凹槽用于放置所述振子单元，所述装配凹槽印制有电极引出端，所述引出端与导通孔接通，所述基座与底座之间设置有引线盘，本实用新型能较好的避免现有技术中超高频石英晶体谐振器工序繁复导致效率低下的问题和因镀膜时的厚薄差等造成频率飘移的问题。
Description
技术领域
本实用新型涉及谐振技术领域，尤其涉及到一种超高频石英晶体谐振器。
背景技术
石英晶体谐振器是用压电石英制成的压电器件，它不仅具有高度稳定的物理化学性能，而且弹性振动损耗极小。传统的石英晶体谐振器生产时，需要对石英晶片的电极进行点胶，以达到固定晶片、与基座外界焊接点相连的作用，但石英晶片的点胶位置较难确定，石英晶片点胶的位置对产品的阻抗影响较大，另外传统的石英晶体谐振器需要对石英晶体谐振器的电极等部件进行银层镀膜，以防止石英晶体谐振器及其零部件氧化，导致石英晶体谐振器使用寿命缩减，而现有的石英晶体谐振器镀膜技术主要通过真空镀膜设备进行镀膜加工，而超高频的石英谐振体在镀膜薄厚不均匀时极易发生频率飘移的问题。
综上所述，如何提供一种生产效率高和避免频率飘移的问题的超高频石英晶体谐振器，是本领域技术人员需解决的问题。
实用新型内容
本方案针对上文提到的问题和需求，提出一种超高频石英晶体谐振器，其由于采取了如下技术方案而能够解决上述技术问题。
为了达到上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种超高频石英晶体谐振器，包括：底座、基座、振子单元和外壳；
所述基座与底座焊接在一起，所述振子单元包括电极和石英晶片，所述振子单元设置在所述基座上，所述基座上设有装配凹槽，所述装配凹槽用于放置所述振子单元，所述装配凹槽底部印制有电极引出端，所述引出端与导通孔接通，所述基座与底座之间设置有引线盘，所述引线盘与所述装配凹槽底部形状相同，所述电极与所述引线盘通过所述导通孔连接。
进一步地，所述电极包括上镀膜电极和下镀膜电极。
进一步地，所述引线盘包括两个焊点。
更进一步地，一个焊点对应所述装配凹槽上电极的引出端。
进一步地，所述上镀膜电极和所述下镀膜电极采用高精度镀膜夹具进行镀膜。
进一步地，所述电极与所述引线盘通过导电粘合剂连接，所述引线盘的形状为椭圆形。
进一步地，所述石英晶体为抛光片。
更进一步地，所述高精度镀膜夹具包括上盖板、上电极层、定位片和下电极层以及下盖板。
本实用新型的有益效果是，该实用新型能较好的避免现有技术中超高频石英晶体谐振器工序繁复导致效率低下的问题和因镀膜时的厚薄差等造成频率飘移的问题。
下文中将结合附图对实施本实用新型的最优实施例进行更详尽的描述，以便能容易地理解本实用新型的特征和优点。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例的技术方案，下文中将对本实用新型实施例的附图进行简单介绍。其中，附图仅仅用于展示本实用新型的一些实施例，而非将本实用新型的全部实施例限制于此。
图1为本实用新型的正视示意图。
图2为本实用新型的俯视示意图。
图3为本实施例中高精度镀膜夹具示意图。
附图标记：
底座1、基座2、装配凹槽21、导通孔211、外壳3、电极4、石英晶片5、引线盘6、上盖板7、上电极层8、定位片和下电极层 9、下盖板10。
具体实施方式
为了使得本实用新型的技术方案的目的、技术方案和优点更加清楚，下文中将结合本实用新型具体实施例的附图，对本实用新型实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。附图中相同的附图标记代表相同的部件。需要说明的是，所描述的实施例是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本实用新型的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
如附图1至附图2所示，本实用新型提供了一种可提高生产效率和避免发生频率飘移问题的超高频石英晶体谐振器，该超高频石英晶体谐振器包括：底座1、基座2、振子单元和外壳3；所述基座 2与底座1焊接在一起，所述振子单元包括电极4和石英晶片5，其中，所述石英晶片5为抛光片，所述振子单元设置在所述基座2上。所述基座2上设有装配凹槽21，所述装配凹槽21用于放置所述振子单元，所述装配凹槽21底部印制有电极4引出端，所述引出端与导通孔211接通，所述基座2与底座1之间设置有引线盘6，所述引线盘6包括两个焊点，一个焊点对应所述装配凹槽21上电极4 的引出端，所述引线盘6与所述装配凹槽21底部形状相同，所述电极4与所述引线盘6通过所述导通孔211连接，所述导通孔211用于放置导电粘合剂，所述引线盘6的形状为椭圆形。所述电极4包括上镀膜电极和下镀膜电极，所述上镀膜电极和所述下镀膜电极采用高精度镀膜夹具进行镀膜，如图3所示，所述高精度镀膜夹具包括上盖板7、上电极层8、定位片和下电极层9以及下盖板10，在镀膜时将每工件逐一排列在相同的局部小面积区域，使用所述高精度镀膜夹具可以在真空镀膜时降低同一板芯片形成的金属膜的厚薄差，从而使晶体在测试功率0.001uW到300uW变化过程中频率和电阻的变化量分别小于3ppm和3ohm、在0.001uW下亦可起振且频率和阻抗稳定。
在本实施例中，所述带有电极4的石英晶片5可以直接卡在基座2上凹槽21的底部，即直接卡放在电极4引出端与导通孔211 之间，点胶时可以直接点在导通孔211处。
应当说明的是，本实用新型所述的实施方式仅仅是实现本实用新型的优选方式，对属于本实用新型整体构思，而仅仅是显而易见的改动，均应属于本实用新型的保护范围之内。
Claims (8)
1.一种超高频石英晶体谐振器，其特征在于，包括：底座(1)、基座(2)、振子单元和外壳(3)；
所述基座(2)与底座(1)焊接在一起，所述振子单元包括电极(4)和石英晶片(5)，所述振子单元设置在所述基座(2)上，所述基座(2)上设有装配凹槽(21)，所述装配凹槽(21)用于放置所述振子单元，所述装配凹槽(21)底部印制有电极(4)引出端，所述引出端与导通孔(211)接通，所述基座(2)与底座(1)之间设置有引线盘(6)，所述引线盘(6)与所述装配凹槽(21)底部形状相同，所述电极(4)与所述引线盘(6)通过所述导通孔(211)连接。
2.根据权利要求1所述的超高频石英晶体谐振器，其特征在于，所述电极(4)包括上镀膜电极和下镀膜电极。
3.根据权利要求1所述的超高频石英晶体谐振器，其特征在于，所述引线盘(6)包括两个焊点。
4.根据权利要求3所述的超高频石英晶体谐振器，其特征在于，一个焊点对应所述装配凹槽(21)上电极(4)的引出端。
5.根据权利要求2所述的超高频石英晶体谐振器，其特征在于，所述上镀膜电极和所述下镀膜电极采用高精度镀膜夹具进行镀膜。
6.根据权利要求1所述的超高频石英晶体谐振器，其特征在于，所述电极(4)与所述引线盘(6)通过导电粘合剂连接，所述引线盘(6)的形状为椭圆形。
7.根据权利要求1所述的超高频石英晶体谐振器，其特征在于，所述石英晶片(5)为抛光片。
8.根据权利要求5所述的超高频石英晶体谐振器，其特征在于，所述高精度镀膜夹具包括上盖板、上电极层、定位片和下电极层以及下盖板。
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