CN210575942U - Led封装结构 - Google Patents
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- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 title claims abstract description 9
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims abstract description 11
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims 6
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims 1
- 239000012945 sealing adhesive Substances 0.000 claims 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 2
- 230000001174 ascending effect Effects 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 210000002421 cell wall Anatomy 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
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Abstract
本实用新型公开了一种LED封装结构，包括设有凹槽的LED支架和设于所述凹槽内的第一芯片、第二芯片和第三芯片，所述凹槽底部被一隔离层沿长度方向分割成相互绝缘的第一电极和第二电极，所述第一电极在所述凹槽长度方向上的尺寸是第二电极在所述凹槽长度方向上尺寸的二倍至三倍，所述第一芯片、第二芯片和第三芯片横向排布于所述凹槽内，且所述第一芯片和第二芯片以一定间距安装于所述第一电极上，所述第三芯片安装于所述第二电极上。与现有技术相比，本实用新型不但可以有效利用了LED支架内的空间，使得有效空间内设置的晶片数量多，还使得晶片间距较大，分布均匀，减少光损，提升LED亮度。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种LED封装结构，尤其涉及一种可有效利用LED支架空间的LED封装结构。
背景技术
LED支架一般由金属引线框和绝缘壳体组成，金属引线框包括条形的第一电极和条形的第二电极，绝缘壳体包裹所述金属引线框并在金属引线框之上成型容纳LED芯片的安装杯，第一电极的宽度一般是第二电极的四倍以上，安装LED时，LED芯片只能安装于第一电极上，第二电极为空，不但浪费了LED支架内的空间，还使得LED芯片只能设于第一电极上，设置的晶片数量有限，一般大一点的晶片只能安装一两个，且安装后晶片间距小，很难分布均匀，光损大。
故，急需一种可解决上述问题的新的LED封装结构。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种LED封装结构，有效利用了LED支架内的空间，使得有效空间内设置的晶片数量多，还使得晶片间距较大，分布均匀，减少光损，提升LED亮度。
为了实现上述目的，本实用新型公开了一种LED封装结构，包括设有凹槽的LED支架和设于所述凹槽内的第一芯片、第二芯片和第三芯片，所述凹槽底部被一隔离层沿长度方向分割成相互绝缘的第一电极和第二电极，所述第一电极在所述凹槽长度方向上的尺寸是第二电极在所述凹槽长度方向上尺寸的二倍至三倍，所述第一芯片、第二芯片和第三芯片横向排布于所述凹槽内，且所述第一芯片和第二芯片以一定间距安装于所述第一电极上，所述第三芯片安装于所述第二电极上。
与现有技术相比，本实用新型所述第一电极的长度等于第二电极长度的二倍至三倍，将芯片横向排布于凹槽内时，所述第一芯片、第二芯片和第三芯片沿所述凹槽的长度方向以一定间距安装于所述第一电极上，且两个芯片排布于第一电极上，将一个芯片排布于第二电极上，不但有效利用了LED支架内的空间，使得有效空间内设置的晶片数量多，还使得晶片间距较大，分布均匀，减少光损，提升LED亮度。
较佳地，所述第一电极和所述第二电极在所述凹槽长度方向上尺寸的比例为3比7。
较佳地，所述第一芯片和第二芯片沿所述凹槽的宽度方向交错设置，便于焊接金线，节省金线。
较佳地，所述第一芯片、第二芯片和第三芯片通过金线依次串联后通过金线电连接于所述第一电极和第二电极之间。
较佳地，所述第一芯片、第二芯片、第三芯片的宽度为0.56mm，长度为1.04mm，所述凹槽的宽度为1.7mm，长度为2.25mm，所述凹槽的深度大于等于0.4mm。
较佳地，所述LED支架包括引线框和绝缘部分，所述引线框呈杯状且其内形成有所述凹槽，所述引线框沿底壁和侧壁被一缝隙分隔呈第一电极和第二电极，且所述侧壁处的缝隙宽于所述底壁处的缝隙，所述绝缘部分一体成型并包括包裹于所述引线框外的绝缘外壳、填充于所述缝隙内形成所述隔离层。
较佳地，所述第一电极包括第一底壁和与所述第一底壁相连的第一侧壁，所述第二电极包括第二底壁和与所述第二底壁相连的第二侧壁，所述缝隙包括形成于所述第一底壁和第二底壁之间的第一缝隙和形成于所述第一侧壁和第二侧壁之间并位于所述第一缝隙两端的第二缝隙，所述第二缝隙与所述第一缝隙位置相对并宽于所述第一缝隙，所述隔离层包括填充于所述第一缝隙的第一间隔层和填充于第二缝隙内的第二间隔层。该方案中，金属引线框自身形成了的LED芯片的容纳槽，增加了LED支架的防撞性，所述侧壁处的缝隙和所述底壁处的缝隙之间的宽度差使得二者之间形成了一弯折线，有效增加了第一电极、第二电极与绝缘的绝缘间隔层之间的连接面积，增加了LED支架结构的稳固性。另一方面，本实用新型的LED支架主体由金属组成，使得容纳槽的内槽壁上无需包裹绝缘材料，有效增加了LED支架的散热性。再者，包裹于引线框外的绝缘部分也有效增加了LED支架的稳固性。
更佳地，所述第二缝隙形成于所述引线框的两相对直边上。该方案使得第一电极和第二电极之间的缝隙仅形成于侧壁的边沿处。该方案使得第一电极和第二电极之间的缝隙仅形成于侧壁的边沿处，而非拐角，使得LED支架的拐角处具有封闭的金属材料，防止LED支架因撞裂或者夹取而变形。
较佳地，所述LED封装结构还包括设于所述凹槽内并密封所述第一芯片、第二芯片和第三芯片的密封胶层。
附图说明
图1是本实用新型第一实施例中LED封装结构的结构示意图。
图2是本实用新型第二实施例中LED封装结构的结构示意图。
图3是本实用新型第二实施例中LED封装结构的立体示意图。
具体实施方式
为详细说明本实用新型的技术内容、构造特征、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图详予说明。
参考图1，本实用新型第一实施例中公开了一种LED封装结构100，包括设有凹槽11的LED支架10和设于所述凹槽11内的第一芯片21、第二芯片22和第三芯片23，所述凹槽11底部被一隔离层12沿长度方向分割成相互绝缘的第一电极111和第二电极112，所述第一电极111在所述凹槽11长度方向上的尺寸等于第二电极112在所述凹槽11长度方向上尺寸的二倍至三倍，所述第一芯片21、第二芯片22和第三芯片23横向排布于所述凹槽11内，且所述第一芯片21和第二芯片22以一定间距安装于所述第一电极111上，所述第三芯片23安装于所述第二电极112上。
本实施例中，所述第一电极111和所述第二电极112在所述凹槽11长度方向上尺寸的比例为3比7。
较佳者，所述第一芯片21和第二芯片22沿所述凹槽11的宽度方向交错设置，便于焊接金线，节省金线。其中，所述第一芯片21、第二芯片22和第三芯片23通过金线依次串联后通过金线电连接于所述第一电极111和第二电极112之间。第三芯片23和第二芯片22沿所述凹槽11的宽度方向交错设置。
本实施例中，所述第一芯片21、第二芯片22、第三芯片23的宽度为0.56mm，长度为1.04mm，所述凹槽11的宽度为1.7mm，长度为2.25mm，所述凹槽11的深度大于等于0.4mm。
其中，所述LED封装结构100还包括设于所述凹槽11内并密封所述第一芯片21、第二芯片22和第三芯片23的密封胶层(图中未示)。
参考图2和图3，为本实用新型第二实施例，与第一实施例不同的是，该实施例中，LED封装结构100a的LED支架10a包括引线框和绝缘部分，所述引线框呈杯状且其内形成有凹槽11a，所述引线框沿底壁和侧壁被一缝隙分隔呈第一电极111a和第二电极112a，且所述侧壁处的缝隙宽于所述底壁处的缝隙，所述绝缘部分一体成型并包括包裹于所述引线框外的绝缘外壳123、填充于所述缝隙内形成所述隔离层12a。
继续参考图2和图3，所述第一电极111a包括第一底壁31和与所述第一底壁31相连的第一侧壁32，所述第二电极112包括第二底壁41和与所述第二底壁41相连的第二侧壁42，所述缝隙包括形成于所述第一底壁31和第二底壁41之间的第一缝隙和形成于所述第一侧壁32和第二侧壁42之间并位于所述第一缝隙两端的第二缝隙，所述第二缝隙与所述第一缝隙位置相对并宽于所述第一缝隙，所述隔离层12包括填充于所述第一缝隙的第一间隔层121和填充于第二缝隙内的第二间隔层122。其中，所述第二缝隙形成于所述引线框的两相对直边上。
以上所揭露的仅为本实用新型的优选实施例而已，当然不能以此来限定本实用新型之权利范围，因此依本实用新型申请专利范围所作的等同变化，仍属本实用新型所涵盖的范围。
Claims (9)
1.一种LED封装结构，其特征在于：包括设有凹槽的LED支架和设于所述凹槽内的第一芯片、第二芯片和第三芯片，所述凹槽底部被一隔离层沿长度方向分割成相互绝缘的第一电极和第二电极，所述第一电极在所述凹槽长度方向上的尺寸是所述第二电极在所述凹槽长度方向上尺寸的二倍至三倍，所述第一芯片、第二芯片和第三芯片横向排布于所述凹槽内，且所述第一芯片和第二芯片以一定间距安装于所述第一电极上，所述第三芯片安装于所述第二电极上。
2.如权利要求1所述的LED封装结构，其特征在于：所述第一电极和所述第二电极在所述凹槽长度方向上尺寸的比例为3比7。
3.如权利要求1所述的LED封装结构，其特征在于：所述第一芯片和第二芯片沿所述凹槽的宽度方向交错设置。
4.如权利要求1所述的LED封装结构，其特征在于：所述第一芯片、第二芯片和第三芯片通过金线依次串联后通过金线电连接于所述第一电极和第二电极之间。
5.如权利要求1所述的LED封装结构，其特征在于：所述第一芯片、第二芯片、第三芯片的宽度为0.56mm，长度为1.04mm，所述凹槽的宽度为1.7mm，长度为2.25mm，所述凹槽的深度大于等于0.4mm。
6.如权利要求1所述的LED封装结构，其特征在于：所述LED支架包括引线框和绝缘部分，所述引线框呈杯状且其内形成有所述凹槽，所述引线框沿底壁和侧壁被一缝隙分隔呈第一电极和第二电极，且所述侧壁处的缝隙宽于所述底壁处的缝隙，所述绝缘部分一体成型并包括包裹于所述引线框外的绝缘外壳、填充于所述缝隙内形成所述隔离层。
7.如权利要求6所述的LED封装结构，其特征在于：所述第一电极包括第一底壁和与所述第一底壁相连的第一侧壁，所述第二电极包括第二底壁和与所述第二底壁相连的第二侧壁，所述缝隙包括形成于所述第一底壁和第二底壁之间的第一缝隙和形成于所述第一侧壁和第二侧壁之间并位于所述第一缝隙两端的第二缝隙，所述第二缝隙与所述第一缝隙位置相对并宽于所述第一缝隙，所述隔离层包括填充于所述第一缝隙的第一间隔层和填充于第二缝隙内的第二间隔层。
8.如权利要求7所述的LED封装结构，其特征在于：所述第二缝隙形成于所述引线框的两相对直边上，以使得第一电极和第二电极之间的缝隙仅形成于侧壁的边沿处。
9.如权利要求1所述的LED封装结构，其特征在于：还包括设于所述凹槽内并密封所述第一芯片、第二芯片和第三芯片的密封胶层。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201920990491.7U CN210575942U (zh) | 2019-06-27 | 2019-06-27 | Led封装结构 |
| JP2019004554U JP3225142U (ja) | 2019-06-27 | 2019-12-02 | Ｌｅｄパッケージ構造 |
| DE202019107219.9U DE202019107219U1 (de) | 2019-06-27 | 2019-12-23 | LED-Gehäuse |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201920990491.7U CN210575942U (zh) | 2019-06-27 | 2019-06-27 | Led封装结构 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN210575942U true CN210575942U (zh) | 2020-05-19 |
Family
ID=69411964
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201920990491.7U Active CN210575942U (zh) | 2019-06-27 | 2019-06-27 | Led封装结构 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3225142U (zh) |
| CN (1) | CN210575942U (zh) |
| DE (1) | DE202019107219U1 (zh) |
-
2019
- 2019-06-27 CN CN201920990491.7U patent/CN210575942U/zh active Active
- 2019-12-02 JP JP2019004554U patent/JP3225142U/ja active Active
- 2019-12-23 DE DE202019107219.9U patent/DE202019107219U1/de active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE202019107219U1 (de) | 2020-01-21 |
| JP3225142U (ja) | 2020-02-13 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |