CN210006476U

CN210006476U - 存储芯片

Info

Publication number: CN210006476U
Application number: CN201920789182.3U
Authority: CN
Inventors: 彭学文; 刘建立
Original assignee: Quan Yi Da Science And Technology (foshan) Co Ltd
Current assignee: Quan Yi Da Science And Technology (foshan) Co Ltd
Priority date: 2019-05-28
Filing date: 2019-05-28
Publication date: 2020-01-31
Anticipated expiration: 2029-05-28
Also published as: TWM604913U

Abstract

一种存储芯片，所述存储芯片包括内存单元及外壳，所述内存单元为片状，所述外壳包括一个第一散热片、一个第二散热片以及至少两个导热层，两个所述导热层设置于所述内存单元相背的两个表面，所述第一散热片及所述第二散热片分别设置于所述导热层远离所述内存单元的两侧，所述第一散热片及所述第二散热片分别通过所述导热层与所述内存单元粘结，所述第一散热片的边缘靠近所述第二散热片一侧设置有多个第一卡合部，所述第二散热片的边缘靠近所述第一散热片一侧设置有多个第二卡合部，一个所述第一卡合部与一个所述第二卡合部卡合。本实用新型的存储芯片具有较强的散热能力及较牢固的结构。

Description

存储芯片

技术领域

本实用新型涉及一种存储技术，尤其涉及一种存储芯片。

背景技术

随着电子行业的快速发展，常见电子装置性能越发强劲，电子装置强劲的性能意味着更强的运算能力及更大的能耗，进一步地，电子芯片的发热量越来越大，对散热性能的要求越来越高。在高端游戏用存储芯片上，针对可以超频的存储芯片发热更大，而一般用于存储芯片散热片，冲压件比较多、散热能力较差，散热能力稍强的由于组件较多使得存储芯片结构不牢固。如何解决上述问题是本领域技术人员需要考虑的。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型提供一种存储芯片，该存储芯片具有较强的散热能力及较牢固的结构。

一种存储芯片，包括内存单元及外壳，所述内存单元为片状，所述外壳包括一个第一散热片、一个第二散热片以及至少两个导热层，两个所述导热层设置于所述内存单元相背的两个表面，所述第一散热片及所述第二散热片分别设置于所述导热层远离所述内存单元的两侧，所述第一散热片及所述第二散热片分别通过所述导热层与所述内存单元粘结，所述第一散热片的边缘靠近所述第二散热片一侧设置有多个第一卡合部，所述第二散热片的边缘靠近所述第一散热片一侧设置有多个第二卡合部，一个所述第一卡合部与一个所述第二卡合部卡合。

进一步地，所述第一散热片的一侧与所述第二散热片的一侧连接并通过所述第一卡合部及所述第二卡合部固定。

进一步地，所述第一散热片的三条边与所述第二散热片的三条边连接并通过所述第一卡合部及所述第二卡合部固定。

进一步地，所述内存单元的至少部分设置于所述外壳内，所述外壳覆盖所述内存单元的至少部分表面。

进一步地，所述内存单元包括主体及由主体一侧延伸出的读取接口，所述第一散热片及所述第二散热片覆盖所述主体，所述读取接口未被所述第一散热片及所述第二散热片覆盖。

进一步地，所述第一散热片包括多个第一散热部，所述第一散热部至少部分贯穿所述第一散热片。

进一步地，所述第二散热片包括多个第二散热部，所述第二散热部设置于所述第二散热片表面，所述第二散热部至少部分贯穿所述第二散热片。

进一步地，所述第一卡合部设置于所述第一散热部一端，所述第二卡合部设置于所述第二散热部一端。

进一步地，所述第一卡合部与所述第二卡合部的数量均为多个，所述第一卡合部与所述第二卡合部交替设置。

进一步地，所述第一散热部的至少部分未贯穿所述第一散热片，所述第一散热部未贯穿所述第一散热片的部分由所述第一散热片向远离所述内存单元的方向延伸出多个凸起，所述第二散热部的至少部分未贯穿所述第二散热片，所述第二散热部未贯穿所述第二散热片的部分由所述第二散热片向远离所述内存单元的方向延伸出多个凸起。

本实用新型提供的存储芯片通过使用导电层将第一散热片及第二散热片与内存单元粘结，并在第一散热片及第二散热片上分别开设第一散热部及第二散热部，最终使得存储芯片具备较强的散热能力。另一方面，第一散热片及第二散热片通过第一卡合部及第二卡合部连接，在增强散热能力的同时保证存储芯片具有较强的牢固性。

附图说明

图1为本实用新型提供的一种存储芯片的分解示意图。

图2为本实用新型提供的一种存储芯片的第一散热片的正面及背面的示意图。

图3为本实用新型提供的一种存储芯片的第二散热片的正面及背面的示意图。

图4为本实用新型第二实施例提供的一种存储芯片的分解示意图。

图5为本实用新型第二实施例提供的一种存储芯片的第一散热片的正面及背面的示意图。

图6为本实用新型第二实施例提供的一种存储芯片的第二散热片的正面及背面的示意图。

图7为本实用新型第三实施例提供的一种存储芯片的分解示意图。

图8为本实用新型第三实施例提供的一种存储芯片的第一散热片的正面及背面的示意图。

图9为本实用新型第三实施例提供的一种存储芯片的第二散热片的正面及背面的示意图。

主要元件符号说明

存储芯片	1、2、3
		内存单元	10、20、30
第一表面	101、201、301
		第二表面	102、202、302
主体	103、203、303
		读取接口	104、204、304
外壳	12、22、32
		第一散热片	121、221、321
第一散热部	1211、2211、3211
		第二散热片	122、222、322
第二散热部	1221、2221、3221
		导热层	123、223、323
第一卡合部	131、231、331
		第二卡合部	132、232、332

如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本实用新型。

具体实施方式

为了使本申请所揭示的技术内容更加详尽与完备，可以参照附图以及本实用新型的下述各种具体实施例，附图中相同的标记代表相同或者相似的组件。然而，本领域的普通技术人员应当理解，下文中所提供的实施例并非用来限制本实用新型所覆盖的范围。此外，附图仅仅用于示意性地加以说明，并未依照其原尺寸进行绘制。

下面参照附图，对本实用新型的具体实施方式作进一步的详细描述。

第一实施例

如图1所示，存储芯片1包括内存单元10及外壳12，外壳12包括一个第一散热片121、一个第二散热片122以及两个导热层123。内存单元10的至少部分设置于外壳12内，外壳12覆盖内存单元10的至少部分表面，外壳12夹持内存单元10。

内存单元10包括主体103及读取接口104，读取接口104由主体103向外延伸形成，读取接口104用于与外部电路连接实现信号传输。于一实施例中，内存单元10为片状，内存单元10包括相背的第一表面101及第二表面102。

于一实施例中，内存单元10可以为RAM(Random Access Memory，随机存取存储器)，例如DRAM(Dynamic RAM，动态随机存取存储器)、SRAM(Static RAM，静态随机存取存储器)、VRAM(Video RAM，视频内存)、FPM DRAM(Fast Page Mode DRAM，快速页切换模式动态随机存取存储器)、EDO DRAM(Extended Data Out DRAM，延伸数据输出动态随机存取存储器)、BEDO DRAM(Burst Extended Data Out DRAM，爆发式延伸数据输出动态随机存取存储器)、MDRAM(Multi-Bank DRAM，多插槽动态随机存取存储器)、WRAM(Window RAM，窗口随机存取存储器)、RDRAM(Rambus DRAM，高频动态随机存取存储器)、SDRAM(Synchronous DRAM，同步动态随机存取存储器)、SGRAM(Synchronous Graphics RAM，同步绘图随机存取存储器)、SB SRAM(Synchronous Burst SRAM，同步爆发式静态随机存取存储器)、PB SRAM(Pipeline Burst SRAM，管线爆发式静态随机存取存储器)、DDR SDRAM(Double Data Rate二倍速率同步动态随机存取存储器)、SLDRAM(Synchronize Link，同步链环动态随机存取存储器)、CDRAM(CACHED DRAM，同步缓存动态随机存取存储器)或DDRII(Double Data RateSynchronous DRAM，第二代同步双倍速率动态随机存取存储器)。

在其他实施例中，内存单元10可以为ROM(READ Only Memory，只读存储器)，例如MASK ROM(掩模型只读存储器)、PROM(Programmable ROM，可编程只读存储器)、EPROM(Erasable Programmable，可擦可编程只读存储器)、EEPROM(Electrically ErasableProgrammable，电可擦可编程只读存储器)或Flash Memory(快闪存储器)。

如图1所示，于一实施例中，两个导热层123设置于内存单元10的第一表面101及第二表面102，第一散热片121设置于导热层123远离第一表面101一侧，第二散热片122设置于导热层123远离第二表面102一侧。第一散热片121及第二散热片122分别通过导热层123与内存单元10的主体103粘结，第一散热片121及第二散热片122覆盖主体103，读取接口104未被第一散热片121及第二散热片122覆盖。导热层123可以为具备粘附能力的导热材料，导热层123可以使第一散热片121及第二散热片122与内存单元10粘结，且导热层123可将内存单元10产生的热量传导至第一散热片121及第二散热片122。

如图2、3所示，第一散热片121的边缘靠近第二散热片122一侧设置有第一卡合部131，第二散热片122的边缘靠近第一散热片121一侧设置有第二卡合部132，第一卡合部131与第二卡合部132卡合。于一实施例中，第一散热片121的一侧与第二散热片122的一侧连接并通过第一卡合部131及第二卡合部132固定。在其他实施例中，第一散热片121的三条边与第二散热片122的三条边连接并通过第一卡合部131及第二卡合部132固定。于一实施例中，第一卡合部131及第二卡合部132的数量为一个，在其他实施例中，第一卡合部131及第二卡合部132的数量为多个。

于一实施例中，第一散热片121包括多个第一散热部1211，第一散热部1211的至少部分贯穿第一散热片121，第二散热片122包括多个第二散热部1221，第二散热部1221的至少部分贯穿第二散热片122。第一散热部1211及第二散热部1221增大第一散热片121及第二散热片122与空气的接触面积，提高散热效率。

第二实施例

如图4所示，存储芯片2包括内存单元20及外壳22，外壳22包括一个第一散热片221、一个第二散热片222以及两个导热层223。内存单元20的至少部分设置于外壳22内，外壳22覆盖内存单元20的至少部分表面，外壳22夹持内存单元20。

内存单元20包括主体203及读取接口204，读取接口204由主体203向外延伸形成，读取接口204用于与外部电路连接实现信号传输。于一实施例中，内存单元20为片状，内存单元20包括相背的第一表面201及第二表面202。

于一实施例中，内存单元20可以为RAM(Random Access Memory，随机存取存储器)，例如DRAM(Dynamic RAM，动态随机存取存储器)、SRAM(Static RAM，静态随机存取存储器)、VRAM(Video RAM，视频内存)、FPM DRAM(Fast Page Mode DRAM，快速页切换模式动态随机存取存储器)、EDO DRAM(Extended Data Out DRAM，延伸数据输出动态随机存取存储器)、BEDO DRAM(Burst Extended Data Out DRAM，爆发式延伸数据输出动态随机存取存储器)、MDRAM(Multi-Bank DRAM，多插槽动态随机存取存储器)、WRAM(Window RAM，窗口随机存取存储器)、RDRAM(Rambus DRAM，高频动态随机存取存储器)、SDRAM(Synchronous DRAM，同步动态随机存取存储器)、SGRAM(Synchronous Graphics RAM，同步绘图随机存取存储器)、SB SRAM(Synchronous Burst SRAM，同步爆发式静态随机存取存储器)、PB SRAM(Pipeline Burst SRAM，管线爆发式静态随机存取存储器)、DDR SDRAM(Double Data Rate二倍速率同步动态随机存取存储器)、SLDRAM(Synchronize Link，同步链环动态随机存取存储器)、CDRAM(CACHED DRAM，同步缓存动态随机存取存储器)或DDRII(Double Data RateSynchronous DRAM，第二代同步双倍速率动态随机存取存储器)。

在其他实施例中，内存单元20可以为ROM(READ Only Memory，只读存储器)，例如MASK ROM(掩模型只读存储器)、PROM(Programmable ROM，可编程只读存储器)、EPROM(Erasable Programmable，可擦可编程只读存储器)、EEPROM(Electrically ErasableProgrammable，电可擦可编程只读存储器)或Flash Memory(快闪存储器)。

如图4所示，于一实施例中，两个导热层223设置于内存单元20的第一表面201及第二表面202，第一散热片221设置于导热层223远离第一表面201一侧，第二散热片222设置于导热层223远离第二表面202一侧。第一散热片221及第二散热片222分别通过导热层223与内存单元20的主体203粘结，第一散热片221及第二散热片222覆盖主体203，读取接口204未被第一散热片221及第二散热片222覆盖。导热层223可以为具备粘附能力的导热材料，导热层223可以使第一散热片221及第二散热片222与内存单元20粘结，且导热层223可将内存单元20产生的热量传导至第一散热片221及第二散热片222。

如图5及图6所示，第一散热片221的边缘靠近第二散热片222一侧设置有第一卡合部231，第二散热片222的边缘靠近第一散热片221一侧设置有第二卡合部232，第一卡合部231与第二卡合部232卡合。于一实施例中，第一散热片221的一侧与第二散热片222的一侧连接并通过第一卡合部231及第二卡合部232固定。在其他实施例中，第一散热片221的三条边与第二散热片222的三条边连接并通过第一卡合部231及第二卡合部232固定。于一实施例中，第一卡合部231及第二卡合部232的数量为一个，在其他实施例中，第一卡合部131及第二卡合部232的数量为多个。

于一实施例中，第一散热片221包括多个第一散热部2211，第一散热部2211的至少部分贯穿第一散热片221，第二散热片222包括多个第二散热部2221，第二散热部2221的至少部分贯穿第二散热片222。第一散热部2211及第二散热部2221增大第一散热片221及第二散热片222与空气的接触面积，提高散热效率。在本实施例中，第一散热部2211及第二散热部2221的镂空面积大于第一实施例中的镂空面积，且第一卡合部231设置于第一散热部2211靠近第二散热部2221的一端，第二卡合部232设置于第二散热部2221靠近第一散热部2211的一端。

第三实施例

如图7所示，存储芯片3包括内存单元30及外壳32，外壳32包括一个第一散热片321、一个第二散热片322以及两个导热层323。内存单元30的至少部分设置于外壳32内，外壳32覆盖内存单元30的至少部分表面，外壳32夹持内存单元30。

内存单元30包括主体303及读取接口304，读取接口304由主体303向外延伸形成，读取接口304用于与外部电路连接实现信号传输。于一实施例中，内存单元30为片状，内存单元30包括相背的第一表面301及第二表面302。

于一实施例中，内存单元30可以为RAM(Random Access Memory，随机存取存储器)，例如DRAM(Dynamic RAM，动态随机存取存储器)、SRAM(Static RAM，静态随机存取存储器)、VRAM(Video RAM，视频内存)、FPM DRAM(Fast Page Mode DRAM，快速页切换模式动态随机存取存储器)、EDO DRAM(Extended Data Out DRAM，延伸数据输出动态随机存取存储器)、BEDO DRAM(Burst Extended Data Out DRAM，爆发式延伸数据输出动态随机存取存储器)、MDRAM(Multi-Bank DRAM，多插槽动态随机存取存储器)、WRAM(Window RAM，窗口随机存取存储器)、RDRAM(Rambus DRAM，高频动态随机存取存储器)、SDRAM(Synchronous DRAM，同步动态随机存取存储器)、SGRAM(Synchronous Graphics RAM，同步绘图随机存取存储器)、SB SRAM(Synchronous Burst SRAM，同步爆发式静态随机存取存储器)、PB SRAM(Pipeline Burst SRAM，管线爆发式静态随机存取存储器)、DDR SDRAM(Double Data Rate二倍速率同步动态随机存取存储器)、SLDRAM(Synchronize Link，同步链环动态随机存取存储器)、CDRAM(CACHED DRAM，同步缓存动态随机存取存储器)或DDRII(Double Data RateSynchronous DRAM，第二代同步双倍速率动态随机存取存储器)。

在其他实施例中，内存单元30可以为ROM(READ Only Memory，只读存储器)，例如MASK ROM(掩模型只读存储器)、PROM(Programmable ROM，可编程只读存储器)、EPROM(Erasable Programmable，可擦可编程只读存储器)、EEPROM(Electrically ErasableProgrammable，电可擦可编程只读存储器)或Flash Memory(快闪存储器)。

如图7所示，于一实施例中，两个导热层323设置于内存单元30的第一表面301及第二表面302，第一散热片321设置于导热层323远离第一表面301一侧，第二散热片322设置于导热层323远离第二表面302一侧。第一散热片321及第二散热片322分别通过导热层323与内存单元30的主体303粘结，第一散热片321及第二散热片322覆盖主体303，读取接口304未被第一散热片321及第二散热片322覆盖。导热层323可以为具备粘附能力的导热材料，导热层323可以使第一散热片321及第二散热片322与内存单元30粘结，且导热层323可将内存单元30产生的热量传导至第一散热片321及第二散热片322。

如图8及图9所示，第一散热片321的边缘靠近第二散热片322一侧设置有第一卡合部331，第二散热片322的边缘靠近第一散热片321一侧设置有第二卡合部332，第一卡合部331与第二卡合部332卡合。于一实施例中，第一散热片321的一侧与第二散热片322的一侧连接并通过第一卡合部331及第二卡合部332固定。在其他实施例中，第一散热片321的三条边与第二散热片322的三条边连接并通过第一卡合部331及第二卡合部332固定。于一实施例中，第一卡合部331及第二卡合部332的数量为一个，在其他实施例中，第一卡合部331及第二卡合部332的数量为多个。

于一实施例中，第一散热片321包括多个第一散热部3211，第一散热部3211的至少部分贯穿第一散热片321，第二散热片322包括多个第二散热部3221，第二散热部3221的至少部分贯穿第二散热片322。第一散热部3211及第二散热部3221增大第一散热片321及第二散热片322与空气的接触面积，提高散热效率，第一卡合部331设置于第一散热部3211靠近第二散热部3221的一端，第二卡合部332设置于第二散热部3221靠近第一散热部3211的一端。在本实施例中，第一散热部3211的至少部分未贯穿第一散热片321，第一散热部3211未贯穿第一散热片321的部分由第一散热片321向远离内存单元30的方向延伸出多个凸起，第二散热部3221的至少部分未贯穿第二散热片322，第二散热部3221未贯穿第二散热片322的部分由第二散热片322向远离内存单元30的方向延伸出多个凸起。

以上所述，仅是本实用新型的较佳实施方式而已，并非对本实用新型任何形式上的限制，虽然本实用新型已是较佳实施方式揭露如上，并非用以限定本实用新型，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本实用新型技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容做出些许更动或修饰为等同变化的等效实施方式，但凡是未脱离本实用新型技术方案内容，依据本实用新型的技术实质对以上实施方式所做的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本实用新型技术方案的范围内。

Claims

1.一种存储芯片，包括内存单元及外壳，所述内存单元为片状，其特征在于，所述外壳包括一个第一散热片、一个第二散热片以及至少两个导热层，两个所述导热层设置于所述内存单元相背的两个表面，所述第一散热片及所述第二散热片分别设置于所述导热层远离所述内存单元的两侧，所述第一散热片及所述第二散热片分别通过所述导热层与所述内存单元粘结，所述第一散热片的边缘靠近所述第二散热片一侧设置有多个第一卡合部，所述第二散热片的边缘靠近所述第一散热片一侧设置有第二卡合部，所述第一卡合部与所述第二卡合部卡合。

2.如权利要求1所述的存储芯片，其特征在于，所述第一散热片的一侧与所述第二散热片的一侧连接并通过所述第一卡合部及所述第二卡合部固定。

3.如权利要求2所述的存储芯片，其特征在于，所述第一散热片的三条边与所述第二散热片的三条边连接并通过所述第一卡合部及所述第二卡合部固定。

4.如权利要求3所述的存储芯片，其特征在于，所述内存单元的至少部分设置于所述外壳内，所述外壳覆盖所述内存单元的至少部分表面。

5.如权利要求4所述的存储芯片，其特征在于，所述内存单元包括主体及由主体一侧延伸出的读取接口，所述第一散热片及所述第二散热片覆盖所述主体，所述读取接口未被所述第一散热片及所述第二散热片覆盖。

6.如权利要求1所述的存储芯片，其特征在于，所述第一散热片包括多个第一散热部，所述第一散热部至少部分贯穿所述第一散热片。

7.如权利要求6所述的存储芯片，其特征在于，所述第二散热片包括多个第二散热部，所述第二散热部至少部分贯穿所述第二散热片。

8.如权利要求7所述的存储芯片，其特征在于，所述第一卡合部设置于所述第一散热部一端，所述第二卡合部设置于所述第二散热部一端。

9.如权利要求8所述的存储芯片，其特征在于，所述第一卡合部与所述第二卡合部的数量均为多个。

10.如权利要求9所述的存储芯片，其特征在于，所述第一散热部的至少部分未贯穿所述第一散热片，所述第一散热部未贯穿所述第一散热片的部分由所述第一散热片向远离所述内存单元的方向延伸出多个凸起，所述第二散热部的至少部分未贯穿所述第二散热片，所述第二散热部未贯穿所述第二散热片的部分由所述第二散热片向远离所述内存单元的方向延伸出多个凸起。