TWI390754B - 薄膜型太陽能電池及其製造方法 - Google Patents

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Description

薄膜型太陽能電池及其製造方法
本發明係關於一種薄膜型太陽能電池，特別是關於一種透過使用具有高的太陽光線透射率及散射率之基板而具有高效能之薄膜型太陽能電池。
通常，具有半導體特性之太陽能電池可將光能轉化為電能。
下面，將對習知技術中太陽能電池之結構與原理進行簡單的描述。太陽能電池通常在PN接面結構中形成，在PN接面結構中，正極半導體(P型半導體)與負極半導體(N型半導體)形成接面。當太陽光線射入具有PN接面結構之太陽能電池上時，太陽光線之能量可於此半導體中產生電洞(+)與電子(-)。同時，透過PN接面區域中所形成之電場的作用，電洞(+)可向P型半導體漂移，而電子(-)可向N型半導體漂移，進而隨著電位的形成便可產生電能。
大體上，太陽能電池可分為：晶圓型太陽能電池與薄膜型太陽能電池。
其中，晶圓型太陽能電池係使用由半導體材料，如矽所製成之晶圓形成。而薄膜型太陽能電池係透過於玻璃基板上形成薄膜型半導體來製成。
就效能而論，晶圓型太陽能電池優於薄膜型太陽能電池。但是，對於晶圓型太陽能電池而言，由於在其製造過程中存在困難， 所以這種晶圓型太陽能電池難以具有較薄的厚度。此外，由於這種晶圓型太陽能電池使用了價格昂貴的半導體基板，因此增加了其製造成本。
儘管薄膜型太陽能電池在效能上低於晶圓型太陽能電池，但薄膜型太陽能電池具有例如可實現較薄的外形以及使用價格低廉的材料等優點。因此，薄膜型太陽能電池更適於進行大量生產。
製造薄膜型太陽能電池係依序包含有下列步驟：於玻璃基板上形成前置電極；於此前置電極上形成半導體層；以及於此半導體層上形成後置電極。
下面，將結合附圖對習知技術之薄膜型太陽能電池進行描述。
「第1圖」為習知技術之薄膜型太陽能電池的剖面圖。
如「第1圖」所示，習知技術之薄膜型太陽能電池包含基板10、位於基板10之上的前置電極20、位於前置電極20之上的半導體層30以及位於半導體層30之上的後置電極50。
前置電極20形成薄膜型太陽能電池的正(+)極。並且，由於前置電極20對應於太陽光線入射面，因此前置電極20係由透明導電材料製成。
半導體層30係由半導體材料，例如矽製成。半導體層30係形成正本負(PIN)結構，此正本負(PIN)結構依序沈積有P(正極)型矽層、I(本質)型矽層及N(負極)型矽層。
後置電極50形成薄膜型太陽能電池的負(-)極。此後置電極50係由導電金屬材料，例如鋁製成。
通常，習知技術之薄膜型太陽能電池係採用由玻璃製成的基板10。然而，如果製造具有玻璃基板10的薄膜型太陽能電池，那麼入射到基板10上的太陽光線之方向與透過基板10進入前置電極20的太陽光線之方向並無很大不同。因此，由於在收集太陽光線上存在限制，其將難以提高太陽能電池之效能。
因此，鑒於以上的問題，本發明之一目的在於提供一種薄膜型太陽能電池，其透過使用具有高的太陽光線透射率及散射率之基板而具有高效能。
為了獲得本發明的這些優點及其它優點且依照本發明之目的，現對本發明作具體化和概括性地描述，本發明之一種薄膜型太陽能電池之製造方法，係包含：置備其一個表面上具有預定型樣之基板，此預定型樣具有凸出及凹陷；在基板上形成前置電極；在前置電極上形成半導體層；以及在半導體層上形成後置電極。
本發明之另一方面在於提供一種薄膜型太陽能電池之製造方法，係包含：置備其一個表面上具有型樣區與非型樣區之基板，其中型樣區為具有預定型樣之不平整表面，此預定型樣具有凸出及凹陷，而非型樣區為不具有上述預定型樣之平整表面；形成複數個前置電極，複數個前置電極之間透過插入第一分隔部分而具有固定之間隔；透過於之間插入接觸部分而於前置電極上以固定之間隔形成複數個半導體層；以及形成複數個後置電極，複數個後置電極之間透過插入第二分隔部分而具有固定之間隔，並且後 置電極透過接觸部分與前置電極相連接。
其中，形成複數個前置電極之步驟係包含：於基板上形成前置電極層；以及透過從前置電極層上去除預定之區域而形成第一分隔部分，其中第一分隔部分係位於基板之非型樣區中。
形成複數個半導體層之步驟係包含：於前置電極上形成半導體層；以及透過從半導體層上去除預定之區域而形成接觸部分，其中接觸部分係位於基板之非型樣區中。
形成複數個後置電極之步驟係包含：於半導體層上形成後置電極層；以及透過從後置電極層上去除預定之區域而形成第二分隔部分，其中第二分隔部分係位於基板之非型樣區中。
同時，型樣區可與非型樣區輪流交替。
另外，上述方法於置備基板與形成前置電極之步驟之間還包含清潔基板之步驟。
並且，清潔基板之步驟包含：在用以形成前置電極之設備中進行干式清潔製程。
此外，上述方法還包含於半導體層與後置電極之間形成透明導電層。
上述置備基板之步驟包含：為薄膜型太陽能電池之基板置備熔化之溶液；以及透過將置備的熔化之溶液經過第一滾筒與第二滾筒之間的空間而形成薄膜型太陽能電池之基板，其中第一滾筒包含具有凸出與凹陷的預定型樣部分，藉以透過經由第一滾筒而於薄膜型太陽能電池之基板的一個表面上形成預定型樣。
上述置備基板之步驟包含：為薄膜型太陽能電池之基板置備熔化之溶液；以及透過將置備的熔化之溶液經過第一滾筒與第二滾筒之間的空間而形成薄膜型太陽能電池之基板，其中第一滾筒包含具有預定型樣之型樣部分及不具有預定型樣之非型樣部分，上述預定型樣具有凸出及凹陷，因此透過經由第一滾筒可於薄膜型太陽能電池之基板的一個表面上形成型樣區與非型樣區。
上述置備基板之步驟包含：置備兩側表面均平整的基板；於基板的一個表面上形成光阻層；於光阻層之上方放置預定的光罩，並對其用光線進行照射；透過對用光線照射過的光阻層進行顯影而形成光阻型樣；在將光阻型樣用作光罩的前提條件下，對基板之一個表面進行蝕刻；以及去除此光阻型樣。
對基板之一個表面進行蝕刻之步驟係為進行干式蝕刻法、濕式蝕刻法或噴砂法。
本發明之另一方面還在於提供一種薄膜型太陽能電池，係包含：包含有預定型樣之基板，此預定型樣具有凸出及凹陷；位於基板上的前置電極；位於前置電極上的半導體層；以及位於半導體層上的後置電極。
本發明之另一方面還在於提供一種薄膜型太陽能電池，係包含：包含有型樣區與非型樣區之基板，其中型樣區具有預定型樣，此預定型樣具有凸出及凹陷，而非型樣區不具有上述預定型樣；複數個前置電極，複數個前置電極之間透過插入第一分隔部分而以固定之間隔配置於基板之上；複數個半導體層，係透過於 複數個半導體層之間插入接觸部分而以固定之間隔配置於前置電極上；以及複數個後置電極，複數個後置電極之間透過插入第二分隔部分而以固定之間隔進行配置，並且後置電極透過接觸部分與前置電極相連接。
第一分隔部分、接觸部分及第二分隔部分中的至少一個部分係形成於與非型樣區對應的部分中。
上述型樣區係與非型樣區輪流交替。
另外，在半導體層與後置電極之間還可另外形成有前置導電層。
本發明之一種薄膜型太陽能電池及其製造方法具有如下優點。
首先，由於薄膜型太陽能電池係透過使用具有包含凸出與凹陷的預定型樣之基板加以製造，因而，增大了用來吸收太陽光線的有效面積，進而能夠提高太陽光線之透射與散射效能。
並且，在清潔具有包含凸出與凹陷的預定型樣之基板後，於具有預定型樣之潔淨的基板上將形成前置電極，因此，其能夠防止由於前置電極之不良沈積物所導致的電阻增大。特別是，由於基板清潔製程係於用以形成前置電極的設備之中進行，因而其能夠連續地執行清潔製程而無需使用額外的清潔設備。
當製造配置有複數個單元電池的薄膜型太陽能電池時，第一分隔部分、接觸部分及第二分隔部分係形成於基板的非型樣區中。由於在非型樣區中不存在雷射光束之折射，因此第一分隔部 分、接觸部分及第二分隔部分能夠被定位於精確的點位上。
現在，將結合附圖對本發明之較佳實施例進行詳細描述。其中，在這些圖示部分中所使用的相同的參考標號代表相同或同類部件。
以下，將結合附圖對本發明之薄膜型太陽能電池及其製造方法進行描述。
<薄膜型太陽能電池之製造方法>
「第2A圖」至「第2D圖」為用於對本發明一實施例之薄膜型太陽能電池之製造方法進行說明的剖面圖。
首先，如「第2A圖」所示，置備基板100，此基板100之一個表面上配置有具有凸出與凹陷的預定型樣110。
其一個表面上配置有具有凸出與凹陷的預定型樣110之基板100可透過「第4圖」所示之製程得以置備。
「第4圖」為本發明一實施例之薄膜型太陽能電池基板之製造設備及製造方法的示意圖。如「第4圖」所示，本發明一實施例之薄膜型太陽能電池基板之製造設備包含：熔爐600、第一滾筒700、第二滾筒750、冷卻器800及切割機900。
熔爐600容納有用於基板100的熔化之溶液100a，其中熔爐600之一側形成有開口。第一滾筒700與第二滾筒750彼此相對地配置於鄰近熔爐600之開口的外部。在此狀況下，第一滾筒700具有包含預定型樣部分710的不平整表面，此預定型樣部分710 具有凸出與凹陷，並且第二滾筒750具有平整表面。冷卻器800設置於第一滾筒700與第二滾筒750的後面，而切割機900係設置於冷卻器800的後面。
以下將對透過使用上述設備置備薄膜型太陽能電池之基板的製程進行說明。
首先，於熔爐600中置備用於基板100的熔化之溶液100a。而後，於所置備的溶液100a經過第一滾筒700與第二滾筒750之後，透過冷卻器800將溶液100a冷卻。由此，溶液100a將會硬化，並於隨後被切割成預定的形狀，藉以形成基板100。與此同時，透過第一滾筒700之預定型樣部分710，基板100的一個表面將被配置有具有凸出與凹陷的預定型樣110。
其一個表面上具有包含凸出與凹陷的預定型樣110之基板100可透過「第5A圖」至「第5F圖」所示之製程加以置備。
如「第5A圖」中所示，先置備兩側表面均平整的基板100。兩側表面均平整的基板100可透過應用具有平整表面的滾筒來代替「第4圖」所示設備中具有預定型樣部分710之表面的第一滾筒700而得以置備。
如「第5B圖」中所示，係於基板100的一個表面上形成光阻層130。
如「第5C圖」中所示，於光阻層130之上沈積預定的光罩140之後，透過預定的光罩140將光線施加至光阻層130。光罩140包含：與光線透射區相對應的第一區域142，以及與光線遮蔽區相 對應的第二區域144。第一區域142與第二區域144係依照完整的基板100中具有凸出與凹陷的預定型樣110而適當地加以排布。
如「第5D圖」中所示，係透過用光線照射以對光阻層130進行顯影而形成光阻型樣130a。「第5D圖」表示了透過從光阻層130上去除經光線照射後的預定部分所完成的光阻型樣130a之情況。但是，也可依據光阻層130所用材料之種類而從光阻層130上去除未經光線照射的預定部分。
如「第5E圖」中所示，可使用光阻型樣130a作為光罩並透過干式蝕刻法、濕式蝕刻法或噴砂法對基板100的一個表面進行蝕刻。
如「第5F圖」中所示，可透過去除光阻型樣130a而完成對其一個表面上配置有包含凸出與凹陷的預定型樣110之基板100的製造。
此後，如「第2B圖」中所示，將對基板100進行清潔。
在「第2C圖」所示之習知製程中，前置電極200係形成於基板100之上。如果前置電極200形成於透過「第2A圖」中所示的前述製程所製造的具有包含凸出與凹陷的預定型樣110之不潔基板100之上，那麼其會導致前置電極200被不良沈積，進而會增大薄膜型太陽能電池中的電阻。
實際上，如果前置電極200被直接形成於透過「第2A圖」所示之製程所製造的不潔基板100之上，而未對基板100進行清潔(其中前置電極200係由厚度為1μm的ZnO製成)，則電阻值係 介於15Ω至540Ω之範圍內。但是，如果前置電極200形成於透過「第2A圖」所示之製程所製造的經過清潔後的潔淨基板100之上(其中前置電極200係由厚度為1μm的ZnO製成)，那麼其能夠大幅度地將電阻值減小到介於4.7Ω至5Ω之範圍內。
用於清潔基板100之製程可由額外的清潔設備來加以執行。這樣會導致使製造成本增加之缺陷。在此方面，用以清潔基板100之製程係優先選擇於「第2C圖」所示之用以形成前置電極200之設備中加以執行。更詳細地說，當用於RPSC(遠程電漿源清潔)之設備被配置於用於MOCVD(有機金屬化學氣相沈積)之設備中時，使用RPSC之干式清潔法將應用至基板100。同時，如氣體SF6或氣體NF6將被用作主要氣體，且如氣體O2、Ar或N2將被用作補充氣體。如果在用於形成前置電極200之設備中執行用以清潔基板之製程，那麼其就能夠連續地執行清潔製程而無須使用額外的清潔設備。
如「第2C圖」所示，前置電極200係形成於基板100之上。
前置電極200係透過濺鍍處理或MOCVD(有機金屬化學氣相沈積)處理而由透明導電材料，例如：氧化鋅、氧化鋅：硼、氧化鋅：鋁、二氧化錫、二氧化錫：氟或氧化錫銦(ITO，Indium Tin Oxide)形成。
為了以最小的損耗將太陽光線傳送到太陽能電池之內部，可對前置電極層200額外進行一紋理化處理。
透過採用光刻法之蝕刻製程、採用化學溶液之非等向蝕刻製 程或機械雕繪製程，此紋理化處理可使材料層之表面成為不平整的表面，即，具有紋理結構。由於對此前置電極200進行了紋理化處理，所以太陽光線之分散作用可降低太陽能電池之上的太陽光線之反射率並提高此太陽能電池之太陽光線吸收率，進而提高了太陽能電池之效能。
如「第2D圖」所示，係可於前置電極200之上依次形成半導體層300、透明導電層400及後置電極500。
半導體層300可透過電漿化學氣相沈積法以矽基半導體材料形成。此半導體層300可透過依序沈積P型半導體層、I型半導體層及N型半導體層而形成正本負(PIN)結構。在具有正本負(PIN)結構的半導體層300中，可透過P型半導體層與N型半導體層使I型半導體層中出現耗盡現象，進而可於此正本負結構中產生電場。進而，可使透過太陽光線所產生的電子與電洞在電場之作用下進行漂移，並使漂移的電子與電洞被分別收集於N型半導體層與P型半導體層中。若形成具有正本負結構的半導體層300，則最好先於前置電極200上配置P型半導體層，而後再於P型半導體層上形成I型半導體層與N型半導體層。這是因為，電洞之漂移遷移率小於電子之漂移遷移率。所以，為了使收集入射光線之效率達到最大，因而需要使P型半導體層位於鄰近太陽光線入射面的位置。
透明導電層400可透過濺鍍處理或有機金屬化學氣相沈積處理而由透明導電材料，如氧化鋅、氧化鋅：硼、氧化鋅：鋁或銀 形成。雖然可以省略此透明導電層400。但是，為了提高太陽能電池之效能，最好能夠形成此透明導電層400。換言之，若形成此透明導電層400，太陽光線可在穿過半導體層300後，穿過此透明導電層400。在這種狀況中，穿過此透明導電層400之太陽光線可在不同的角度上進行散射。由此，太陽光線在後置電極500上發生反射後，太陽光線再次入射到半導體層300上的比率將會增大。
後置電極500可透過濺鍍法或印刷法而由金屬材料，例如：銀、鋁、銀鉬合金、銀鎳合金或銀銅合金形成。
本發明之配置有具有凸出與凹陷的預定型樣110之基板100能夠增大用來吸收太陽光線的有效面積，進而可以提高太陽光線之透射率與散射率。
由實驗結果可知，如果於普通玻璃基板上沈積厚度為1μm的ZnO(氧化鋅)之前置電極200，太陽光線之透射率與散射率分別為83.9%與1.8%。而如果於本發明之配置有具有凸出與凹陷的預定型樣110之基板100上沈積厚度為1μm的ZnO(氧化鋅)之前置電極200，則太陽光線之透射率與散射率分別為87.2%與79.9%，也就是說，太陽光線之散射率被大幅度地提高了。
「第3A圖」至「第3H圖」為用於對本發明另一實施例之薄膜型太陽能電池之製造方法進行說明的剖面圖，其中本發明另一實施例之薄膜型太陽能電池係配置有複數個串聯的單元電池。並且與前述本發明之實施例相同之部件的詳細描述將被省略。
首先，如「第3A圖」所示，置備基板100，此基板100之一 個表面上包含有型樣區110a及非型樣區120，型樣區110a具有包含凸出與凹陷的預定型樣110，非型樣區120不具有包含凸出與凹陷的預定型樣。型樣區110a係與非型樣區120相互交替。
其一個表面上具有型樣區110a與非型樣區120之基板100可透過「第6圖」所示之製程得以置備。
「第6圖」為本發明另一實施例之薄膜型太陽能電池基板之製造設備及製造方法的示意圖。除了第一滾筒700與基板100之結構外，「第6圖」所示之設備及方法與「第4圖」所示之設備及方法相同。
如「第6圖」所示，第一滾筒700包含預定型樣部分710及非型樣部分720，預定型樣部分710具有包含凸出與凹陷的預定型樣，非型樣部分720不具有包含凸出與凹陷的預定型樣。如果第一滾筒700在薄膜型太陽能電池之基板100的一個表面上滾動，那麼具有包含凸出與凹陷的預定型樣110之型樣區110a以及不具有包含凸出與凹陷的預定型樣之非型樣區120將形成於此基板100的一個表面之上。
在其一個表面上配置有具有預定型樣110之型樣區110a以及不具有預定型樣之非型樣區120之基板100可透過「第5A圖」至「第5F圖」所示之製程加以置備(但是，用於「第5C圖」之製程中的光罩140之型樣將被改變)。也就是說，其一個表面上配置有具有預定型樣110之型樣區110a及不具有預定型樣之非型樣區120之基板100可透過適當地改變位於「第5C圖」所示之光罩140 中的對應於光線透射區的第一區域142及對應於光線遮蔽區的第二區域144而獲得。
接下來，如「第3B圖」中所示，將對基板100進行清潔。
用於清潔基板100之製程可由額外的清潔設備來加以執行。當用於RPSC(遠程電漿源清潔)之設備被配置於用於在「第3C圖」所示之製程中形成前置電極層200a的MOCVD(有機金屬化學氣相沈積)之設備中之後，使用RPSC之干式清潔法將被應用至基板100。
如「第3C圖」中所示，將於基板100之上形成前置電極層200a。
如「第3D圖」中所示，將透過從前置電極層200a上去除預定之區域而形成第一分隔部分250。由此，可形成複數個前置電極200，並且各前置電極200之間透過插入第一分隔部分250而具有固定之間隔。
用以形成第一分隔部分250之製程可透過使用雷射光束之雷射雕繪法而得以進行。如果雷射光束照射到具有包含凸出與凹陷的預定型樣之預定區域時，雷射光束將被折射以使得第一分隔部分250可不形成於預定區域中。因此，雷射光束將不得不照射到不具有包含凸出與凹陷的預定型樣之區域。由此，第一分隔部分250將形成於基板100上不具有包含凸出與凹陷的預定型樣之非型樣區120之中。
如「第3E圖」中所示，將於前置電極200之上依序形成半導 體層300a與透明導電層400a。
如「第3F圖」中所示，係透過去除半導體層300a與透明導電層400a之預定區域而形成接觸部分350。因此，可形成複數個半導體層300與透明導電層400，且各半導體層300及透明導電層400之間可透過插入接觸部分350而具有固定之間隔。
用以形成接觸部分350之製程可透過使用雷射光束之雷射雕繪法而得以進行。由於與「第3D圖」所示之製程相同的原因，其優選為將接觸部分350形成於基板100之非型樣區120之中。
如「第3G圖」中所示，後置電極層500a係於其透過接觸部分350與前置電極200相接觸時形成。
如「第3H圖」中所示，將透過從後置電極層500a上去除預定之區域而形成第二分隔部分550。由此，可形成複數個後置電極500，並且各後置電極500之間透過插入第二分隔部分550而具有固定之間隔。
用以形成第二分隔部分550之製程可透過使用雷射光束之雷射雕繪法而得以進行。由於與「第3D圖」所示之製程相同的原因，其優選為將第二分隔部分550形成於基板100之非型樣區120之中。
<薄膜型太陽能電池>
「第7圖」為本發明一實施例之薄膜型太陽能電池之剖面圖，此薄膜型太陽能電池可透過「第2A圖」至「第2D圖」所描述之方法加以製造，並且其中相關部分的詳細說明將被省略。
如「第7圖」所示，本發明一實施例之薄膜型太陽能電池包含：基板100、前置電極200、半導體層300、透明導電層400及後置電極500。
基板100係配置有具有凸出與凹陷的預定型樣110。此前置電極200係形成於基板100之上，其中前置電極200用作薄膜型太陽能電池之正(+)極。為了提高太陽光線之吸收效率，前置電極200之表面可根據具有凸出與凹陷的預定型樣110而為不平整的表面。
半導體層300係形成於前置電極200之上，且半導體層300係由矽基半導體材料形成正本負(PIN)結構。透明導電層400係形成於半導體層300之上，此透明導電層400可被省略。後置電極500係形成於透明導電層400之上，此後置電極500係用作薄膜型太陽能電池之負(-)極。
「第8圖」為本發明另一實施例之薄膜型太陽能電池之剖面圖，此薄膜型太陽能電池可透過「第3A圖」至「第3H圖」所描述之方法加以製造，並且其中相關部分的詳細說明將被省略。
如「第8圖」所示，本發明另一實施例之薄膜型太陽能電池包含：基板100、前置電極200、半導體層300、透明導電層400及後置電極500。
基板100係配置有具有包含凸出與凹陷的預定型樣110之型樣區110a，以及不具有包含凸出與凹陷的預定型樣之非型樣區120。型樣區110a係與非型樣區120相互交替。
複數個前置電極200係透過於各前置電極200之間插入第一分隔部分250而形成有固定之間隔。同時，第一分隔部分250係形成於基板100之非型樣區120之中。
複數個半導體層300與透明導電層400係透過於各半導體層300及透明導電層400之間插入接觸部分350而形成有固定之間隔。同時，接觸部分350係形成於基板100之非型樣區120之中。
後置電極500係透過接觸部分350與前置電極200相連接，並且複數個後置電極500係透過於各後置電極500之間插入第二分隔部分550而形成有固定之間隔。同時，第二分隔部分550係形成於基板100之非型樣區120之中。
「第7圖」所示之薄膜型太陽能電池可透過「第2A圖」至「第2D圖」所描述之方法加以製造，但並不以此方法為限，並且「第8圖」所示之薄膜型太陽能電池可透過「第3A圖」至「第3H圖」所描述之方法加以製造，但也並不以此方法為限。
雖然本發明以前述之實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明。在不脫離本發明之精神和範圍內，所為之更動與潤飾，均屬本發明之專利保護範圍。關於本發明所界定之保護範圍請參考所附之申請專利範圍。
10‧‧‧基板
20‧‧‧前置電極
30‧‧‧半導體層
50‧‧‧後置電極
100‧‧‧基板
100a‧‧‧溶液
110‧‧‧預定型樣
110a‧‧‧型樣區
120‧‧‧非型樣區
130‧‧‧光阻層
130a‧‧‧光阻型樣
140‧‧‧光罩
142‧‧‧第一區域
144‧‧‧第二區域
200‧‧‧前置電極
200a‧‧‧前置電極層
250‧‧‧第一分隔部分
300‧‧‧半導體層
300a‧‧‧半導體層
350‧‧‧接觸部分
400‧‧‧透明導電層
400a‧‧‧透明導電層
500‧‧‧後置電極
500a‧‧‧後置電極層
550‧‧‧第二分隔部分
600‧‧‧熔爐
700‧‧‧第一滾筒
710‧‧‧預定型樣部分
720‧‧‧非型樣部分
750‧‧‧第二滾筒
800‧‧‧冷卻器
900‧‧‧切割機
第1圖為習知技術之薄膜型太陽能電池的剖面圖；第2A圖至第2D圖為用於對本發明一實施例之薄膜型太陽能電池之製造方法進行說明的剖面圖； 第3A圖至第3H圖為用於對本發明另一實施例之薄膜型太陽能電池之製造方法進行說明的剖面圖；第4圖為本發明一實施例之薄膜型太陽能電池基板之製造設備及製造方法的示意圖；第5A圖至第5F圖為用於對本發明另一實施例之薄膜型太陽能電池基板之製造方法進行說明的剖面圖；第6圖為本發明另一實施例之薄膜型太陽能電池基板之製造設備及製造方法的示意圖；第7圖為本發明一實施例之薄膜型太陽能電池之剖面圖；以及第8圖為本發明另一實施例之薄膜型太陽能電池之剖面圖。
100‧‧‧基板
110‧‧‧預定型樣
200‧‧‧前置電極
300‧‧‧半導體層
400‧‧‧透明導電層
500‧‧‧後置電極

Claims (15)

  1. 一種薄膜型太陽能電池之製造方法，係包含：置備其一個表面上具有型樣區與非型樣區之一基板，其中該型樣區具有一包含一預定型樣之不平整表面，該預定型樣具有凸出及凹陷，並且該非型樣區具有一不包含有該預定型樣之平整表面；形成複數個前置電極，該等前置電極之間透過插入一第一分隔部分而具有固定之間隔；透過於之間插入一接觸部分而於該前置電極上以固定之間隔形成複數個半導體層；以及形成複數個後置電極，該等後置電極之間透過插入一第二分隔部分而具有固定之間隔，並且該等後置電極透過該接觸部分與該前置電極相連接。
  2. 如請求項第1項所述之薄膜型太陽能電池之製造方法，其中形成複數個前置電極係包含：於該基板上形成一前置電極層；以及透過從該前置電極層上去除一預定之區域而形成該第一分隔部分，其中該第一分隔部分係位於該基板之該非型樣區中。
  3. 如請求項第1項所述之薄膜型太陽能電池之製造方法，其中形成複數個半導體層係包含：於該前置電極上形成一半導體層；以及 透過從該半導體層上去除一預定之區域而形成該接觸部分，其中該接觸部分係位於該基板之該非型樣區中。
  4. 如請求項第1項所述之薄膜型太陽能電池之製造方法，其中形成複數個後置電極係包含：於該半導體層上形成一後置電極層；以及透過從該後置電極層上去除一預定之區域而形成一第二分隔部分，其中該第二分隔部分係位於該基板之該非型樣區中。
  5. 如請求項第1項所述之薄膜型太陽能電池之製造方法，其中該型樣區係與該非型樣區相互交替。
  6. 如請求項第1項所述之薄膜型太陽能電池之製造方法，於置備該基板與形成該前置電極之步驟之間還包含清潔該基板之步驟。
  7. 如請求項第6項所述之薄膜型太陽能電池之製造方法，其中清潔該基板之步驟包含：在用以形成該前置電極之一設備中進行一干式清潔製程。
  8. 如請求項第1項所述之薄膜型太陽能電池之製造方法，還包含於該半導體層與該後置電極之間形成一透明導電層。
  9. 如請求項第1項所述之薄膜型太陽能電池之製造方法，其中置備該基板包含：為該薄膜型太陽能電池之基板置備一熔化之溶液；以及透過將該置備的熔化之溶液經過第一滾筒與第二滾筒之 間的一空間而形成該薄膜型太陽能電池之基板，其中該第一滾筒包含具有一預定型樣之型樣部分及不具有該預定型樣之非型樣部分，所述預定型樣具有凸出及凹陷，藉以透過經由該第一滾筒而於該薄膜型太陽能電池之基板的一個表面上形成型樣區與非型樣區。
  10. 如請求項第1項所述之薄膜型太陽能電池之製造方法，其中置備該基板包含：置備兩側表面均平整的一基板；於該基板的一個表面上形成一光阻層；於該光阻層之上方放置一預定的光罩，並對其用光線進行照射；透過對用光線照射過的該光阻層進行顯影而形成一光阻型樣；在將該光阻型樣用作一光罩的前提條件下，對該基板之一個表面進行蝕刻；以及去除該光阻型樣。
  11. 如請求項第10項所述之薄膜型太陽能電池之製造方法，其中對該基板之一個表面進行蝕刻係為進行一干式蝕刻法、一濕式蝕刻法或一噴砂法。
  12. 一種薄膜型太陽能電池，係包含：包含有一型樣區與一非型樣區之一基板，其中該型樣區具 有一預定型樣，該預定型樣具有凸出及凹陷，並且該非型樣區不具有該預定型樣；複數個前置電極，該等前置電極之間透過插入一第一分隔部分而以固定之間隔配置於該基板之上；複數個半導體層，係透過於該等半導體層之間插入一接觸部分而以固定之間隔配置於該前置電極上；以及複數個後置電極，該等後置電極之間透過插入一第二分隔部分而以固定之間隔進行配置，並且該等後置電極透過該接觸部分與該前置電極相連接。
  13. 如請求項第12項所述之薄膜型太陽能電池，其中該第一分隔部分、該接觸部分及該第二分隔部分中的至少一個部分係形成於與該非型樣區相對應的部分中。
  14. 如請求項第12項所述之薄膜型太陽能電池，其中該型樣區係與該非型樣區相互交替。
  15. 如請求項第12項所述之薄膜型太陽能電池，其中在該半導體層與該後置電極之間還另外形成有一前置導電層。
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