CN210040477U - 一种交叉耦合滤波器 - Google Patents

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Abstract

本申请公开一种交叉耦合滤波器，包括介质谐振主体、至少四个调谐孔、至少一个容性耦合槽和至少一个感性耦合孔，其中，调谐孔、容性耦合槽和感性耦合孔均设置于介质谐振主体的同一表面上，调谐孔用于调整交叉耦合滤波器的频率，容性耦合槽设置在相邻的两个调谐孔之间，容性耦合槽在交叉耦合滤波器所在平面上的投影呈十字形，用于形成电场为主的电容耦合，与电感耦合极性相反，产生带外零点增强抑制，感性耦合孔设置在相邻的两个调谐孔之间，感性耦合孔贯穿介质谐振主体，用于形成电感耦合，配合电容耦合，形成带外零点。本申请中的交叉耦合滤波器能够实现容性耦合，滤波抑制能力强，结构简单，易于加工成型，提高了可生产性。

Description

一种交叉耦合滤波器
技术领域
本申请涉及通信技术领域，具体涉及一种交叉耦合滤波器。
背景技术
采用介质材料代替传统金属材料，在相同指标下能缩小滤波器的体积，使得对介质滤波器的研究成为通信行业的热点。由于介质滤波器内部全为实心陶瓷填充，可塑性差，灵活性差的特点，在滤波器的两腔之间形成电容耦合具有一定难度。现有的介质滤波器是通过置于介质滤波器外侧实现电容耦合，但存在结构繁冗且可靠性差的问题。
发明内容
本申请提供一种交叉耦合滤波器，包括：
介质谐振主体、至少四个调谐孔、至少一个容性耦合槽和至少一个感性耦合孔，其中，调谐孔、容性耦合槽和感性耦合孔均设置于介质谐振主体的同一表面上；
调谐孔，用于调整交叉耦合滤波器的频率；
容性耦合槽设置在相邻的两个调谐孔之间，容性耦合槽在交叉耦合滤波器所在平面上的投影呈十字形，用于形成电场为主的电容耦合，与电感耦合的极性相反，产生带外零点增强抑制；
感性耦合孔设置在相邻的两个调谐孔之间，感性耦合孔贯穿介质谐振主体，用于形成电感耦合，配合电容耦合，形成带外零点。
关于本申请的以上实施例和其他方面以及其实现方式，在附图说明、具体实施方式和权利要求中提供更多说明。
附图说明
图1是本实用新型实施例提供的一种交叉耦合滤波器的俯视结构示意图；
图2是本实用新型实施例提供的一种交叉耦合滤波器的立体结构示意图；
图3是本实用新型实施例提供的一种交叉耦合滤波器的波形图；
图4是本实用新型实施例提供的另一种交叉耦合滤波器的俯视结构示意图；
图5是本实用新型实施例提供的又一种交叉耦合滤波器的俯视结构示意图。
具体实施方式
为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下文中将结合附图对本申请的实施例进行详细说明。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。
图1是本实用新型实施例提供的一种交叉耦合滤波器的俯视结构示意图。参见图1，本实用新型实施例提供的交叉耦合滤波器包括介质谐振主体1、至少四个调谐孔2、至少一个容性耦合槽3和至少一个感性耦合孔4，其中，图1以交叉耦合滤波器包括四个调谐孔2、一个容性耦合槽3和一个感性耦合孔4为例进行绘制的。调谐孔2、容性耦合槽3和感性耦合孔4均设置于介质谐振主体1的同一表面上，调谐孔2用于调整交叉耦合滤波器的频率，容性耦合槽3设置在相邻的两个调谐孔2之间，容性耦合槽3在交叉耦合滤波器所在平面上的投影呈十字形，用于形成电场为主的电容耦合，与电感耦合的极性相反，产生带外零点增强抑制，感性耦合孔4设置在相邻的两个调谐孔2之间，感性耦合孔4贯穿介质谐振主体1，用于形成电感耦合，配合电容耦合，形成带外零点。
在一个示例性实施方式中，介质谐振主体1可以由实心陶瓷材料组成，其相对介电常数较高，电磁波能量在介质谐振主体1内部传输，例如电磁波能量可以依次沿图1中顺时针的方向传输。介质谐振主体1可以包括多个介质谐振腔，介质谐振腔可以为六面体，例如长方体或正方体等，介质谐振腔的作用是频率筛选，使得有用频率谐振通过，对无用的频率进行抑制。可以设置每个介质谐振腔包括一个调谐孔2，可以设置每四个调谐孔2对应一个容性耦合槽3和至少一个感性耦合孔4，通过设置调谐孔2的深度，以调整交叉耦合滤波器的频率。在两个介质谐振腔之间，可以形成不同的耦合极性，即电感耦合和电容耦合。其中，容性耦合槽3形成电场耦合为主的电容耦合，对在滤波器带外产生传输零点，提高滤波器抑制能力。电感耦合与电容耦合的极性相反，能配合电容耦合，形成带外零点，增强滤波器的抑制能力。
本实用新型提供的交叉耦合滤波器包括介质谐振主体、至少四个调谐孔、至少一个容性耦合槽和至少一个感性耦合孔，其中，调谐孔、容性耦合槽和感性耦合孔均设置于介质谐振主体的同一表面上，调谐孔用于调整交叉耦合滤波器的频率，容性耦合槽设置在相邻的两个调谐孔之间，容性耦合槽在交叉耦合滤波器所在平面上的投影呈十字形，用于形成电场为主的电容耦合，与电感耦合极性相反，产生带外零点增强抑制，感性耦合孔设置在相邻的两个调谐孔之间，感性耦合孔贯穿介质谐振主体，用于形成电感耦合，配合电容耦合，形成带外零点。本实用新型提供的交叉耦合滤波器的每一个容性耦合槽能产生两个零点，实现容性耦合，滤波抑制能力强，结构简单，易于加工成型，提高了可生产性。
在一个示例性实施方式中，所述的交叉耦合滤波器还包括金属屏蔽层，金属屏蔽层设置于调谐孔2的内表面或侧壁上。
金属屏蔽层用于屏蔽干扰信号，可以通过对调谐孔2的内表面或侧壁的金属屏蔽层的面积进行调整，实现对滤波频率的微调。金属屏蔽层可以用多种工艺形式实现，可以镀银或镀铜。需要说明的是，图1并未示出金属屏蔽层。
在一个示例性实施方式中，继续参见图1，容性耦合槽3为盲孔槽。将容性耦合槽3设置为盲孔槽，保证电容耦合效果好。
在一个示例性实施方式中，继续参见图1，容性耦合槽3包括水平臂31和垂直臂32，水平臂31和垂直臂32垂直相交，水平臂31的延伸方向与位于容性耦合槽3两侧的两个调谐孔2的中心连接线平行。
容性耦合槽3的水平臂31和垂直臂32垂直相交，实现电容耦合，优选地，水平臂31的延伸方向与位于容性耦合槽3两侧的两个调谐孔2的中心连接线平行，使得垂直臂32位于相邻两个调谐孔2的中心连接线的垂线上，使得容性耦合槽3能形成电场为主的电容耦合，与电感耦合的极性相反，产生带外零点增强抑制能力。
在一个示例性实施方式中，图2是本实用新型实施例提供的一种交叉耦合滤波器的立体结构示意图。结合图1和图2，水平臂31的长度D1大于或者等于位于容性耦合槽3两侧的两个调谐孔2的中心连接线长度D0的1/3，垂直臂32的一端距水平臂31的长度D2大于或者等于1mm，垂直臂32的另一端与介质谐振主体1的边缘交叠。
水平臂31的长度D1大于或者等于位于容性耦合槽3两侧的两个调谐孔2的中心连接线长度D0的1/3，但不贯穿容性耦合槽3两侧的两个调谐孔2，垂直臂32的另一端与介质谐振主体1的边缘交叠，即容性耦合槽3的垂直臂32的另一端的槽将介质谐振主体1的边缘贯穿打通，进一步增强容性耦合槽3的电容耦合的能力。
在一个示例性实施方式中，容性耦合槽3的深度为位于容性耦合槽3两侧的两个调谐孔2的深度的1.1到1.95倍。
调谐孔2为盲孔，容性耦合槽3为盲孔槽，且将容性耦合槽3的深度设置为位于容性耦合槽3两侧的两个调谐孔2的深度的1.1到1.95倍，有利于实现电容耦合。
在一个示例性实施方式中，图3是本实用新型实施例提供的一种交叉耦合滤波器的波形图。参见图3，每一个容性耦合槽3产生两个零点5。
每一个容性耦合槽3产生两个零点5，增强了交叉耦合滤波器的滤波抑制能力。
在一个示例性实施方式中，金属屏蔽层还可以设置于容性耦合槽3的内壁上，金属屏蔽层还可以设置于感性耦合孔4的内壁上。
可以通过在容性耦合槽3的内壁和感性耦合孔4的内壁上设置金属屏蔽层，实现对干扰信号屏蔽，有利于实现电容耦合和电感耦合，增强交叉耦合滤波器的频率抑制作用。
在一个示例性实施方式中，图4是本实用新型实施例提供的另一种交叉耦合滤波器的俯视结构示意图。图5是本实用新型实施例提供的又一种交叉耦合滤波器的俯视结构示意图。结合图1至图5，感性耦合孔4在交叉耦合滤波器所在平面上的投影呈圆形、椭圆形、矩形、T型、多边形中的至少一种。
当感性耦合孔4在交叉耦合滤波器所在平面上的投影呈矩形、T型或多边形时，可以将感性耦合孔4内设置倒角。
在一个示例性实施方式中，继续参见图4，感性耦合孔4的边缘可以与介质谐振主体1的边缘交叠。
感性耦合孔4的边缘可以与介质谐振主体1的边缘交叠，即感性耦合孔4的边缘可以与介质谐振主体1的边缘贯穿。图4示例性地画出，容性耦合槽3的水平臂31的延伸方向与位于容性耦合槽3两侧的两个调谐孔2的中心连接线不平行的情况。
以上所述，仅为本申请的示例性实施例而已，并非用于限定本申请的保护范围。
通过示范性和非限制性的示例，上文已提供了对本申请的示范实施例的详细描述。但结合附图和权利要求来考虑，对以上实施例的多种修改和调整对本领域技术人员来说是显而易见的，但不偏离本发明的范围。因此，本发明的恰当范围将根据权利要求确定。

Claims (10)

1.一种交叉耦合滤波器，其特征在于，包括：
介质谐振主体、至少四个调谐孔、至少一个容性耦合槽和至少一个感性耦合孔，其中，所述调谐孔、所述容性耦合槽和所述感性耦合孔均设置于所述介质谐振主体的同一表面上；
所述调谐孔，用于调整所述交叉耦合滤波器的频率；
所述容性耦合槽设置在相邻的两个所述调谐孔之间，所述容性耦合槽在所述交叉耦合滤波器所在平面上的投影呈十字形，用于形成电场为主的电容耦合,与电感耦合的极性相反，产生带外零点增强抑制；
所述感性耦合孔设置在相邻的两个所述调谐孔之间，所述感性耦合孔贯穿所述介质谐振主体，用于形成电感耦合，配合所述电容耦合，形成带外零点。
2.根据权利要求1所述的交叉耦合滤波器，其特征在于，还包括：金属屏蔽层；
所述金属屏蔽层设置于所述调谐孔的内表面或侧壁上。
3.根据权利要求1所述的交叉耦合滤波器，其特征在于，
所述容性耦合槽为盲孔槽。
4.根据权利要求3所述的交叉耦合滤波器，其特征在于，所述容性耦合槽包括水平臂和垂直臂，所述水平臂和所述垂直臂垂直相交；
所述水平臂的延伸方向与位于所述容性耦合槽两侧的两个所述调谐孔的中心连接线平行。
5.根据权利要求4所述的交叉耦合滤波器，其特征在于，
所述水平臂的长度大于或者等于位于所述容性耦合槽两侧的两个所述调谐孔的中心连接线长度的1/3；
所述垂直臂的一端距所述水平臂的长度大于或者等于1mm，所述垂直臂的另一端与所述介质谐振主体的边缘交叠。
6.根据权利要求3所述的交叉耦合滤波器，其特征在于，
所述容性耦合槽的深度为位于所述容性耦合槽两侧的两个所述调谐孔的深度的1.1到1.95倍。
7.根据权利要求1所述的交叉耦合滤波器，其特征在于，
每一个所述容性耦合槽产生两个零点。
8.根据权利要求2所述的交叉耦合滤波器，其特征在于，
所述金属屏蔽层还设置于所述容性耦合槽的内壁上。
9.根据权利要求2所述的交叉耦合滤波器，其特征在于，
所述金属屏蔽层还设置于所述感性耦合孔的内壁上。
10.根据权利要求1所述的交叉耦合滤波器，其特征在于，
所述感性耦合孔在所述交叉耦合滤波器所在平面上的投影呈圆形、椭圆形、矩形、T型、多边形中的至少一种；所述感性耦合孔的边缘可以与所述介质谐振主体的边缘交叠。
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