CN210668285U - 一种光刻胶清除装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型实施例涉及半导体技术领域，公开了一种光刻胶清除装置，包括：用于容置光刻胶清洗溶剂的清洗槽，其中，光刻胶清洗溶剂用于清洗待清洗半导体器件；用于向待清洗半导体器件发射超声波的超声波发射器，超声波发射器设置于清洗槽内。本实用新型实施方式中提供的光刻胶清除装置，有效清除半导体器件表面的光刻胶、且能够避免损伤半导体器件或造成半导体器件的电性损失。
Description
技术领域
本实用新型实施例涉及半导体技术领域，特别涉及一种光刻胶清除装置。
背景技术
在半导体器件的制作工艺中，对半导体器件进行离子注入后，往往需要清除半导体器件表面的光刻胶。现有的清除半导体器件表面光刻胶的装置在清洗半导体器件表面的光刻胶时，直接利用等离子体轰击光刻胶，之后使用光刻胶清洗溶剂清洗半导体器件表面的光刻胶；或者使用HDIS(高剂量离子注入光刻胶去除)法通过温度处理灰化半导体器件表面的光刻胶。
然而，发明人发现现有技术中至少存在如下问题：由于在对半导体器件进行离子注入后，光刻胶表面转换形成类金刚石或石墨分子结构的表皮“壳”，该表皮“壳”包裹的光刻胶内部存在挥发性溶剂及N2，因此在利用等离子体轰击光刻胶时容易爆裂，从而损伤半导体器件；而利用温度处理灰化半导体器件表面的光刻胶时，容易使得半导体器件表面氧化物的增加而造成半导体器件的电性损失。
实用新型内容
本实用新型实施方式的目的在于提供一种光刻胶清除装置，有效清除半导体器件表面的光刻胶、且能够避免损伤半导体器件或造成半导体器件的电性损失。
为解决上述技术问题，本实用新型的实施方式提供了一种光刻胶清除装置，包括：用于容置光刻胶清洗溶剂的清洗槽，其中，光刻胶清洗溶剂用于清洗待清洗半导体器件；用于向待清洗半导体器件发射超声波的超声波发射器，超声波发射器设置于清洗槽内。
本实用新型实施方式相对于现有技术而言，提供了一种光刻胶清除装置，清洗槽内容置有光刻胶清洗溶剂，光刻胶清洗溶剂用于清洗待清洗半导体器件表面的光刻胶，且清洗槽内还设置有用于向待清洗半导体器件发射超声波的超声波发射器，利用本实施方式中的光刻胶清除装置清除待清洗半导体器件表面的光刻胶时，在光刻胶清洗溶剂中先利用超声波震碎待清洗半导体器件表面光刻胶的表皮“壳”，再由光刻胶清洗溶剂溶解掉表皮“壳”破裂后的光刻胶，可有效清除半导体器件表面的光刻胶；且由于光刻胶清洗溶剂可以有效缓冲部分光刻胶爆裂时的力度，从而避免对待清洗半导体器件表面造成损伤；且由于整个清洗过程均是在光刻胶清洗溶剂中进行的，可有效隔绝空气中的氧气不会造成半导体器件表面氧化物的增加，避免半导体器件的电性损失。
另外，还包括：开设于清洗槽上的排水孔、以及用于过滤光刻胶清洗溶剂的过滤器；排水孔通过管道连接过滤器。该方案中过滤器可过滤掉经排水孔排出的光刻胶清洗溶剂中的光刻胶表皮“壳”颗粒，极大地降低了光刻胶清洗溶剂中的颗粒物污染，有利于光刻胶清洗溶剂的重复使用。
另外，还包括：开设于清洗槽上的注水孔、以及将过滤后的光刻胶清洗溶剂引入注水孔的泵；过滤器通过管道连接泵，泵通过管道连接至注水孔。该方案中过滤器通过管道连接泵，泵通过管道连接至注水孔，泵可直接将过滤器过滤后的光刻胶清洗溶剂引入注水孔，注入清洗槽内，实现光刻胶清洗溶剂的循环使用。
另外，还包括：用于加热光刻胶清洗溶剂的加热器；加热器设置于过滤器和泵之间。该方案中由于加热状态下光刻胶清洗溶剂与光刻胶的反应速度更快，因此设置有加热器的光刻胶清除装置能够有效提升待清洗半导体器件的清洗效率。
另外，还包括：储水槽；储水槽设置于过滤器与泵之间。该方案中储水槽设置于过滤器与泵之间，从而方便存储过滤后的光刻胶清洗溶剂。
另外，还包括：用于加热光刻胶清洗溶剂的加热器；加热器设置于储水槽底部。
另外，还包括：排水阀，排水阀设置于排水孔与管道连接部分；控制器，控制器连接排水阀和泵，用于控制排水阀和泵打开和/或关闭。该方案中由控制器控制排水阀和泵的开关状态，从而实现光刻胶清洗溶剂的自动循环控制。
另外，还包括：用于加热光刻胶清洗溶剂的加热器；加热器设置于清洗槽底部。
另外，超声波发射器设置于清洗槽的底壁上。
另外，超声波发射器为多个。
附图说明
一个或多个实施例通过与之对应的附图中的图片进行示例性说明，这些示例性说明并不构成对实施例的限定，附图中具有相同参考数字标号的元件表示为类似的元件，除非有特别申明，附图中的图不构成比例限制。
图1是根据本实用新型第一实施方式的光刻胶清除装置的结构示意图；
图2是根据本实用新型第二实施方式的光刻胶清除装置的结构示意图。
具体实施方式
为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本实用新型的各实施方式进行详细的阐述。然而，本领域的普通技术人员可以理解，在本实用新型各实施方式中，为了使读者更好地理解本申请而提出了许多技术细节。但是，即使没有这些技术细节和基于以下各实施方式的种种变化和修改，也可以实现本申请所要求保护的技术方案。
本实用新型的第一实施方式涉及一种光刻胶清除装置，本实施方式的核心在于包括：用于容置光刻胶清洗溶剂11的清洗槽12，其中，光刻胶清洗溶剂11用于清洗待清洗半导体器件10；用于向待清洗半导体器件10发射超声波的超声波发射器13，超声波发射器13设置于清洗槽12内。利用本实施方式中的光刻胶清除装置清除待清洗半导体器件10表面的光刻胶时，在光刻胶清洗溶剂11中先利用超声波震碎待清洗半导体器件10表面光刻胶的表皮“壳”，再由光刻胶清洗溶剂11溶解掉表皮“壳”破裂后的光刻胶，可有效清除待清洗半导体器件10表面的光刻胶；且由于光刻胶清洗溶剂11可以有效缓冲部分光刻胶爆裂时的力度，从而避免对待清洗半导体器件10表面造成损伤；且由于整个清洗过程均是在光刻胶清洗溶剂11中进行的，可有效隔绝空气中的氧气不会造成待清洗半导体器件10表面氧化物的增加，避免待清洗半导体器件10的电性损失。
下面结合光刻胶清除装置的使用方法对本实施方式的光刻胶清除装置的实现细节进行具体的说明，以下内容仅为方便理解提供的实现细节，并非实施本方案的必须。
本实施方式中的超声波发射器13设置于清洗槽12的底壁上。
具体地说，在使用时，可利用与光刻胶清除装置配合使用的夹具，将待清洗半导体器件10夹持后，竖直放置于清洗槽12内，以便于超声波发射器13发射的超声波震碎待清洗半导体器件10表面的光刻胶表皮“壳”。且本实施方式中可将清洗槽12设置的足够大，以同时容纳多个待清洗半导体器件10进行清洗，从而提高光刻胶清除装置的清洗效率。为提高待清洗半导体器件10的清洗效率，超声波发射器13可以设置多个，多个超声波发射器13均匀分布于清洗槽12的底壁上。
可实现地，超声波发射器13也可设置于清洗槽12的侧壁上，在使用时，可利用与光刻胶清除装置配合使用的夹具，将待清洗半导体器件10夹持后，水平放置于清洗槽12内，以便于超声波发射器13发射的超声波震碎待清洗半导体器件10表面的光刻胶表皮“壳”。为提高待清洗半导体器件10的清洗效率，超声波发射器13可以设置多个，多个超声波发射器13可分别设置于清洗槽12的至少两个侧壁上。
进一步地，本实施方式中光刻胶清除装置还包括：开设于清洗槽12上的排水孔111、以及用于过滤光刻胶清洗溶剂11的过滤器14；排水孔111通过管道连接过滤器14。
具体地说，本实施方式中可在清洗槽12的底壁或侧壁的底部开设排水孔111，以在需要更换光刻胶清洗溶剂11时，方便清洗槽12内光刻胶清洗溶剂11的排出。由于排水孔111通过管道连接过滤器14，过滤器14便可过滤掉排出的光刻胶清洗溶剂11中的光刻胶表皮“壳”颗粒，极大地降低了光刻胶清洗溶剂11中的颗粒物污染，有利于光刻胶清洗溶剂11的重复使用。
另外，光刻胶清除装置还包括：开设于清洗槽12上的注水孔112、以及将过滤后的光刻胶清洗溶剂11引入注水孔112的泵15；过滤器14通过管道连接泵15，泵15通过管道连接至注水孔112。
具体地说，本实施方式中可在光刻胶清除装置侧壁的上部开设注水孔112，以方便重新向清洗槽12内注入光刻胶清洗溶剂11。光刻胶清除装置还设置有泵15，过滤器14通过管道连接泵15，泵15通过管道连接至注水孔112，泵15可直接将过滤器14过滤后的光刻胶清洗溶剂11引入注水孔112，注入清洗槽12内，实现光刻胶清洗溶剂11的循环使用。
为实现光刻胶清洗溶剂11的自动循环控制，本实施方式中光刻胶清除装置还包括：排水阀16，排水阀16设置于排水孔111与管道连接部分；控制器17，控制器17连接排水阀16和泵15，用于控制排水阀16和泵15打开和/或关闭。本实施方式中利用控制器17控制排水阀16和泵15的开关状态，从而在需要更换光刻胶清洗溶剂11时，打开排水阀16排出清洗槽12内的光刻胶清洗溶剂11；在向清洗槽12内注入光刻胶清洗溶剂11时，开启泵15，由泵15提供动力将过滤后的光刻胶清洗溶剂11引入注水孔112，注入清洗槽12内，实现了光刻胶清洗溶剂11的自动循环控制。
值得注意的是，由于过滤器14通过管道直接连接泵15，因此，在需要更换光刻胶清洗溶剂11时，控制器17需同时开启清洗槽12的排水阀16以及泵15，使得清洗槽12内的光刻胶清洗溶剂11在过滤器14、泵15和清洗槽12之间实现循环，避免泵15未开启而导致清洗槽12内的光刻胶清洗溶剂11排不出去。在清洗槽12内的光刻胶清洗溶剂11都经过过滤器14的过滤后，关闭排水阀16；此时，泵15仍然工作将停留在管道内的光刻胶清洗溶剂11引入清洗槽12内，待停留在管道内的光刻胶清洗溶剂11均被引入清洗槽12内后，关闭泵15。此时，清洗槽12内的光刻胶清洗溶剂11仍可对待清洗半导体器件10进行清洗，从而实现了光刻胶清洗溶剂11的循环使用。
下面对控制器17控制排水阀16以及泵15的操作方法进行说明：控制器17在检测到启用光刻胶清除装置第一预设时长后，打开清洗槽12的排水阀16以及泵15，该第一预设时长表征该清洗槽12内的光刻胶清洗溶剂11需要更换，此时，清洗槽12内的光刻胶清洗溶剂11在过滤器14、泵15和清洗槽12之间实现循环；控制器17在第二预设时长后关闭排水阀16，该第二预设时长表征清洗槽12内的光刻胶清洗溶剂11都经过过滤器14过滤所需的时间，此时，关闭排水阀16，泵15仍然工作将停留在管道内的光刻胶清洗溶剂11引入清洗槽12内；控制器17在第三预设时长后关闭泵15，该第三预设时长表征待停留在管道内的光刻胶清洗溶剂11均被引入清洗槽12内所需的时间。
值得说明的是，第二预设时长大于第一预设时长、且小于第三预设时长，本实施方式中不对第一预设时长、第二预设时长以及第三预设时长做具体限定，可由操作人员根据实际需要进行设置。
另外，本实施方式中光刻胶清除装置还包括：用于加热光刻胶清洗溶剂11的加热器18；加热器18设置于过滤器14和泵15之间。在过滤器14和泵15之间设置用于加热光刻胶清洗溶剂11的加热器18，由泵15将加热后的光刻胶清洗溶剂11引入清洗槽12内的，由于加热状态下光刻胶清洗溶剂11与光刻胶的反应速度更快，因此设置有加热器18的光刻胶清除装置能够有效提升待清洗半导体器件10的清洗效率。可实现地，加热器18还可设置于清洗槽12底部，直接加热清洗槽12内的光刻胶清洗溶剂11。
与现有技术相比，本实用新型实施方式提供了一种光刻胶清除装置，清洗槽12内容置有光刻胶清洗溶剂11，光刻胶清洗溶剂11用于清洗待清洗半导体器件10表面的光刻胶，且清洗槽12内还设置有用于向待清洗半导体器件10发射超声波的超声波发射器13，利用本实施方式中的光刻胶清除装置清除待清洗半导体器件10表面的光刻胶时，在光刻胶清洗溶剂11中先利用超声波震碎待清洗半导体器件10表面光刻胶的表皮“壳”，再由光刻胶清洗溶剂11溶解掉表皮“壳”破裂后的光刻胶，可有效清除待清洗半导体器件10表面的光刻胶；且由于光刻胶清洗溶剂11可以有效缓冲部分光刻胶爆裂时的力度，从而避免对待清洗半导体器件10表面造成损伤；且由于整个清洗过程均是在光刻胶清洗溶剂11中进行的，可有效隔绝空气中的氧气不会造成待清洗半导体器件10表面氧化物的增加，避免待清洗半导体器件10的电性损失。
本实用新型的第二实施方式涉及一种光刻胶清除装置。如图2所示，第二实施方式是对第一实施方式的改进，主要改进之处在于，光刻胶清除装置还包括：储水槽19；储水槽19设置于过滤器14与泵15之间，从而方便存储过滤后的光刻胶清洗溶剂11。
由于过滤器14通过管道连接储水槽19，储水槽19通过管道连接泵15，因此，在需要更换光刻胶清洗溶剂11时，控制器17先开启清洗槽12的排水阀16，使得清洗槽12内的光刻胶清洗溶剂11经过过滤器14过滤后流入储水槽19内；在清洗槽12内的光刻胶清洗溶剂11全部流入储水槽19内后，关闭排水阀16，开启泵15，将储水槽19内经过滤后的光刻胶清洗溶剂11引入清洗槽12内；待储水槽19内的光刻胶清洗溶剂11全部被引入清洗槽12内后，关闭泵15。此时，清洗槽12内的光刻胶清洗溶剂11仍可对待清洗半导体器件10进行清洗，从而实现了光刻胶清洗溶剂11的循环使用。
下面对控制器17控制排水阀16以及泵15的操作方法进行说明：控制器17在检测到启用光刻胶清除装置第一预设时长后先开启清洗槽12的排水阀16，该第一预设时长用于表征该清洗槽12内的光刻胶清洗溶剂11需要更换，此时，清洗槽12内的光刻胶清洗溶剂11经过过滤器14过滤后流入储水槽19内；控制器17在第二预设时长后关闭排水阀16、打开泵15，该第二预设时长表征清洗槽12内的光刻胶清洗溶剂11全部流入储水槽19内所需的时间，此时，关闭排水阀16、开启泵15，将储水槽19内经过滤后的光刻胶清洗溶剂11引入清洗槽12内；控制器17在第三预设时长后关闭泵15，该第三预设时长表征将待储水槽19内的光刻胶清洗溶剂11全部被引入清洗槽12内所需的时间。
值得说明的是，第二预设时长大于第一预设时长、且小于第三预设时长，本实施方式中不对第一预设时长、第二预设时长以及第三预设时长做具体限定，可由操作人员根据实际需要进行设置。
本实施方式中加热器18的设置位置可与第一实施方式中的设置位置相同，设置于过滤器14和储水槽19之间，或者，设置于清洗槽12底部。本实施方式中，加热器18还可设置于储水槽19底部，加热储水槽19内经过滤后的光刻胶清洗溶剂11。
与现有技术相比，本实用新型实施方式提供了一种光刻胶清除装置，还包括：储水槽19；储水槽19设置于过滤器14与泵15之间，从而方便存储过滤后的光刻胶清洗溶剂11。
值得说明的是，本实施方式中的光刻胶清洗溶剂可以为丙酮溶液或酸性溶液等。
本领域的普通技术人员可以理解，上述各实施方式是实现本实用新型的具体实施例，而在实际应用中，可以在形式上和细节上对其作各种改变，而不偏离本实用新型的精神和范围。
Claims (10)
1.一种光刻胶清除装置，其特征在于，包括：
用于容置光刻胶清洗溶剂的清洗槽，其中，所述光刻胶清洗溶剂用于清洗待清洗半导体器件；
用于向所述待清洗半导体器件发射超声波的超声波发射器，所述超声波发射器设置于所述清洗槽内。
2.根据权利要求1所述的光刻胶清除装置，其特征在于，还包括：开设于所述清洗槽上的排水孔、以及用于所述过滤光刻胶清洗溶剂的过滤器；所述排水孔通过管道连接所述过滤器。
3.根据权利要求2所述的光刻胶清除装置，其特征在于，还包括：开设于所述清洗槽上的注水孔、以及将过滤后的光刻胶清洗溶剂引入所述注水孔的泵；所述过滤器通过管道连接所述泵，所述泵通过管道连接至所述注水孔。
4.根据权利要求3所述的光刻胶清除装置，其特征在于，还包括：用于加热所述光刻胶清洗溶剂的加热器；所述加热器设置于所述过滤器和所述泵之间。
5.根据权利要求3所述的光刻胶清除装置，其特征在于，还包括：储水槽；所述储水槽设置于所述过滤器与所述泵之间。
6.根据权利要求5所述的光刻胶清除装置，其特征在于，还包括：用于加热所述光刻胶清洗溶剂的加热器；所述加热器设置于所述储水槽底部。
7.根据权利要求3至6中任一项所述的光刻胶清除装置，其特征在于，还包括：排水阀，所述排水阀设置于所述排水孔与管道连接部分；控制器，所述控制器连接所述排水阀和所述泵，用于控制所述排水阀和所述泵打开和/或关闭。
8.根据权利要求1所述的光刻胶清除装置，其特征在于，还包括：用于加热所述光刻胶清洗溶剂的加热器；所述加热器设置于所述清洗槽底部。
9.根据权利要求1所述的光刻胶清除装置，其特征在于，所述超声波发射器设置于所述清洗槽的底壁上。
10.根据权利要求1所述的光刻胶清除装置，其特征在于，所述超声波发射器为多个。
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