CN210693772U - 一种反激拓扑初级rcd吸收输出电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种反激拓扑初级RCD吸收输出电路，该电路包括输入滤波电路、输入取样比较控制电路、RCD吸收电路和输出电路；所述输入滤波电路的输出端与输入取样比较控制电路的输入端连接，所述输入取样比较控制电路的输出端连接RCD吸收电路，所述RCD吸收电路连接输出电路；本实用新型实现了良好的吸收效果，提高了电源整体转换效率。
Description
技术领域
本实用新型涉及RCD吸收自适应调整技术领域，具体涉及一种反激拓扑初级RCD吸收输出电路。
背景技术
开关电源的拓扑中，反激拓扑为最常用的拓扑之一。为钳位初级侧开关MOS管关断时产生的尖峰电压，通常需要在初级侧MOS管漏极与输入之间使用RCD吸收电路，避免MOS管上漏源间电压尖峰超过额定值，造成MOS管损坏。
MOS管上的尖峰电压随输入电压变化会产生变化，目前现行的RCD(ResistorCapacitor Diode)吸收电路，均为固定取值，参数不能随输入电压的改变而改变，在不同的输入电压条件下，RCD吸收的效果不同，一定程度影响了钳位效果并增加了损耗。
发明内容
有鉴于此，本实用新型提供一种反激拓扑初级RCD吸收输出电路。
本实用新型提供的一种反激拓扑初级RCD吸收输出电路的技术方案是：
一种反激拓扑初级RCD吸收输出电路，该电路包括输入滤波电路、输入取样比较控制电路、RCD吸收电路和输出电路；所述输入滤波电路的输出端与输入取样比较控制电路的输入端连接，所述输入取样比较控制电路的输出端连接RCD吸收电路，所述RCD吸收电路连接输出电路。
进一步的，所述输入滤波电路包括第一电感、以及并联的第四电容和第三电容，所述第一电感的一端作为输入正端，所述第一电感的另一端与并联的第四电容和第三电容的一端连接，所述并联的第四电容和第三电容的另一端作为输入负端。
进一步的，所述输入取样比较控制电路包括比较器，所述比较器的正相输入端通过第二电阻与所述第一电感的另一端连接；所述比较器的输出端连接RCD吸收电路。
进一步的，所述RCD吸收电路包括可调电阻电路和第二二极管；所述可调电阻电路包括第一MOS管，所述第一MOS管的栅极与所述比较器的输出端连接，所述第一MOS管的源极通过第一电阻分别与所述第一电感的另一端、输出电路连接，所述第一MOS管的源极还与所述比较器的反向输入端连接；所述第一MOS管的漏极与第二二极管的阴极连接，所述第二二极管的阳极分别与PWM控制电路、输出电路连接。
进一步的，所述可调电阻电路的两端并联有第三电容。
进一步的，所述输出电路包括变压器、第一二极管和第二电感；所述变压器的初级线圈一端与可调电阻电路连接，所述变压器的初级线圈另一端与所述第二二极管的阳极连接，所述变压器的次级线圈一端与第一二极管的阳极连接，所述第一二极管的阴极与第二电感一端连接，所述第二电感的另一端作为输出端；所述变压器的次级线圈另一端作为公共端。
进一步的，所述变压器的次级线圈另一端与二极管的阴极之间连接有三个并联的电容。
进一步的，还包括PWM控制电路，所述PWM控制电路包括PWM 控制芯片和第二MOS管，所述PWM控制芯片的输出端与第二MOS管的栅极连接，所述第二MOS管的源极与所述第二二极管的阳极连接。
本实用新型提出的反激拓扑初级RCD吸收输出电路，可以让RCD 吸收电路的参数随输入电压的变化而实时变化，在钳位效果和功率损耗之间，一直处在一个较好的平衡点，实现了良好的吸收效果的同时提高了电源整体转换效率。
附图说明
附图用于更好地理解本实用新型，不构成对本实用新型的不当限定。
其中：
图1是本实施例涉及的反激拓扑初级RCD吸收输出电路的电路图；
图中，1、输入滤波电路，2、输入取样比较控制电路，3、RCD吸收电路，4、输出电路，5、PWM控制电路。
具体实施方式
下面结合附图与实施例对本实用新型作进一步说明。
图1是反激拓扑初级RCD吸收输出电路的电路图。如图1所示，所述反激拓扑初级RCD吸收输出电路包括输入滤波电路1、输入取样比较控制电路2、RCD吸收电路3、输出电路4和PWM控制电路5。
具体地，所述输入滤波电路1包括第一电感L1、以及并联的第四电容C4和第三电容C3，所述第一电感L1的一端作为电路的输入正端，所述第一电感L1的另一端与并联的第四电容C4和第三电容C3的一端、所述输入取样比较控制电路2连接，所述并联的第四电容C4和第三电容C3的另一端作为电路的输入负端。
所述输入取样比较控制电路2包括第二电阻R2、第三电阻R3以及比较器U1，所述比较器U1的正相输入端通过第二电阻R2与所述第一电感L1的另一端连接，所述比较器U1的正相输入端还通过第三电阻R3 接地；所述比较器U1的反向输入端连接RCD吸收电路3；所述比较器 U1的电源端与所述第一电感L1的另一端连接，比较器U1的电源端接地；所述比较器U1的输出端连接RCD吸收电路3。
所述RCD吸收电路3包括由第一电阻R1和第一MOS管Q1组成的可调电阻电路、第三电容C3和第二二极管D2；所述第一MOS管Q1 的栅极与所述比较器U1的输出端连接，所述第一MOS管的源极通过第一电阻R1与所述第一电感L1的另一端、输出电路4连接，所述第一MOS管的源极还与所述比较器U1的反向输入端连接；所述第一 MOS管Q1的漏极与第二二极管D2的阴极连接，所述第二二极管D2 的阳极与PWM控制电路5连接，所述可调电阻电路的两端并联有所述第三电容C3。
所述PWM控制电路5包括PWM控制芯片和第二MOS管Q2，所述PWM控制芯片的输出端与第二MOS管Q2的栅极连接，所述第二 MOS管Q2的源极与所述第二二极管D2的阳极连接。
所述输出电路4包括变压器T1、第一二极管D1、第二电感L2以及并联的第六电容R6、第七电容R7和第八电容R8；所述变压器T1的初级线圈一端与所述可调电阻电路的一端连接，所述变压器T1的初级线圈另一端与所述第二二极管D2的阳极连接，所述变压器T1的次级线圈一端与第一二极管D1的阳极连接，所述第一二极管D1的阴极与第二电感L2一端连接，所述第二电感L2的另一端作为输出端；所述变压器T1的次级线圈另一端作为公共端；所述并联的第六电容R6、第七电容R7和第八电容R8的一端与所述第一二极管D1的阴极连接，所述并联的第六电容R6、第七电容R7和第八电容R8的另一端与变压器 T1的次级线圈另一端连接；所述电路的输出端与公共端之间连接有第九电容R9。
如图1所示，本实施例涉及的反激拓扑初级RCD吸收输出电路的工作过程为：
输入滤波电路1对输入电压进行滤波，滤波后的输入电压经过输入取样比较控制电路2进行实时取样比较，输出控制电平信号至RCD吸收电路3；RCD吸收电路3可随控制电阻信号进行阻值的实时调整，控制可调电阻电路的电阻阻值，达到调整RCD吸收部分参数的目的。
本实施例涉及的反激拓扑初级RCD吸收输出电路，可以让RCD吸收电路的参数随输入电压的变化而实时变化，在钳位效果和功率损耗之间，一直处在一个较好的平衡点，实现了良好的吸收效果的同时提高了电源整体转换效率。
尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行变化，本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (8)
1.一种反激拓扑初级RCD吸收输出电路，其特征是，包括输入滤波电路、输入取样比较控制电路、RCD吸收电路和输出电路；所述输入滤波电路的输出端与输入取样比较控制电路的输入端连接，所述输入取样比较控制电路的输出端连接RCD吸收电路，所述RCD吸收电路连接输出电路。
2.根据权利要求1所述的反激拓扑初级RCD吸收输出电路，其特征是，所述输入滤波电路包括第一电感、以及并联的第四电容和第三电容，所述第一电感的一端作为输入正端，所述第一电感的另一端与并联的第四电容和第三电容的一端连接，所述并联的第四电容和第三电容的另一端作为输入负端。
3.根据权利要求2所述的反激拓扑初级RCD吸收输出电路，其特征是，所述输入取样比较控制电路包括比较器，所述比较器的正相输入端通过第二电阻与所述第一电感的另一端连接；所述比较器的输出端连接RCD吸收电路。
4.根据权利要求3所述的反激拓扑初级RCD吸收输出电路，其特征是，所述RCD吸收电路包括可调电阻电路和第二二极管；所述可调电阻电路包括第一MOS管，所述第一MOS管的栅极与所述比较器的输出端连接，所述第一MOS管的源极通过第一电阻分别与所述第一电感的另一端、输出电路连接，所述第一MOS管的源极还与所述比较器的反向输入端连接；所述第一MOS管的漏极与第二二极管的阴极连接，所述第二二极管的阳极分别与PWM控制电路、输出电路连接。
5.根据权利要求4所述的反激拓扑初级RCD吸收输出电路，其特征是，所述可调电阻电路的两端并联有第三电容。
6.根据权利要求4所述的反激拓扑初级RCD吸收输出电路，其特征是，所述输出电路包括变压器、第一二极管和第二电感；所述变压器的初级线圈一端与可调电阻电路连接，所述变压器的初级线圈另一端与所述第二二极管的阳极连接，所述变压器的次级线圈一端与第一二极管的阳极连接，所述第一二极管的阴极与第二电感一端连接，所述第二电感的另一端作为输出端；所述变压器的次级线圈另一端作为公共端。
7.根据权利要求6所述的反激拓扑初级RCD吸收输出电路，其特征是，所述变压器的次级线圈另一端与二极管的阴极之间连接有三个并联的电容。
8.根据权利要求6所述的反激拓扑初级RCD吸收输出电路，其特征是，还包括PWM控制电路，所述PWM控制电路包括PWM控制芯片和第二MOS管，所述PWM控制芯片的输出端与第二MOS管的栅极连接，所述第二MOS管的源极与所述第二二极管的阳极连接。
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