CN210050813U - 一种cvd尾气处理装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种CVD尾气处理装置，包括机架、燃烧室、二次燃烧管、过滤吸收箱、喷淋室以及进气管和排气管，燃烧室连接进气管，将引进的CVD混合物灌入燃烧室内，保持足够温度情况下维持燃烧状态，并在二次燃烧管中接续燃烧，二次燃烧管外周固连有第一冷凝管和第二冷凝管，过滤吸收箱上端密闭连接有引流管和U形管，U形管连接二次燃烧管和喷淋室，淋喷室外侧壁设置有淋喷管，淋喷管连通在喷淋室内分布为上下若干个淋喷头，该装置利用燃烧室将CVD尾气进行充分燃烧后，在经过二次燃烧管进行完全彻底燃烧后，冷凝固化后，固体沉积物流入过滤吸收箱，气体尾气再经过淋喷室气液吸收后重新流回过滤吸收箱进行吸收过滤，实用方便。
Description
技术领域
本实用新型涉及半导体制程清洗设备技术领域，具体涉及一种CVD尾气处理装置。
背景技术
CVD尾气，即在利用化学气相沉积/化学气相渗透(简称：CVD/CVI)制备复合材料时产生的尾气。在CVD/CVI制备陶瓷基复合材料过程中，炉内通入H2、Ar及有机硅烷，发生多级反应后的尾气中包含未分解的有机硅烷、反应产物HCl、分解产物焦油、沉淀产物粒子和稀释 Ar等。粘度较大的有机物还会影响泵油流动性，导致真空泵转子的运转能力下降，造成真空泵抽力不足或者开启困难(卡泵)以及真空泵异常磨损等现象，影响正常的制备工艺。
因此，现有的尾气处理装置不能充分的对CVD尾气进行过滤处理，且设备占用较大场地面积。
发明内容
本实用新型目的是：针对上述背景技术提及对CVD尾气进行过滤处理设备的不足，提供一种能够将包含未分解的有机硅烷、反应产物HCl、分解产物焦油、沉淀产物粒子和稀释Ar 有效燃烧并沉淀过滤的CVD尾气处理装置。
为解决上述问题采取的技术方案是：
一种CVD尾气处理装置，包括机架、燃烧室、二次燃烧管、过滤吸收箱、喷淋室以及进气管和排气管，
所述燃烧室连接进气管，将引进的未分解的有机硅烷、反应产物HCl、分解产物焦油、沉淀产物粒子和稀释Ar的混合物灌入燃烧室内，保持足够温度情况下维持燃烧状态，并在所述二次燃烧管中接续燃烧，所述二次燃烧管外周固连有第一冷凝管和第二冷凝管，将燃烧后的残余沉积物引入过滤吸收箱，
所述过滤吸收箱上端密闭连接有引流管和U形管，所述U形管连接所述二次燃烧管和喷淋室，所述喷淋室外侧壁设置有淋喷管，所述淋喷管连通在喷淋室内分布为上下若干个淋喷头，充分吸收燃烧后的排放气体，对应每个淋喷头位置、在所述喷淋室外侧壁上还设置有观察窗。
进一步地，所述过滤吸收箱设置有带有阀门的排污口，上端设置有过滤液灌入口。
进一步地，所述第一冷凝管、第二冷凝管连接外界的冷凝水体。
进一步地，所述机架上设置有温度表，控制监测燃烧室、二次燃烧管以及喷淋室的温度状态。
进一步地，所述排气管内设置有除雾器。
本实用新型的有益效果是：该CVD尾气处理装置利用燃烧室将CVD尾气进行充分燃烧后，在经过二次燃烧管进行完全彻底燃烧后，冷凝固化后，固体沉积物流入过滤吸收箱，气体尾气再经过喷淋室气液吸收后重新流回过滤吸收箱进行吸收过滤，实用方便，适用性强。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所提供的附图作简单地介绍。
图1为本实施例CVD尾气处理装置的结构示意图；
图2为本实施例CVD尾气处理装置去除机架后的示意图；
图3为本实施例CVD尾气处理装置去除机架后的立体示意图；
图4为本实施例CVD尾气处理装置的正视图；
其中，1-机架，2-进气管，3-燃烧室，4-二次燃烧管，41-第一冷凝管，42-第二冷凝管， 421-冷凝水进水口，5-过滤吸收箱，51-引流管，52-U形管，53-排污口，6-喷淋室，61-观察窗，62-淋喷管，7-排气管，8-除雾器，9-温度表。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。
请参阅图1-4，本实施例提出一种CVD尾气处理装置，包括机架1、燃烧室3、二次燃烧管4、过滤吸收箱5、喷淋室6以及进气管2和排气管7。
具体地说，所述燃烧室3连接进气管2，将引进的未分解的有机硅烷、反应产物HCl、分解产物焦油、沉淀产物粒子和稀释Ar的混合物灌入燃烧室3内，保持足够温度情况下维持燃烧状态，并在所述二次燃烧管4中接续燃烧，所述二次燃烧管4外周固连有第一冷凝管41和第二冷凝管42，将燃烧后的残余沉积物引入过滤吸收箱5。
所述过滤吸收箱5上端密闭连接有引流管51和U形管52，所述U形管52连接所述二次燃烧管4和喷淋室6，所述喷淋室6外侧壁设置有淋喷管61，所述淋喷管61连通在喷淋室内分布为上下3个淋喷头，充分吸收燃烧后的排放气体，对应每个淋喷头位置、在所述喷淋室6外侧壁上还设置有观察窗62。
进一步的实施方案是，所述过滤吸收箱5设置有带有阀门的排污口53，上端设置有过滤液灌入口。
进一步的实施方案是，所述第一冷凝管41、第二冷凝管42连接外界的冷凝水体。
进一步的实施方案是，所述机架1上设置有温度表9，控制监测燃烧室、二次燃烧管以及喷淋室的温度状态。
进一步的实施方案是，所述排气管7内设置有除雾器8。
上面结合附图对本实用新型的实施方式作了详细说明，但是本实用新型并不限于上述实施方式，在本领域普通技术人员所具备的知识范围内，还可以在不脱离本实用新型宗旨的前提下做出各种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (5)
1.一种CVD尾气处理装置，包括机架、燃烧室、二次燃烧管、过滤吸收箱、喷淋室以及进气管和排气管，其特征在于：
所述燃烧室连接进气管，将引进的未分解的有机硅烷、反应产物HCl、分解产物焦油、沉淀产物粒子和稀释Ar的混合物灌入燃烧室内，保持足够温度情况下维持燃烧状态，并在所述二次燃烧管中接续燃烧，所述二次燃烧管外周固连有第一冷凝管和第二冷凝管，将燃烧后的残余沉积物引入过滤吸收箱，
所述过滤吸收箱上端密闭连接有引流管和U形管，所述U形管连接所述二次燃烧管和喷淋室，所述喷淋室外侧壁设置有淋喷管，所述淋喷管连通在喷淋室内分布为上下若干个淋喷头，充分吸收燃烧后的排放气体，对应每个淋喷头位置、在所述喷淋室外侧壁上还设置有观察窗。
2.根据权利要求1所述的CVD尾气处理装置，其特征在于：所述过滤吸收箱设置有带有阀门的排污口，上端设置有过滤液灌入口。
3.根据权利要求1所述的CVD尾气处理装置，其特征在于：所述第一冷凝管、第二冷凝管连接外界的冷凝水体。
4.根据权利要求1所述的CVD尾气处理装置，其特征在于：所述机架上设置有温度表，控制监测燃烧室、二次燃烧管以及喷淋室的温度状态。
5.根据权利要求1所述的CVD尾气处理装置，其特征在于：所述排气管内设置有除雾器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN201920697724.4U CN210050813U (zh) | 2019-05-16 | 2019-05-16 | 一种cvd尾气处理装置 |
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| CN201920697724.4U CN210050813U (zh) | 2019-05-16 | 2019-05-16 | 一种cvd尾气处理装置 |
Publications (1)
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Family
ID=69395632
Family Applications (1)
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| CN201920697724.4U Active CN210050813U (zh) | 2019-05-16 | 2019-05-16 | 一种cvd尾气处理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN210050813U (zh) |
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2019
- 2019-05-16 CN CN201920697724.4U patent/CN210050813U/zh active Active
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Legal Events
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| GR01 | Patent grant | ||
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Address after: Room 3, 299 Yuyang Road, Yushan Town, Kunshan City, Suzhou City, Jiangsu Province Patentee after: Zhicheng semiconductor equipment technology (Kunshan) Co.,Ltd. Address before: 215000 No. 58 Yucheng Middle Road, Yushan Town, Kunshan City, Suzhou City, Jiangsu Province Patentee before: KUNSHAN ZHICHENG AUTOMATION EQUIPMENT Co.,Ltd. |
|
| CP03 | Change of name, title or address | ||
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: Room 3, 299 Yuyang Road, Yushan Town, Kunshan City, Suzhou City, Jiangsu Province Patentee after: Suzhou Zhicheng Semiconductor Technology Co.,Ltd. Address before: Room 3, 299 Yuyang Road, Yushan Town, Kunshan City, Suzhou City, Jiangsu Province Patentee before: Zhicheng semiconductor equipment technology (Kunshan) Co.,Ltd. |
|
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |