CN210112367U - 一种覆晶薄膜基板、电路板及显示设备 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种覆晶薄膜基板、电路板及显示设备，所述覆晶薄膜基板包括：芯材；设置在芯材上的导电层；其中，覆晶薄膜基板定义有弯折区，弯折区内的导电层为图形化设置。通过上述方式，本申请能够在提升覆晶薄膜基板弯折性能的同时，还能保持基板的挺性。

Description

一种覆晶薄膜基板、电路板及显示设备

技术领域

本申请涉及显示技术领域，特别是涉及一种覆晶薄膜基板、电路板及显示设备。

背景技术

覆晶薄膜(Chip on Film，COF)是将驱动芯片(Integrated Circuit，IC) 固定于柔性线路板上晶粒软膜构装技术，是运用软质附加电路板作封装芯片载体将芯片与软性基板电路接合的技术。目前业界COF材料均选用聚酰亚胺和铜箔复合的方式，聚酰亚胺材料拥有如下特性：耐高温、耐低温、耐腐蚀、自润滑、低磨耗、力学性能优异、尺寸稳定性好、热膨胀系数小、高绝缘、低热导、不熔融、不生锈，高抗弯曲、拉伸和高抗冲击性能，与铜箔复合后厚度硬度均增加。当其使用在柔性产品上时，复合材料的高抗弯曲就影响了我们的实际产品的弯折性能，如何使材料减小反弹应力，可以更加顺利的柔性弯折，减少弯折半径，实现顺利弯折成为技术上的难题。

实用新型内容

本申请主要解决的技术问题是提供一种覆晶薄膜基板、电路板及显示设备，能够在提升覆晶薄膜基板弯折性能的同时，还能保持基板的挺性。

为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种覆晶薄膜基板，所述覆晶薄膜基板包括：芯材；设置在芯材上的导电层；其中，覆晶薄膜基板定义有弯折区，弯折区内的导电层为图形化设置。

其中，导电层图形化设置有至少在覆晶薄膜基板弯折的轴向平行方向上的多个导电层去除区。

其中，去除区沿着覆晶薄膜基板弯折的轴向平行方向延伸，将导电层分割为多个间隔金属条。

其中，金属条为波浪形金属条或矩形金属条。

其中，覆晶薄膜基板还包括覆盖导电层的保护层，保护层为阻焊层。

其中，导电层包括第一导电层和第二导电层，第一导电层、第二导电层分别设置于芯材的两侧，弯折区内的第一导电层和/或第二导电层为图形化设置。

其中，弯折区内的第一导电层和第二导电层为图形化设置，第一导电层的图形化图案与第二导电层的图形化图案互补。

其中，去除区内设置有阵列且间隔排布的若干金属块。

为解决上述技术问题，本申请采用的另一个技术方案是：提供一种覆晶薄膜电路板，所述覆晶薄膜电路板包括上述的覆晶薄膜基板和控制芯片，覆晶薄膜基板定义有绑定区，控制芯片封装于覆晶薄膜基板绑定区上。

为解决上述技术问题，本申请采用的另一个技术方案是：提供一种显示设备，所述显示设备包括显示面板及上述的覆晶薄膜电路板，显示面板耦接覆晶薄膜电路板。

本申请的有益效果是：区别于现有技术的情况，本申请通过对导电层做图形化处理，去除部分导电层，能够减小弯折区的弯折应力，利于在此区域实现小半径弯折，达到目前市场需求的窄边框要求。同时保留部分导电层，保持基板的挺性，利于材料制作运输，同时有利于后续的绑定操作。

附图说明

图1是本申请覆晶薄膜基板第一实施方式的剖面结构示意图；

图2是本申请覆晶薄膜基板第二实施方式的剖面结构示意图；

图3是本申请覆晶薄膜基板导电层第三实施方式的俯视结构示意图；

图4是本申请覆晶薄膜基板第四实施方式的剖面结构示意图；

图5是本申请覆晶薄膜基板导电层第五实施方式的俯视结构示意图；

图6是本申请覆晶薄膜基板第六实施方式的剖面结构示意图；

图7是本申请覆晶薄膜基板第七实施方式的剖面结构示意图；

图8是本申请覆晶薄膜电路板第一实施方式的剖面结构示意图；

图9是本申请显示设备第一实施方式的结构示意图。

具体实施方式

为使本申请的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下参照附图并举实施例对本申请进一步详细说明。

请参阅图1，图1是本申请覆晶薄膜基板第一实施方式的结构示意图。在该实施方式中，覆晶薄膜基板100包括芯材10；设置在芯材10 上的导电层20，覆晶薄膜基板100定义有弯折区1001，弯折区1001内的导电层20为图形化设置。

其中，图形化设置是指导电层设置有多个导电层去除区，即将原本连续的一整层导电层刻蚀成非连续的，或者说对导电层做局部开窗处理，去除部分导电层材料，以降低弯折区内导电层的弯折应力。

该实施方式中，通过对导电层做图形化处理，去除部分导电层，能够减小弯折区的弯折应力，利于在此区域实现小半径弯折，达到目前市场需求的窄边框要求。同时保留部分导电层，保持基板的挺性，利于材料制作运输，同时有利于后续的绑定操作。

其中，芯材为柔性基材，其材料可以为聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰胺、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯、聚酯、聚酰亚胺-聚乙烯对苯二甲酯共聚合物中的一种或多种组合。

导电层为金属层，可以是铜、金、镍、钯、铂、钨、镍-金、钯-镍、钛-钯-金、钛-铂-金、铬-镍-金、钛-钨-金中的任一种。

可以采用压合工艺制造形成覆晶薄膜基板，具体地，准备芯材材料和导电层材料，逐层平整压合，实现产品的堆叠结构。然后，对弯折区的导电层进行图形化。可以将导电层图形化出不同的方案。

请参阅图2，图2是本申请覆晶薄膜基板第二实施方式的结构示意图。在该实施方式中，覆晶薄膜基板为三层结构，具有双面导通功能，具体地，导电层20包括第一导电层201和第二导电层202，第一导电层 201、第二导电层202分别设置于芯材10的两侧，即覆晶薄膜基板200 包括芯材10及设置在芯材10两侧的第一导电层201和第二导电层202；弯折区1001内的第一导电层201和/或第二导电层202为图形化设置。在该实施方式中，因为芯材两面都有导电层，能够实现双面导通。同时可以选择性的在第一导电层和/或第二导电层上做图形化处理，能够在减小弯折应力的基础上，还能保持基板的挺性。

在一实施方式中，导电层为至少在覆晶薄膜基板弯折的轴向平行方向上有空缺的图形。即在图形化去除部分导电层时，优先去除覆晶薄膜基板弯折方向上的部分导电层材料，使导电层在弯折方向上是相间断的，以减小弯折应力，提高弯折性能。

在一实施方式中，导电层去除区沿着弯折的轴向平行方向延伸，将导电层分割为多个间隔金属条，即金属条沿着弯折的轴向平行方向延伸。请参阅图3，图3是本申请覆晶薄膜基板导电层第三实施方式的俯视结构示意图。在该实施方式中，导电层设置有相间隔的若干金属条。金属条可以为波浪形金属条(图3 2a所示)或矩形金属条(图3 2b所示)。在其他实施方式中，也可以是任意形状的金属条，优选具有圆弧边的形状，以防尖端放电。通过这种设置，在弯折方向上，导电层是相间断的，减弱了整层金属层的弯折应力，提高弯折性能。而在非弯折方向上，金属条是连续的，能够保证基板的挺性和强度，同时保证电路的连通性。在另一实施方式中，金属条的延伸方向也可以垂直于覆晶薄膜基板弯折轴向方向。

在一实施方式中，第一导电层与第二导电层的图形化图案相同，可以均为相间隔的若干金属条，在另一实施方式中，第一导电层与第二导电层的图形化图案不同，如在弯折过程中，因弯折内侧与外侧的受力不同，处于弯折外侧的导电层，去除区面积更大一些，因去除面积大，为了提升基板的挺性，可以是相间隔排布的多个小面积的去除区。处于弯折区内侧的去除区面积小一些。

在一实施方式中，请参阅图4，图4是本申请覆晶薄膜基板第四实施方式的剖面结构示意图。在该实施方式中，第一导电层201、第二导电层202均为图形化设置，且第一导电层201的图案与第二导电层202 的图案互补。第一导电层的图案与第二导电层的图案互补是指，与第一导电层上去除金属层的部分相对应的第二导电层上为保留金属层的部分。通过控制第一导电层的图案与第二导电层的图案互补，可以在降低弯折应力的基础上，保证基板的强度和挺性。另外，通过这种方案可以有选择性的对导电层进行去除，选择应力较大的部位去除。例如，应力较大的部位在第一导电层的线路区，此时不能对第一导电层进行去除，通过这种方式，可以选择对第二导电层进行图形化，既能够保证线路区，也能够减小弯折应力。

在一实施方式中，去除区内因为去除了导电层，导致基板挺性不够，降低了基板的稳定性，因此，可以根据去除区的面积大小，在去除区内设置有阵列且间隔排布的若干金属块，请参阅图5，图5是本申请覆晶薄膜基板导电层第五实施方式的俯视结构示意图。在该实施方式中，导电层被图形化为沿着弯折的轴向平行方向延伸的金属条，同时在去除区内设置有阵列且间隔排布的若干金属块。金属块可以为三角形金属块、圆形金属块、六边形金属块、正方形金属块或菱形金属块等。当然也可以是任意形状的金属块。在该实施方式中，在去除区设置有间隔设置的金属块，特别是去除区面积较大时，以增加基板的挺性。且金属块相互之间是孤立的，不能电连通，且不与金属条导通，不影响导电层的电路。当具有两个导电层时，可以在两面导电层的去除区内都设置金属块，也可以只在一层导电层的去除区内设置金属块。

其中，可以利用蚀刻的方式图形化第一导电层和/或第二导电层，具体地，在导电层上形成一层光阻层，使用光罩，对第一导电层进行蚀刻，形成预定图形。

请参阅图6和图7，图6是本申请覆晶薄膜基板第六实施方式的剖面结构示意图，图7是本申请覆晶薄膜基板第七实施方式的剖面结构示意图。在该实施方式中，覆晶薄膜基板600还包括覆盖导电层的保护层 30，保护层为阻焊层。当覆晶薄膜基板包括两个导电层时，对应的也包括分别覆盖第一导电层201和第二导电层202的第一保护层301和第二保护层302。

其中，保护层为绝缘层，用于保护导电层。现有的保护层一般选用聚酰亚胺材料，但是聚酰亚胺材料的挺性较大，且膜层较厚，会增加弯折应力，不利于基板的弯折。本申请中采用防焊层(绿油层)作为保护层，膜层较薄，既能够起到保护作用，还能够减小弯折应力，提高基板的弯折性能。

以上方案，本申请通过对导电层做图形化处理，去除部分导电层，能够减小弯折区的弯折应力，利于在此区域实现小半径弯折，达到目前市场需求的窄边框要求。同时保留部分导电层，保持基板的挺性，利于材料制作运输。

基于此，本申请还提供一种覆晶薄膜电路板，请参阅图8，图8是本申请覆晶薄膜电路板第一实施方式的剖面结构示意图，在该实施方式中，覆晶薄膜电路板包括覆晶薄膜基板100和控制芯片200，覆晶薄膜基板100定义有绑定区1002，控制芯片200封装于覆晶薄膜基板100的绑定区1002上。其中，覆晶薄膜基板100包括芯材10；设置在芯材10 上的导电层20；覆晶薄膜基板100定义有弯折区1001，弯折区1001内的导电层20为图形化设置。

其中，图形化设置包括：将导电层设置为相间隔的若干金属条。金属条可以为波浪形金属条或矩形金属条；金属条沿覆晶薄膜基板弯折的轴向平行方向延伸。具体结构请参阅上述实施方式的描述，在此不再赘述。

在该实施方式中，通过对导电层做图形化处理，去除部分导电层，能够减小弯折区的弯折应力，利于在此区域实现小半径弯折，达到目前市场需求的窄边框要求。同时保留部分导电层，保持基板的挺性，利于材料制作运输。该覆晶薄膜电路板可与液晶显示面板或OLED显示面板结合制备电子设备。

基于此，本申请还提供一种显示设备，请参阅图9，图9是本申请显示第一实施方式的结构示意图，在该实施方式中，显示设备90包括显示面板901及覆晶薄膜电路板902，显示面板901耦接覆晶薄膜电路板902。覆晶薄膜电路板包括覆晶薄膜基板及封装于覆晶薄膜基板上的控制芯片，其中，覆晶薄膜基板包括芯材；设置在芯材上的导电层；覆晶薄膜基板定义有弯折区，弯折区内的导电层为图形化设置。具体结构请参阅上述实施方式的描述，在此不再赘述。显示面板901为液晶显示面板或OLED显示面板。该显示设备可以是手机、电视、MP3、VR眼镜的显示屏等。

以上方案，本申请所提供的覆晶薄膜基板，通过对导电层做图形化处理，去除部分导电层，能够减小弯折区的弯折应力，利于在此区域实现小半径弯折，达到目前市场需求的窄边框要求。同时保留部分导电层，保持基板的挺性，利于材料制作运输，同时有利于后续的绑定操作。

以上所述仅为本申请的实施方式，并非因此限制本申请的专利范围，凡是利用本申请说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本申请的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种覆晶薄膜基板，其特征在于，所述覆晶薄膜基板包括：

芯材；

设置在所述芯材上的导电层；

其中，所述覆晶薄膜基板定义有弯折区，所述弯折区内的所述导电层为图形化设置。

2.根据权利要求1所述的覆晶薄膜基板，其特征在于，所述导电层图形化设置有至少在所述覆晶薄膜基板弯折的轴向平行方向上的多个导电层去除区。

3.根据权利要求2所述的覆晶薄膜基板，其特征在于，所述去除区沿着所述覆晶薄膜基板弯折的轴向平行方向延伸，将所述导电层分割为多个间隔金属条。

4.根据权利要求3所述的覆晶薄膜基板，其特征在于，所述金属条为波浪形金属条或矩形金属条。

5.根据权利要求3或4所述的覆晶薄膜基板，其特征在于，所述去除区内设置有阵列且间隔排布的若干金属块。

6.根据权利要求1所述的覆晶薄膜基板，其特征在于，所述覆晶薄膜基板还包括覆盖所述导电层的保护层，所述保护层为阻焊层。

7.根据权利要求1所述的覆晶薄膜基板，其特征在于，所述导电层包括第一导电层和第二导电层，所述第一导电层、第二导电层分别设置于所述芯材的两侧，所述弯折区内的所述第一导电层和/或所述第二导电层为图形化设置。

8.根据权利要求7所述的覆晶薄膜基板，其特征在于，所述弯折区内的所述第一导电层和所述第二导电层为图形化设置，所述第一导电层的图形化图案与所述第二导电层的图形化图案互补。

9.一种覆晶薄膜电路板，其特征在于，所述覆晶薄膜电路板包括如权利要求1-8任一项所述的覆晶薄膜基板和控制芯片，所述覆晶薄膜基板定义有绑定区，所述控制芯片封装于所述覆晶薄膜基板的绑定区上。

10.一种显示设备，其特征在于，所述显示设备包括显示面板及如权利要求9所述的覆晶薄膜电路板，所述显示面板耦接所述覆晶薄膜电路板。

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