CN210573181U - 一种防静电光罩 - Google Patents
一种防静电光罩 Download PDFInfo
- Publication number
- CN210573181U CN210573181U CN201921623220.4U CN201921623220U CN210573181U CN 210573181 U CN210573181 U CN 210573181U CN 201921623220 U CN201921623220 U CN 201921623220U CN 210573181 U CN210573181 U CN 210573181U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- discharge
- comb
- photomask
- patterns
- electrostatic protection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000008859 change Effects 0.000 claims abstract description 8
- 244000126211 Hericium coralloides Species 0.000 claims description 34
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 19
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 15
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 8
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 7
- 230000009467 reduction Effects 0.000 claims description 6
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 3
- 230000003068 static effect Effects 0.000 abstract description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 5
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 abstract description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 20
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 8
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 230000035508 accumulation Effects 0.000 description 5
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- WYTGDNHDOZPMIW-RCBQFDQVSA-N alstonine Natural products C1=CC2=C3C=CC=CC3=NC2=C2N1C[C@H]1[C@H](C)OC=C(C(=O)OC)[C@H]1C2 WYTGDNHDOZPMIW-RCBQFDQVSA-N 0.000 description 2
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
本实用新型提供一种防静电光罩，所述光罩在光罩图形外侧设置有静电保护结构，所述静电保护结构包括多个间隔设置的放电结构，不仅可使光罩上积累的静电电荷在远离光罩图形处进行尖端放电，保证光罩图形完整性及晶圆良率；还可在其基础上有效减少光罩在制备静电保护结构时的复杂度及时间。同时每个放电结构均包括至少一个放电单元，每个放电单元包括实体放电部分和镂空部分，本实用新型提供了多种镂空部分的结构图形，对应不同的实体放电部分图形，并给出各图形数量、尺寸规格、排列组合方式以及各放电单元数量、组合连接方式的多种变化形式，使光罩可应对静电放电过程中产生的不同大小的静电电流，大大提升光罩的静电防护能力及其应用范围。
Description
技术领域
本实用新型涉及半导体制造技术领域，特别是涉及一种防静电光罩。
背景技术
光罩是半导体制造行业十分重要的生产模具，在集成电路(IC)的制造过程中，会利用光刻技术将光罩图形复制于晶圆上，类似于冲洗相片时，利用底片将影像复制到相片上的原理，从而获得所需要的图案。
然而，在光罩的制作及使用过程中，由于光罩与其周围物体的接触摩擦使得光罩上极易产生静电积累，尤其是在其使用过程中，有数道需要操作人员手持光罩进行的工序，即使操作人员已经配备有防静电装置还是有可能将未除去的静电电荷引入光罩，当静电电荷积累到一定程度时，便会在光罩图形的尖端之间产生静电电荷放电(ESD)现象，其放电瞬间产生的能量将直接破坏光罩图形，不仅产生污染粒子，还会导致错误的图形间接复制于晶圆之上，最终降低晶圆良率；同时光罩本身也会由于其图形的损伤而无法使用，进一步增加了半导体生产的成本。
实用新型内容
鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种防静电光罩，可有效解决现有技术中因光罩上积累的大量静电电荷在光罩图形处放电导致光罩图形被破坏，进而降低晶圆良率的问题。
为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种防静电光罩，所述光罩包括：
基板；
光罩图形,所述光罩图形设置在所述基板上；以及
静电保护结构，所述静电保护结构设置在所述光罩图形外侧，所述静电保护结构包括多个间隔设置的放电结构，每个所述放电结构包括至少一个放电单元，所述放电单元包括实体放电部分和镂空部分。
作为本实用新型的一种优选方案，所述光罩还包括设置在所述基板上的第一导电层，所述光罩图形通过对所述第一导电层图形化形成。
作为本实用新型的一种优选方案，所述光罩还包括设置在所述基板上的第一导电层，所述静电保护结构通过对第一导电层图形化形成，所述实体放电部分为第一导电层，所述镂空部分为基板。
作为本实用新型的一种优选方案，所述光罩还包括设置在所述第一导电层上的第二导电层，所述静电保护结构通过对所述第二导电层图形化形成。
作为本实用新型的一种优选方案，每个所述放电单元的镂空部分包括数字“2”形镂空结构、勺形镂空结构或蛇形镂空结构。
作为本实用新型的一种优选方案，所述数字“2”形的镂空结构由多个梳状图形以及完全镂空的矩形组合而成，所述完全镂空的矩形不相邻。
作为本实用新型的一种优选方案，所述勺形镂空结构包括勺柄图形以及勺头图形，所述勺头图形包括勺头底部图形以及勺头两侧图形，所述勺头两侧图形包括多个梳状图形。
作为本实用新型的一种优选方案，所述梳状图形包括梳柄图形和垂直于所述梳柄图形的梳齿图形，每个所述梳柄图形上设置有多个梳齿图形。
作为本实用新型的一种优选方案，所述梳齿图形设置于所述梳柄图形的一侧或两侧。
作为本实用新型的一种优选方案，每个所述梳柄图形上的梳齿图形尺寸变化方式包括逐渐变大、相等和逐渐减小中至少一种，梳齿图形之间的间隔尺寸变化方式也包括逐渐变大、相等和逐渐减小中至少一种。
作为本实用新型的一种优选方案，每个所述放电结构包括多个连接的所述放电单元，所述放电单元的连接方式包括平移连接、旋转连接以及对称连接中至少一种。
作为本实用新型的一种优选方案，所述基板的材质包括玻璃。
作为本实用新型的一种优选方案，所述第一导电层材质包括铬金属。
作为本实用新型的一种优选方案，所述光罩图形外围设置有切割道，且所述切割道位于所述静电保护结构的内侧。
作为本实用新型的一种优选方案，所述光罩还包括防护薄膜及框架，所述框架设置在所述光罩图形与所述静电保护结构之间，围绕所述光罩图形呈封闭结构，所述防护薄膜设置在所述框架上。
如上所述，本实用新型的一种防静电光罩，具有以下有益效果：
(1)本实用新型提供的防静电光罩，在远离光罩图形区域设置有静电保护结构，可将积累于光罩上的静电电荷引导至其放电结构上进行放电，从而避免静电电荷进入光罩图形区域，有效防止静电电荷放电现象对光罩图形的损伤，不仅可以保证光罩图形的完整性，增加光罩使用寿命，提高晶圆生产良率；还可以扩大光罩应用范围，降低生产成本。
(2)本实用新型的静电保护结构包括多个间隔设置的放电结构，这样的设置可以在保证放电效果的基础上有效减少光罩在制备静电保护结构时的复杂度及时间，提高本实用新型光罩的实用性同时降低成本。
(3)本实用新型中每个放电结构均包括至少一个放电单元，每个放电单元均包括实体放电部分和镂空部分，本实用新型提供了多种镂空部分的结构图形，对应不同的实体放电部分图形，并在各图形的具体形状、数量、尺寸、间隔以及排列组合方式上给出了多种变化方式，同时当一个放电结构中包括多个放电单元时，本实用新型也给出了各放电单元的不同组合及连接方式，使得光罩可应对静电放电过程中产生的不同大小的静电电流，对于不同积累量的静电电荷均可有效释放，保证光罩图形不受损伤，大大提升了光罩的静电防护能力及其应用范围。
(4)本实用新型的光罩还包括防护薄膜及框架，封闭设置于光罩图形与静电保护结构之间，不仅可将光罩图形与外界隔离，还可在静电保护结构放电时，防止放电过程中产生的污染粒子落入光罩图形区域内产生图形缺陷，以保证晶圆的制造良率。
附图说明
图1显示为本实用新型于一实施例中公开的光罩结构示意图。
图2显示为本实用新型于一实施例中公开的放电单元的结构示意图。
图3显示为本实用新型于一实施例中公开的放电结构的示意图。
图4显示为本实用新型于一实施例中公开的放电单元的结构示意图。
图5显示为本实用新型于一实施例中公开的放电单元的结构示意图。
图6显示为本实用新型于一实施例中公开的放电结构的示意图。
图7显示为本实用新型于一实施例中公开的放电单元的结构示意图。
图8显示为本实用新型于一实施例中公开的放电结构的示意图。
图9显示为本实用新型于一实施例中公开的放电单元的结构示意图。
图10显示为本实用新型于一实施例中公开的放电结构的示意图。
图11显示为本实用新型于一实施例中公开的放电结构的示意图。
图12显示为本实用新型于一实施例中公开的放电结构的示意图。
标号说明
1 基板 23 第三梳状图形
2 第一导电层 24 第三梳柄图形
3 光罩图形 25 第三梳齿图形
4 切割道 26 第二放电结构
5 静电保护结构 27 第三放电单元
6 防护薄膜框架 28 勺形镂空结构
7 放电结构 29 第三实体放电部分
8 第一放电单元 30 勺头图形
9 第一数字“2”形镂空结构 31 勺柄图形
10 第一实体放电部分 32 勺头两侧图形
11 第一完全镂空矩形 33 勺头底部图形
12 第一梳状图形 34 第四梳状图形
13 第一梳柄图形 35 第四梳柄图形
14 第一梳齿图形 36 第四梳齿图形
15 第一放电结构 37 第三放电结构
16 第二放电单元 38 第四放电单元
17 第二数字“2”形镂空结构 39 蛇形镂空结构
18 第二实体放电部分 40 第四实体放电部分
19 第二完全镂空矩形 41 第四放电结构
20 第二梳状图形 42 第五放电结构
21 第二梳柄图形 43 第六放电结构
22 第二梳齿图形
具体实施方式
以下由特定的具体实施例说明本申请的实施方式，熟悉此技术的人士可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本实用新型的其他优点及功效。本申请还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本申请的精神下进行各种修饰或改变。需说明的是，在不冲突的情况下，以下实施例及实施例中的特征可以相互组合。
请参阅图1至图12。须知，本申请实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本实用新型的基本构想，虽图示中仅显示与本实用新型中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的形态、数量及比例可随意的改变，且其组件布局形态也可能更为复杂。说明书附图所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本申请可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本实用新型所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本申请所揭示的技术内容所能涵盖的范围内。
实施例一：
本实施例提供一种防静电光罩，所述光罩主要包括基板、设置在所述基板上的光罩图形以及静电保护结构。具体地，所述基板的材质包括玻璃，例如石英玻璃等；所述静电保护结构设置在所述光罩图形外侧，包括多个间隔设置的放电结构，每个所述放电结构包括至少一个放电单元，所述放电单元包括实体放电部分和镂空部分。在刻蚀出一定形状的镂空部分后，即可相应得到与其形状互补的实体放电部分，光罩上积累的静电电荷即可通过所述实体放电部分的图形进行尖端放电，从而避免光罩图形的损伤。进一步地，本实用新型通过设计镂空部分的结构图形，并在各图形的具体形状、数量、尺寸、间隔以及排列组合方式上给出了多种变化方式，同时当一个放电结构中包括多个放电单元时，本实用新型也给出了各放电单元的不同组合及连接方式，使光罩可应对静电放电过程中产生的不同大小的静电电流，对于不同积累量的静电电荷均可有效释放，保证光罩图形不受损伤，大大提升了光罩的静电防护能力及其应用范围，可根据实际情况在不同种类的光罩上设计相应的放电单元，以达到保护光罩图形的目的。
可选地，所述光罩还包括设置在所述基板上的第一导电层，所述光罩图形通过对所述第一导电层图形化形成。具体地，所述第一导电层的材质包括铬金属。可选地，所述光罩还包括设置在所述第一导电层上的第二导电层，所述静电保护结构通过对所述第二导电层图形化形成。进一步地，所述静电保护结构设置于所述光罩图形外侧面积较大的第一导电层区域。
可选地，所述光罩还包括设置在所述基板上的第一导电层，所述静电保护结构通过对第一导电层图形化形成，所述实体放电部分为第一导电层，所述镂空部分为基板。进一步地，所述静电保护结构形成于所述光罩图形外侧面积较大的第一导电层区域。具体地，所述第一导电层的材质包括铬金属。
可选地，所述光罩图形外围设置有切割道，且所述切割道位于所述静电保护结构的内侧。所述光罩还包括防护薄膜及框架，所述框架设置在所述光罩图形与所述静电保护结构之间，围绕所述光罩图形呈封闭结构，所述防护薄膜设置在所述框架上。
作为本实施例的一种实现方式，参见图1中的光罩结构示意图，所述光罩包括基板1，第一导电层2、光罩图形3、切割道4、静电保护结构5、防护薄膜以及其框架6。所述第一导电层2为在所述基板1上设置的一不透光层，覆盖整个基板的工作表面，其材质包括铬金属，所述光罩图形3通过对所述第一导电层2图形化形成，所述静电保护结构5也通过对第一导电层2图形化形成，其中放电单元的所述实体放电部分为第一导电层2，所述镂空部分为基板1。
如图1中所示，由于图1中光罩图形3左右两侧的第一导电层2面积较上下两侧更大，其积累的静电电荷量也更多，因此所述静电保护结构5设置在光罩图形3的左右两侧，可在静电电荷积累量最大的地方直接进行放电，及时降低静电电荷的积累量，从而避免静电电荷进入光罩图形区域放电造成光罩图形3的损伤，保证光罩图形3的完整性，增加光罩使用寿命，提高晶圆生产良率；同时，所述静电保护结构5包括多个间隔设置的放电结构7，如图1中光罩图形3左右两侧各设置五个放电结构7，这样的设置可以在保证放电效果的基础上有效减少光罩在刻蚀静电保护结构时的复杂度及时间，提高本实用新型光罩的实用性，降低成本。
所述切割道4设置于所述光罩图形3外围，且位于所述静电保护结构5的内侧。基于现有技术可知，在光罩图形外围设置的切割道内普遍都具有连接光罩图形与其外侧部分的导电通路，即在本实现方式中形成的所述切割道4内具有由第一导电层2形成的导电通路，连接所述光罩图形3和其外侧的大面积第一导电层2，因此所述静电保护结构5不仅可消除光罩图形3外侧积累的的静电电荷，对于光罩图形3内部的静电电荷也可经由所述导电通路引导至光罩图形3外侧大面积的第一导电层2上，随后在静电保护结构5处进行放电。
本实施例中所述防静电光罩还包括防护薄膜及框架6，如图1所示，所述框架7设置在所述第一导电层2上，围绕所述光罩图形3呈封闭结构，且位于所述静电保护结构5的内侧，所述防护薄膜设置在所述框架6上，不仅可将光罩图形3与外界隔离，还可在静电保护结构5放电时，防止放电过程中产生的污染粒子落入光罩图形区域内产生图形缺陷，以保证晶圆的制造良率。
当然，上述实现方式中对光罩结构的各种设置并不固定，均可根据实际情况做出多种变化以适应生产需求。
实施例二：
本实施例提供一种防静电光罩，其基本结构与实施例一中相同，在此不再赘述，其与实施例一的区别在于：本实施例中所述放电单元包括数字“2”形镂空结构以及实体放电部分，其中所述数字“2”形镂空结构由多个梳状图形以及完全镂空的矩形组合而成，可选地，所述完全镂空的矩形不相邻。所述梳状图形包括梳柄图形和垂直于所述梳柄图形的梳齿图形，每个梳柄图形上设置有多个梳齿图形。所述梳齿图形设置于梳柄图形的一侧或两侧。每个所述梳柄图形上的梳齿图形尺寸变化方式包括逐渐变大、相等和逐渐减小中至少一种，梳齿图形之间的间隔尺寸变化方式也包括逐渐变大、相等和逐渐减小中至少一种。
作为本实施例的一种实现方式，参见图2中的第一放电单元8，所述第一放电单元8包括第一数字“2”形镂空结构9以及第一实体放电部分10，所述第一数字“2”形镂空结构9由五个第一梳状镂空图形12以及三个第一完全镂空矩形11组合而成，所述第一完全镂空的矩形11均匀分布于所述数字“2”形镂空结构9的“上”“中”“下”三处位置上，同时在每个所述第一梳状图形12中，包括六个第一梳齿图形14，所述第一梳齿图形14均设置于第一梳柄图形13的一侧，且每个第一梳柄图形13两端的两个第一梳齿图形14的宽度尺寸相等，中间四个第一梳齿图形14的宽度尺寸由小变大，其间隔尺寸也逐渐变大，即镂空的梳齿图形间的实体放电部分图形逐渐变大。将四个所述第一放电单元8以平移方式重复连接后即可组成如图3所示的第一放电结构15。可选地，所述第一放电单元8的尺寸规格可进行如下选择：所述第一放电单元8的长度为200μm，宽度为80μm，所述第一完全镂空的矩形11为边长40μm的正方形，所述第一梳状图形12的整体长宽也均为40μm，其中所述第一梳柄图形13两端的两个第一梳齿图形14的宽度均为1μm，中间四个的宽度分别为3μm、4μm、5μm以及6μm；同时每个第一梳状图形12对应的间隔，即五个实体放电部分的图形尺寸呈逐渐增大的变化趋势，其宽度分别为2μm、3μm、4μm、5μm以及6μm，其长度分别为35μm、36μm、37μm、38μm以及39μm。
当然，上述实现方式中各图形的数量、尺寸规格、排列组合方式等以及各放电单元的数量、组合连接方式等并不固定，均可根据实际情况做出多种变化以适应生产需求，例如图4中的放电单元，其与第一放电单元8的结构基本相同，区别在于其中间位置的一个第一完全镂空矩形11替换为了第一梳状图形12，使得整个放电单元中实体放电部分的放电尖端数量增加，从而可达到更好的放电效果。
作为本实施例的另一种实现方式，参见图5中的第二放电单元16，所述第二放电单元16包括第二数字“2”形镂空结构17以及第二实体放电部分18，所述第二数字“2”形镂空结构17由六个梳状镂空图形以及两个第二完全镂空矩形19组合而成，所述第二完全镂空的矩形19分布于所述数字“2”形镂空结构17的“上”“下”两处位置上，所述梳状镂空图形包括两个第二梳状图形20以及四个第三梳状图形23，其中，在每个所述第二梳状图形20中，包括十二个第二梳齿图形22，所述第二梳齿图形22成对设置于第二梳柄图形21的两侧，每个第二梳柄图形21两端的四个第二梳齿图形22的尺寸均相等，中间的八个第二梳齿图形22的尺寸也相等，且宽度大于两端的第二梳齿图形22，其间隔尺寸也相等，即镂空的梳齿图形间的实体放电部分图形尺寸相等；在每个所述第三梳状图形23中，包括六个第三梳齿图形25，所述第三梳齿图形25设置于第三梳柄图形24的一侧，每个第三梳柄图形24两端的两个第三梳齿图形25的尺寸均相等，中间的四个第三梳齿图形25的尺寸也相等，且宽度大于两端的第三梳齿图形25，其间隔尺寸也相等，即镂空的梳齿图形间的实体放电部分图形尺寸相等。将三个所述第二放电单元16以平移方式重复连接后即可组成如图6所示的第二放电结构26。可选地，所述第二放电单元16的尺寸规格可进行如下选择：所述第二放电单元16的长度为200μm，宽度为80μm，所述第二完全镂空的矩形19为边长40μm的正方形，所述梳状图形的整体长宽也均为40μm，其中，所述第二梳柄图形21的宽度为4μm，其两端的四个第二梳齿图形22的宽度均为2μm，长度为18μm，中间八个的宽度均为4μm，长度也均为18μm，同时每个第二梳状图形20对应的间隔，即十个实体放电部分的图形尺寸也相等，其宽度分别为4μm，长度为18μm；所述第三梳柄图形24的宽度为2μm，其两端的两个第三梳齿图形25的宽度均为2μm，长度为38μm，中间四个的宽度均为4μm，长度也均为38μm，同时每个第三梳状图形23对应的间隔，即五个实体放电部分的图形尺寸也相等，其宽度分别为4μm，长度为38μm。
当然，上述实现方式中各图形的数量、尺寸规格、排列组合方式等以及各放电单元的数量、组合连接方式等并不固定，均可根据实际情况做出多种变化以适应生产需求。
实施例三：
本实施例提供一种防静电光罩，其基本结构与实施例一中相同，在此不再赘述，其与实施例一的区别在于：本实施例中所述放电单元包括勺形镂空结构以及实体放电部分，其中所述勺形镂空结构包括勺柄图形以及勺头图形，所述勺头图形包括勺头底部图形以及勺头两侧图形，所述勺头两侧图形包括多个梳状图形，所述梳状图形包括梳柄图形和垂直于所述梳柄图形的梳齿图形，每个所述梳柄图形上设置有多个梳齿图形。所述梳齿图形设置于梳柄图形的一侧或两侧。每个所述梳柄图形上的梳齿图形尺寸变化方式包括逐渐变大、相等和逐渐减小中至少一种，梳齿图形之间的间隔尺寸变化方式也包括逐渐变大、相等和逐渐减小中至少一种。
作为本实施例的一种实现方式，参见图7中的第三放电单元27，所述第三放电单元27包括勺形镂空结构28以及第三实体放电部分29，所述勺形镂空结构28由勺头图形30以及勺柄图形31组合而成，所述勺头图形30包括勺头两侧图形32以及勺头底部图形33，所述勺柄图形31以及所述勺头底部图形33尺寸相等，所述勺头两侧图形32包括四个第四梳状图形34，同时在每个所述第四梳状图形34中，包括六个第四梳齿图形36，所述第四梳齿图形36均设置于第四梳柄图形35的一侧，且每个第四梳柄图形35两端的两个第四梳齿图形36的尺寸相等，中间四个第四梳齿图形36的尺寸也相等，且宽度大于两端的第四梳齿图形36，其间隔尺寸也相等，即镂空的梳齿图形间的实体放电部分图形尺寸相等。将四个所述第三放电单元27以平移方式重复连接后即可组成如图8所示的第三放电结构37(最下方的一个第三放电单元27的勺柄图形31可省略)。可选地，所述第三放电单元27的尺寸规格可进行如下选择：所述第三放电单元8的长度为160μm，宽度为80μm，所述梳状图形的整体长宽均为40μm，其中，所述第四梳柄图形35的宽度为2μm，其两端的两个第四梳齿图形36的宽度均为2μm，长度为38μm，中间四个的宽度均为4μm，长度也均为38μm，同时每个第四梳状图形34对应的间隔，即五个实体放电部分的图形尺寸也相等，其宽度分别为4μm，长度为38μm。所述勺柄图形31以及勺头底部图形33宽度均为2μm，长度均为40μm。
当然，上述实现方式中各图形的数量、尺寸规格、排列组合方式等以及各放电单元的数量、组合连接方式等并不固定，均可根据实际情况做出多种变化以适应生产需求。
实施例四：
本实施例提供一种防静电光罩，其基本结构与实施例一中相同，在此不再赘述，其与实施例一的区别在于：本实施例中所述放电单元包括蛇形镂空结构以及实体放电部分。
作为本实施例的一种实现方式，参见图9中的第四放电单元38，所述第四放电单元38包括蛇形镂空结构39以及第四实体放电部分40，将四个所述第四放电单元38以平移方式重复连接后即可组成如图10所示的第四放电结构41，将九个所述第四放电单元38同时以旋转与平移两种方式连接后即可组成如图11、12所示的第五放电结构42、第六放电结构43。可选地，所述第四放电单元38的尺寸规格可进行如下选择：所述第四放电单元38的长宽均为80μm，其中包括十个所述第四实体放电部分40的图形，其尺寸均相等，宽度为4μm，长度为43μm，其间距均为4μm，两个第四实体放电部分40的图形在水平方向上重叠的长度L为6μm，最上面和最下面的第四实体放电部分40的图形距离边缘的距离均为2μm。
当然，上述实现方式中各图形的数量、尺寸规格、排列组合方式等以及各放电单元的数量、组合连接方式等并不固定，均可根据实际情况做出多种变化以适应生产需求。
综上所述，本实用新型提供一种防静电光罩，所述光罩在光罩图形外侧设置有静电保护结构，所述静电保护结构包括多个间隔设置的放电结构，不仅可使光罩上积累的的静电电荷在远离光罩图形的地方进行尖端放电，及时降低电荷积累量，保证光罩图形的完整性及晶圆良率；还可以在保证放电效果的基础上有效减少光罩在刻蚀静电保护结构时的复杂度及时间，提高本实用新型光罩的实用性，降低成本。同时本实用新型光罩中每个放电结构均包括至少一个放电单元，每个放电单元均包括实体放电部分和镂空部分，本实用新型提供了多种镂空部分的结构图形，对应不同的实体放电部分图形，并在各图形的具体形状、数量、尺寸、间隔以及排列组合方式上给出了多种变化方式，同时当一个放电结构中包括多个放电单元时，本实用新型也给出了各放电单元的不同组合及连接方式，使得光罩可应对静电放电过程中产生的不同大小的静电电流，对于不同积累量的静电电荷均可有效释放，保证光罩图形不受损伤，大大提升了光罩的静电防护能力及其应用范围。所以，本实用新型有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
上述实施例仅例示性说明本实用新型的原理及其功效，而非用于限制本实用新型。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本实用新型的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本实用新型所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本实用新型的权利要求所涵盖。
Claims (15)
1.一种防静电光罩，其特征在于，所述光罩包括：
基板；
光罩图形,所述光罩图形设置在所述基板上；以及
静电保护结构，所述静电保护结构设置在所述光罩图形外侧，所述静电保护结构包括多个间隔设置的放电结构，每个所述放电结构包括至少一个放电单元，所述放电单元包括实体放电部分和镂空部分。
2.根据权利要求1所述的防静电光罩，其特征在于，所述光罩还包括设置在所述基板上的第一导电层，所述光罩图形通过对所述第一导电层图形化形成。
3.根据权利要求1所述的防静电光罩，其特征在于，所述光罩还包括设置在所述基板上的第一导电层，所述静电保护结构通过对第一导电层图形化形成，所述实体放电部分为第一导电层，所述镂空部分为基板。
4.根据权利要求2所述的防静电光罩，其特征在于，所述光罩还包括设置在所述第一导电层上的第二导电层，所述静电保护结构通过对所述第二导电层图形化形成。
5.根据权利要求1所述的防静电光罩，其特征在于：每个所述放电单元的镂空部分包括数字“2”形镂空结构、勺形镂空结构或蛇形镂空结构。
6.根据权利要求5所述的防静电光罩，其特征在于：所述数字“2”形的镂空结构由多个梳状图形以及完全镂空的矩形组合而成，所述完全镂空的矩形不相邻。
7.根据权利要求5所述的防静电光罩，其特征在于：所述勺形镂空结构包括勺柄图形以及勺头图形，所述勺头图形包括勺头底部图形以及勺头两侧图形，所述勺头两侧图形包括多个梳状图形。
8.根据权利要求6或7任一所述的防静电光罩，其特征在于：所述梳状图形包括梳柄图形和垂直于所述梳柄图形的梳齿图形，每个所述梳柄图形上设置有多个梳齿图形。
9.根据权利要求8所述的防静电光罩，其特征在于：所述梳齿图形设置于所述梳柄图形的一侧或两侧。
10.根据权利要求8所述的防静电光罩，其特征在于：每个所述梳柄图形上的梳齿图形尺寸变化方式包括逐渐变大、相等和逐渐减小中至少一种，梳齿图形之间的间隔尺寸变化方式也包括逐渐变大、相等和逐渐减小中至少一种。
11.根据权利要求1所述的防静电光罩，其特征在于：每个所述放电结构包括多个连接的所述放电单元，所述放电单元的连接方式包括平移连接、旋转连接以及对称连接中至少一种。
12.根据权利要求1所述的防静电光罩，其特征在于：所述基板的材质包括玻璃。
13.根据权利要求2或3任一所述的防静电光罩，其特征在于：所述第一导电层材质包括铬金属。
14.根据权利要求1所述的防静电光罩，其特征在于：所述光罩图形外围设置有切割道，且所述切割道位于所述静电保护结构的内侧。
15.根据权利要求1所述的防静电光罩，其特征在于：所述光罩还包括防护薄膜及框架，所述框架设置在所述光罩图形与所述静电保护结构之间，围绕所述光罩图形呈封闭结构，所述防护薄膜设置在所述框架上。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201921623220.4U CN210573181U (zh) | 2019-09-27 | 2019-09-27 | 一种防静电光罩 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201921623220.4U CN210573181U (zh) | 2019-09-27 | 2019-09-27 | 一种防静电光罩 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN210573181U true CN210573181U (zh) | 2020-05-19 |
Family
ID=70642609
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201921623220.4U Active CN210573181U (zh) | 2019-09-27 | 2019-09-27 | 一种防静电光罩 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN210573181U (zh) |
-
2019
- 2019-09-27 CN CN201921623220.4U patent/CN210573181U/zh active Active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI270746B (en) | Anti-ESD photomask blank | |
| JP5463299B2 (ja) | 細長い、交差指型のエミッタ領域およびベース領域をうら側に有する裏面電極型太陽電池ならびにその製造方法 | |
| TWI390754B (zh) | 薄膜型太陽能電池及其製造方法 | |
| JP2009128558A (ja) | フォトマスク及びフォトマスクの製造方法、並びにパターン転写方法 | |
| CN210573181U (zh) | 一种防静电光罩 | |
| CN108107671B (zh) | 一种防静电光罩 | |
| TW200933289A (en) | Photomask, method of manufacturing the photomask, and method of transferring a pattern | |
| CN109270786B (zh) | 一种掩膜板 | |
| TWI753032B (zh) | 光罩、近接曝光用光罩之製造方法及顯示裝置之製造方法 | |
| CN112652566A (zh) | 一种集成电路的制备方法 | |
| CN100399538C (zh) | 降低浅沟绝缘化学机械抛光工艺造成的晶片伤害的方法 | |
| CN109814329B (zh) | 一种渐变光刻版图及其半导体表面制造方法 | |
| CN104040428A (zh) | 相移掩模及使用该相移掩模的抗蚀图案形成方法 | |
| AU2018253508A1 (en) | Solar cell and preparation method thereof | |
| CN111261577B (zh) | 阵列基板、显示面板及阵列基板的制作方法 | |
| US20230137705A1 (en) | Mask pattern for semiconductor photolithography processes and photolithography processes | |
| JPH04251253A (ja) | 露光マスク | |
| CN109346558A (zh) | 透光薄膜太阳能芯片及制作方法 | |
| JPH01217349A (ja) | ブランク板、ブランク板を用いたフォトマスクおよびそれらの製造方法 | |
| CN107807493B (zh) | 掩膜板和曝光设备 | |
| KR100337883B1 (ko) | 플라즈마 디스플레이 장치의 제조방법 | |
| CN211603836U (zh) | 掩模板防静电环和掩模板 | |
| JP2001272768A (ja) | フォトリソグラフィ・マスク | |
| JPS6118955A (ja) | レテイクルマスク | |
| KR200196585Y1 (ko) | 이에스디(esd) 방지기능을 갖는 포토 마스크 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20240117 Address after: Room 6270, Sino German Ecological Park Innovation Center, No. 172 Taibai Mountain Road, Qingdao Area, Qingdao Free Trade Zone, Shandong Province, 266426 Patentee after: Qingfang Technology (Qingdao) Co.,Ltd. Address before: 266555 4th floor, ICIC office building, 2877 Tuanjie Road, Zhongde ecological park, Huangdao District, Qingdao City, Shandong Province Patentee before: SIEN (QINGDAO) INTEGRATED CIRCUIT Co.,Ltd. |
|
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20240425 Address after: Room 6671, Sino German Ecological Park Innovation Center, No. 172 Taibai Mountain Road, Qingdao Area, Qingdao Free Trade Zone, Shandong Province, 266426 Patentee after: Qingdao Fangyi Technology Co.,Ltd. Country or region after: China Address before: Room 6270, Sino German Ecological Park Innovation Center, No. 172 Taibai Mountain Road, Qingdao Area, Qingdao Free Trade Zone, Shandong Province, 266426 Patentee before: Qingfang Technology (Qingdao) Co.,Ltd. Country or region before: China |
|
| TR01 | Transfer of patent right |