CN101904014A - 薄膜型太阳能电池及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

公开了一种薄膜型太阳能电池及其制造方法，其能够通过使用具有包含多个凸起和多个凹陷的预定图案的基板而增大用于吸收太阳光线的有效区域，由此提高太阳光线透射率和色散效率，其中该方法包括：制备基板，该基板在其一个表面上具有包含多个凸起和多个凹陷的预定图案；在基板上形成前电极；在前电极上形成半导体层；以及在半导体层上形成后电极。

Description

薄膜型太阳能电池及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种薄膜型太阳能电池，并且更具体地，涉及一种通过使用具有高太阳光线透射率和色散率的基板而具有高效率的薄膜型太阳能电池。
背景技术
具有半导体性能的太阳能电池将光能转换成电能。
以下将对根据现有技术的太阳能电池的结构和原理进行简要说明。太阳能电池以PN结结构形成，在该PN结结构中，正(P)型半导体与负(N)型半导体结合成结。当太阳光线入射到具有PN结结构的太阳能电池上时，因为太阳光线的能量，在半导体中产生空穴(+)和电子(-)。借助于PN结区域中产生的电场，空穴(+)朝P型半导体漂移，而电子(-)朝N型半导体漂移，从而随着电势的出现，产生电力。
太阳能电池主要可以分为晶片型太阳能电池和薄膜型太阳能电池。
晶片型太阳能电池使用由诸如硅的半导体材料制成的晶片。同时，通过在玻璃基板上形成薄膜型的半导体来制造薄膜型太阳能电池。
就效率而言，晶片型太阳能电池比薄膜型太阳能电池更好。但是，在晶片型太阳能电池的情况下，因为在制造工艺的实施上的困难，所以难以实现薄的厚度。另外，晶片型太阳能电池使用价格高昂的半导体基板，从而增加了它的制造成本。
虽然薄膜型太阳能电池在效率上次于晶片型太阳能电池，但是薄膜型太阳能电池具有一些优点，例如，纤薄外形的实现以及低价材料的使用。因此，薄膜型太阳能电池适于大规模生产。
薄膜型太阳能电池通过顺序执行的如下步骤制造：在玻璃基板上形成前电极，在前电极上形成半导体层，以及在半导体层上形成后电极。
在下文中，将参照附图对现有技术的薄膜型太阳能电池进行说明。
图1是示出现有技术的薄膜型太阳能电池的截面图。
如图1中所示，现有技术的薄膜型太阳能电池包括基板10、基板10上的前电极20、前电极20上的半导体层30以及半导体层30上的后电极50。
前电极20形成薄膜型太阳能电池的正(+)电极。此外，因为前电极20对应于太阳光线的入射面，所以前电极20由透明导电材料构成。
半导体层30由诸如硅的半导体材料构成。半导体层30以PIN结构形成，该PIN结构具有顺序沉积的P(正)型硅层、I(本征)型硅层和N(负)型硅层。
后电极50形成薄膜型太阳能电池的负(-)电极。后电极50由诸如铝的导电金属材料构成。
通常，现有技术的薄膜型太阳能电池使用由玻璃构成的基板10。然而，如果利用基板100制造薄膜型太阳能电池，那么入射到基板10上的太阳光线的方向与穿过基板10进入前电极20的太阳光线的方向区别不大。因此，由于在聚集太阳光线时受限制，难以提高太阳能电池的效率。
发明内容
技术问题：
因此，针对上述问题，提出了本发明，本发明的目的在于提供一种通过使用具有高太阳光线透射率和色散率的基板而具有高效率的薄膜型太阳能电池。
技术方案：
为了实现这些目的以及其它优点，根据本发明的目的，如在此具体化以及广义描述的，提供一种制造薄膜型太阳能电池的方法，包括：制备基板，该基板在其一个表面上具有包含多个凸起和多个凹陷的预定图案；在所述基板上形成前电极；在所述前电极上形成半导体层；以及在所述半导体层上形成后电极。
根据本发明的另一方面，一种制造薄膜型太阳能电池的方法包括：制备基板，该基板在其一个表面上具有图案化区域和未图案化区域，其中所述图案化区域具有不平坦的表面，所述不平坦的表面具有包含多个凸起和多个凹陷的预定图案，而所述未图案化区域具有平坦的表面，所述平坦的表面不具有所述包含多个凸起和多个凹陷的预定图案；形成多个前电极，其中所述多个前电极通过夹在其间的第一分离部分以固定间隔形成；形成多个半导体层，其中所述多个半导体层通过夹在其间的接触部分以固定间隔在所述前电极上形成；以及形成多个后电极，其中所述多个后电极通过夹在其间的第二分离部分以固定间隔形成，并且所述多个后电极通过所述接触部分与所述前电极连接。
形成所述多个前电极的步骤包括：在所述基板上形成前电极层；以及通过从所述前电极层中去除预定区域形成所述第一分离部分，其中，所述第一分离部分位于所述基板的未图案化区域中。
形成所述多个半导体层的步骤包括：在所述前电极上形成半导体层；以及通过从所述半导体层中去除预定区域形成所述接触部分，其中，所述接触部分位于所述基板的未图案化区域中。
形成所述多个后电极的步骤包括：在所述半导体层上形成后电极层；以及通过从所述后电极层中去除预定区域形成第二分离部分，其中，所述第二分离部分位于所述基板的未图案化区域中。
此时，所述图案化区域与所述未图案化区域交替。
此外，该方法还包括在制备所述基板和形成所述前电极的步骤之间对所述基板进行清洗。
此外，对所述基板进行清洗的步骤包括在用于形成所述前电极的装置中执行干洗工序。
此外，该方法还包括在所述半导体层和所述后电极之间形成透明导电层。
制备所述基板的步骤包括：制备薄膜型太阳能电池的基板的熔融液；以及通过使制备好的熔融液通过第一辊和第二辊之间的间隙来形成薄膜型太阳能电池的基板，其中，所述第一辊具有包含多个凸起和多个凹陷的预定图案化部分，以在通过所述第一辊时制造的薄膜型太阳能电池的基板的一个表面上产生所述预定图案。
制备所述基板的步骤包括：制备薄膜型太阳能电池的基板的熔融液；以及通过使制备好的熔融液通过第一辊和第二辊之间的间隙来形成薄膜型太阳能电池的基板，其中，所述第一辊包括图案化部分和未图案化部分，所述图案化部分具有包含多个凸起和多个凹陷的预定图案，所述未图案化部分不具有所述包含多个凸起和多个凹陷的预定图案，以在通过所述第一辊时制造的薄膜型太阳能电池的基板的一个表面上产生图案化区域和未图案化区域。
制备所述基板的步骤包括：制备两个表面都平坦的基板；在所述基板的一个表面上形成光刻胶层；在所述光刻胶层上方放置预定掩模，并向其照射光线；通过显影被光线照射的光刻胶层形成光刻胶图案；在将所述光刻胶图案用作掩模的条件下，蚀刻所述基板的一个表面；以及去除所述光刻胶图案。
用干蚀刻方法、湿蚀刻方法或喷砂处理方法来执行对所述基板的一个表面的蚀刻步骤。
根据本发明的又一方面，一种薄膜型太阳能电池包括：具有包含多个凸起和多个凹陷的预定图案的基板；在所述基板上的前电极；在所述前电极上的半导体层；以及在所述半导体层上的后电极。
根据本发明的再一方面，一种薄膜型太阳能电池包括：包括图案化区域和未图案化区域的基板，所述图案化区域具有包含多个凸起和多个凹陷的预定图案，所述未图案化区域不具有所述包含多个凸起和多个凹陷的预定图案；多个前电极，其通过夹在其间的第一分离部分以固定间隔设置在所述基板上；多个半导体层，其通过夹在其间的接触部分以固定间隔设置在所述前电极上；以及多个后电极，其通过夹在其间的第二分离部分以固定间隔设置，并且通过所述接触部分与所述前电极连接。
所述第一分离部分、所述接触部分和所述第二分离部分中的至少之一形成在与所述未图案化区域对应的部分处。
所述图案化区域与所述未图案化区域交替。
此外，在所述半导体层和所述后电极之间附加地形成前导电层。
有益效果：
根据本发明的薄膜型太阳能电池及其制造方法具有以下优点。
首先，通过使用具有包含凸起和凹陷的预定图案的基板来制造薄膜型太阳能电池。于是，吸收太阳光线的有效区域增加，从而使太阳光线透射率和色散效率提高。
另外，在对具有包含凸起和凹陷的预定图案的基板进行清洗之后，在具有预定图案的洁净基板上形成前电极，所以能够防止由前电极的有缺陷的沉积而导致的电阻增加。特别地是，因为清洗基板的工序是在形成前电极的装置中实施的，所以能够在不使用附加的清洗装置的情况下连续地实施多个工序。
在制造具有多个电池单元的薄膜型太阳能电池时，在基板的未图案化区域中形成第一分离部分、接触部分和第二分离部分。于是，因为在未图案化区域中没有激光束的折射，所以第一分离部分、接触部分和第二分离部分可以位于精确的位置点上。
附图说明
图1是示出现有技术的薄膜型太阳能电池的截面图。
图2(a)到2(d)是根据本发明的一个实施方式示出的制造薄膜型太阳能电池的方法的截面图。
图3(a)到3(h)是根据本发明的另一实施方式示出的制造薄膜型太阳能电池的方法的截面图。
图4是根据本发明的一个实施方式示出的制造薄膜型太阳能电池的基板的装置和方法的示意图。
图5(a)到5(f)是根据本发明的另一实施方式示出的制造薄膜型太阳能电池的基板的方法的截面图。
图6是根据本发明的另一实施方式示出的制造薄膜型太阳能电池的基板的装置和方法的示意图。
图7是根据本发明的一个实施方式示出的薄膜型太阳能电池的截面图。
图8是根据本发明的另一实施方式示出的薄膜型太阳能电池的截面图。
具体实施方式
现在将对本发明的优选实施方式进行详细描述，其中的一些例子在附图中示出。尽可能地在整个附图中使用相同的参考标号来表示相同或相似的部分。
在下文中，将参照附图对根据本发明的薄膜型太阳能电池及其制造方法进行描述。
制造薄膜型太阳能电池的方法：
图2(a)到2(d)是根据本发明的一个实施方式示出的制造薄膜型太阳能电池的方法的截面图。
首先，如图2(a)中所示，制备基板100，基板的一个表面设置有包含多个凸起和多个凹陷的预定图案110。
可以通过图4的工序制备在其一个表面上具有包含凸起和凹陷的预定图案110的基板100。
图4是根据本发明的一个实施方式示出的制造薄膜型太阳能电池的基板的装置和方法的示意图。如图4中所示，根据本发明的一个实施方式的制造薄膜型太阳能电池的基板的装置包括熔炉600、第一辊700、第二辊750、冷却器800和切割器900。
熔炉600包括基板100的熔融液100a，其中在熔炉600的一侧形成开口。彼此相对的第一辊700和第二辊750设置在与熔炉600的开口相邻的外部。在这种情况下，第一辊700具有不平坦的表面，该不平坦的表面具有包含多个凸起和多个凹陷的预定图案化部分710，而第二辊750具有平坦的表面。冷却器800设置在第一辊700和第二辊750的后面，而切割器900设置在冷却器800的后面。
以下将对使用该装置来制备薄膜型太阳能电池的基板的工序进行说明。
首先，在熔炉600中制备基板100的熔融液100a。接着，在制备好的熔融液100a通过第一辊700和第二辊750之后，用冷却器800冷却熔融液100a。于是，熔融液100a硬化，接着，根据预定尺寸切割硬化的熔融液，从而形成基板100。此时，根据第一辊700的预定图案化部分710，使基板100的一个表面设置有包含凸起和凹陷的预定图案110。
可以通过图5(a)到5(f)的工序制备在其一个表面上具有包含凸起和凹陷的预定图案110的基板100。
如图5(a)中所示，制备两个表面都平坦的基板100。可以替换如图4所示的装置中的表面具有预定图案化部分710的第一辊700，而使用平坦表面的辊来制备两个表面都平坦的基板100。
如图5(b)中所示，在基板100的一个表面上形成光刻胶层130。
如图5(c)中所示，在光刻胶层130上方设置预定掩模140之后，光线通过预定掩模140进入光刻胶层130。掩模140包括对应于透光区域的第一区域142和对应于遮光区域的第二区域144。考虑到整个基板100中的具有凸起和凹陷的预定图案110，适当地布置第一区域142和第二区域144。
如图5(d)中所示，通过显影被光线照射的光刻胶层130来形成光刻胶图案130a。图5(d)示出了通过从光刻胶层130中去除被光线照射的预定部分而完成光刻胶图案130a的情况。但是，根据光刻胶层130的材料种类，也可以从光刻胶层130中去除未被光线照射的预定部分。
如图5(e)中所示，利用光刻胶图案130a作为掩模，用干蚀刻方法、湿蚀刻方法或者喷砂处理方法对基板100的一个表面进行蚀刻。
如图5(f)中所示，通过去除光刻胶图案130a完成基板100，该基板的一个表面设置有包含凸起和凹陷的预定图案110。
此后，如图2(b)中所示，对基板100进行清洗。
如在图2(c)的工序中所获知的，在基板100上形成前电极200。如果在前述图2A的工序所制造的具有包含凸起和凹陷的预定图案110的未清洗基板100上形成前电极200，那么就可能造成前电极200的有缺陷的沉积，从而增加薄膜型太阳能电池的电阻。
实际上，如果在没有对基板100进行清洗的情况下，直接地将前电极200形成在图2(a)的工序所制造的未清洗基板100上(其中前电极200由厚度1μm的ZnO构成)，那么电阻值在15Ω到540Ω的范围内。但是，如果在对图2(a)的工序所制造的基板100进行清洗之后，将前电极200形成在清洁的基板100上(其中前电极200由厚度1μm的ZnO构成)，那么可以很大程度地降低电阻值，使其降低到4.7Ω到5Ω的范围内。
清洗基板100的工序可以在附加的清洗装置中执行。这可能产生生产成本增加的缺点。考虑到这点，优选地，在图2(c)工序中形成前电极200的装置中执行对基板100清洗的工序。更具体地，在将RPSC(远程等离子体源清洗)装置设置在MOCVD(金属有机化学气相沉积)装置中之后，对基板100实施使用RPSC的干洗方法。此时，将诸如SF6或NF6的气体用作主要气体，而将诸如O2、Ar或N2的气体用作辅助气体。如果在形成前电极200的装置中执行对基板进行清洗的工序，就能够在不使用附加的清洗装置的情况下连续地执行这些工序。
如图2(c)中所示，在基板100上形成前电极200。
通过溅射或MOCVD(金属有机化学气相沉积)用诸如ZnO、ZnO:B，ZnO:Al、SnO2、SnO2:F或ITO(氧化铟锡)等的透明导电材料形成前电极200。
为了使太阳光线以最小损耗传输到太阳能电池内，可以对前电极200附加地执行纹理化处理。
通过使用光刻进行蚀刻处理、使用化学溶液进行各向异性蚀刻处理或者机械划线处理，将材料层的表面经由纹理化处理设置成不平坦表面，也就是说，纹理结构。通过对前电极200执行纹理化处理，由于太阳光线的色散，太阳能电池上的太阳光线反射率降低并且太阳能电池上的太阳光线吸收率增加，从而提高了太阳能电池效率。
如图2(d)中所示，在前电极200上顺序地形成半导体层300、透明导电层400和后电极500。
通过等离子体CVD方法用硅基半导体材料制成半导体层300。可以通过顺序地沉积P型半导体层、I型半导体层和N型半导体层以PIN结构形成半导体层300。在具有PIN结构的半导体层300中，利用P型半导体层和N型半导体层在I型半导体层中引起耗尽，从而产生电场。于是，电场使太阳光线产生的电子和空穴漂移，并且漂移的电子和空穴分别聚集到N型半导体层和P型半导体层中。如果形成具有PIN结构的半导体层300，优选地，P型半导体层就位于前电极200上，而I型半导体层和N型半导体层就形成在P型半导体层上。这是因为空穴的漂移迁移率低于电子的漂移迁移率。为了使入射光线的聚集效率最大化，将P型半导体层布置在太阳光线的入射面附近。
可以通过溅射或MOCVD(金属有机化学气相沉积)用诸如ZnO、ZnO:B，ZnO:Al或Ag等的透明导电材料形成透明导电层400。可以省略透明导电层400。但是，为了提高太阳能电池的效率，设置透明导电层400是优选的。也就是说，当形成透明导电层400时，太阳光线通过半导体层300，接着通过透明导电层400。在这种情况下，通过透明导电层400的太阳光线以不同的角度色散。于是，在太阳光线在后电极500上反射之后，在半导体层300上增加了太阳光线的再入射率。
可以通过溅射或印刷用诸如Ag、Al、Ag+Mo、Ag+Ni或Ag+Cu等的金属材料形成后电极500。
根据本发明的设置有包含凸起和凹陷的预定图案110的基板100实现增加的用于吸收太阳光线的有效区域，从而实现太阳光线透射率和色散率提高。
如实验结果中所示，如果由ZnO构成的前电极200以1μm的厚度沉积在常规的玻璃基板上，那么太阳光线透射率和色散率分别是83.9％和1.8％。同时，如果由ZnO构成的前电极200以1μm的厚度设置在根据本发明的具有包含凸起和凹陷的预定图案110的基板100上，那么太阳光线透射率和色散率分别是87.2％和79.9％，也就是说，太阳光线的色散率被大幅度地提高了。
图3(a)到3(h)是根据本发明的另一实施方式示出的制造薄膜型太阳能电池的方法的截面图，其中根据本发明的另一实施方式的薄膜型太阳能电池设置有串联连接的多个电池单元。将省略与本发明的前述实施方式相同部分的详细说明。
首先，如图3(a)中所示，制备基板100，基板100的一个表面包括图案化区域110和未图案化区域120，图案化区域110具有包含凸起和凹陷的预定图案，而未图案化区域120没有包含凸起和凹陷的预定图案。图案化区域110和未图案化区域120交替。
通过图6的工序制备在其一个表面上具有图案化区域110和未图案化区域120的基板100。
图6是根据本发明的另一实施方式示出的制造薄膜型太阳能电池的基板的装置和方法的示意图。除了第一辊700和基板100外，图6的装置和方法与图4的装置和方法相同。
如图6中所示，第一辊700包括图案化部分710和未图案化部分720，图案化部分710具有包含凸起和凹陷的预定图案，而未图案化部分720没有包含凸起和凹陷的预定图案。随着第一辊700在薄膜型太阳能电池的基板100的一个表面上滚动，就会在基板100的一个表面上形成图案化区域110和未图案化区域120，其中图案化区域110具有包含凸起和凹陷的预定图案，未图案化区域120没有包含凸起和凹陷的预定图案。
可以通过图5(a)到5(f)的工序(但是，对于图5(c)的工序，应该改变掩模140的图案)制备在其一个表面上设置有图案化区域110和未图案化区域120的基板100，其中图案化区域110具有预定图案，未图案化区域120没有预定图案。换句话说，可以通过适当地改变如图5(c)所示的掩模140中的对应于透光区域的第一区域142和对应于遮光区域的第二区域144而获得在其一个表面上设置有图案化区域110和未图案化区域120的基板100，其中图案化区域110具有预定图案，未图案化区域120没有预定图案。
接着，如图3(b)中所示，对基板100进行清洗。
清洗基板100的工序可以在附加的清洗装置中执行。在将RPSC(远程等离子体源清洗)装置设置在用于在图3(c)的工序中形成前电极层200a的MOCVD(金属有机化学气相沉积)装置中之后，对基板100实施使用RPSC的干洗方法。
如图3(c)中所示，在基板100上形成前电极层200a。
如图3(d)中所示，通过从前电极层200a中去除预定区域来形成第一分离部分250。于是，通过夹在各前电极200之间的第一分离部分250以固定间隔形成了多个前电极200。
可以通过使用激光束的激光划线方法来执行形成第一分离部分250的工序。如果激光束照射到具有包含凸起和凹陷的预定图案的预定区域，激光束就会折射，所以不能在预定区域中形成第一分离部分250。于是，需要将激光束照射到没有包含凸起和凹陷的预定图案的区域。因此，在基板100上的没有包含凸起和凹陷的预定图案的未图案化区域120中形成了第一分离部分250。
如图3(e)中所示，在前电极200上顺序地形成半导体层300a和透明导电层400a。
如图3(f)中所示，通过去除半导体层300a和透明导电层400a的预定区域形成接触部分350。于是，通过夹在各半导体层300和透明导电层400之间的接触部分350以固定间隔形成了多个半导体层300和多个透明导电层400。
可以通过使用激光束的激光划线方法来执行形成接触部分350的工序。鉴于与图3(d)的工序相同的原因，在基板100的未图案化区域120中形成接触部分350是优选的。
如图3(g)中所示，形成后电极层500a，同时后电极层500a通过接触部分350与前电极200连接。
如图3(h)中所示，通过从后电极层500a中去除预定区域形成第二分离部分550。于是，通过夹在各后电极500之间的第二分离部分550以固定间隔形成了多个后电极500。
可以通过使用激光束的激光划线方法来执行形成第二分离部分550的工序。因为与图3(d)的工序相同的原因，在基板100的未图案化区域120中形成第二分离部分550是优选的。
薄膜型太阳能电池：
图7是根据本发明的一个实施方式示出的薄膜型太阳能电池的截面图，可以利用参照图2(a)到2(d)所说明的方法来制造该薄膜型太阳能电池，并且将省略对各个部分的详细说明。
如图7中所示，根据本发明的一个实施方式的薄膜型太阳能电池包括基板100、前电极200、半导体层300、透明导电层400和后电极500。
基板100设置有包含凸起和凹陷的预定图案110。前电极200形成在基板100上，其中前电极200起到薄膜型太阳能电池的正(+)电极的作用。为了提高太阳光线的吸收效率，前电极200的表面可以依照包含凸起和凹陷的预定图案110而不平坦。
半导体层300形成在前电极200上，且半导体层300由硅基半导体材料按照PIN结构构成。透明导电层400形成在半导体层300上，也可以省略透明导电层。后电极500形成在透明导电层400上，起到薄膜型太阳能电池的负(-)电极的作用。
图8是根据本发明的另一实施方式示出的薄膜型太阳能电池的截面图，可以通过参照图3(a)到3(h)所说明的方法来制造该薄膜型太阳能电池，并且将省略对各个部分的详细说明。
如图8中所示，根据本发明的另一实施方式的薄膜型太阳能电池包括基板100、前电极200、半导体层300、透明导电层400和后电极500。
基板100设置有图案化区域110和未图案化区域120，其中图案化区域110具有包含凸起和凹陷的预定图案，未图案化区域120没有包含凸起和凹陷的预定图案。图案化区域110与未图案化区域120交替。
多个前电极200通过夹在各前电极200之间的第一分离部分250以预定间隔形成。此时，第一分离部分250形成在基板100的未图案化区域120中。
多个半导体层300和多个透明导电层400通过各半导体层300和透明导电层400之间的接触部分350以固定间隔形成。此时，接触部分350形成在基板100的未图案化区域120中。
后电极500通过接触部分350与前电极200连接，并且多个后电极500通过夹在各后电极500之间的第二分离部分550以固定间隔形成。此时，第二分离部分550形成在基板100的未图案化区域120中。
可以通过参照图2(a)到2(d)所说明的方法来制造图7的薄膜型太阳能电池，但并不限于该方法，并且可以通过参照图3(a)到3(h)所说明的方法来制造图8的薄膜型太阳能电池，但并不限于该方法。
对于所属领域技术人员显见的是，可以在不背离本发明的精神或范围的情况下，对本发明进行多种修改和变化。因此，本发明旨在涵盖落入所附权利要求的范围及其等效范围内的对本发明的所有修改和变化。

Claims (18)

1.一种制造薄膜型太阳能电池的方法，包括：
制备基板，该基板在其一个表面上具有包含多个凸起和多个凹陷的预定图案；
在所述基板上形成前电极；
在所述前电极上形成半导体层；以及
在所述半导体层上形成后电极。
2.一种制造薄膜型太阳能电池的方法，包括：
制备基板，该基板在其一个表面上具有图案化区域和未图案化区域，其中所述图案化区域具有不平坦的表面，所述不平坦的表面具有包含多个凸起和多个凹陷的预定图案，而所述未图案化区域具有平坦的表面，所述平坦的表面不具有所述包含多个凸起和多个凹陷的预定图案；
形成多个前电极，其中所述多个前电极通过夹在其间的第一分离部分以固定间隔形成；
形成多个半导体层，其中所述多个半导体层通过夹在其间的接触部分以固定间隔在所述前电极上形成；以及
形成多个后电极，其中所述多个后电极通过夹在其间的第二分离部分以固定间隔形成，并且所述多个后电极通过所述接触部分与所述前电极连接。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，形成所述多个前电极包括：
在所述基板上形成前电极层；以及
通过从所述前电极层中去除预定区域形成所述第一分离部分，其中，所述第一分离部分位于所述基板的未图案化区域中。
4.根据权利要求2所述的方法，其中，形成所述多个半导体层包括：
在所述前电极上形成半导体层；以及
通过从所述半导体层中去除预定区域形成所述接触部分，其中，所述接触部分位于所述基板的未图案化区域中。
5.根据权利要求2所述的方法，其中，形成所述多个后电极包括：
在所述半导体层上形成后电极层；以及
通过从所述后电极层中去除预定区域形成第二分离部分，其中，所述第二分离部分位于所述基板的未图案化区域中。
6.根据权利要求2所述的方法，其中，所述图案化区域与所述未图案化区域交替。
7.根据权利要求1或2所述的方法，还包括在制备所述基板和形成所述前电极的步骤之间对所述基板进行清洗。
8.根据权利要求7所述的方法，其中，对所述基板进行清洗的步骤包括在用于形成所述前电极的装置中执行干洗工序。
9.根据权利要求1或2所述的方法，还包括在所述半导体层和所述后电极之间形成透明导电层。
10.根据权利要求1所述的方法，其中，制备所述基板包括：
制备薄膜型太阳能电池的基板的熔融液；以及
通过使制备好的熔融液通过第一辊和第二辊之间的间隙来形成薄膜型太阳能电池的基板，
其中，所述第一辊具有包含多个凸起和多个凹陷的预定图案化部分，以在通过所述第一辊时制造的薄膜型太阳能电池的基板的一个表面上产生所述预定图案。
11.根据权利要求2所述的方法，其中，制备所述基板包括：
制备薄膜型太阳能电池的基板的熔融液；以及
通过使制备好的熔融液通过第一辊和第二辊之间的间隙来形成薄膜型太阳能电池的基板，
其中，所述第一辊包括图案化部分和未图案化部分，所述图案化部分具有包含多个凸起和多个凹陷的预定图案，所述未图案化部分不具有所述包含多个凸起和多个凹陷的预定图案，以在通过所述第一辊时制造的薄膜型太阳能电池的基板的一个表面上产生图案化区域和未图案化区域。
12.根据权利要求1或2所述的方法，其中，制备所述基板包括：
制备两个表面都平坦的基板；
在所述基板的一个表面上形成光刻胶层；
在所述光刻胶层上方放置预定掩模，并向其照射光线；
通过显影被光线照射的光刻胶层形成光刻胶图案；
在将所述光刻胶图案用作掩模的条件下，蚀刻所述基板的一个表面；以及
去除所述光刻胶图案。
13.根据权利要求12所述的方法，其中，用干蚀刻方法、湿蚀刻方法或喷砂处理方法来执行对所述基板的一个表面的蚀刻。
14.一种薄膜型太阳能电池，包括：
具有包含多个凸起和多个凹陷的预定图案的基板；
在所述基板上的前电极；
在所述前电极上的半导体层；以及
在所述半导体层上的后电极。
15.一种薄膜型太阳能电池，包括：
包括图案化区域和未图案化区域的基板，所述图案化区域具有包含多个凸起和多个凹陷的预定图案，所述未图案化区域不具有所述包含多个凸起和多个凹陷的预定图案；
多个前电极，其通过夹在其间的第一分离部分以固定间隔设置在所述基板上；
多个半导体层，其通过夹在其间的接触部分以固定间隔设置在所述前电极上；以及
多个后电极，其通过夹在其间的第二分离部分以固定间隔设置，并且通过所述接触部分与所述前电极连接。
16.根据权利要求15所述的薄膜型太阳能电池，其中，所述第一分离部分、所述接触部分和所述第二分离部分中的至少之一形成在与所述未图案化区域对应的部分处。
17.根据权利要求15所述的薄膜型太阳能电池，其中，所述图案化区域与所述未图案化区域交替。
18.根据权利要求14或15所述的薄膜型太阳能电池，其中，在所述半导体层和所述后电极之间附加地形成前导电层。
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