CN210464016U - 一种陶瓷真空镀铜预处理窑 - Google Patents
一种陶瓷真空镀铜预处理窑 Download PDFInfo
- Publication number
- CN210464016U CN210464016U CN201921115253.8U CN201921115253U CN210464016U CN 210464016 U CN210464016 U CN 210464016U CN 201921115253 U CN201921115253 U CN 201921115253U CN 210464016 U CN210464016 U CN 210464016U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- kiln
- ceramic
- air pipe
- tunnel kiln
- copper plating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Furnace Details (AREA)
Abstract
本实用新型公开了一种陶瓷真空镀铜预处理窑,包括隧道窑,所述隧道窑一端密封,另一端设置有液压插板阀;所述隧道窑内两侧轴向设置有滑轨;所述隧道窑内于滑轨之间安装有风管撑脚;所述风管撑脚上固定有风管;所述风管上间隔安装有多组轰击罩;所述轰击罩与风管内部连通;所述风管靠近液压插板阀一端密封,另一端固定到进气法兰;所述进气法兰固定于隧道窑其密封一端外部;本实用新型的陶瓷真空镀铜预处理窑,通过镀膜舱室热风对陶瓷基材进行预处理,预处理时,通过热风直接轰击镀膜面,同时镀膜舱室内,采用高温和抽真空同步动作,将镀膜舱室内的陶瓷进行加热和间隙杂质抽离,提高镀膜层和陶瓷的结合力。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种陶瓷镀铜预处理设备,具体涉及一种陶瓷真空镀铜预处理窑,属于真空镀膜技术领域。
背景技术
真空镀膜是指利用物理过程实现物质转移,将原子或分子由源转移到基材表面上的过程;它的作用是可以使某些有特殊性能(强度高、耐磨性、散热性、耐腐性等)的微粒喷涂在性能较低的母体上,使得母体具有更好的性能;PVD基本方法:真空蒸发、溅射、离子镀(空心阴极离子镀、热阴极离子镀、电弧离子镀、活性反应离子镀、射频离子镀、直流放电离子镀);真空蒸发镀膜一般应用于纯度极高的膜、绝缘物的蒸镀和高熔点物质的蒸镀,其是在真空情况下,将所要蒸镀的材料利用加热设备加热到融化温度,使原子蒸发,到达并附着在基板表面上的一种镀膜方式;镀膜和基材结合力是否牢固,即镀膜和基材的附着力大小,是判断镀膜质量好坏的一个指标,其中,陶瓷镀铜膜其在镀膜前,需要对陶瓷进行清洗和烘干等作业,由于陶瓷前处理过程中,陶瓷表面残存水汽和其他气体杂质,如果直接对其进行镀膜,容易影响铜膜和陶瓷结合力,造成产品质量不合格。
实用新型内容
为解决上述问题,本实用新型提出了一种陶瓷真空镀铜预处理窑,通过真空镀膜舱室的热气对陶瓷基材进行预处理,提高镀膜层和陶瓷的结合力。
本实用新型的陶瓷真空镀铜预处理窑,采用将真空镀膜舱室内的热气抽送到预处理窑中,对预处理窑内的陶瓷其镀膜面进行热风轰击,真空镀膜舱室内的陶瓷在镀膜前,持续升温和抽气,直到真空镀膜舱室内升温到指定温度和指定真空值时,真空镀膜舱室的加热设备和抽气泵进行温度保持和压力保持,等待预定时间后,进入下一制程;即进入镀膜制程;加热设备持续加热过程中,真空镀膜舱室内的陶瓷被加热,其表面水汽和杂质被抽真空设备抽离,保证陶瓷表面的纯净度,提高陶瓷镀膜的附着性;真空镀膜舱室内的热气直接打在预处理窑内的陶瓷上,其模拟陶瓷真空镀膜附着过程,通过热气直接对陶瓷表面进行轰击,直接将陶瓷表面杂质和间隙水汽进行接触式冲击;当进入到陶瓷真空镀膜舱室后,其完成二次加热和排气抽离,提高陶瓷表面的处理能力;预处理窑预处理过程和镀膜舱室同步进行,镀膜舱室完成镀膜出料后,预处理窑内的陶瓷同步进行出料,并将完成预处理陶瓷送入到真空镀膜舱室;预处理窑结构具体如下:包括隧道窑,所述隧道窑一端密封,另一端设置有液压插板阀;当完成进料后,液压插板阀处于敞开状态,直到真空镀膜舱室内温度达到设定值时,将液压插板阀关闭,此时,隧道窑处于封闭状态,镀膜舱室处于半真空状态,此时,抽真空泵持续动作,镀膜舱室处于真空状态,隧道窑内压力略高于大气压,其持续将低热风到高热风冲击陶瓷镀膜面,从而能够将陶瓷镀膜面进行加热预处理;所述隧道窑内两侧轴向设置有滑轨;所述隧道窑内于滑轨之间安装有风管撑脚;所述风管撑脚上固定有风管;所述风管上间隔安装有多组轰击罩;所述轰击罩与风管内部连通;所述风管靠近液压插板阀一端密封,另一端固定到进气法兰;所述进气法兰固定于隧道窑其密封一端外部;所述进气法兰连接到镀铜舱室抽真空排气设备;所述滑轨上滑动安装有车架;所述车架底部设置有与滑轨活动安装的导轮;所述车架顶部安装有陶瓷基板摆放架;预处理时,将陶瓷基本摆放到陶瓷基板摆放架上,接着,将车架推入到隧道窑,并使车架端部贴紧隧道窑内面;完成陶瓷基板的上料,接着直接进行低热风到高热风对陶瓷表面轰击,完成对陶瓷镀膜面的模拟镀膜处理,从而保证镀膜时,能够去除陶瓷镀膜面的杂质干扰。
作为优选,所述进气法兰通过独立管道连通镀铜舱室;所述独立管道上设置关断阀和抽气风机;工作时,先通过对镀铜舱室内进行加热到预设值,此时开启关断阀和抽气风机,将高压热风直接打到陶瓷基板上,当达到镀膜预设值时,抽气风机持续抽风一时间值后,关断抽气风机和关断阀,接着开启镀铜舱室抽真空排气设备,使其能够满足真空需求。
作为优选,所述隧道窑顶部设置有抽真空泵,完成进料后,先关闭液压插板阀,并在镀膜舱室工作前,将隧道窑抽气,等待镀膜舱室工作后,其气体引入到隧道窑,对隧道窑内的陶瓷进行热风轰击后,气体被抽真空泵带出窑外。
作为优选,所述镀铜舱室抽真空排气设备其排气端连接到三通;所述三通另外两端分别连接通过关断阀连接到进气法兰和外排管;镀铜舱室先进行抽气处理,当舱室内气压达到第一阈值时,抽真空设备停止抽气,并进行加热处理,当加热到第一阈值时,关闭外排管关断阀,打开进气法兰关断阀;此时,抽真空设备和加热设备继续工作,将热量气体送入到隧道窑内,完成对陶瓷镀膜面的轰击处理。
作为优选,所述陶瓷基板摆放架四端底部设置有定位柱;车架其支脚内面顶部固定有定位套;所述定位柱和定位套活动插拔安装,其可将陶瓷基板摆放架整体送入到镀膜舱室模具上。
作为优选,所述陶瓷基板摆放架顶部两侧设置有提手。
本实用新型与现有技术相比较,本实用新型的陶瓷真空镀铜预处理窑,通过镀膜舱室热风对陶瓷基材进行预处理,预处理时,通过热风直接轰击镀膜面,同时镀膜舱室内,采用高温和抽真空同步动作,将镀膜舱室内的陶瓷进行加热和间隙杂质抽离,提高镀膜层和陶瓷的结合力。
附图说明
图1是本实用新型的实施例1结构示意图。
图2是本实用新型的实施例2结构示意图。
图3是本实用新型的实施例3结构示意图。
图4是本实用新型的实施例4结构示意图。
图5是本实用新型的实施例5结构示意图。
具体实施方式
实施例1:
如图1所示的陶瓷真空镀铜预处理窑,采用将真空镀膜舱室内的热气抽送到预处理窑中,对预处理窑内的陶瓷其镀膜面进行热风轰击,真空镀膜舱室内的陶瓷在镀膜前,持续升温和抽气,直到真空镀膜舱室内升温到指定温度和指定真空值时,真空镀膜舱室的加热设备和抽气泵进行温度保持和压力保持,等待预定时间后,进入下一制程;即进入镀膜制程;加热设备持续加热过程中,真空镀膜舱室内的陶瓷被加热,其表面水汽和杂质被抽真空设备抽离,保证陶瓷表面的纯净度,提高陶瓷镀膜的附着性;真空镀膜舱室内的热气直接打在预处理窑内的陶瓷上,其模拟陶瓷真空镀膜附着过程,通过热气直接对陶瓷表面进行轰击,直接将陶瓷表面杂质和间隙水汽进行接触式冲击;当进入到陶瓷真空镀膜舱室后,其完成二次加热和排气抽离,提高陶瓷表面的处理能力;预处理窑预处理过程和镀膜舱室同步进行,镀膜舱室完成镀膜出料后,预处理窑内的陶瓷同步进行出料,并将完成预处理陶瓷送入到真空镀膜舱室;预处理窑结构具体如下:包括隧道窑1,所述隧道窑1一端密封,另一端设置有液压插板阀2;当完成进料后,液压插板阀处于敞开状态,直到真空镀膜舱室内温度达到设定值时,将液压插板阀关闭,此时,隧道窑处于封闭状态,镀膜舱室处于半真空状态,此时,抽真空泵持续动作,镀膜舱室处于真空状态,隧道窑内压力略高于大气压,其持续将低热风到高热风冲击陶瓷镀膜面,从而能够将陶瓷镀膜面进行加热预处理;所述隧道窑1内两侧轴向设置有滑轨3;所述隧道窑1内于滑轨之间安装有风管撑脚4;所述风管撑脚4上固定有风管5;所述风管5上间隔安装有多组轰击罩6;所述轰击罩6与风管5内部连通;所述风管5靠近液压插板阀2一端密封,另一端固定到进气法兰7;所述进气法兰7固定于隧道窑1其密封一端外部;所述进气法兰7连接到镀铜舱室抽真空排气设备8;所述滑轨3上滑动安装有车架9;所述车架9底部设置有与滑轨活动安装的导轮10;所述车架9顶部安装有陶瓷基板摆放架11;预处理时,将陶瓷基本摆放到陶瓷基板摆放架上,接着,将车架推入到隧道窑,并使车架端部贴紧隧道窑内面;完成陶瓷基板的上料,接着直接进行低热风到高热风对陶瓷表面轰击,完成对陶瓷镀膜面的模拟镀膜处理,从而保证镀膜时,能够去除陶瓷镀膜面的杂质干扰。
实施例2:
如图2所示的陶瓷真空镀铜预处理窑,所述进气法兰7通过独立管道12连通镀铜舱室13;所述独立管道12上设置关断阀14和抽气风机15;工作时,先通过对镀铜舱室内进行加热到预设值,此时开启关断阀和抽气风机,将高压热风直接打到陶瓷基板上,当达到镀膜预设值时,抽气风机持续抽风一时间值后,关断抽气风机和关断阀,接着开启镀铜舱室抽真空排气设备,使其能够满足真空需求。
实施例3:
如图3所示的陶瓷真空镀铜预处理窑,所述隧道窑1顶部设置有抽真空泵16,完成进料后,先关闭液压插板阀,并在镀膜舱室工作前,将隧道窑抽气,等待镀膜舱室工作后,其气体引入到隧道窑,对隧道窑内的陶瓷进行热风轰击后,气体被抽真空泵带出窑外。
实施例4:
如图4所示的陶瓷真空镀铜预处理窑,所述镀铜舱室抽真空排气设备8其排气端连接到三通17;所述三通17另外两端分别连接通过关断阀18连接到进气法兰7和外排管19;镀铜舱室先进行抽气处理,当舱室内气压达到第一阈值时,抽真空设备停止抽气,并进行加热处理,当加热到第一阈值时,关闭外排管关断阀,打开进气法兰关断阀;此时,抽真空设备和加热设备继续工作,将热量气体送入到隧道窑内,完成对陶瓷镀膜面的轰击处理。
实施例5:
如图5所示的陶瓷真空镀铜预处理窑,所述陶瓷基板摆放架11四端底部设置有定位柱111;车架9其支脚内面顶部固定有定位套91;所述定位柱111和定位套91活动插拔安装,其可将陶瓷基板摆放架整体送入到镀膜舱室模具上;所述陶瓷基板摆放架11顶部两侧设置有提手112。
上述实施例,仅是本实用新型的较佳实施方式,故凡依本实用新型专利申请范围所述的构造、特征及原理所做的等效变化或修饰,均包括于本实用新型专利申请范围内。
Claims (7)
1.一种陶瓷真空镀铜预处理窑,其特征在于:包括隧道窑,所述隧道窑一端密封,另一端设置有液压插板阀;所述隧道窑内两侧轴向设置有滑轨;所述隧道窑内于滑轨之间安装有风管撑脚;所述风管撑脚上固定有风管;所述风管上间隔安装有多组轰击罩;所述轰击罩与风管内部连通;所述风管靠近液压插板阀一端密封,另一端固定到进气法兰;所述进气法兰固定于隧道窑其密封一端外部;所述滑轨上滑动安装有车架;所述车架底部设置有与滑轨活动安装的导轮;所述车架顶部安装有陶瓷基板摆放架。
2.根据权利要求1所述的陶瓷真空镀铜预处理窑,其特征在于:所述进气法兰连接到镀铜舱室抽真空排气设备。
3.根据权利要求1所述的陶瓷真空镀铜预处理窑,其特征在于:所述进气法兰通过独立管道连通镀铜舱室;所述独立管道上设置关断阀和抽气风机。
4.根据权利要求2所述的陶瓷真空镀铜预处理窑,其特征在于:所述镀铜舱室抽真空排气设备其排气端连接到三通;所述三通另外两端分别连接通过关断阀连接到进气法兰和外排管。
5.根据权利要求1所述的陶瓷真空镀铜预处理窑,其特征在于:所述陶瓷基板摆放架四端底部设置有定位柱;车架其支脚内面顶部固定有定位套;所述定位柱和定位套活动插拔安装。
6.根据权利要求1或4所述的陶瓷真空镀铜预处理窑,其特征在于:所述陶瓷基板摆放架顶部两侧设置有提手。
7.根据权利要求1所述的陶瓷真空镀铜预处理窑,其特征在于:所述隧道窑顶部设置有抽真空泵。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201921115253.8U CN210464016U (zh) | 2019-07-17 | 2019-07-17 | 一种陶瓷真空镀铜预处理窑 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201921115253.8U CN210464016U (zh) | 2019-07-17 | 2019-07-17 | 一种陶瓷真空镀铜预处理窑 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN210464016U true CN210464016U (zh) | 2020-05-05 |
Family
ID=70445715
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201921115253.8U Active CN210464016U (zh) | 2019-07-17 | 2019-07-17 | 一种陶瓷真空镀铜预处理窑 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN210464016U (zh) |
-
2019
- 2019-07-17 CN CN201921115253.8U patent/CN210464016U/zh active Active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2690981C1 (ru) | Способ изготовления и производственная линия одного типа закаленного вакуумного стекла | |
CN1322556C (zh) | 被处理件的处理方法及处理装置 | |
JP6695427B2 (ja) | 強化真空ガラスの製造方法及びその生産ライン | |
CN107365973B (zh) | 一种真空镀膜生产线及镀膜方法 | |
JP2007177323A5 (zh) | ||
WO2009104463A1 (ja) | 真空処理装置、真空処理装置のメンテナンス方法および真空処理工場 | |
CN101957127A (zh) | 真空干燥设备 | |
CN210464016U (zh) | 一种陶瓷真空镀铜预处理窑 | |
EP1555330A3 (de) | Vorrichtung und Verfahren zum Transportieren metallischer Werkstücke sowie Anlage zur Wärmebehandlung dieser Werkstücke | |
JP4766500B2 (ja) | 真空処理装置、および真空処理工場 | |
CN111761158A (zh) | 用于真空保温杯连续抽真空的真空室及连续抽真空工艺 | |
CN109665726A (zh) | 一种真空玻璃的封边方法 | |
CN111037139B (zh) | 一种大尺寸电路密封空洞率的控制方法 | |
JP2007214171A5 (zh) | ||
WO2011155100A1 (ja) | スパッタリング装置の生産復帰方法 | |
CN113832442B (zh) | 带准备室直线或交叉传递工件等离子体源离子注入机 | |
CN113380639A (zh) | 一种原子级离子清洁活化低温键合装置及方法 | |
CN106328476A (zh) | 一种利用真空罐加速抽真空的装置及方法 | |
CN104962915A (zh) | 一种热交换盘管覆釉工艺方法及专用设备 | |
CN111411329A (zh) | 平面锂靶材组件的制造方法和设备 | |
TWI603168B (zh) | For semiconductor wafer removal photoresist device | |
CN115418606B (zh) | 一种用于超长管件内壁磁控溅射涂层系统及方法 | |
CN205452250U (zh) | 柔性基板的固化装置 | |
CN210419762U (zh) | 一种真空玻璃的生产装置 | |
CN210945763U (zh) | 一种dlc连续镀膜生产线 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |