CN211879571U - 陶瓷波导滤波器的耦合结构 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供一种陶瓷波导滤波器的耦合结构，包括陶瓷介质块和喷涂在陶瓷介质块表面的金属层，陶瓷介质块为一体压制成型结构，其特征在于，陶瓷介质块上设有耦合槽、耦合孔以及两个谐振孔，耦合孔以及两个谐振孔均为设于陶瓷介质块的同一面上的盲孔，耦合槽贯穿陶瓷介质块，且耦合槽和耦合孔都设于两谐振孔之间，两谐振孔在耦合槽和耦合孔共同作用下实现耦合。本实用新型的耦合结构中在两谐振孔之间设置耦合槽和耦合孔，耦合槽和耦合孔共同决定了两谐振孔之间的耦合，从而使得该两个谐振孔之间的耦合度易于调谐，进而能更好的改善具有该耦合结构的滤波器的性能。

Description

陶瓷波导滤波器的耦合结构

【技术领域】

本实用新型涉及通信技术领域，尤其涉及一种陶瓷波导滤波器的耦合结构。

【背景技术】

随着通信技术的不断发展，对滤波器的要求也越来越高，小型化、集成化和轻量化成为关键词。传统的金属滤波器在尺寸、重量上已逐渐不占据优势，陶瓷波导滤波器凭借Q值高、选频特性好、工作频率稳定性好、插入损耗小等优点逐渐替代金属滤波器成为主流。

其中陶瓷波导滤波器两谐振孔之间的耦合是比较重要的，但有时两个谐振孔之间的耦合度比较难调谐，导致通带的带宽等性能无法满足要求。

因此，有必要提供一种改进的陶瓷波导滤波器的耦合结构以解决上述问题。

【实用新型内容】

本实用新型的目的在于提供一种陶瓷波导滤波器的耦合结构，其旨在解决陶瓷波导滤波器两谐振孔之间的耦合度难调谐，导致陶瓷波导滤波器性能无法满足要求的技术问题。

本实用新型的技术方案如下：

为实现上述目的，本实用新型提供了一种陶瓷波导滤波器的耦合结构，包括陶瓷介质块和喷涂在所述陶瓷介质块表面的金属层，所述陶瓷介质块为一体压制成型结构，所述陶瓷介质块上设有耦合槽、耦合孔以及两个谐振孔，所述耦合孔以及两个谐振孔均为设于所述陶瓷介质块的同一面上的盲孔，所述耦合槽贯穿所述陶瓷介质块，且所述耦合槽和所述耦合孔都设于两所述谐振孔之间，两所述谐振孔在所述耦合槽和所述耦合孔共同作用下实现耦合。

进一步地，所述耦合槽与所述耦合孔都位于两所述谐振孔之间的垂直平分线上。

进一步地，所述耦合孔的深度小于所述谐振孔的深度。

进一步地，所述耦合孔和所述耦合槽分别位于两所述谐振孔的中心轴所构成平面的两侧。

进一步地，所述耦合结构具有两个间隔设置的第一侧边缘以及两个间隔设置的第二侧边缘，所述第二侧边缘的两端分别与两所述第一侧边缘垂直连接，两所述谐振孔分别靠近两所述第一侧边缘设置，所述耦合槽靠近一个所述第二侧边缘的中部设置，所述耦合孔靠近另一个所述第二侧边缘的中部设置。

本实用新型的有益效果在于：

本实用新型的耦合结构中在两谐振孔之间设置耦合槽和耦合孔，耦合槽和耦合孔共同决定了两谐振孔之间的耦合，从而使得该两个谐振孔之间的耦合度易于调谐，进而能更好的改善具有该耦合结构的滤波器的性能。

【附图说明】

图1是本实用新型实施例提供的陶瓷波导滤波器的耦合结构的立体结构示意图；

图2是图1中沿A-A线的剖视图；

图3是本实用新型实施例提供的陶瓷波导滤波器的耦合结构的爆炸结构示意图；

图4是本实用新型实施例提供的陶瓷介质块的立体结构示意图。

附图标号说明：

10、陶瓷介质块；11、耦合槽；12、耦合孔；13、谐振孔；14、第一表面；15、第二表面；16、第一侧边缘；17、第二侧边缘；20、金属层。

【具体实施方式】

下面结合附图和实施方式对本实用新型作进一步说明。

需要说明的是，本实用新型实施例中所有方向性指示(诸如上、下、内、外、顶部、底部……)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。

还需要说明的是，当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件上时，该元件可以直接在另一个元件上或者可能同时存在居中元件。当一个元件被称为“连接”另一个元件，它可以是直接连接另一个元件或者可能同时存在居中元件。

请参阅图1，本实用新型的实施例提供了一种陶瓷波导滤波器的耦合结构，适用于5G通信系统上的多种滤波器中，陶瓷波导滤波器的耦合结构可使信号中特定的频率成分通过，极大地衰减其它频率成分，陶瓷波导滤波器的耦合结构也可简称耦合结构。

请参阅图3，陶瓷波导滤波器的耦合结构包括陶瓷介质块10和喷涂在陶瓷介质块10表面的金属层20，陶瓷介质块10为一体压制成型结构，金属层20由于设置在陶瓷介质块10的表面，故金属层20的结构由陶瓷介质块10的形状和结构限定，金属层20的结构和陶瓷介质块10外表面的形状大致一致，故本申请不再具体说明，金属层20优选为铜或银。

请参阅图1至图3，陶瓷介质块10上设有耦合槽11、耦合孔12以及两个对称设置的谐振孔13，当然，两个谐振孔13也可以为不对称设置，两个谐振孔13的孔径和深度也可以不一致。耦合槽11与耦合孔12为间隔设置，耦合孔12以及两个谐振孔13均为设于陶瓷介质块10的同一表面上的盲孔，耦合槽11贯穿所述陶瓷介质块10，且耦合槽11和耦合孔12都设于两谐振孔13之间，两谐振孔13在耦合槽11和耦合孔12共同作用下实现耦合，从而使得两个谐振孔13之间的耦合度易于调谐，进而能更好的改善具有该耦合结构的滤波器的性能。

上述的耦合槽11、耦合孔12的数量并不限定只有一个，也就是说耦合槽11和耦合孔12的数量都可以为多个，只要耦合槽11和耦合孔12能共同决定两谐振孔13之间的耦合即都属于本实用新型所保护的范围，考虑到本实施例中陶瓷介质块10的尺寸限定，耦合槽11和耦合孔12的数量都优选为一个。

请进一步参阅图4，本实施例中的陶瓷介质块10具有第一表面14及与第一表面14相背设置的第二表面15，耦合孔12以及两个谐振孔13都设于第一表面14上，且耦合槽11从第一表面14贯穿于第二表面15。

作为优选地实施方式，本实施例中耦合槽11与耦合孔12并排设于两谐振孔13之间，进一步地，耦合槽11与耦合孔12都位于两谐振孔13之间的垂直平分线上，以便于耦合槽11和耦合孔12能共同实现两谐振孔13之间的耦合。

本实施例中，耦合槽11和耦合孔12分别位于两谐振孔13的中心轴所构成平面的两侧，以使两谐振孔13形成耦合。

具体地，耦合结构具有两个间隔设置的第一侧边缘16以及两个间隔设置的第二侧边缘17，第二侧边缘17的两端分别与两第一侧边缘16垂直连接，当然也可以认为第一表面14具有第一侧边缘16和第二侧边缘17，两谐振孔13分别靠近两第一侧边缘16设置，耦合槽11靠近一个第二侧边缘17的中部设置，耦合孔12靠近另一个第二侧边缘17的中部设置，以便于确定耦合孔12和耦合槽11的位置。

本实施例中，耦合孔12的内壁、腔口以及谐振孔13的内壁、腔口都喷涂有金属层20。

请参阅图2，作为优选地实施方式，耦合孔12的深度小于谐振孔13的深度，耦合孔12的深度和谐振孔13的深度都将影响到陶瓷波导滤波器的耦合结构的谐振频率。

以上的仅是本实用新型的实施方式，在此应当指出，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型创造构思的前提下，还可以做出改进，但这些均属于本实用新型的保护范围。

Claims (5)

1.一种陶瓷波导滤波器的耦合结构，包括陶瓷介质块和喷涂在所述陶瓷介质块表面的金属层，所述陶瓷介质块为一体压制成型结构，其特征在于，所述陶瓷介质块上设有耦合槽、耦合孔以及两个谐振孔，所述耦合孔以及两个谐振孔均为设于所述陶瓷介质块的同一面上的盲孔，所述耦合槽贯穿所述陶瓷介质块，且所述耦合槽和所述耦合孔都设于两所述谐振孔之间，两所述谐振孔在所述耦合槽和所述耦合孔共同作用下实现耦合。

2.根据权利要求1所述的陶瓷波导滤波器的耦合结构，其特征在于，所述耦合槽与所述耦合孔都位于两所述谐振孔之间的垂直平分线上。

3.根据权利要求1所述的陶瓷波导滤波器的耦合结构，其特征在于，所述耦合孔的深度小于所述谐振孔的深度。

4.根据权利要求1所述的陶瓷波导滤波器的耦合结构，其特征在于，所述耦合孔和所述耦合槽分别位于两所述谐振孔的中心轴所构成平面的两侧。

5.根据权利要求1所述的陶瓷波导滤波器的耦合结构，其特征在于，所述耦合结构具有两个间隔设置的第一侧边缘以及两个间隔设置的第二侧边缘，所述第二侧边缘的两端分别与两所述第一侧边缘垂直连接，两所述谐振孔分别靠近两所述第一侧边缘设置，所述耦合槽靠近一个所述第二侧边缘的中部设置，所述耦合孔靠近另一个所述第二侧边缘的中部设置。

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