CN116529952A - 介质滤波器 - Google Patents

Abstract

公开了一种介质滤波器。该介质滤波器包括：主体；布置在所述主体中的至少一个双模谐振单元和至少一个单模谐振单元；以及形成在所述主体中的槽结构，所述槽结构被配置成部分地分隔开所述至少一个单模谐振单元和与所述至少一个单模谐振单元相邻的所述至少一个双模谐振单元。每个双模谐振单元至少具有第一频率谐振孔和第二频率谐振孔。每个单模谐振单元具有第三频率谐振孔。所述第一频率谐振孔具有垂直于所述第二频率谐振孔的第二纵向延长线的第一纵向延长线。所述第三频率谐振孔具有平行于所述第一纵向延长线的第三纵向延长线。

Description

介质滤波器

相关申请的交叉引用

本申请要求于2020年11月27日向中国国家知识产权局提交的中国专利申请No.202022806470.0的权益，其全部公开内容通过引用并入本文。

技术领域

本公开总体上涉及电信技术领域，并且具体地涉及一种介质滤波器。

背景技术

本节旨在提供权利要求中所描述的本公开的背景或上下文。本文中的描述可以包括旨在要求保护的构思，但是其不一定是之前已经想到、实现或描述的构思。因此，除非本文另有指示，否则本节中描述的内容尽管被包含在本节中，但不被视为本公开中的说明书和权利要求书的相关技术。

基站是移动通信系统的重要部分，并且典型地包括BU(基带单元)、RU(无线电单元)和天线。在典型的基站中，RRU(远程无线电单元)和AU(天线单元)是两个独立分开的单元并且悬挂在高的建筑物上。考虑到安装、固定以及空间占位等因素，在设计基站的过程中希望该基站具有更小的体积和更轻的重量。

近年来，随着移动通信系统的发展，对小尺寸且高性能的无线电单元的需求越来越强烈。当前的先进的无线电单元要求尽可能小型化整个单元尺寸，并且因此也相应地要求与无线电单元一起使用的滤波器的尺寸越来越小。

目前，小型化的滤波器包括由固体介电材料制成的主体和通过对该主体的表面金属化(例如，通过镀覆银)来形成的多个谐振器。每个谐振器产生处于工作通带的谐振频率。多个谐振器以及多个谐振器之间的耦合形成了波导滤波器。

当前的先进的无线电需要使整个无线电的尺寸尽可能地小型化。如果只减小滤波器的尺寸，将会降低诸如插入损耗或带外衰减之类的性能。在保持滤波器高性能的同时减小该滤波器尺寸的一种方法是每个谐振腔使用双模。

与金属滤波器类似，介质滤波器需要使用主耦合和交叉耦合来实现滤波器的高选择性。需要电容交叉耦合和电感交叉耦合来实现通带上侧和下侧两者的高选择性要求。通过使用电容耦合，在通带的下侧处形成传输零点。通过使用电感耦合，在通带的上侧处形成传输零点。

目前，在双模介质滤波器中，在腔室表面上通常使用切角或使用调谐孔来实现一个双模谐振器的主耦合。这种解决方案很难用于生产。

此外，在工业中通常使用的介质滤波器中，介质滤波器的通带之外和通带之下的两个传输零点通常可以通过电容耦合来实现。但是，要实现介质滤波器的电容耦合是非常困难的，需要使用诸如PCB或镀覆图案或深盲孔之类的附加结构，并且可能在通带的下侧处引起杂散问题。

发明内容

鉴于上述，为了克服相关技术中的以上提及的和其他缺点和缺陷中的至少一个方面，本公开的实施例提供了一种介质滤波器。

根据本公开的一个方面，提供了一种介质滤波器，所述介质滤波器包括：

主体；

至少一个双模谐振单元，所述至少一个双模谐振单元布置在所述主体中，每个双模谐振单元至少具有第一频率谐振孔和第二频率谐振孔；

至少一个单模谐振单元，所述至少一个单模谐振单元布置在所述主体中并且与所述至少一个双模谐振单元相邻，每个单模谐振单元具有第三频率谐振孔；和

槽结构，所述槽结构形成在所述主体中，并且被配置成部分地分隔开所述至少一个单模谐振单元和与该至少一个单模谐振单元相邻的所述至少一个双模谐振单元；

其中，所述第一频率谐振孔和所述第二频率谐振孔位于所述主体的不同表面上，并且所述第一频率谐振孔具有与所述第二频率谐振孔的第二纵向延长线垂直的第一纵向延长线；

其中，所述第三频率谐振孔位于所述主体的表面上，并且所述第三频率谐振孔具有与所述第一纵向延长线平行的第三纵向延长线；

其中，所述第二频率谐振孔在垂直于所述第一纵向延长线的平面上的正交投影位于所述第一频率谐振孔在所述平面上的正交投影与所述第三频率谐振孔在所述平面上的正交投影之间。

在本公开的一些实施例中，所述第三频率谐振孔和所述第一频率谐振孔分别位于所述主体的两个相反表面上。

在本公开的一些实施例中，所述第三频率谐振孔和所述第一频率谐振孔位于所述主体的同一表面上。

在本公开的一些实施例中，所述介质滤波器还可以包括一个或多个耦合调节孔，所述一个或多个耦合调节孔位于所述主体的与所述第一频率谐振孔所在的表面相反的表面上，并且每个耦合调节孔的深度小于所述第一频率谐振孔和所述第二频率谐振孔中的任何一个的深度。

在本公开的一些实施例中，所述耦合调节孔位于每个双模谐振单元内。

在本公开的一些实施例中，所述耦合调节孔位于每个双模谐振单元和与该双模谐振单元相邻的单模谐振单元之间。

在本公开的一些实施例中，所述至少一个双模谐振单元包括两个或更多个双模谐振单元，并且所述至少一个单模谐振单元包括两个或更多个单模谐振单元。

在本公开的一些实施例中，当从垂直于所述第一纵向延长线的所述平面观察时，所述槽结构还包括较长槽部分和与所述较长槽部分相交的较短槽部分，其中，所述较长槽部分进一步被形成为至少分隔开所述两个或更多个单模谐振单元中的任何两个相邻的单模谐振单元，并且所述较短槽部分进一步被形成为部分地分隔开所述两个或更多个双模谐振单元中的任何两个相邻的双模谐振单元。

在本公开的一些实施例中，所述槽结构被配置为在所述主体的两个相反表面之间延伸的贯穿槽。

在本公开的一些实施例中，所述第一频率谐振孔、所述第二频率谐振孔和所述第三频率谐振孔中的至少一种是盲孔或贯穿孔。

在本公开的一些实施例中，所述介质滤波器还可以包括导电层，所述导电层被配置成覆盖所述主体的所有表面并且至少部分地覆盖所述第一频率谐振孔、所述第二频率谐振孔和所述第三频率谐振孔中的每一个。

在本公开的一些实施例中，所述第一频率谐振孔、所述第二频率谐振孔和所述第三频率谐振孔中的至少一种是具有台阶的贯穿孔，并且所述台阶的至少一部分没有涂覆有所述导电层。

在本公开的一些实施例中，所述主体由介电材料制成。

在本公开的一些实施例中，所述第一频率谐振孔、所述第二频率谐振孔和所述第三频率谐振孔中的至少一种的横截面是矩形、圆形、椭圆形或多边形的形状。

根据本公开的介质滤波器实现了以下优点和/或益处中的至少一个。根据本公开的介质滤波器在简化制造过程的同时使该介质滤波器的结构最小化。根据本公开的介质滤波器还减小了无线电尺寸和重量，简化了设计，使设计灵活，并提高了生产效率。根据本公开的介质滤波器还提高了无线电性能并节省了成本。

附图说明

为了更清楚地描述本公开的实施例的技术方案，下面将对本公开的实施例的附图进行简要描述。应当理解，以下描述的附图仅仅涉及本公开的一些实施例，而非对本公开的限制，其中：

图1示出根据本公开的示例性实施例的介质滤波器的透视图；

图2示出根据本公开的示例性实施例的介质滤波器中的一个双模谐振单元的透视图；

图3示出根据本公开的示例性实施例的介质滤波器中的一个单模谐振单元的透视图；

图4A示出图1中显示的一个频率谐振孔的横截面视图；

图4B示出图1中显示的频率谐振孔的变形例的横截面视图；

图4C示出图1中显示的频率谐振孔的另一变形例的横截面视图；

图4D示出图1中显示的频率谐振孔的还一变形例的横截面视图；

图5示出根据本公开的示例性实施例的介质滤波器的拓扑示意图；以及

图6示出根据本公开的图1显示的介质滤波器的S参数仿真图。

具体实施方式

为了更清楚地说明本公开的目的、技术方案及优点，以下将参考附图对本公开的实施例进行详细的描述。应当理解，下文对于实施例的描述旨在对本公开的总体构思进行解释和说明，而不应当理解为是对本公开的限制。在说明书和附图中，相同或相似的附图标记指代相同或相似的元件或部件。为了清晰起见，附图不一定按比例绘制，并且附图中可能省略了一些公知的部件和结构。

除非另有陈述，否则本文所使用的技术术语或者科学术语应当具有本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本文中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的元件或部件。措词“一”或“一个”不排除多个。措词“包括”或者“包含”或其他类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。措词“连接”或者“相连”或其他类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括直接或间接的电性的连接。措词“上”、“下”、“左”、“右”“顶”或“底”等等仅用于表示相对位置关系。当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。当诸如层、膜、区域或衬底基板之类的元件被描述为位于另一元件“上”或“下”时，该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”，或者可以存在中间元件。

参考图1，示出了根据本公开的示例性实施例的介质滤波器1000。具体地，介质滤波器1000总体包括主体1；布置在主体1中的多个谐振单元10、20、30、40；以及形成在主体1中的槽结构100。当然，介质滤波器1000还可以包括用于实现所期望功能所必需的其他已知部件，本文将省略其详细描述。

主体1可以由固体介电材料制成，该固体介电材料可以是本领域已知的任何可能的介电材料。主体1可以具有长方体或立方体的形状。或者，主体1还可以具有其他形状。注意，图1示出主体1的角被切除以防止该主体被损坏。

根据本公开，介质滤波器1000可以是包括至少一个双模谐振单元和至少一个单模谐振单元的混合模式介质滤波器。例如，在图1的示例性实施例中，介质滤波器1000包括第一双模谐振单元20和第二双模谐振单元30以及第一单模谐振单元10和第二单模谐振单元40。在另一示例性实施例中，介质滤波器1000可以包括第一单模谐振单元10和第一双模谐振单元20。也就是说，根据本公开，一个双模谐振单元和与该一个双模谐振单元相邻的一个单模谐振单元构成谐振单元的基本组。

参考图2，图示了一个双模谐振单元(这里以图1中显示的第一双模谐振单元20作为示例)。如图2所示，双模谐振单元20至少包括第一频率谐振孔22和第二频率谐振孔21。第一频率谐振孔22和第二频率谐振孔21位于主体1的不同表面上，并且第一频率谐振孔22具有垂直于第二频率谐振孔21的第二纵向延长线的第一纵向延长线。假如主体1具有大致长方体或立方体的形状，则主体1的第一频率谐振孔22所在的表面和该主体1的第二频率谐振孔21所在的表面彼此垂直且相邻。例如，如图2所示，第一频率谐振孔22形成在主体1的上表面上，并且第一纵向延长线因此是主体1的上表面的法线。此外，第二频率谐振孔21形成在主体1的前表面上，并且第二纵向延长线因此是主体1的前表面的法线。

此外，如图2所示，双模谐振单元20还包括耦合调节孔201，该耦合调节孔201位于主体1的与第一频率谐振孔22所在的表面相反的表面上。当然，作为替代方案，耦合调节孔201可以位于主体1的与第二频率谐振孔21所在的表面相反的表面上。也就是说，耦合调节孔201被设计成位于主体的与一个频率谐振孔所在的表面相反的表面上。换句话说，耦合调节孔201位于主体1的除第一频率谐振孔22和第二频率谐振孔21所在的表面之外的另一表面上，同时该耦合调节孔201具有平行于第一纵向延长线或第二纵向延长线的纵向延长线。这里，耦合调节孔201的深度小于第一频率谐振孔22和第二频率谐振孔21中的任何一个的深度。换句话说，第一频率谐振孔22和第二频率谐振孔21中的每一个具有大于耦合调节孔201的纵向延伸长度的相对较长的纵向延伸长度。也就是说，第一频率谐振孔22和第二频率谐振孔21中的每一个具有比耦合调节孔201的深度更大的深度。

根据本公开，在主体中布置有两个或更多个双模谐振单元的一些实施例中，这些双模谐振单元在结构上是基本上相同的，并且它们之间的差异仅在于第一频率谐振孔、第二频率谐振孔和耦合调节孔的位置、尺寸和形状。

参考图3，图示了一个单模谐振单元(这里以图1中显示的第一单模谐振单元10作为示例)。如图3所示，单模谐振单元10包括具有第三纵向延长线的第三频率谐振孔11。第三频率谐振孔11的第三纵向延长线被设计成平行于第一频率谐振孔22的第一纵向延长线或第二频率谐振孔21的第二纵向延长线，这将在下文中详细描述。

根据本公开，在主体中布置有两个或更多个单模谐振单元的一些实施例中，这些单模谐振单元在结构上是基本上相同的，并且它们之间的差异仅在于第三频率谐振孔的位置、尺寸和形状。

如上所述，根据本公开，介质滤波器1000是包括至少一个上述双模谐振单元和至少一个上述单模谐振单元的混合模式介质滤波器。槽结构被配置成部分地分隔开该至少一个单模谐振单元和与该至少一个单模谐振单元相邻的至少一个双模谐振单元。根据本公开，双模谐振单元的第二频率谐振孔在垂直于该双模谐振单元的第一纵向延长线的平面上的正交投影位于该双模谐振单元的第一频率谐振孔在所述平面上的正交投影与单模谐振单元的第三频率谐振孔在所述平面上的正交投影之间。

根据本公开，在单模谐振单元的第三频率谐振孔和双模谐振单元的第一频率谐振孔分别位于主体的两个相反表面上的情况下，实现了低通带处的传输零点。在单模谐振单元的第三频率谐振孔和双模谐振单元的第一频率谐振孔位于主体的同一表面上的情况下，实现了高通带处的传输零点。

假如在介质滤波器中包括两个或更多个双模谐振单元和两个或更多个单模谐振单元，一个双模谐振单元和与该一个双模谐振单元相邻的一个单模谐振单元构成谐振单元的基本组，并且在介质滤波器中包括两个或更多个谐振单元的基本组。就这些谐振单元的基本组的布置而言，一个谐振单元的基本组被布置成与另一谐振单元的基本组相邻；换句话说，双模谐振单元和单模谐振单元以交替的方式布置。

返回参考图1，在示例性实施例中，介质滤波器1000包括两个双模谐振单元(即，如图所示的第一双模谐振单元20和第二双模谐振单元30)和两个单模谐振单元10、40(即，如图所示的第一单模谐振单元10和第二单模谐振单元40)。第一双模谐振单元20和第一单模谐振单元10可以被视为谐振单元的第一基本组，并且第二双模谐振单元30和第二单模谐振单元40可以被视为与谐振单元的第一基本组相邻的谐振单元的第二基本组。如图1所示，单模谐振单元10的第三频率谐振孔11和双模谐振单元20的第一频率谐振孔22位于主体1的同一表面(即，如图所示的上表面)上，因此在谐振单元10和20的第一基本组处实现高通带处的传输零点；同时，单模谐振单元40的第三频率谐振孔41和双模谐振单元30的第一频率谐振孔31分别位于主体1的两个相反表面(即，如图所示的上表面和下表面)上，因此在谐振单元30和40的第二基本组处实现低通带处的传输零点。

根据本公开，假如在介质滤波器中包括两个或更多个双模谐振单元和/或两个或更多个单模谐振单元，则形成在主体中的槽结构被配置成分别至少部分地分隔开两个或更多个双模谐振单元中的两个相邻的双模谐振单元、两个或更多个单模谐振单元中的两个相邻的单模谐振单元、以及任一双模谐振单元和与该双模谐振单元相邻的单模谐振单元。也就是说，形成在主体中的槽结构被配置成至少部分地分隔开谐振单元中的任何两个相邻的谐振单元，而不管其是单模还是双模的。换句话说，形成在主体中的槽结构被配置成至少部分地将一个谐振单元与谐振单元中的与该一个谐振单元相邻的其余谐振单元分隔开。

根据本公开的示例性实施例，如图1所示，槽结构100设置在主体1的中间位置处。槽结构100被配置成部分地分割主体1。例如，槽结构100被配置为在主体1的两个相反表面(即，如图所示的上表面和下表面)之间延伸的贯穿槽。然而，槽结构100被配置成不将主体1完全分割成彼此完全分隔开的两个或更多个部件。

根据本公开的示例性实施例，如图1所示，当从垂直于第一频率谐振孔22的第一纵向延长线的平面观察时，槽结构100还包括较长槽部分110和与该较长槽部分110相交的较短槽部分120。较长槽部分110进一步被形成为至少部分地分隔开两个相邻的单模谐振单元10和40。作为示例，在图1的示例性实施例中，较长槽部分110进一步被形成为分隔开两个相邻的单模谐振单元10和40。在未示出的替代性实施例中，作为另一示例，较长槽部分110可以进一步被形成为通过穿过由两个相邻的单模谐振单元10和40共享的公共侧来完全地分隔开该两个相邻的单模谐振单元10和40；也就是说，两个相邻的单模谐振单元10和40被该较长槽部分110彼此切割开，并因此彼此不连接。此外，在图1的示例性实施例中，较短槽部分120进一步被形成为分别部分地分隔开第一单模谐振单元10和与该第一单模谐振单元10相邻的第一双模谐振单元20以及第二单模谐振单元40和与该第二单模谐振单元40相邻的第二双模谐振单元30。此外，在图1的示例性实施例中，两个相邻的双模谐振单元20和30也被该较长槽部分110部分地分隔开。换句话说，在图1的示例性实施例中，设置较长槽部分110以将提供高通带处的传输零点的谐振单元10和20的第一基本组与提供低通带处的传输零点的谐振单元30和40所组成的第二基本组分隔开，同时设置较短槽部分120以在谐振单元的每个基本组中将单模谐振单元与双模谐振单元分隔开。在未示出的替代性实施例中，槽结构100可以包括分隔开的多对较长槽部分110和较短槽部分120，并且每对较长槽部分110和较短槽部分120被配置成至少部分地将一个谐振单元和与该一个谐振单元相邻的其他谐振单元分隔开。然而，槽结构100的结构配置根据需要而变化，只要被槽结构100分隔开的这些谐振单元通过主体1的一部分始终彼此连接即可，例如，尽管较长槽部分110被形成为将提供高通带处的传输零点的谐振单元10和20的一个基本组与提供低通带处的传输零点的谐振单元30和40所组成的一个基本组部分地分隔开，但是该较长槽部分110将不会在主体1的一端处将第一双模谐振单元20与第二双模谐振单元30彼此分隔开。

根据本公开，介质滤波器还包括位于主体的与第一频率谐振孔所在的表面相反的表面上的一个或多个耦合调节孔。继续参考图1，在第一双模谐振单元20中，在主体1的与第一频率谐振孔22所在的上表面相反的下表面中形成耦合调节孔201；并且在第二双模谐振单元30中，在主体1的与第一频率谐振孔31所在的下表面相反的上表面中形成耦合调节孔301。换句话说，耦合调节孔可以位于每个双模谐振单元内。将第一双模谐振单元20作为示例，在该第一双模谐振单元20中，耦合调节孔201具有平行于第一频率谐振孔22的第一纵向延长线的纵向延长线。具体地，如图所示，耦合调节孔201形成在主体1的下表面上。在这种情况下，耦合调节孔201的纵向延长线是下表面的法线，并且耦合调节孔201的纵向延长线明显平行于第一频率谐振孔22的第一纵向延长线。

可选地，一个或多个附加耦合调节孔可以位于每个双模谐振单元和与该双模谐振单元相邻的单模谐振单元之间。继续参考图1，在该示例性实施例中，具体地，附加耦合调节孔401位于第二双模谐振单元30和与该第二双模谐振单元30相邻的第二单模谐振单元40之间。更具体地，耦合调节孔401在垂直于第一频率谐振孔31的第一纵向延长线的平面上的正交投影位于第二频率谐振孔32在所述平面上的正交投影与第三频率谐振孔41在所述平面上的正交投影之间。此外，在所示的示例性实施例中，耦合调节孔401设置在第三频率谐振孔41所在的表面中，然而，在未示出的替代性实施例中，耦合调节孔401可以设置在第二频率谐振孔32所在的表面中。

根据本公开，每个耦合调节孔的深度小于第一频率谐振孔和第二频率谐振孔中任何一个的深度。如图1所示，将第一双模谐振单元20作为示例，在该第一双模谐振单元20中，第一频率谐振孔22和第二频率谐振孔21中的每一个具有大于耦合调节孔201的纵向延伸长度的相对较长的纵向延伸长度。也就是说，第一频率谐振孔22和第二频率谐振孔21中的每一个的深度大于耦合调节孔201的深度。应当注意，可以根据需要来设定第一频率谐振孔22和第二频率谐振孔21的深度。作为示例，第一频率谐振孔22和第二频率谐振孔21的深度可以被设定为彼此基本上相同。作为另一示例，第一频率谐振孔22和第二频率谐振孔21的深度可以被设定为彼此不同。

图1结合图2和图3仅通过图示的方式示出了本公开的示例性实施例。当然，本领域技术人员还可以基于本公开的以上描述的示例性实施例而构思其他可能的等效变形例。

如图4A所示，示出了如下示例，其中图1中显示的根据本公开的示例性实施例的第一谐振单元10、第二谐振单元20、第三谐振单元30和第四谐振单元40的第一频率谐振孔22和31、第二频率谐振孔21和32、第三频率谐振孔11和41以及耦合调节孔201和301中的任何一个可以被设置为盲孔501的形式。可以根据需要来设定该盲孔501的深度、尺寸和形状。盲孔501被配置成使得导电层150不会被涂覆在盲孔501的整个内表面上。也就是说，盲孔501的内表面的至少一部分未被导电层150覆盖。例如，未被导电层150覆盖的区域可以是盲孔501的内表面的底部区域。此外，导电层150可以被配置成覆盖主体1的所有表面。

如图4B所示，示出了如下示例，其中图1中显示的根据本公开的示例性实施例的第一谐振单元10、第二谐振单元20、第三谐振单元30和第四谐振单元40的第一频率谐振孔22和31、第二频率谐振孔21和32、第三频率谐振孔11和41以及耦合调节孔201和301中的任何一个可以被设置为贯穿孔502的形式。可以根据需要来设定贯穿孔502的深度、尺寸和形状。贯穿孔502被配置成使得导电层150不会被涂覆在贯穿孔502的整个内表面上。也就是说，贯穿孔502的内表面的至少一部分未被导电层150覆盖。例如，未被导电层150覆盖的区域可以是贯穿孔502的内表面的下部区域。或者，未被导电层150覆盖的区域可以是贯穿孔503的内表面的中间区域，如图4C所示。此外，导电层150可以被配置成覆盖主体1的所有表面。

替代性地，如图4D所示，示出了如下示例，其中图1中显示的根据本公开的示例性实施例的第一谐振单元10、第二谐振单元20、第三谐振单元30和第四谐振单元40的第一频率谐振孔22和31、第二频率谐振孔21和32、第三频率谐振孔11和41以及耦合调节孔201和301中的任何一个可以被设置为台阶贯穿孔504的形式。可以根据需要来设定台阶贯穿孔504的深度、尺寸和形状。台阶贯穿孔504的台阶区域被配置成不被导电层150覆盖。此外，导电层150可以被配置成覆盖主体1的所有表面。

如图5所示，图示了根据本公开的介质滤波器1000的拓扑示意图。在图5中，示出了介质滤波器1000的四个谐振单元的谐振频率和耦合的拓扑结构，其进一步说明了根据本公开的介质滤波器1000可以实现电感和电容耦合。

如图6所示，图示了由图1中显示的介质滤波器1000所实现的S参数仿真结果。具体地，在图6中显示的坐标系中，水平坐标表示扫描频率(MHz)，并且纵向坐标表示振幅(dB)，在高通带和低通带处显示两个耦合传输零点，并且在通带的低频带中没有出现谐波尖峰。

此外，应注意的是，在本公开的所图示的实施例中，第一频率谐振孔、第二频率谐振孔、第三频率谐振孔和耦合调节孔中的每一个的横截面以圆形的形状示出。替代性地，也可以将横截面设置为诸如矩形、椭圆形或多边形形状之类的各种不同的形状，并且不一定将第一频率谐振孔、第二频率谐振孔、第三频率谐振孔和耦合调节孔的横截面设定为彼此相同，并且可以根据需要来设定第一频率谐振孔、第二频率谐振孔、第三频率谐振孔和耦合调节孔的中的每一个的形状。

上述实施例仅例示性的说明了本公开的原理和结构，而非用于限制本公开。本领域的技术人员应理解，在不偏离本公开的总体构思的情况下，对本公开所作的任何改变和修改都落入本公开的范围内。本公开的保护范围应由本公开的权利要求所限定。

Claims (14)

1.一种介质滤波器，包括：

主体(1)；

至少一个双模谐振单元(20、30)，所述至少一个双模谐振单元布置在所述主体中，每个双模谐振单元至少具有第一频率谐振孔(22、31)和第二频率谐振孔(21、32)；

至少一个单模谐振单元(10，40)，所述至少一个单模谐振单元布置在所述主体中并且与所述至少一个双模谐振单元相邻，每个单模谐振单元具有第三频率谐振孔(11、41)；和

槽结构(100)，所述槽结构形成在所述主体中，并且被配置成部分地分隔开所述至少一个单模谐振单元和与该至少一个单模谐振单元相邻的所述至少一个双模谐振单元；

其中，所述第一频率谐振孔和所述第二频率谐振孔位于所述主体的不同表面上，并且所述第一频率谐振孔具有与所述第二频率谐振孔的第二纵向延长线垂直的第一纵向延长线；

其中，所述第三频率谐振孔位于所述主体的表面上，并且所述第三频率谐振孔具有与所述第一纵向延长线平行的第三纵向延长线；

其中，所述第二频率谐振孔在垂直于所述第一纵向延长线的平面上的正交投影位于所述第一频率谐振孔在所述平面上的正交投影与所述第三频率谐振孔在所述平面上的正交投影之间。

2.根据权利要求1所述的介质滤波器，其中，

所述第三频率谐振孔和所述第一频率谐振孔分别位于所述主体的两个相反表面上。

3.根据权利要求1或2所述的介质滤波器，其中，

所述第三频率谐振孔和所述第一频率谐振孔位于所述主体的同一表面上。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的介质滤波器，还包括：

一个或多个耦合调节孔(201、301、401)，所述一个或多个耦合调节孔位于所述主体的与所述第一频率谐振孔所在的表面相反的表面上，并且每个耦合调节孔的深度小于所述第一频率谐振孔和所述第二频率谐振孔中的任何一个的深度。

5.根据权利要求4所述的介质滤波器，其中，

所述耦合调节孔(201、301)位于每个双模谐振单元内。

6.根据权利要求4或5所述的介质滤波器，其中，

所述耦合调节孔(401)位于每个双模谐振单元和与该双模谐振单元相邻的单模谐振单元之间。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的介质滤波器，其中，

所述至少一个双模谐振单元包括两个或更多个双模谐振单元，并且所述至少一个单模谐振单元包括两个或更多个单模谐振单元。

8.根据权利要求7所述的介质滤波器，其中，

当从垂直于所述第一纵向延长线的所述平面观察时，所述槽结构还包括较长槽部分(110)和与所述较长槽部分相交的较短槽部分(120)，

其中，所述较长槽部分进一步被形成为至少分隔开所述两个或更多个单模谐振单元中的任何两个相邻的单模谐振单元，并且所述较短槽部分进一步被形成为部分地分隔开所述两个或更多个双模谐振单元中的任何两个相邻的双模谐振单元。

9.根据权利要求7所述的介质滤波器，其中，

所述槽结构被配置为在所述主体的两个相反表面之间延伸的贯穿槽。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的介质滤波器，其中，

所述第一频率谐振孔、所述第二频率谐振孔和所述第三频率谐振孔中的至少一种是盲孔或贯穿孔。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的介质滤波器，还包括：

导电层(150)，所述导电层被配置成覆盖所述主体的所有表面并且至少部分地覆盖所述第一频率谐振孔、所述第二频率谐振孔和所述第三频率谐振孔中的每一个。

12.根据权利要求11所述的介质滤波器，其中，

所述第一频率谐振孔、所述第二频率谐振孔和所述第三频率谐振孔中的至少一种是具有台阶的贯穿孔，并且所述台阶的至少一部分没PA231425B

有涂覆有所述导电层。

13.根据权利要求1至12中任一项所述的介质滤波器，其中，

所述主体由介电材料制成。

14.根据权利要求1至13中任一项所述的介质滤波器，其中，

所述第一频率谐振孔、所述第二频率谐振孔和所述第三频率谐振孔中的至少一种的横截面是矩形、圆形、椭圆形或多边形的形状。