CN210006850U - 一种电极组件及二次电池 - Google Patents

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Abstract

本申请实施例提供一种电极组件及二次电池，所述电极组件包括负极片、正极片和隔离膜，所述负极片、所述隔离膜和所述正极片层叠设置，并绕卷绕中心卷绕；其中，所述负极片具有第一内层段，所述正极片具有第二内层段，所述第一内层段与所述第二内层段紧邻所述卷绕中心；所述第一内层段设置有缺口部，所述第一内层段通过所述缺口部与所述第二内层段相对设置。因此，通过设置该缺口部，能够减小第一内层段的面积，且减小的部分(缺口部)为不参与脱嵌锂反应的部分，从而不仅能够避免活性材料的浪费，还能够避免因负极片面积过大导致的能量密度降低。

Description

一种电极组件及二次电池
【技术领域】
本申请涉及储能器件技术领域，尤其涉及一种电极组件及二次电池。
【背景技术】
二次电池主要通过电极组件产生电能，该电极组件包括负极极片、正极极片以及将二者隔开的隔离膜，且负极极片、隔离膜和正极极片三者相互层叠，并卷绕，形成卷绕式电极组件。在二次电池的充放电过程中，锂离子在负极极片与正极极片之间进行脱嵌锂反应，从而产生电能。
但是，该二次电池工作时，电极组件位于最内圈的负极极片有一面的活性物质并未参与到脱嵌锂反应中，不仅造成活性材料的浪费，增加成本，还会增大电极组件的重量，降低二次电池的能量密度。
【实用新型内容】
有鉴于此，本申请实施例提供了一种电极组件及二次电池，用以解决现有技术中电极组件的活性材料浪费、降低能量密度的问题。
本申请实施例提供了一种电极组件，所述电极组件包括负极片、正极片和隔离膜，所述负极片、所述隔离膜和所述正极片层叠设置，并绕卷绕中心卷绕；
其中，所述负极片具有第一内层段，所述正极片具有第二内层段，所述第一内层段与所述第二内层段紧邻所述卷绕中心；
所述第一内层段设置有缺口部，所述第一内层段通过所述缺口部与所述第二内层段相对设置。
在一种可能的设计中，沿长度方向，所述第一内层段具有弯折中心，卷绕后，所述第一内层段沿所述弯折中心弯折；
所述缺口部包括第一缺口部和第二缺口部，沿长度方向，所述第一缺口部和所述第二缺口部位于所述弯折中心的两侧；
所述第一缺口部与所述第二缺口部沿所述电极组件的高度方向布置。
在一种可能的设计中，所述第一内层段具有第一卷绕起始端，沿长度方向，所述第一缺口部贯通所述第一卷绕起始端；
沿高度方向，所述第一缺口部贯通所述第一内层段的一端，所述第二缺口部贯通所述第一内层段的另一端。
在一种可能的设计中，沿高度方向，所述第一缺口部的高度与所述第二缺口部的高度之和大于或等于所述负极片的高度。
在一种可能的设计中，所述第一内层段包括第一本体部、第二本体部和第一连通部，所述第一本体部与所述第二本体部通过所述第一连通部相连；
所述第一本体部与所述第二内层段通过所述第一缺口部相对设置，所述第二本体部与所述第二内层段通过所述第二缺口部相对设置。
在一种可能的设计中，沿长度方向，所述第二本体部具有第一卷绕起始端，所述第一卷绕起始端与所述弯折中心之间具有第一距离；
所述第二缺口部具有远离所述弯折中心的侧壁，且所述侧壁与所述弯折中心之间具有第二距离；
所述第一距离小于或等于所述第二距离。
在一种可能的设计中，沿高度方向，所述第一本体部具有第一边缘，所述第二本体部具有第二边缘，所述第一边缘与所述第二边缘相互靠近；
所述第二内层段设置有第三缺口部和第四缺口部，沿长度方向，所述第三缺口部与所述第四缺口部位于所述弯折中心的两侧；
所述第一边缘的至少部分落入所述第三缺口部内，所述第二边缘的至少部分落入所述第四缺口部内。
在一种可能的设计中，所述第二内层段包括第三本体部、第四本体部和第二连通部，沿高度方向，所述第三本体部与所述第四本体部位于所述第三缺口部和所述第四缺口部的两侧；
所述第三本体部与所述第四本体部之间通过所述第二连通部相连通，所述第二连通部位于所述第三缺口部与所述第四缺口部之间。
在一种可能的设计中，所述第一连通部关于所述弯折中心对称，所述第二连通部关于所述弯折中心对称；
沿长度方向，所述第一连通部的长度大于所述第二连通部的长度。
在一种可能的设计中，沿高度方向，所述第四本体部的高度小于所述第二本体部的高度；和/或，
所述第二本体部的高度小于或等于所述第二缺口部的高度。
在一种可能的设计中，所述第二内层段还设置有第五缺口部，所述第五缺口部与所述第四缺口部相连通；
所述第五缺口部沿高度方向延伸，并贯通所述第二内层段沿高度方向的一端；
所述侧壁的至少部分落入所述第五缺口部。
另外，本申请实施例还提供一种二次电池，包括：
壳体，具有开口和容纳腔；
电极组件，位于所述容纳腔，且所述电极组件为以上所述的电极组件；
顶盖组件，覆盖于所述开口。
本申请中，通过在负极片的第一内层段设置缺口部，使得正极片的第二内层段通过缺口部裸露，因此，卷绕后，该电极组件中，通过缺口部裸露的第二内层段与第一内层段的本体部相对设置，即使得第一内层段与第二内层段通过该缺口部相对设置，脱嵌锂反应在该第一内层段与第二内层段之间进行。因此，通过设置该缺口部，能够减小第一内层段的面积，且减小的部分(缺口部)为不参与脱嵌锂反应的部分，从而不仅能够避免活性材料的浪费，还能够避免因负极片面积过大导致的能量密度降低。
【附图说明】
为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1为现有技术中电极组件的剖视图；
图2为本申请所提供二次电池在一种具体实施例中的爆炸图；
图3为电极组件在另一种具体实施例中的结构示意图；
图4为负极片、正极片、隔离膜在第一种具体实施例中的部分展开图；
图5为图4去掉隔离膜的结构示意图；
图6为图5中部分结构的尺寸示意图；
图7为图4中负极片在第一种具体实施例中的结构示意图；
图8为图4中正极片在第一种具体实施例中的结构示意图；
图9为图4的A-A向剖视图；
图10为图4的B-B向剖视图；
图11为图4的C-C向剖视图；
图12为负极片在第二种具体实施例中的结构示意图。
附图标记说明：
1’负极极片、2’正极极片、3’隔离膜；
1-电极组件；
11-负极片；
111-第一内层段；
111A-缺口部；
111a-第一缺口部；
111b-第二缺口部；
111c-第一本体部；
111d-第二本体部；
111e-第一连通部；
111f-第一边缘；
111g-第二边缘；
111h-侧壁；
111k-第一卷绕起始端；
111m-第一通孔；
111n-第二通孔；
111t-主体部；
112-第一基材；
113-第一活性材料层；
12-正极片；
121-第二内层段；
121a-第三缺口部；
121b-第四缺口部；
121c-第五缺口部；
121d-第三本体部；
121e-第四本体部；
121f-第二连通部；
121g-第二卷绕起始端；
121h-第三边缘；
122-第二基材；
123-第二活性材料层；
13-隔离膜；
14-负极极耳；
15-正极极耳；
16-侧部；
2-顶盖组件；
21-顶盖板；
22-负极电连接端子；
23-正极电连接端子；
24-负极转接片；
25-正极转接片；
3-壳体；
31-开口；
32-容纳腔。
【具体实施方式】
为了更好的理解本申请的技术方案，下面结合附图对本申请实施例进行详细描述。
应当明确，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请实施例中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本申请。在本申请实施例和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。
应当理解，本文中使用的术语“和/或”仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。另外，本文中字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
需要注意的是，本申请实施例所描述的“上”、“下”、“左”、“右”等方位词是以附图所示的角度来进行描述的，不应理解为对本申请实施例的限定。此外，在上下文中，还需要理解的是，当提到一个元件连接在另一个元件“上”或者“下”时，其不仅能够直接连接在另一个元件“上”或者“下”，也可以通过中间元件间接连接在另一个元件“上”或者“下”。
请参考附图1～3，其中，图1为现有技术中电极组件的剖视图；图2为本申请所提供二次电池在一种具体实施例中的爆炸图；图3为电极组件在另一种具体实施例中的结构示意图。
本申请实施例提供一种二次电池，如图2所示，该二次电池包括电极组件1、顶盖组件2和壳体3，其中，壳体3可为六面体形，也可为其他形状，且该壳体3内部形成容纳腔32，用于容纳电极组件1和电解液，壳体3的一端具有开口31，使得电极组件1可通过该开口31放置于壳体3的容纳腔32，且容纳腔32内可设置有一个或多个电极组件1，多个电极组件1在容纳腔32 内相互堆叠。其中，壳体3可包括金属材料，例如铝或铝合金等，也可包括绝缘材料，例如塑胶等。
顶盖组件2包括顶盖板21和设置于顶盖板21的电连接端子，该顶盖板 21固定于二次电池的壳体3，并覆盖该壳体3的开口31，以便将电极组件1 和电解液封闭于壳体3的容纳腔32。电连接端子伸出顶盖板21，并与电极组件1的极耳电连接，以使电极组件1通过电连接端子充放电，即该二次电池能够通过电连接端子将电能输出。同时，该二次电池包括两个电连接端子，分别为负极电连接端子22和正极电连接端子23。
如图2和图3所示，电极组件1包括电极单元和极耳，且该电极组件1包括两个极耳，分别为负极极耳14和正极极耳15，其中，该负极极耳14与负极电连接端子 22电连接，正极极耳15与正极电连接端子23电连接。在如图3所示的实施例中，沿长度方向X，电极单元具有相对设置的两侧部16，该电极单元的两侧部16分别延伸出两极耳，两极耳与对应的电连接端子之间通过引流部件相连，同样地，该引流部件包括负极引流部件和正极引流部件，其中，负极引流部件连接负极极耳14 与负极电连接端子22，正极引流部件连接正极极耳15与正极电连接端子23。
在另一种可能的设计中，如图2所示，电极单元的顶部分别延伸出两极耳，两极耳与对应的电连接端子之间通过转接片电连接，同样地，该转接片包括负极转接片24和正极转接片25，其中，负极转接片24连接负极极耳14与负极电连接端子22，正极转接片25连接正极极耳15与正极电连接端子23。
该电极组件1中，如图1所示，该电极单元包括负极片11、正极片12和隔离膜 13，隔离膜13位于相邻负极片11与正极片12之间，用于隔开负极片11与正极片12。
在一种可能的设计中，负极片11、隔离膜13与正极片12三者顺序堆叠，形成电极组件1的电极单元，该电极单元为叠片式结构。在另一种可能的设计中，如图 1所示，负极片11、隔离膜13与正极片12三者顺序堆叠并绕卷绕中心卷绕，形成电极组件1的电极单元，即该电极单元为卷绕式结构。同时，电极单元形成后具有缝隙，电解液能够通过缝隙进入电极单元内，浸润负极片11与正极片12。
其中，负极极片包括负极集流体(例如铜箔)和涂覆在负极集流体表面的负极活性物质层(例如石墨、碳或硅)，正极极片包括正极集流体(例如铝箔)和涂覆在正极集流体表面的正极活性物质层(例如三元材料、磷酸铁锂或钴酸锂)。在电极组件1的负极，负极极耳14与负极极片相连，并从电极单元中伸出，且该负极极耳14 可直接由负极集流体裁切而成；在电极组件1的正极，正极极耳15与正极极片相连，并从电极单元中伸出，且该正极极耳15可直接有正极集流体裁切形成。
现有技术中的电极组件中，负极极片1’、正极极片2’与隔离膜3’三者层叠并卷绕后，形成如图1所示的电极组件，从图1可知，该电极组件中，位于最内圈的负极极片1’与负极极片1’相对，并未与正极极片2’相对，即位于最内圈的负极极片1’有一面活性物质并未参与到脱嵌锂反应中，不产生电能，因此，该位于最内圈的负极极片1’不仅造成活性材料的浪费，还会增大电极组件的重量，降低二次电池的能量密度。本申请主要通过改进负极极片和正极极片的结构来解决该技术问题。
请继续参考附图4～12，其中，图4为负极片、正极片、隔离膜在第一种具体实施例中的部分展开图；图5为图4去掉隔离膜的结构示意图；图6为图5中部分结构的尺寸示意图；图7为图4中负极片在第一种具体实施例中的结构示意图；图8为图4中正极片在第一种具体实施例中的结构示意图；图9为图4的A-A向剖视图；图10为图4的B-B向剖视图；图11为图4的C-C向剖视图；图12为负极片在第二种具体实施例中的结构示意图。
如图4所示，图4示出负极片11、正极片12和隔离膜13三者堆叠的结构，从图 4可得，在三者层叠的各个位置，负极片11的边缘超出正极片12的边缘，隔离膜13 的边缘超出负极片11的边缘。负极片11、正极片12和隔离膜13三者层叠后，绕卷绕中心卷绕，从而形成电极组件1。
卷绕后，该负极片11具有第一内层段111，正极片12具有第二内层段121，其中，第一内层段111与第二内层段121紧邻卷绕中心O，因此，卷绕完成后，该第一内层段111为负极片11中位于最内圈的一段，第二内层段121为正极片12中位于最内圈的一段，且该第一内层段111与第二内层段121相对设置，以使脱嵌锂反应在二者之间运行。
具体地，如图4～7所示，该第一内层段111设置有缺口部111A，该缺口部111A 沿宽度方向Y(负极片11、正极片12与隔离膜13的层叠方向)贯通第一内层段11，因此，第一内层段11与第二内层段12卷绕后，该第一内层段111通过缺口部111A 与第二内层段121相对设置。
需要说明的是，该负极片11中，第一内层段111设置缺口部111A后的结构为本体部。
本申请中，通过在负极片11的第一内层段111设置缺口部111A，使得正极片 12的第二内层段121通过缺口部111A裸露，因此，卷绕后，该电极组件中，通过缺口部111A裸露的第二内层段121与第一内层段111中的本体部相对设置，即使得第一内层段111与第二内层段121通过该缺口部111A相对设置，脱嵌锂反应在该第一内层段111与第二内层段121之间进行。因此，本申请中，通过设置该缺口部111A，能够减小第一内层段111的面积，且减小的部分(缺口部111A)为不参与脱嵌锂反应的部分，从而不仅能够避免活性材料的浪费，还能够避免因负极片11面积过大导致的能量密度降低。
需要说明的是，对于图5所示的负极片11的第一内层段111和正极片12的第二内层段121，卷绕后，该第一内层段111和第二内层段121均位于负极片11和正极片 12的最内圈，因此，第一内层段111沿长度方向X的两部分相对弯折，第二内层段 121沿长度方向X的两部分相对弯折，因此，图5所示的位于最右端的虚线O表示第一内层段111和第二内层段121的弯折中心O。
在一种可能的设计中，如图5和图7所示，该缺口部111A包括第一缺口部111a 和第二缺口部111b，沿长度方向X，第一缺口部111a和第二缺口部111b分别位于弯折中心O的两侧，且正极片12的第二内层段121分别通过第一缺口部111a和第二缺口部111b裸露出一部分。相应地，该第一内层段111的本体部包括第一本体部111c 和第二本体部111d，沿长度方向X，该第一本体部111c和第二本体部111d分别位于弯折中心O的两侧，且二者之间通过第一连通部111e相连，从而使得该负极片11 为整体式结构。
该电极组件中，卷绕后，第一本体部111c与第二内层段121裸露出的部分通过第一缺口部111a相对设置，以便在二者之间进行脱嵌锂反应，第二本体部111d 与第二内层段121裸露出的部分通过第二缺口部111b相对设置，以便在二者之间进行脱嵌锂反应。
同时，该第一缺口部111a与第二缺口部111b沿电极组件1的高度方向Z布置，相应地，第一本体部111c与第二本体部111d沿电极组件1的高度方向Z布置。
本实施例中，该第一内层段111设置有第一缺口部111a和第二缺口部111b两个缺口部，且两个缺口部之间通过本体部连接，保证该第一内层段111设置两个缺口部后仍然为一体式结构，并保证该负极片11具有较高的结构强度。同时，两个缺口部分别位于弯折中心O的两侧，且沿高度方向Z分布时，与设置于弯折中心O 的同一侧相比，本实施例的设置方式使得第一缺口部111a与第二缺口部111b的高度较大，即在保证负极片11完整性的同时，二者的高度之和能够大于或等于负极片11的高度，即本实施例使得缺口部的面积较大，从而进一步降低活性材料的浪费，并进一步提高能量密度。
具体地，如图7所示，沿高度方向Z，该第一缺口部111a具有第一边缘111f，第二缺口部111b具有第二边缘111g，且该第一边缘111f与第二边缘111g相互靠近 (均位于负极片11沿高度方向Z的内侧)，该第一边缘111f为第一缺口部111a的下边缘，第二边缘111g为第二缺口部111b的上边缘，该第一边缘111f(下边缘)与第二边缘111g(上边缘)平齐，即两缺口部的高度之和与负极片11的高度相同；或者，该第一边缘111f(下边缘)低于第二边缘111g(上边缘)，即两缺口部的高度之和大于负极片11的高度，两缺口部中，至少一个缺口部的高度大于负极片11高度的一半，从而使得缺口部的面积较大。
在一种可能的设计中，沿高度方向Z，第一缺口部111a的高度L11为第一内层段111高度(负极片11的高度)的1/4～1/2，同样地，沿高度方向Z，该第二缺口部 111b的高度L7为第一内层段111高度(负极片11的高度)的1/4～1/2，因此，该实施例中，两缺口部的高度之和小于负极片11的高度，即本实施例中，第一内层段111 的本体部的面积较大，从而使得第一内层段111具有足够的面积进行脱嵌锂反应。
更具体地，如图7所示，沿长度方向X，该第一缺口部111a贯通第一内层段111 的第一卷绕起始端111k，该负极片11沿卷绕方向具有两个端部，分别为第一卷绕起始端111k和第一卷绕终止端，其中，第一卷绕起始端111k为负极片11卷绕后的内端部，第一卷绕终止端为负极片11卷绕后的外端部。同时，沿高度方向Z，该第一缺口部111a贯通第一内层段111的一端，第二缺口部111b贯通第一内层段111的另一端。
本实施例中，第一缺口部111a为两面贯通(沿长度方向X和高度方向Z)的结构，第二缺口部111b为一面贯通(沿高度方向Z)的结构，因此，在满足脱嵌锂反应的同时，两缺口部的面积较大。另外，两缺口部具体可为矩形结构，该结构的缺口部具有结构简单、加工方便、便于控制的优点。
在一种可能的设计中，如图7所示，沿长度方向X，该第一内层段111中，第二本体部111d的第一卷绕起始端111k与弯折中心O之间具有第一距离L4；沿长度方向X，第二缺口部111b具有远离弯折中心O的侧壁111h，且该侧壁111h与弯折中心O之间具有第二距离L2；其中，该第一距离L4小于或等于第二距离L2。
如上所述，该第一内层段111绕弯折中心O弯折后，其第二本体部111d与第二缺口部111b相对设置，本实施例中，当第一距离L4小于或等于第二距离L2时，卷绕后，该侧壁111h超出第一卷绕起始端111k，该第二本体部111d的第一卷绕起始端111k位于第二缺口部111b内，即该第二本体部111d未超出第二缺口部111b，从而能够防止卷绕后该位置的负极片11发生重叠，降低该电极组件的厚度，并提高二次电池的能量密度。
以上所述为第一内层段111在一种具体实施例中的大致结构，该第一内层段 111具体结构的设置以减小未参与脱嵌锂反应的负极片11的面积为目的，从该目的出发，第一内层段111可设置为多种结构。同时，该第一内层段111与第二内层段121层叠并卷绕后，需满足下述前提条件：在各位置，第一内层段111的边缘超出第二内层段121的边缘，从而保证从正极片12(正极片12)脱出的锂离子能够嵌入与之相对的负极片11(负极片11)，避免发生析锂现象。为了满足该条件，第一内层段111和第二内层段121还具有如下特征：
如图8所示，该正极片12中，第二内层段121包括第三缺口部121a和第四缺口部121b，沿长度方向X，该第三缺口部121a与第四缺口部121b位于弯折中心O的两侧；如图5所示，上述第一缺口部111a的第一边缘111f的至少部分落入第三缺口部 121a内，第二缺口部111b的第二边缘111g的至少部分落入第四缺口部121b内。
如图5所示，该第二内层段121设置第三缺口部121a与第四缺口部121b后，沿长度方向X，该负极片11的边缘超出正极片12的边缘，沿高度方向Z，负极片11的边缘超出正极片12的边缘，从而实现负极片11的边缘超出正极片12的边缘。
具体地，如图8所示，该第三缺口部121a与第四缺口部121b均为矩形结构，该矩形缺口部能够容纳第一内层段111的第一边缘111f和第二边缘111g，且由于第一边缘111f和第二边缘111g沿高度方向Z大致平齐，因此，该第三缺口部121a与第四缺口部121b也大致位于同一高度，且两缺口部的高度可以相同，也可以不同，沿高度方向Z，该第三缺口部121a和第四缺口部121b的高度L8为3mm～8mm，具体可为5mm，6mm等。
可以理解，当第三缺口部121a和第四缺口部121b的高度L8过小时，可能导致该位置的正极片12超出负极片11，影响电极组件1的正常工作，而当第三缺口部 121a和第四缺口部121b的高度L8过大时，参与脱嵌锂反应的正极片12的面积过小，影响脱嵌锂反应的效率。因此，本实施例中，第三缺口部121a和第四缺口部121b 的高度L8可综合考虑上述两方面的因素合理设置。
另外，该正极片12中，第三缺口部121a和第四缺口部121b的高度L8可以相同，也可以不同，当二者的高度L8相同时，能够降低正极片12的加工难度，并降低正极片12结构的复杂性。
在一种可能的设计中，如图8所示，该第二内层段121包括本体部和缺口部，缺口部具体包括第三缺口部121a与第四缺口部121b，本体部具体包括第三本体部121d、第四本体部121e和第二连通部121f，沿高度方向Z，第三本体部121d与第四本体部121e位于第三缺口部121a和第四缺口部121b的两侧，即第三本体部121d与第四本体部121e通过第三缺口部121a和第四缺口部121b隔开，第二连通部121f位于第三缺口部121a与第四缺口部121b之间，从而通过该第二连通部121f连接第三本体部121d与第四本体部121e，以便将设置缺口部后的第二内层段121连接为一体。
如图5和图6所示，第一连通部111e与第二连通部121f相互层叠，且卷绕后，二者位置相对，即在二者之间发生脱嵌锂反应。沿长度方向X，该第一连通部111e 关于弯折中心O对称，第二连通部121f关于弯折中心O对称。
同时，沿长度方向X，该第一连通部111e的长度L9大于第二连通部121f的长度L10，即在两连通部的位置，该负极片11的边缘超出正极片12的边缘。
在一种可能的设计中，如图8所示，沿长度方向X，第三本体部121d(或第四本体部121e)具有相对设置的两边缘，且两边缘与弯折中心O之间的距离分别为第三距离L1和第三距离L3。本实施例中，该第三本体部121d相对于弯折中心O对称，因此，该第三本体部121d沿长度方向X的两边缘与弯折中心O之间的距离相同，即L1＝L3，此时，卷绕后，该第三本体部121d的两端平齐。同时，该第四本体部121e的结构和尺寸与第三本体部121d相同，因此，卷绕后，第四本体部121e 的两端平齐，即该正极片12在该位置没有相互重叠的部分，从而减小电极组件1 的厚度。
其中，上述第三距离L3或L1小于第一距离L4，其中，第一距离L4为第一内层段111中第二本体部111d的第一卷绕起始端111k与弯折中心O之间的距离，当第三距离L3或L1小于第一距离L4时，表示在卷绕起始端，负极片11的边缘超出正极片12的边缘。
在一种可能的设计中，如图8所示，该第二内层段121还包括第五缺口部121c，第五缺口部121c与第四缺口部121b相连通，且该第五缺口部121c沿高度方向Z延伸，并贯通第二内层段121沿高度方向Z的一端，即该第五缺口部121c贯通第二内层段121的下表面。如上所述，该第一内层段111中，第二缺口部111d具有远离弯折中心O的侧壁111h，第二内层段121中，沿长度方向X，第四本体部121e具有远离弯折中心的两边缘，且两边缘分别为第四本体部121e的第二卷绕起始端121g和第三边缘121h。
负极片11与正极片12层叠后，上述第二本体部111d的第一卷绕起始端111k超出第四本体部121e的第二卷绕起始端121g，同时，该第二内层段121设置第五缺口部121c后，该侧壁111h的至少部分落入该第五缺口部121c中，因此，卷绕后，该第一卷绕起始端111k超出第三边缘121h，即在该位置，负极片11的边缘超出正极片12的边缘。
通过以上设计，沿长度方向X，该负极片11的边缘超出正极片12的边缘。
另一方面，如图6所示，该第一内层段111中，第二本体部111d的高度L6小于或等于第二缺口部111b的高度L7，由于二者沿高度方向Z的下边缘平齐，因此，第二缺口部111b的上边缘高于第二本体部111d的上边缘，即第二缺口部111b的面积大于第二本体部111d的面积，从而使得卷绕后，该第二本体部111d的全部能够通过第二缺口部111b裸露。
卷绕后，该正极片12中的第四本体部121e与第二本体部111d通过第二缺口部111d相对设置，沿高度方向Z，第四本体部121e的高度L5小于第二本体部111d的高度L6，且沿高度方向Z，该第二本体部111d的两边缘均超出第四本体部121e的两边缘。
另外，第一本体部111c的高度与第一缺口部111a的高度、第一本体部111c与第三本体部121d之间的关系与此类似，需满足下述条件：第一本体部111c的全部能够经第一缺口部111a裸露，且卷绕后，第一本体部111c的边缘超出第三本体部 121d的边缘。
因此，通过本实施例中的设置，沿高度方向Z，该负极片11的边缘超出正极片12的边缘。
以上各实施例中，负极片11包括第一基材112和涂覆于第一基材112表面的第一活性材料层113，正极片12包括第二基材122和涂覆于第二基材122表面的第二活性材料层123。
如图9所示，为图7的A-A向剖视图，且负极片11、正极片12与隔离膜13层叠设置，从图9可知，该负极片11中，第一基材112沿宽度方向Y的两侧均涂覆有第一活性材料层113，第二基材122沿宽度方向Y的两侧均涂覆有第二活性材料层123。且该位置的负极片11设置有第二缺口部111b，因此，其第一本体部111c与正极片 12的第三本体部121d相对设置，且沿高度方向Z，第一本体部111c的两端均超出第三本体部121d的两端。
如图10所示，为图7的B-B向剖视图，从图10可知，该截面处的负极片11包括第一本体部111c、第二本体部111d与第一连通部111e，该截面处的正极片12包括第三本体部121d、第四本体部121e和第二连通部121f，且沿高度方向Z，该负极片 11的两端超出正极片12的两端。
如图11所示，为图7的C-C向剖视图，从图11可知，该截面处的负极片11包括第二本体部111d，该截面处的正极片12包括第三本体部121d和第四本体部121e，二者之间具有第三缺口部121a，第二本体部111d与第四本体部121e相对设置，且沿高度方向Z，该第二本体部111d的两端均超出第四本体部121e的两端。
另外，从图9～11可知，隔离膜13超出负极片11与正极片12的边缘。
在另一种可能的设计中，如图12所示，该电极组件1中，该第一内层段111设置有通孔，且该第一内层段111设置通孔后的结构为主体部111t，卷绕后，主体部 111t通过通孔与第二内层段121相对设置。
本实施例中，通过在负极片11的第一内层段111设置通孔，使得正极片12的第二内层段121通过通孔裸露，因此，卷绕后，该电极组件1中，通过通孔裸露的第二内层段121与第一内层段111中的主体部111t相对设置，即使得第一内层段111 与第二内层段121通过该通孔相对设置，脱嵌锂反应在该第一内层段111与第二内层段121之间进行。因此，通过设置该通孔，能够减小第一内层段111的面积，且减小的部分(通孔)为不参与脱嵌锂反应的部分，从而不仅能够避免活性材料的浪费，还能够避免因负极片11面积过大导致的能量密度降低。
在一种可能的设计中，如图12所示，该第一内层段111中，通孔包括第一通孔111m和第二通孔111n，负极片11与正极片12层叠后，第二内层段121通过第一通孔111m与第二通孔111n裸露出一部分，该电极组件中，卷绕后，主体部111t与第二内层段121裸露出的部分通过第一通孔111m和第二通孔111n相对设置，以便在第一内层段111与第二内层段121之间进行脱嵌锂反应。
第一通孔111m和第二通孔111n之间通过主体部111t连通，沿长度方向Z，该第一通孔111m与第二通孔111n位于弯折中心O的两侧，且该第一通孔111m和第二通孔111n沿电极组件1的高度方向Z布置。
本实施例中，该第一内层段111设置有第一通孔111m和第二通孔111n两个通孔，且两个通孔之间通过主体部111t连接，保证该第一内层段111设置两个通孔后仍然为一体式结构，并保证该负极片11具有较高的结构强度。同时，两个通孔分别位于弯折中心O的两侧，且沿高度方向Z分布时，与设置于弯折中心O的同一侧相比，本实施例的设置方式使得第一通孔111m和第二通孔111n的高度较大，即在保证负极片11完整性的同时，二者的高度之和能够大于或等于负极片11的高度，即本实施例使得通孔的面积较大，从而进一步降低活性材料的浪费，并进一步提高能量密度。
另外，本实施例中，正极片12的第二内层段121的具体结构根据第一内层段 111设置，同时，第一内层段111与第二内层段121中各通孔以及主体部111t各处的尺寸也根据第一内层段111设计，设计时，需满足下述条件：第一内层段111各处的边缘超出第二内层段121的边缘，同时，尽量避免卷绕后第一内层段111相重叠、第二内层段121相重叠。
本申请中，当该负极片11与正极片12的基材层双面涂覆活性材料时，通过在第一内层段111设置缺口部，使得该负极片11在避免活性材料浪费的同时，能够采用双面连续涂布的方式，从而降低涂布难度，提高生产效率和优率。而且，该第一内层段111中的缺口部或通孔的设置均可采用激光模切成型的方式，操作简单方便。
另外，如上所述，本申请中，第一内层段111设置缺口部或通孔后，其面积相比于现有技术减小了近一层，而第二内层段121的面积并未明显减小(仅设置面积较小的缺口部)，因此，该设置方式不会影响二次电池能量的发挥，且能够保证负极片11与正极片12始终相对，避免发生析锂现象。且卷绕后，能够降低该负极片11与正极片12重叠的风险，使得该电极组件大面的厚度一致，从而保证二次电池受力的均匀性，并保证二次电池在使用过程中性能较好。
以上所述仅为本申请的较佳实施例而已，并不用以限制本申请，凡在本申请的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请保护的范围之内。

Claims (12)

1.一种电极组件，其特征在于，所述电极组件包括负极片、正极片和隔离膜，所述负极片、所述隔离膜和所述正极片层叠设置，并绕卷绕中心卷绕；
其中，所述负极片具有第一内层段，所述正极片具有第二内层段，所述第一内层段与所述第二内层段紧邻所述卷绕中心；
所述第一内层段设置有缺口部，所述第一内层段通过所述缺口部与所述第二内层段相对设置。
2.根据权利要求1所述的电极组件，其特征在于，沿长度方向(X)，所述第一内层段具有弯折中心，卷绕后，所述第一内层段沿所述弯折中心弯折；
所述缺口部包括第一缺口部和第二缺口部，沿长度方向(X)，所述第一缺口部和所述第二缺口部位于所述弯折中心的两侧；
所述第一缺口部与所述第二缺口部沿所述电极组件的高度方向(Z)布置。
3.根据权利要求2所述的电极组件，其特征在于，所述第一内层段具有第一卷绕起始端，沿长度方向(X)，所述第一缺口部贯通所述第一卷绕起始端；
沿高度方向(Z)，所述第一缺口部贯通所述第一内层段的一端，所述第二缺口部贯通所述第一内层段的另一端。
4.根据权利要求2所述的电极组件，其特征在于，沿高度方向(Z)，所述第一缺口部的高度(L11)与所述第二缺口部的高度(L7)之和大于或等于所述负极片的高度。
5.根据权利要求2所述的电极组件，其特征在于，所述第一内层段包括第一本体部、第二本体部和第一连通部，所述第一本体部与所述第二本体部通过所述第一连通部相连；
所述第一本体部与所述第二内层段通过所述第一缺口部相对设置，所述第二本体部与所述第二内层段通过所述第二缺口部相对设置。
6.根据权利要求5所述的电极组件，其特征在于，沿长度方向(X)，所述第二本体部具有第一卷绕起始端，所述第一卷绕起始端与所述弯折中心之间具有第一距离(L4)；
所述第二缺口部具有远离所述弯折中心的侧壁，且所述侧壁与所述弯折中心之间具有第二距离(L2)；
所述第一距离(L4)小于或等于所述第二距离(L2)。
7.根据权利要求6所述的电极组件，其特征在于，沿高度方向(Z)，所述第一本体部具有第一边缘，所述第二本体部具有第二边缘，所述第一边缘与所述第二边缘相互靠近；
所述第二内层段设置有第三缺口部和第四缺口部，沿长度方向(X)，所述第三缺口部与所述第四缺口部位于所述弯折中心的两侧；
所述第一边缘的至少部分落入所述第三缺口部内，所述第二边缘的至少部分落入所述第四缺口部内。
8.根据权利要求7所述的电极组件，其特征在于，所述第二内层段包括第三本体部、第四本体部和第二连通部，沿高度方向(Z)，所述第三本体部与所述第四本体部位于所述第三缺口部和所述第四缺口部的两侧；
所述第三本体部与所述第四本体部之间通过所述第二连通部相连通，所述第二连通部位于所述第三缺口部与所述第四缺口部之间。
9.根据权利要求8所述的电极组件，其特征在于，所述第一连通部关于所述弯折中心对称，所述第二连通部关于所述弯折中心对称；
沿长度方向(X)，所述第一连通部的长度(L9)大于所述第二连通部的长度(L10)。
10.根据权利要求8所述的电极组件，其特征在于，沿高度方向(Z)，所述第四本体部的高度(L5)小于所述第二本体部的高度(L6)；和/或，
所述第二本体部的高度(L6)小于或等于所述第二缺口部的高度(L7)。
11.根据权利要求8所述的电极组件，其特征在于，所述第二内层段还设置有第五缺口部，所述第五缺口部与所述第四缺口部相连通；
所述第五缺口部沿高度方向(Z)延伸，并贯通所述第二内层段沿高度方向(Z)的一端；
所述侧壁的至少部分落入所述第五缺口部。
12.一种二次电池，其特征在于，包括：
壳体，具有开口和容纳腔；
电极组件，位于所述容纳腔，且所述电极组件为权利要求1～11中任一项所述的电极组件；
顶盖组件，覆盖于所述开口。
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