CN209816256U - 蒸镀掩模装置 - Google Patents
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- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 title claims abstract description 383
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 129
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 49
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims description 8
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 59
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 59
- 239000000463 material Substances 0.000 description 50
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 42
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 32
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 32
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 23
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 description 14
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 12
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 11
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 9
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 9
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 8
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 8
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 8
- JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N aluminum;oxygen(2-);yttrium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Y+3] JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910019901 yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 5
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 4
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 4
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001374 Invar Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002585 base Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- FBAFATDZDUQKNH-UHFFFAOYSA-M iron chloride Chemical compound [Cl-].[Fe] FBAFATDZDUQKNH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- QXZUUHYBWMWJHK-UHFFFAOYSA-N [Co].[Ni] Chemical compound [Co].[Ni] QXZUUHYBWMWJHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
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Abstract
蒸镀掩模装置具有:蒸镀掩模,其包含从位于基板侧的第1面至位于第1面的相反侧的第2面的多个掩模贯通孔;以及框架,其设置有与蒸镀掩模的一部分重叠的开口部并且对蒸镀掩模进行支承。
Description
技术领域
本实用新型的一个实施方式涉及蒸镀掩模装置,其具有形成有多个贯通孔的蒸镀掩模和对蒸镀掩模进行支承的框架。
背景技术
近年来,对于在智能手机或平板电脑等可携带的设备中使用的显示装置,要求高精细化,例如要求像素密度为400ppi以上。另外,在可携带的设备中,应对超高清(UHD)的需要也在提高,这种情况下,要求显示装置的像素密度例如为800ppi以上。
在显示装置中,有机EL显示装置由于响应性良好、功耗低、对比度高而备受关注。作为形成有机EL显示装置的像素的方法,已知有使用形成有以期望的图案排列的贯通孔的蒸镀掩模以期望的图案形成像素的方法。具体而言,进行如下蒸镀工序:首先使蒸镀掩模与有机EL显示装置用的基板密合,接着将密合后的蒸镀掩模和基板一起放入蒸镀装置中,使有机材料蒸镀至基板。这种情况下,为了精密地制作具有高像素密度的有机EL显示装置,要求按照设计精密地再现蒸镀掩模的贯通孔的位置及形状。
进行使有机材料等蒸镀材料蒸镀至基板的蒸镀工序的蒸镀装置具有蒸镀掩模装置,该蒸镀掩模装置包含蒸镀掩模和对蒸镀掩模进行支承的框架。框架在使蒸镀掩模拉伸的状态下支承蒸镀掩模,以使得蒸镀掩模不发生挠曲。蒸镀掩模通过焊接、粘接、镀覆、锡焊或压接等固定于框架。并且,在这样的蒸镀掩模装置中设置有基板,进行蒸镀工序。
专利文献1:日本专利第5382259号公报
专利文献2:日本特开2001-234385号公报
但是,当在蒸镀掩模装置中设置基板时,有时对基板进行保持的保持部件和框架发生干涉。这种情况下,认为难以将基板设置于期望的位置,无法将蒸镀材料蒸镀至基板的期望的位置。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种能够有效地解决这样的课题的蒸镀掩模装置。
本实用新型的一个实施方式是蒸镀掩模装置,其至少临时与保持部件所保持的基板组合,其中,该蒸镀掩模装置具有:蒸镀掩模,其包含从位于所述基板侧的第1面至位于所述第1面的相反侧的第2面的多个掩模贯通孔;以及框架,其设置有与所述蒸镀掩模的一部分重叠的开口部并且对所述蒸镀掩模进行支承,所述框架具有:正面,其面向所述蒸镀掩模的所述第2面;背面,其与所述正面对置;外侧面,其在所述正面与所述背面之间扩展;以及内侧面,其面向所述开口部,在比所述外侧面靠内侧的位置在所述正面与所述背面之间扩展,在所述框架的所述正面中的远离所述开口部的位置形成有能够收纳所述保持部件的至少一部分的多个收纳部。
在本实用新型的一个实施方式的蒸镀掩模装置中,也可以是多个所述收纳部形成于所述开口部与所述外侧面之间。
在本实用新型的一个实施方式的蒸镀掩模装置中,也可以是多个所述收纳部延伸至所述外侧面。
在本实用新型的一个实施方式的蒸镀掩模装置中,也可以是所述框架的所述正面包含:第1正面,其位于所述内侧面侧;以及第2正面,其位于所述外侧面侧并且位于比所述第1正面靠所述背面侧的位置,所述第1正面与所述第2正面经由中间面而相互连结,所述收纳部形成于所述第1正面并且延伸至所述中间面。
在本实用新型的一个实施方式的蒸镀掩模装置中,也可以是多个所述收纳部形成为围绕所述开口部。
在本实用新型的一个实施方式的蒸镀掩模装置中,也可以是所述蒸镀掩模包含焊接于所述框架的所述正面的接合部,所述接合部的至少一部分位于所述开口部与所述收纳部之间。
在本实用新型的一个实施方式的蒸镀掩模装置中,也可以是各个所述收纳部的至少一部分形成于比所述蒸镀掩模的长度方向上的一对端部靠内侧的位置。
本实用新型的一个实施方式是蒸镀掩模装置,其具有:蒸镀掩模,其具有第1面和位于所述第1面的相反侧的第2面;以及框架,其具有位于所述蒸镀掩模侧的第3面和位于所述第3面的相反侧的第4面,所述蒸镀掩模与所述框架经由接合部而相互接合,所述框架还具有位于所述接合部的外侧的第5面,所述第5面的至少一部分位于比所述第3面靠所述第4面侧的位置。
根据本实用新型,能够将基板设置于期望的位置,从而能够将蒸镀材料蒸镀至基板的期望的位置。
附图说明
图1A是示出具有本实用新型的一个实施方式的蒸镀掩模装置的蒸镀装置的图。
图1B是示出使用图1A所示的蒸镀掩模装置制造的有机EL显示装置的剖视图。
图2A是示出本实用新型的一个实施方式的蒸镀掩模装置的俯视图。
图2B是示出本实用新型的一个实施方式的蒸镀掩模装置的框架的俯视图。
图3是将图2A所示的蒸镀掩模装置的框架的收纳部放大而示出的俯视图。
图4A是示出形成于蒸镀掩模的边部的接合部的一个变形例的俯视图。
图4B是示出形成于蒸镀掩模装置的边部的接合部的一个变形例的俯视图。
图4C是示出形成于蒸镀掩模装置的边部的接合部的一个变形例的俯视图。
图4D是示出形成于蒸镀掩模装置的边部的接合部的一个变形例的俯视图。
图4E是示出形成于蒸镀掩模装置的边部的接合部的一个变形例的俯视图。
图5A是从VA-VA方向观察图3的蒸镀掩模装置的剖视图。
图5B是将图5A所示的蒸镀掩模装置放大而示出的剖视图(与图5A的VB部相对应的剖视图)。
图5C是将图5B所示的焊接痕放大而示出的剖视图(与图5B的VC部相对应的剖视图)。
图5D是示出焊接痕的一个变形例的剖视图。
图5E是示出焊接痕的一个变形例的剖视图。
图6是将蒸镀掩模的中间部放大而示出的俯视图。
图7是从VII-VII方向观察图6的中间部的剖视图。
图8是示出在金属板上形成抗蚀剂图案的工序的图。
图9是示出第1面蚀刻工序的图。
图10是示出第2面蚀刻工序的图。
图11是示出将树脂和抗蚀剂图案从金属板去除的工序的图。
图12A是示出制造框架的工序的图。
图12B是示出制造框架的工序的图。
图13A是示出将蒸镀材料蒸镀至有机EL基板的工序的图。
图13B是示出将蒸镀材料蒸镀至有机EL基板的工序的图。
图14A是示出将蒸镀材料蒸镀至有机EL基板的工序的图。
图14B是示出将蒸镀材料蒸镀至有机EL基板的工序的图。
图15是示出蒸镀掩模的边部的变形例的剖视图。
图16是示出蒸镀掩模装置的一个变形例的俯视图。
图17A是示出蒸镀掩模装置的一个变形例的俯视图。
图17B是示出在蒸镀掩模装置的一个变形例中将有机EL基板设置于框架的工序的剖视图。
图17C是示出蒸镀掩模装置的一个变形例的俯视图。
图18是示出蒸镀掩模装置的一个变形例的俯视图。
图19是示出蒸镀掩模装置的一个变形例的俯视图。
图20是示出蒸镀掩模装置的一个变形例的剖视图,该图相当于从图3的VA-VA方向观察的剖视图。
图21是示出蒸镀掩模装置的一个变形例的俯视图。
图22是示出蒸镀掩模装置的一个变形例的剖视图,该图相当于从图21的XXII-XXII方向观察的剖视图。
图23A是示出蒸镀掩模装置的一个变形例的剖视图,该图相当于从图3的VA-VA方向观察的剖视图。
图23B是示出蒸镀掩模装置的一个变形例的剖视图,该图相当于从图3的VA-VA方向观察的剖视图。
图23C是示出蒸镀掩模装置的一个变形例的剖视图,该图相当于从图3的VA-VA方向观察的剖视图。
图23D是示出蒸镀掩模装置的一个变形例的剖视图,该图相当于从图3的VA-VA方向观察的剖视图。
图23E是示出蒸镀掩模装置的一个变形例的剖视图,该图相当于从图3的VA-VA方向观察的剖视图。
图23F是示出蒸镀掩模装置的一个变形例的剖视图,该图相当于从图3的VA-VA方向观察的剖视图。
图23G是示出蒸镀掩模装置的一个变形例的剖视图,该图相当于从图3的VA-VA方向观察的剖视图。
图23H是示出蒸镀掩模装置的一个变形例的剖视图,该图相当于从图3的VA-VA方向观察的剖视图。
图23I是是示出蒸镀掩模装置的一个变形例的剖视图,该图相当于从图3的VA-VA方向观察的剖视图。
图23J是示出蒸镀掩模装置的一个变形例的剖视图,该图相当于从图3的VA-VA方向观察的剖视图。
图23K是示出蒸镀掩模装置的一个变形例的剖视图,该图相当于从图3的VA-VA方向观察的剖视图。
图23L是示出蒸镀掩模装置的一个变形例的剖视图,该图相当于从图3的VA-VA方向观察的剖视图的图。
图24是示出蒸镀掩模装置的一个变形例的俯视图。
图25A是示出保持部件的一个变形例的剖视图,该图相当于从图3的VA-VA方向观察的剖视图。
图25B是示出保持部件的一个变形例的剖视图,该图相当于从图3的VA-VA方向观察的剖视图。
具体实施方式
以下,参照附图对本实用新型的一个实施方式进行说明。另外,在本案说明书所附的附图中,为了便于图示和容易理解,使比例尺和纵横的尺寸比等相对于实物各自的比例尺和纵横的尺寸比等适当地变更而夸张地示出。
另外,以下所示的实施方式是本实用新型的实施方式的一例,本实用新型的解释并不限于这些实施方式。另外,也可以适当组合应用以下所示的实施方式和变形例。另外,也可以将多个实施方式彼此组合、将多个变形例彼此组合、或将多个实施方式和多个变形例组合。
图1A~图14B是用于对本实用新型的一个实施方式进行说明的图。在以下的实施方式及其变形例中,列举如下的蒸镀掩模装置为例进行说明,该蒸镀掩模装置用于在制造有机EL显示装置时使有机材料以期望的图案在基板上图案化。但是,并不限于这样的应用,对于在各种用途中使用的蒸镀掩模装置,均可以应用本实用新型。例如蒸镀掩模装置10可以在形成滤色器的透明电极时使用。
另外,在本说明书中,“板”、“片”、“膜”的术语并不是仅基于称呼上的不同而被相互区分开的。例如,“板”是也包含可称为片或膜这样的部件在内的概念。
另外,“板面(片面、膜面)”是指在整体或大体观察作为对象的板状(片状、膜状)的部件的情况下,作为对象的板状部件(片状部件、膜状部件)的与平面方向一致的面。另外,针对板状(片状、膜状)的部件使用的法线方向是指相对于该部件的板面(片面、膜面)的法线方向。
另外,在本说明书中使用的对形状或几何学的条件和物理的特性以及它们的程度进行特定的例如“平行”、“垂直”、“相同”、“同等”等术语、以及长度、角度和物理特性的值等,并不限于严格的定义,而被解释为包含可期待同样功能的程度的范围。
(蒸镀装置)
首先,参照图1A对实施将蒸镀材料蒸镀至对象物的蒸镀处理的蒸镀装置90进行说明。如图1A所示,蒸镀装置90具有蒸镀源(例如坩埚94)、加热器96和蒸镀掩模装置10。坩埚94收纳有机发光材料等蒸镀材料98。加热器96对坩埚94进行加热而使蒸镀材料98蒸发。蒸镀掩模装置10配置成与坩埚94对置。另外,作为使蒸镀材料98附着的对象物的基板、例如有机EL基板92通过对有机EL基板92进行保持的保持部件92A而设置于蒸镀掩模装置10上。这里,保持部件92A例如可以是对有机EL基板92进行夹持的夹具。
(蒸镀掩模装置)
以下,对蒸镀掩模装置10进行说明。如图1A所示,蒸镀掩模装置10具有:蒸镀掩模20;以及框架15,其设置有与蒸镀掩模20的一部分重叠的开口部15a,并且对蒸镀掩模20进行支承。框架15在使蒸镀掩模20在其面方向拉伸的状态下支承蒸镀掩模20,以使得蒸镀掩模20不发生挠曲。如图1A所示,蒸镀掩模装置10按照蒸镀掩模20与作为使蒸镀材料98附着的对象物的基板、例如有机EL基板92面对的方式配置在蒸镀装置90内。如上所述,有机EL基板92通过对有机EL基板92进行保持的保持部件92A而设置于蒸镀掩模装置10上。在以下的说明中,将蒸镀掩模20的面中的有机EL基板92侧的面称为第1面20a,将位于第1面20a的相反侧的面称为第2面20b。
如图1A所示,蒸镀掩模装置10可以具有磁铁93,该磁铁93配置在有机EL基板92的与蒸镀掩模20相反的一侧的面上。通过设置磁铁93,能够通过磁力将蒸镀掩模20向磁铁93侧吸引而使蒸镀掩模20与有机EL基板92密合。
图2A是示出从蒸镀掩模20的第1面20a侧观察图1A所示的蒸镀掩模装置10、有机EL基板92和保持部件92A的情况的俯视图。如图2A所示,蒸镀掩模装置10具有多个蒸镀掩模20,该多个蒸镀掩模20在俯视时具有大致矩形状的形状,各蒸镀掩模20在位于蒸镀掩模20的长度方向上的一对端部20e附近的后述接合部19处通过焊接固定于框架15。
如图1A所示,蒸镀掩模20包含贯通蒸镀掩模20的多个贯通孔25。从坩埚94蒸发而到达蒸镀掩模装置10的蒸镀材料98通过蒸镀掩模20的贯通孔25而附着于有机EL基板92。由此,能够以与蒸镀掩模20的贯通孔25的位置相对应的期望的图案将蒸镀材料98成膜在有机EL基板92的正面上。
图1B是示出使用图1A的蒸镀装置90制造的有机EL显示装置100的剖视图。有机EL显示装置100具有有机EL基板92和包含设置成图案状的蒸镀材料98的像素。
另外,在希望进行基于多个颜色的彩色显示的情况下,分别准备搭载有与各颜色对应的蒸镀掩模20的蒸镀装置90,并将有机EL基板92依次放入各蒸镀装置90中。由此,例如能够使红色用的有机发光材料、绿色用的有机发光材料和蓝色用的有机发光材料依次蒸镀至有机EL基板92上。
但是,蒸镀处理有时在高温气氛下的蒸镀装置90的内部实施。这种情况下,在蒸镀处理的期间,保持在蒸镀装置90的内部的蒸镀掩模20、框架15和有机EL基板92也被加热。此时,蒸镀掩模20、框架15和有机EL基板92展示出基于各自的热膨胀系数的尺寸变化的行为。这种情况下,当蒸镀掩模20、框架15和有机EL基板92的热膨胀系数存在很大差异时,由于这些尺寸变化的差异而产生位置偏移,其结果是,附着在有机EL基板92上的蒸镀材料的尺寸精度、位置精度会降低。
为了解决这样的课题,优选蒸镀掩模20和框架15的热膨胀系数是与有机EL基板92的热膨胀系数同等的值。例如,在使用玻璃基板作为有机EL基板92的情况下,作为蒸镀掩模20和框架15的主要材料,可以使用含镍的铁合金。铁合金除了镍以外还可以含有钴。例如,作为构成蒸镀掩模20的金属板的材料,可以使用镍和钴的含量合计为30质量%以上且50质量%以下、并且钴的含量为0质量%以上且6质量%以下的铁合金。作为含有镍或镍和钴的铁合金的具体例,可以举出含34质量%以上且38质量%以下的镍的因瓦合金材料、除了30质量%以上且34质量%以下的镍以外还含有钴的超因瓦合金材料、含48质量%以上且54质量%以下的镍的低热膨胀Fe-Ni系镀覆合金等。
另外,在蒸镀处理时,蒸镀掩模20、框架15和有机EL基板92的温度未达到高温的情况下,无需特别使蒸镀掩模20和框架15的热膨胀系数为与有机EL基板92的热膨胀系数同等的值。这种情况下,作为构成蒸镀掩模20的材料,可以使用上述铁合金以外的材料。例如,可以使用含铬的铁合金等除了上述含镍的铁合金以外的铁合金。作为含铬的铁合金,例如可以使用被称为所谓不锈钢的铁合金。另外,也可以使用镍或镍-钴合金等铁合金以外的合金。
(框架)
接着,在图2A的基础上进一步参照图2B、图3、图5A和图5B对框架15进行详细说明。图2B是示出框架15的俯视图。图3是将图2A所示的蒸镀掩模装置10的一部分放大而示出的俯视图。图5A是从VA-VA方向观察图3的蒸镀掩模装置10的剖视图。图5B是将图5A的蒸镀掩模装置放大而示出的剖视图(与图5A的VB部相对应的剖视图)。如图2A、图2B、图3和图5B所示,框架15具有:正面15b(即第3面),其面向蒸镀掩模20的第2面20b;背面15c(即第4面),其与正面15b对置;外侧面15d,其在正面15b与背面15c之间扩展;以及内侧面15e,其面向开口部15a,在比外侧面15d靠内侧的位置在正面15b与背面15c之间扩展。如图5B所示,正面15b和背面15c在沿着蒸镀掩模20的第1面20a的法线方向N的剖面中进行观察时,在与法线方向N垂直的方向上相互平行地延伸。外侧面15d和内侧面15e在沿着蒸镀掩模20的第1面20a的法线方向N的剖面中进行观察时在法线方向N上延伸,按照与正面15b和背面15c垂直的方式进行连接。在蒸镀时,从坩埚94蒸发的蒸镀材料98通过框架15的开口部15a而附着于有机EL基板92。另外,框架15的外侧面15d和内侧面15e在沿着蒸镀掩模20的第1面20a的法线方向N的剖面中进行观察时,可以按照相对于法线方向N倾斜的方式延伸,或者也可以弯曲。
另外,可以在这样的框架15的正面15b中的与开口部15a分开的位置形成有多个收纳部15f。该多个收纳部15f可以位于后述的接合部19的外侧,收纳部的面151f(即第5面)可以位于比框架15的正面15b(即第3面)靠背面15c(即第4面)侧的位置。收纳部15f构成为在将保持部件92A所保持的有机EL基板92组合于蒸镀掩模装置10时,能够收纳保持部件92A的至少一部分(参照图5A和图5B)。由此,在将有机EL基板92设置于蒸镀掩模装置10时,能够抑制保持部件92A与框架15发生干涉,由此能够将有机EL基板92相对于蒸镀掩模装置10设置于期望的位置。在本实施方式中,这样的收纳部15f由形成于正面15b的凹部构成。这种情况下,正面15b中的位于收纳部15f的内侧的正面151b和位于收纳部15f的外侧的正面152b在沿着第1面20a的法线方向N进行观察的情况下,位于同一正面上。
另外,作为抑制保持部件92A与框架15发生干涉的手段,除了设置上述那样的多个收纳部15f以外,还可考虑减小框架15的宽度(外侧面15d与内侧面15e之间的距离),以使得保持部件92A不与框架15发生干涉。另一方面,如本实施方式那样,将能够收纳保持部件92A的至少一部分的多个收纳部15f分散地设置于框架15的正面15b,从而能够使框架15中的具有厚度S1(参照图5B)的未设置有收纳部15f的部分分布至框架15的整个区域。由此,能够减小由于在框架15上设置收纳部15f而产生的框架15的强度降低的程度。即,当与减小框架15的宽度的情况相比时,能够扩大框架15中的具有厚度S1(参照图5B)的部分的俯视时的面积。由此,能够有效地抑制框架15的刚性等强度降低。因此,当框架15在使蒸镀掩模20拉伸的状态下支承该蒸镀掩模20时,能够抑制由于从蒸镀掩模20施加的力而使框架15发生挠曲等变形。由此,能够使用支承于框架15的蒸镀掩模20精度良好地将蒸镀材料98蒸镀至有机EL基板92。
在图5B中,标号S2表示设置有收纳部15f的部分的框架15的厚度。厚度S2根据保持部件92A的尺寸来设定,以使得能够抑制保持部件92A与框架15发生干涉。例如,厚度S2可以为2mm以上,可以为5mm以上,可以为7mm以上,可以为10mm以上。另外,厚度S2可以为20mm以下,可以为18mm以下,可以为15mm以下,可以为12mm以下。厚度S2的范围可以通过上述多个上限的候补值中的任意一个和上述多个下限的候补值中的任意一个的组合来设定。例如,厚度S2的范围可以为2mm以上20mm以下,可以为5mm以上18mm以下,可以为7mm以上15mm以下,可以为10mm以上12mm以下。另外,厚度S2的范围可以通过上述多个上限的候补值中的任意两个的组合来设定。例如,厚度S2的范围可以为15mm以上18mm以下。另外,厚度S2的范围可以通过上述多个下限的候补值中的任意两个的组合来设定。例如,厚度S2的范围可以为7mm以上10mm以下。
未设置收纳部15f的部分的框架15的厚度S1设定为能够抑制使框架15产生挠曲等变形,例如厚度S1可以为5mm以上,可以为10mm以上,可以为15mm以上,可以为20mm以上。另外,厚度S1可以为35mm以下,可以为30mm以下,可以为25mm以下,可以为20mm以下。厚度S1的范围可以通过上述多个上限的候补值中的任意一个和上述多个下限的候补值中的任意一个的组合来设定。例如,厚度S1的范围可以为5mm以上35mm以下,可以为10mm以上30mm以下,可以为15mm以上25mm以下。另外,厚度S1的范围可以通过上述多个上限的候补值中的任意两个的组合来设定。例如,厚度S1的范围可以为20mm以上30mm以下。另外,厚度S1的范围可以通过上述多个下限的候补值中的任意两个的组合来设定。例如,厚度S1的范围可以为10mm以上15mm以下。另外,厚度S1可以根据设置有收纳部15f的部分的框架15的厚度S2来设定。例如,厚度S1可以为1.5×S2以上3.0×S2以下。
优选框架15的正面15b的整个面积(图2B所示的斜线部分)中的设置有多个收纳部15f的部分(图2B所示的无光面部分)的面积的比例(以下也称为收纳部率)设定成能够抑制使框架15产生挠曲等变形。收纳部率例如可以为5%以上,可以为7%以上,可以为9%以上。另外,收纳部率可以为15%以下,可以为13%以下,可以为11%以下。收纳部率的范围可以通过上述多个上限的候补值中的任意一个和上述多个下限的候补值中的任意一个的组合来设定。例如,收纳部率的范围可以为5%以上15%以下,可以为7%以上13%以下,可以为9%以上11%以下。另外,收纳部率的范围可以通过上述多个上限的候补值中的任意两个的组合来设定。例如,收纳部率的范围可以为11%以上15%以下。另外,收纳部率的范围可以通过上述多个下限的候补值中的任意两个的组合来设定。例如,收纳部率的范围可以为5%以上9%以下。
在本实施方式中,多个收纳部15f可以形成于外侧面15d与内侧面15e之间。更具体而言,本实施方式的多个收纳部15f形成于蒸镀掩模20的一对端部20e的外侧。通过将多个收纳部15f形成于外侧面15d与内侧面15e之间,在框架15的正面15b中,在收纳部15f的外侧能够确保厚度S1的区域,能够有效地抑制框架15的强度降低。这里,如图2A中箭头A所示那样,“外侧”是指在蒸镀掩模20的长度方向上远离蒸镀掩模20的中心线CL的一侧。另外,“内侧”是指在蒸镀掩模20的长度方向上靠近蒸镀掩模20的中心线CL的一侧。这里,蒸镀掩模20的中心线CL是指沿与蒸镀掩模20的长度方向垂直的方向延伸的直线中的通过将蒸镀掩模20的长度方向上的一对端部20e之间二等分的中间点C(参照图2A)的直线。
如图2A所示,多个收纳部15f沿着由内侧面15e划分的开口部15a的边排列。在图2A所示的例子中,开口部15a具有包含四条边在内的矩形状的形状,多个收纳部15f沿着开口部15a的边中的对置的一对边排列。另外,多个蒸镀掩模20也按照其边部17沿着与多个收纳部15f排列的开口部15a的边相同的边排列的方式安装于框架15。另外,虽未图示,但多个收纳部15f可以沿着与多个蒸镀掩模20的边部17排列的开口部15a的边不同的边排列。
收纳部15f的个数及尺寸可以根据对有机EL基板92进行保持的保持部件92A的尺寸等适当设定,但在将有机EL基板92设置于框架15时(有机EL基板92与蒸镀掩模20的第1面20a接触时),可以为保持部件92A不与收纳部15f接触的程度的范围。例如,收纳部15f的长度L1(沿着蒸镀掩模20的长度方向的长度(参照图3))例如可以为15mm以上50mm以下,收纳部15f的宽度W(沿着蒸镀掩模20的宽度方向的长度(参照图3))可以为5mm以上,可以为10mm以上,可以为15mm以上,可以为20mm以上,可以为25mm以上。另外,宽度W可以为50mm以下,可以为45mm以下,可以为40mm以下,可以为35mm以下。宽度W的范围可以通过上述多个上限的候补值中的任意一个和上述多个下限的候补值中的任意一个的组合来设定。例如,宽度W的范围可以为5mm以上50mm以下,可以为10mm以上45mm以下,可以为15mm以上40mm以下。另外,宽度W的范围可以通过上述多个上限的候补值中的任意两个的组合来设定。例如,宽度W的范围可以为35mm以上45mm以下。另外,宽度W的范围可以通过上述多个下限的候补值中的任意两个的组合来设定。例如,宽度W的范围可以为10mm以上20mm以下。另外,相互相邻的收纳部15f之间的距离L2(参照图2A)例如可以为50mm以上,可以为80mm以上,可以为100mm以上,可以为130mm以上,可以为150mm以上。另外,距离L2可以为250mm以下,可以为220mm以下,可以为200mm以下,可以为180mm以下。距离L2的范围可以通过上述多个上限的候补值中的任意一个和上述多个下限的候补值中的任意一个的组合来设定。例如,距离L2的范围可以为50mm以上250mm以下,可以为80mm以上220mm以下,可以为100mm以上200mm以下。另外,距离L2的范围可以通过上述多个上限的候补值中的任意两个的组合来设定。例如,距离L2的范围可以为200mm以上220mm以下。另外,距离L2的范围可以通过上述多个下限的候补值中的任意两个的组合来设定。例如,距离L2的范围可以为130mm以上150mm以下。
另外,在图2A中,示出沿着开口部15a的边排列的多个收纳部15f的周期与沿着开口部15a的相同的边排列的多个蒸镀掩模20的周期一致的例子,但不限于此。虽未图示,但多个收纳部15f的周期可以与多个蒸镀掩模20的周期不同。
另外,从框架15的内侧面15e至收纳部15f的距离L3(参照图3)例如可以为1mm以上20mm以下,优选可以为3mm以上20mm以下。通过使从框架15的内侧面15e至收纳部15f的距离L3为3mm以上,能够充分确保接合部19的面积,能够提高接合部19的强度。另外,通过使从框架15的内侧面15e至收纳部15f的距离L3为20mm以下,能够扩大开口部15a的开口面积,能够扩大有效蒸镀的区域。另外,从框架15的内侧面15e至收纳部15f的距离L3例如可以为1mm以上,可以为3mm以上,可以为5mm以上,可以为10mm以上。另外,距离L3可以为20mm以下,可以为18mm以下,可以为15mm以下。距离L3的范围可以通过上述多个上限的候补值中的任意一个和上述多个下限的候补值中的任意一个的组合来设定。例如,距离L3的范围可以为1mm以上20mm以下,可以为3mm以上18mm以下,可以为5mm以上15mm以下。另外,距离L3的范围可以通过上述多个上限的候补值中的任意两个的组合来设定。例如,距离L3的范围可以为15mm以上18mm以下。另外,距离L3的范围可以通过上述多个下限的候补值中的任意两个的组合来设定。例如,距离L3的范围可以为3mm以上10mm以下。
另外,从框架15的外侧面15d至收纳部15f的距离L4(参照图3)例如可以为10mm以上80mm以下,优选可以为30mm以上。通过使从框架15的外侧面15d至收纳部15f的距离L4为30mm以上,能够抑制框架15的强度降低。另外,从框架15的外侧面15d至收纳部15f的距离L4例如可以为10mm以上,可以为20mm以上,可以为30mm以上,可以为40mm以上。另外,距离L4可以为80mm以下,可以为70mm以下,可以为60mm以下,可以为50mm以下。距离L4的范围可以通过上述多个上限的候补值中的任意一个和上述多个下限的候补值中的任意一个的组合来设定。例如,距离L4的范围可以为10mm以上80mm以下,可以为20mm以上70mm以下,可以为30mm以上60mm以下。另外,距离L4的范围可以通过上述多个上限的候补值中的任意两个的组合来设定。例如,距离L4的范围可以为50mm以上80mm以下。另外,距离L4的范围可以通过上述多个下限的候补值中的任意两个的组合来设定。例如,距离L4的范围可以为10mm以上40mm以下。
另外,如图2A~图4A所示,收纳部15f在俯视时具有大致矩形状,但收纳部15f的形状可以是任意的,例如可以在俯视时具有圆形状或椭圆形状,可以具有六边形或八边形之类的多边形状。另外,各个收纳部15f可以具有相互不同的形状,例如可以分别在俯视时具有圆形状、椭圆形状、六边形或八边形之类的多边形状。另外,这样的收纳部15f可以贯通框架15。这种情况下,可以形成有贯通框架15的收纳部15f和不贯通框架15的收纳部15f。
(蒸镀掩模)
接着,对蒸镀掩模20进行详细说明。如图2A所示,蒸镀掩模20具有:一对边部17,它们构成蒸镀掩模20的长度方向上的一对端部20e;以及中间部18,其位于一对边部17之间。
(边部)
首先,对边部17进行详细说明。边部17是蒸镀掩模20中的固定于框架15的部分。在本实施方式中,边部17在第2面20b侧通过焊接等固定于框架15。在以下的说明中,将边部17和框架15中的通过焊接相互接合的部分称为接合部19。该接合部19可以位于上述框架15的开口部15a与收纳部15f之间。
形成于边部17的接合部19包含焊接痕19a。焊接痕19a是指由于将蒸镀掩模20的第2面20b焊接于框架15而形成于蒸镀掩模20的第1面20a侧的痕迹。例如如图3所示,接合部19包含沿着蒸镀掩模20的宽度方向排列的多个点状的焊接痕19a。这样的多个点状的焊接痕19a例如是通过在沿着蒸镀掩模20的宽度方向的各位置间歇地呈点状对边部17照射激光而形成的。
另外,对于俯视时的焊接痕19a的配置及形状没有特别限制。例如如图4A所示,焊接痕19a可以沿着蒸镀掩模20的宽度方向呈线状延伸。这样的焊接痕19a例如是通过在沿着蒸镀掩模20的宽度方向的各位置连续地呈线状对边部17照射激光而形成的。这种情况下,焊接痕19a沿着蒸镀掩模20的宽度方向呈线状延伸,从而能够提高焊接强度。
另外,例如如图4B所示,焊接痕19a可以包含呈点状形成的第1焊接痕191a和呈线状形成的第2焊接痕192a。在图示的例子中,焊接痕19a包含多个第1焊接痕191a和多个第2焊接痕192a,第1焊接痕191a和第2焊接痕192a沿着蒸镀掩模20的宽度方向规则地、即交替地配置。这种情况下,例如各个第2焊接痕192a的形状可以相互不同。另外,第1焊接痕191a可以仅为一个,第2焊接痕192a可以仅为一个。这种情况下,焊接痕19a由于包含呈线状形成的第2焊接痕192a,因此,能够提高焊接强度。
另外,例如如图4C所示,第1焊接痕191a和第2焊接痕192a可以沿着蒸镀掩模20的宽度方向不规则地配置。在图示的例子中,配置于在蒸镀掩模20的宽度方向上相互相邻的第2焊接痕192a之间的第1焊接痕191a的个数相互不同。另外,这种情况下,例如各个第2焊接痕192a的形状可以相互不同。另外,配置于在蒸镀掩模20的宽度方向上相互相邻的第2焊接痕192a之间的第1焊接痕191a的个数是任意的。这种情况下,例如也可以在希望提高蒸镀掩模20的焊接强度的部分选择性提高焊接痕19a的密度。
另外,例如如图4D所示,多个点状的焊接痕19a可以沿着蒸镀掩模20的宽度方向形成为多列。在图示的例子中,焊接痕19a沿着蒸镀掩模20的宽度方向形成为两列。另外,焊接痕19a可以沿着蒸镀掩模20的宽度方向形成为三列,可以形成为四列。这种情况下,多个点状的焊接痕19a沿着蒸镀掩模20的宽度方向形成为多列,从而能够提高焊接强度。
另外,例如如图4E所示,焊接痕19a可以沿着蒸镀掩模20的宽度方向形成为框状。这种情况下,焊接痕19a沿着蒸镀掩模20的宽度方向形成,因此能够提高焊接强度。
另外,如图5A和图5B所示,焊接痕19a从边部17的第1面20a经由第2面20b而到达框架15。焊接痕19a是蒸镀掩模20的边部17和框架15中的焊接时熔融的部分(即熔融区域19f)发生固化的部分,包含从边部17的第1面20a至第2面20b的部分和框架15的一部分。该焊接痕19a使蒸镀掩模20的边部17与框架15相互接合。在焊接痕19a中,在焊接之后熔融区域19f的温度降低而使熔融区域19f固化时,产生材料的结晶化。例如,焊接痕19a包含跨越边部17和框架15的晶粒。例如如图5C所示,该焊接痕19a可以形成为从蒸镀掩模20的第1面20a突出。
另外,如图5D所示,焊接痕19a可以形成为焊接痕19a的上表面19b与蒸镀掩模20的第1面20a位于同一平面上。另外,如图5E所示,焊接痕19a可以形成为相对于蒸镀掩模20的第1面20a向第2面20b侧凹陷。这些情况下,在将蒸镀材料98蒸镀至有机EL基板92时,能够提高蒸镀掩模20与有机EL基板92之间的密合性。
在图5A和图5B中,用虚线表示在蒸镀处理时与蒸镀掩模20密合的有机EL基板92。如图5A和图5B所示,在本实施方式中,有机EL基板92延伸至比蒸镀掩模20中的形成有接合部19的部分靠外侧的位置。另外,在将有机EL基板92设置于框架15时,有机EL基板92一边被保持部件92A保持一边设置于框架15。另外,在将蒸镀材料98蒸镀至有机EL基板92时保持部件92A可以从有机EL基板92取下。
另外,虽未图示,但如后述那样在将蒸镀掩模20焊接于框架15之后,边部17在框架15的开口部15a与收纳部15f之间被切断,边部17的一部分被去除。由此,在本实施方式中,蒸镀掩模20的长度方向上的一对端部20e位于框架15的开口部15a与收纳部15f之间。
(中间部)
接着,对中间部18进行说明。如图2A、图3、图5A和图5B所示,中间部18包含:有效区域22,其形成有从第1面20a至第2面20b的贯通孔25;以及周围区域23,其围绕有效区域22。周围区域23是用于对有效区域22进行支承的区域,而不是供打算蒸镀至有机EL基板92的蒸镀材料通过的区域。例如,有效区域22是蒸镀掩模20中的与有机EL基板92的显示区域面对的区域。
如图2A所示,有效区域22例如在俯视时具有大致四边形形状,更准确而言,在俯视时具有大致矩形状的轮廓。另外,虽未图示,但各有效区域22可以根据有机EL基板92的显示区域的形状而具有各种形状的轮廓。例如各有效区域22可以具有圆形状的轮廓。
如图2A所示,中间部18包含多个有效区域22,它们沿着蒸镀掩模20的长度方向隔开规定的间隔进行排列。一个有效区域22与一个有机EL显示装置100的显示区域相对应。因此,根据图1A所示的蒸镀掩模装置10,能够进行有机EL显示装置100的多面蒸镀。
以下,对中间部18进行详细说明。图6是将中间部18放大而示出的俯视图,图7是从VII-VII方向观察图6的中间部18的剖视图。如图6所示,多个贯通孔25在有效区域22中沿着相互垂直的两个方向分别按照规定的间距规则地排列。
以下,对有效区域22进行详细说明。图6是从蒸镀掩模20的第2面20b侧将有效区域22放大而示出的俯视图。如图6所示,在图示的例子中,形成于各有效区域22的多个贯通孔25在该有效区域22中沿着相互垂直的两个方向分别按照规定的间距进行排列。
图7是图6的有效区域22的沿着VII-VII方向的剖视图。如图7所示,多个贯通孔25从蒸镀掩模20的第1面20a贯通至第2面20b。在图示的例子中,如后文详细叙述那样,通过蚀刻在作为蒸镀掩模20的第1面20a的法线方向N上的一侧的金属板64的第1面64a上形成第1凹部30,在作为该法线方向N上的另一侧的金属板64的第2面64b上形成第2凹部35。第1凹部30与第2凹部35连接,由此形成为第2凹部35与第1凹部30相互相通。贯通孔25由第2凹部35和与第2凹部35连接的第1凹部30构成。如图6和图7所示,第1凹部30的壁面31和第2凹部35的壁面36经由周状的连接部41连接起来。连接部41划分出蒸镀掩模20的在俯视时贯通孔25的开口面积最小的贯通部42。
如图7所示,在蒸镀掩模20的第1面20a侧,相邻的两个贯通孔25沿着金属板64的第1面64a相互分离。在蒸镀掩模20的第2面20b侧,相邻的两个第2凹部35也可以沿着金属板64的第2面64b相互分离。即,在相邻的两个第2凹部35之间也可以残留有金属板64的第2面64b。在以下的说明中,也将金属板64的第2面64b的有效区域22中的未蚀刻而残留的部分称为顶部43。按照残留这样的顶部43的方式制作蒸镀掩模20,从而能够使蒸镀掩模20具有充分的强度。由此,例如能够抑制在传送中等蒸镀掩模20发生破损。另外,当顶部43的宽度β过大时,在蒸镀工序中产生遮挡,由此有时会降低蒸镀材料98的利用效率。因此,优选按照顶部43的宽度β不过大的方式制作蒸镀掩模20。
如图1A所示,在将蒸镀掩模装置10收纳在蒸镀装置90中的情况下,如图7中双点划线所示,蒸镀掩模20的第1面20a与有机EL基板92面对,蒸镀掩模20的第2面20b位于对蒸镀材料98进行保持的坩埚94侧。因此,蒸镀材料98通过开口面积逐渐变小的第2凹部35而附着于有机EL基板92。如图7中从第2面20b侧朝向第1面20a的箭头所示,蒸镀材料98不仅从坩埚94朝向有机EL基板92沿着蒸镀掩模20的第1面20a的法线方向N移动,而且有时也向相对于该法线方向N较大倾斜的方向移动。此时,当蒸镀掩模20的厚度较大时,倾斜移动的蒸镀材料98容易挂在顶部43、第2凹部35的壁面36及第1凹部30的壁面31,其结果是,无法通过贯通孔25的蒸镀材料98的比例增多。因此认为,为了提高蒸镀材料98的利用效率,优选使蒸镀掩模20的厚度t较小,由此减小第2凹部35的壁面36及第1凹部30的壁面31的高度。即可以说,作为用于构成蒸镀掩模20的金属板64,优选使用在能够确保蒸镀掩模20的强度的范围内厚度t尽可能小的金属板64。考虑到这一点,在本实施方式中,蒸镀掩模20的厚度t例如为30μm以下,优选为25μm以下,进一步优选为20μm以下。另一方面,当蒸镀掩模20的厚度过小时,蒸镀掩模20的强度降低,容易使蒸镀掩模20产生损伤或变形。考虑到这一点,蒸镀掩模20的厚度t优选为5μm以上。蒸镀掩模20的厚度t可以为8μm以上,可以为10μm以上,可以为12μm以上,可以为13μm以上,可以为15μm以上。蒸镀掩模20的厚度t的范围可以通过上述多个上限的候补值中的任意一个和上述多个下限的候补值中的任意一个的组合来设定。例如,蒸镀掩模20的厚度t的范围可以为5μm以上30μm以下,可以为8μm以上25μm以下,可以为10μm以上20μm以下,可以为13μm以上20μm以下,可以为15μm以上20μm以下。另外,蒸镀掩模20的厚度t的范围可以通过上述多个上限的候补值中的任意两个的组合来设定。例如,蒸镀掩模20的厚度t的范围可以为20μm以上25μm以下。另外,蒸镀掩模20的厚度t的范围可以通过上述多个下限的候补值中的任意两个的组合来设定。例如,蒸镀掩模20的厚度t的范围可以为13μm以上15μm以下。另外,厚度t是周围区域23的厚度、即蒸镀掩模20中的未形成第1凹部30和第2凹部35的部分的厚度。因此,厚度t也可以说是金属板64的厚度。
在图7中,通过作为贯通孔25的具有最小开口面积的部分的连接部41和第2凹部35的壁面36的其他任意的位置的直线L5相对于蒸镀掩模20的第1面20a的法线方向N所成的最小角度用标号θ1表示。为了使倾斜移动的蒸镀材料98尽可能地到达有机EL基板92而不到达壁面36,增大角度θ1是有利的。在增大角度θ1的方面,除了减小蒸镀掩模20的厚度t之外,减小上述顶部43的宽度β也是有效的。
在图7中,标号α表示金属板64的第1面64a的有效区域22中的未蚀刻而残留的部分(以下也称为肋部)的宽度。肋部的宽度α和贯通部42的尺寸r可根据有机EL显示装置的尺寸和显示像素数适当确定。例如,肋部的宽度α为5μm以上且40μm以下,贯通部42的尺寸r为10μm以上且60μm以下。
另外,在图6和图7中,示出了在相邻的两个第2凹部35之间残留有金属板64的第2面64b的例子,但不限于此。虽未图示,但可以按照相邻的两个第2凹部35连接起来的方式实施蚀刻。即,可以存在在相邻的两个第2凹部35之间未残留有金属板64的第2面64b的部分。
接着,对制造蒸镀掩模装置10的方法进行说明。首先,对制造蒸镀掩模装置10的蒸镀掩模20的方法进行说明。
蒸镀掩模的制造方法
首先,主要参照图8~图11对制造蒸镀掩模20的方法进行说明。在本实施方式中,在金属板64上形成与多张蒸镀掩模20相对应的多个贯通孔25。换言之,在金属板64上分配多张蒸镀掩模20。然后,将金属板64中的形成有与一张蒸镀掩模20相对应的多个贯通孔25的部分从金属板64分离。这样,能够得到单片状的蒸镀掩模20。
此时,首先在金属板64的第1面64a上和第2面64b上形成包含感光性抗蚀剂材料的抗蚀剂膜。接着,对抗蚀剂膜进行曝光和显影。由此,如图8所示,能够在金属板64的第1面64a上形成第1抗蚀剂图案65a,在金属板64的第2面64b上形成第2抗蚀剂图案65b。
接着,如图9所示,实施如下第1面蚀刻工序,使用第1蚀刻液对金属板64的第1面64a中的未被第1抗蚀剂图案65a覆盖的区域进行蚀刻。由此,在金属板64的第1面64a上形成多个第1凹部30。作为第1蚀刻液,例如使用含有氯化铁溶液和盐酸的蚀刻液。
接着,如图10所示,实施如下第2面蚀刻工序,对金属板64的第2面64b中的未被第2抗蚀剂图案65b覆盖的区域进行蚀刻,在第2面64b上形成第2凹部35。实施第2面蚀刻工序,直至第1凹部30和第2凹部35相互相通从而形成贯通孔25为止。作为第2蚀刻液,与上述第1蚀刻液同样地,例如使用含有氯化铁溶液和盐酸的蚀刻液。另外,在第2面蚀刻工序时,如图10所示,可以通过对第2蚀刻液具有耐性的树脂69覆盖第1凹部30。
然后,如图11所示,将树脂69从金属板64去除。树脂69例如可以通过使用碱系剥离液进行去除。在使用碱系剥离液的情况下,如图11所示,抗蚀剂图案65a、65b也与树脂69一起被去除。另外,也可以在将树脂69去除之后,使用与用于剥离树脂69的剥离液不同的剥离液,与树脂69分开地将抗蚀剂图案65a、65b去除。
然后,将金属板64中的形成有与一张蒸镀掩模20相对应的多个贯通孔25的部分从金属板64分离,由此能够得到蒸镀掩模20。
接着,对制造框架15的方法进行说明。
框架的制造方法
首先,参照图12A和图12B对制造框架15的方法进行说明。
首先,如图12A所示,准备金属板150。
接着,对金属板150实施切削等机械加工,从而得到框架15,如图12B所示,框架15具有:正面15b;背面15c,其与正面15b对置;外侧面15d,其在正面15b与背面15c之间扩展;以及内侧面15e,其面向开口部15a,在比外侧面15d靠内侧的位置在正面15b与背面15c之间扩展。另外,此时对金属板150实施切削等机械加工,从而在框架15的正面15b中的与开口部15a分开的位置形成多个收纳部15f。这样,制作出框架15。另外,框架15可以使用铸模或3D打印机进行制作。
蒸镀掩模装置的制造方法
接着,实施如下焊接工序,将上述那样得到的蒸镀掩模20焊接于框架15。由此,能够得到具有蒸镀掩模20和框架15的蒸镀掩模装置10。
这种情况下,首先将蒸镀掩模20配置在框架15上。接着,例如通过未图示的焊接装置,从蒸镀掩模20的第1面20a侧照射激光。由此,如图5A和图5B所示,蒸镀掩模20的边部17的一部分和框架15的一部分发生熔融,形成从边部17的第1面20a经由第2面20b而到达框架15的熔融区域19f。该熔融区域19f跨越边部17和框架15。
作为激光,例如可以使用由YAG激光装置生成的YAG激光。作为YAG激光装置,例如可以使用具有在YAG(钇·铝·石榴石)中添加Nd(钕)而成的结晶来作为振荡用介质的激光装置。这种情况下,作为基波,生成波长约为1064nm的激光。另外,使基波通过非线性光学结晶,从而生成波长约为532nm的第2高次谐波。另外,使基波和第2高次谐波通过非线性光学结晶,从而生成波长约为355nm的第3高次谐波。
YAG激光的第3高次谐波容易被含镍的铁合金吸收。因此,为了高效地使蒸镀掩模20的边部17和框架15的一部分熔融,优选激光包含YAG激光的第3高次谐波。
当结束了激光照射时,熔融区域19f的温度降低,熔融区域19f发生固化而成为焊接痕19a。由此,蒸镀掩模20的边部17与框架15通过焊接痕19a而相互接合。这样,能够得到如下蒸镀掩模装置10,其具有框架15和通过接合部19而与框架15接合的蒸镀掩模20。
然后,蒸镀掩模20的边部17在框架15的开口部15a与收纳部15f之间被切断,边部17的一部分被去除。
蒸镀材料的蒸镀方法
接着,主要参照图13A~图14B对使用通过上述工序得到的蒸镀掩模装置10将蒸镀材料98蒸镀至有机EL基板92的蒸镀材料的蒸镀方法进行说明。
首先,准备通过上述工序得到的蒸镀掩模装置10。即,如图13A所示,准备如下蒸镀装置90,其具有该蒸镀掩模装置10、收纳有蒸镀材料98的坩埚94和加热器96。
接着,如图13B所示,一边通过保持部件92A对有机EL基板92进行保持一边进行有机EL基板92的定位而将有机EL基板92设置于框架15。这种情况下,例如直接观察有机EL基板92的未图示的对准标记和蒸镀掩模20的未图示的对准标记,按照该对准标记彼此重叠的方式进行有机EL基板92的定位。或者,可以通过未图示的控制装置,分别测定有机EL基板92的对准标记的中心位置坐标和蒸镀掩模20的对准标记的中心位置坐标,按照这些中心位置坐标成为规定的位置关系的方式进行有机EL基板92的定位。此时,如图14A所示,保持部件92A的至少一部分被收纳于框架15的收纳部15f。因此,能够抑制框架15与保持部件92A发生干涉,从而能够将有机EL基板92相对于蒸镀掩模装置10设置于期望的位置。
另外,能够收纳保持部件92A的至少一部分的多个收纳部15f分散地设置于框架15的正面15b。因此,能够使框架15中的具有厚度S1的未设置收纳部15f的部分分布至框架15的整个区域。由此,能够减小由于在框架15上设置收纳部15f而产生的框架15的强度降低的程度。因此,能够抑制由于从蒸镀掩模20施加的力而使框架15产生挠曲等变形。由此,能够使用支承于框架15的蒸镀掩模20精度良好地将蒸镀材料98蒸镀至有机EL基板92。
另外,多个收纳部15f形成于外侧面15d与内侧面15e之间,在框架15的正面15b上,在收纳部15f的外侧能够确保厚度S1的区域,能够有效地抑制框架15的强度降低。
接着,将蒸镀材料98蒸镀至设置于框架15的有机EL基板92上。此时,例如如图14B所示,在有机EL基板92的与蒸镀掩模20相反的一侧的面上配置有磁铁93。通过像这样设置磁铁93,通过磁力将蒸镀掩模20向磁铁93侧吸引而能够使蒸镀掩模20与有机EL基板92密合。接着,加热器96对坩埚94进行加热而使蒸镀材料98蒸发。并且,从坩埚94蒸发而到达蒸镀掩模装置10的蒸镀材料98通过蒸镀掩模20的贯通孔25而附着于有机EL基板92(参照图1A)。另外,此时保持部件92A可以从有机EL基板92取下。
这样,以与蒸镀掩模20的贯通孔25的位置相对应的期望的图案将蒸镀材料98蒸镀至有机EL基板92。
根据本实施方式,在框架15的正面15b中的与开口部15a分开的位置形成有能够收纳保持部件92A的至少一部分的多个收纳部15f。由此,在将有机EL基板92设置于蒸镀掩模装置10时,能够抑制保持部件92A与框架15发生干涉。另外,收纳部15f形成于与开口部15a分开的位置,因此能够确保接合部19,能够提高蒸镀掩模20的接合部19的焊接强度。另外,在框架15的正面15b上形成有多个收纳部15f。即,在多个收纳部15f之间,确保厚度S1的区域,能够使框架15中的具有厚度S1的未设置收纳部15f的部分分布至框架15的整个区域。由此,能够减小由于在框架15上设置收纳部15f而产生的框架15的强度降低的程度,能够抑制由于从蒸镀掩模20施加的力而使框架15产生挠曲等变形。由此,能够使用支承于框架15的蒸镀掩模20精度良好地将蒸镀材料98蒸镀至有机EL基板92。
另外,根据本实施方式,多个收纳部15f形成于开口部15a与外侧面15d之间。由此,在框架15的正面15b上,在收纳部15f的外侧能够确保厚度S1的区域,能够有效地抑制框架15的强度降低。
另外,可以对上述实施方式施加各种变更。以下,根据需要参照附图对变形例进行说明。在以下的说明和以下的说明所用的附图中,对于能够与上述实施方式同样地构成的部分,使用与对上述实施方式中的对应的部分所用的标号相同的标号,并省略了重复的说明。另外,当明确在变形例中也能得到在上述实施方式中得到的作用效果的情况下,有时也省略了其说明。
(蒸镀掩模的制造方法的变形例)
在上述本实施方式和变形例中,对通过蚀刻制作蒸镀掩模20的例子进行了说明。但是,为了制作蒸镀掩模20而采用的方法不限于蚀刻。例如如上述专利文献2所公开的那样,可以通过镀覆处理在金属板上形成贯通孔25,由此制作蒸镀掩模20。
(边部的变形例)
在上述本实施方式和变形例中,示出了蒸镀掩模20的边部17的厚度与中间部18的厚度相同的例子。但是,不限于此,边部17的厚度与中间部18的厚度可以不同。例如如图15所示,边部17的厚度可以比中间部18的厚度厚。另外,虽未图示,但例如边部17的厚度可以比中间部18的厚度薄。
(框架的第1变形例)
在上述本实施方式中,对框架15的多个收纳部15f形成于开口部15a与外侧面15d之间的例子进行了说明。但是,不限于此,也可以如图16所示,多个收纳部15f延伸至外侧面15d。这种情况下,通过多个收纳部15f相互分开地设置,也能够抑制框架15的强度降低。
(框架的第2变形例)
在上述本实施方式和变形例中,对框架15的多个收纳部15f形成于开口部15a与外侧面15d之间的例子进行了说明。但是,不限于此,也可以如图17A所示,多个收纳部15f形成为围绕开口部15a。即,开口部15a具有包含四条边在内的矩形状的形状,多个收纳部15f可以沿着开口部15a的四边进行排列。另外,这种情况下,在将上述有机EL基板92设置于框架15的工序中,可以利用保持部件92A对有机EL基板92的四边进行保持。
但是,在将有机EL基板92设置于框架15的工序中,有时在有机EL基板92与蒸镀掩模20之间混入空气而使有机EL基板92产生挠曲等。这种情况下,难以将蒸镀材料98蒸镀至有机EL基板92的期望的位置。
与此相对,根据本变形例,多个收纳部15f形成为围绕开口部15a,从而在将有机EL基板92设置于框架15的工序中,能够利用保持部件92A对有机EL基板92的四边进行保持。由此,在将有机EL基板92设置于框架15的工序中,能够抑制在有机EL基板92与蒸镀掩模20之间混入空气。即,如图17B所示,通过利用保持部件92A对有机EL基板92的四边进行保持,有机EL基板92由于有机EL基板92的自重而发生挠曲,使得有机EL基板92的中心的附近位于最下方。这种情况下,在有机EL基板92与蒸镀掩模20接触时,能够按照有机EL基板92与蒸镀掩模20进行点接触的方式使有机EL基板92与蒸镀掩模20接触。并且,一边利用保持部件92A对有机EL基板92的四边进行保持一边使有机EL基板92慢慢降低,从而能够抑制在有机EL基板92与蒸镀掩模20之间混入空气。另外,在将有机EL基板92设置于框架15的工序中,能够降低在有机EL基板92上产生的挠曲,能够进行有机EL基板92的稳定的传送,并且能够降低有机EL基板92破损的危险性。特别是在大型(例如G5.5Q尺寸、或G6H尺寸)的有机EL基板92、厚度为0.5mm以下的程度的薄有机EL基板92中,也能够进行有机EL基板92的稳定的传送,并且能够降低有机EL基板92破损的危险性。
另外,这种情况下,如图17C所示,可以不在框架15的四角设置收纳部15f。这里,框架15的四角是指在俯视时由使开口部15a的四边延长至框架15的外侧面15d的假想线X和该外侧面15d围成的区域R(图17C的无光面所示的区域)。但是,在框架15上设置有用于在将蒸镀掩模20接合于框架15时进行蒸镀掩模20的定位的对准标记M。该对准标记M设置于在将蒸镀掩模20接合于框架15之后在俯视时不与蒸镀掩模20重叠的位置。另外,在进行蒸镀掩模20的定位时,期望蒸镀掩模20的全部有效区域22配置于规定的位置,为了容易地进行对全部有效区域22的对位,优选对准标记M设置于框架15的四角。因此,如本变形例,通过不在框架15的四角设置收纳部15f,能够可靠地在框架15的四角形成对准标记M,从而能够容易地进行蒸镀掩模20的定位。
(框架的第3变形例)
在上述本实施方式和变形例中,示出了蒸镀掩模装置10使用在框架15上分配多个蒸镀掩模20的蒸镀掩模装置10的例子。但是,不限于此,如图18所示,蒸镀掩模装置10可以使用具有呈格子状配置的多个有效区域22的单个蒸镀掩模20。
(框架的第4变形例)
在上述本实施方式和变形例中,对框架15中的具有厚度S1(参照图5B)的部分分布至框架15的整个区域的例子进行了说明。但是,不限于此,如图19和图20所示,也可以是,框架15的正面15b包含:第1正面15g,其位于内侧面15e侧;以及第2正面(即第5面)15h,其位于外侧面15d侧并且位于比第1正面15g靠背面15c侧的位置,第1正面15g和第2正面15h经由中间面15i而相互连结,收纳部15f形成于第1正面15g并且延伸至中间面15i。
这种情况下,从框架15中的第2正面15h至背面15c的厚度与从第1正面15g至背面15c的厚度相比均匀变小。在图20中,标号S3表示从第1正面15g至背面15c的厚度,标号S4表示从第2正面15h至背面15c的厚度。厚度S4根据保持部件92A的尺寸来设定,以便能够抑制保持部件92A与框架15发生干涉。例如,厚度S4可以为2mm以上,可以为5mm以上,可以为7mm以上,可以为10mm以上。另外,厚度S4可以为20mm以下,可以为18mm以下,可以为15mm以下,可以为12mm以下。厚度S4的范围可以通过上述多个上限的候补值中的任意一个和上述多个下限的候补值中的任意一个的组合来设定。例如,厚度S4的范围可以为2mm以上20mm以下,可以为5mm以上18mm以下,可以为7mm以上15mm以下,可以为10mm以上12mm以下。另外,厚度S4的范围可以通过上述多个上限的候补值中的任意两个的组合来设定。例如,厚度S4的范围可以为15mm以上18mm以下。另外,厚度S4的范围可以通过上述多个下限的候补值中的任意两个的组合来设定。例如,厚度S4的范围可以为7mm以上10mm以下。
从第1正面15g至背面15c的厚度S3设定成能够抑制使框架15产生挠曲等变形,例如,厚度S3可以为5mm以上,可以为10mm以上,可以为15mm以上,可以为20mm以上。另外,厚度S3可以为35mm以下,可以为30mm以下,可以为25mm以下,可以为20mm以下。厚度S3的范围可以通过上述多个上限的候补值中的任意一个和上述多个下限的候补值中的任意一个的组合来设定。例如,厚度S3的范围可以为5mm以上35mm以下,可以为10mm以上30mm以下,可以为15mm以上25mm以下。另外,厚度S3的范围可以通过上述多个上限的候补值中的任意两个的组合来设定。例如,厚度S3的范围可以为20mm以上30mm以下。另外,厚度S3的范围可以通过上述多个下限的候补值中的任意两个的组合来设定。例如,厚度S3的范围可以为10mm以上15mm以下。另外,厚度S3可以根据从第2正面15h至背面15c的厚度S4来设定。例如,厚度S3可以为1.5×S4以上3.0×S4以下。
优选框架15的第1正面15g的面积中的设置有多个收纳部15f的部分的面积的比例(收纳部率)设定成能够抑制使框架15产生挠曲等变形。收纳部率例如可以为5%以上,可以为7%以上,可以为9%以上。另外,收纳部率可以为15%以下,可以为13%以下,可以为11%以下。收纳部率的范围可以通过上述多个上限的候补值中的任意一个和上述多个下限的候补值中的任意一个的组合来设定。例如,收纳部率的范围可以为5%以上15%以下,可以为7%以上13%以下,可以为9%以上11%以下。另外,收纳部率的范围可以通过上述多个上限的候补值中的任意两个的组合来设定。例如,收纳部率的范围可以为11%以上15%以下。另外,收纳部率的范围可以通过上述多个下限的候补值中的任意两个的组合来设定。例如,收纳部率的范围可以为5%以上9%以下。
这种情况下,按照收纳部15f收纳保持部件92A的至少一部分的方式、或按照保持部件92A位于框架15的第2正面15h上的方式将有机EL基板92设置于蒸镀掩模装置10,也能够抑制保持部件92A与框架15发生干涉。
(框架的第5变形例)
在上述本实施方式和变形例中,示出了多个收纳部15f形成于蒸镀掩模20的一对端部20e的外侧的例子。但是,不限于此,如图21和图22所示,多个收纳部15f可以形成于蒸镀掩模20的一对端部20e的内侧。这种情况下,可以是各个收纳部15f的整体形成于蒸镀掩模20的一对端部20e的内侧,也可以是仅各个收纳部15f的一部分形成于蒸镀掩模20的一对端部20e的内侧。另外,这种情况下,多个收纳部15f按照位于多个蒸镀掩模20之间的方式分散地设置于框架15的正面15b。另外,这种情况下,有机EL基板92可以位于形成接合部19的部分的内侧,而不延伸至比蒸镀掩模20中的形成接合部19的部分靠外侧的位置。
但是,如上所述,在将蒸镀掩模20焊接于框架15之后,蒸镀掩模20的边部17的一部分被去除。因此,在蒸镀掩模20的一对端部20e有可能产生由切断所导致的毛边。这样在一对端部20e产生毛边的情况下,由于毛边会使蒸镀掩模20与有机EL基板92的密合性降低,会成为蒸镀不良的主要原因。对此,根据本变形例,多个收纳部15f形成于蒸镀掩模20的一对端部20e的内侧并且按照位于多个蒸镀掩模20之间的方式分散地设置于框架15的正面15b。因此,能够将有机EL基板92定位于比蒸镀掩模20中的形成接合部19的部分靠内侧的位置,能够抑制有机EL基板92与蒸镀掩模20的一对端部20e重叠。因此,即使在蒸镀掩模20的一对端部20e产生毛边的情况下,也能够防止毛边所导致的蒸镀掩模20与有机EL基板92的密合性的降低,能够避免蒸镀不良。
(框架的第6变形例)
在上述本实施方式和变形例中,示出了框架15的正面15b中的位于收纳部15f的内侧的正面151b和位于收纳部15f的外侧的正面152b在沿着第1面20a的法线方向N观察的情况下位于同一正面上的例子。但是,不限于此。如下所示,框架15可以具有各种形状。例如如图23A所示,框架15的正面15b中的位于收纳部15f的外侧的正面152b可以位于比位于收纳部15f的内侧的正面151b靠蒸镀掩模20侧的位置。这种情况下,能够增厚框架15中的位于收纳部15f的外侧的部分的厚度,能够提高框架15的强度。另外,如图23B所示,框架15的正面15b中的位于收纳部15f的内侧的正面151b可以位于比位于收纳部15f的外侧的正面152b靠蒸镀掩模20侧的位置。这种情况下,也能够抑制保持部件92A与框架15发生干涉。另外,如图23C所示,框架15的正面15b中的位于收纳部15f的外侧的正面152b的一部分在沿着第1面20a的法线方向N观察的情况下例如可以随着朝向外侧而向框架15的背面15c侧倾斜。另外,这种情况下,如图23D所示,框架15的正面15b中的位于收纳部15f的外侧的正面152b的一部分在沿着第1面20a的法线方向N观察的情况下可以具有曲线形状。这种情况下,也能够抑制保持部件92A与框架15发生干涉。
另外,如图23E~图23G所示,收纳部15f可以延伸至外侧面15d,收纳部15f的面151f随着朝向外侧而向蒸镀掩模20侧倾斜。这种情况下,如图23E所示,收纳部15f的端部在沿着第1面20a的法线方向N观察的情况下,可以与框架15的正面15b中的位于收纳部15f的内侧的正面151b位于同一平面上。另外,如图23F所示,收纳部15f的端部可以位于比框架15的正面15b中的位于收纳部15f的内侧的正面151b靠蒸镀掩模20侧的位置。这种情况下,收纳部15f的面151f(即第5面)的一部分可以位于比框架15的正面15b中的位于收纳部15f的内侧的正面151b靠蒸镀掩模20侧的位置。另外,如图23G所示,可以位于比正面151b靠框架15的背面15c侧的位置。这种情况下,也能够抑制保持部件92A与框架15发生干涉。
另外,如图23H所示,收纳部15f可以包含随着朝向内侧而向蒸镀掩模20侧倾斜的倾斜部(参照图23H的虚线)152f。这种情况下,在框架15的收纳部15f中,能够增厚框架15的厚度,能够提高框架15的强度。另外,这种情况下,如图23I所示,多个收纳部15f也可以延伸至外侧面15d。这种情况下,在框架15的收纳部15f中,也能够增厚框架15的厚度,能够提高框架15的强度。另外,如图23J所示,倾斜部152f可以形成为在沿着第1面20a的法线方向N观察的情况下与框架15的正面15b和收纳部15f的面151f平滑地连接。另外,如图23K所示,倾斜部152f的形状在沿着第1面20a的法线方向N观察的情况下,可以具有波浪形状。另外,如图23L所示,倾斜部152f的形状在沿着第1面20a的法线方向N观察的情况下,可以具有曲线形状。
(框架的第7变形例)
另外,如图24所示,在一个收纳部15f中可以收纳有多个保持部件92A。在图示的例子中,在一个收纳部15f中收纳有两个保持部件92A。另外,收纳于一个收纳部15f的保持部件92A的个数可以为三个以上。这样,当在一个收纳部15f中收纳多个保持部件92A的情况下,能够增大各个收纳部15f的俯视时的面积,并且能够减少收纳部15f的个数。因此,能够容易地进行制作框架15的工序。
(保持部件的变形例)
在上述本实施方式和变形例中,示出了保持部件92A是对有机EL基板92进行夹持的夹具的例子。但是,不限于此。例如可以如图25A所示,保持部件92A构成为对有机EL基板92的面中的蒸镀掩模20侧的面进行支承,而不对有机EL基板92进行夹持。这种情况下,也能够利用保持部件92A对有机EL基板92进行保持。另外,这种情况下,如图25B所示,保持部件92A可以包含用于将有机EL基板92粘接于保持部件92A的粘接部件921。这种情况下,能够将有机EL基板92粘接至保持部件92A,因此能够利用保持部件92A有效地对有机EL基板92进行保持。
Claims (8)
1.一种蒸镀掩模装置,其至少临时与保持部件所保持的基板组合,其特征在于,该蒸镀掩模装置具有:
蒸镀掩模,其包含从位于所述基板侧的第1面至位于所述第1面的相反侧的第2面的多个掩模贯通孔;以及
框架,其设置有与所述蒸镀掩模的一部分重叠的开口部并且对所述蒸镀掩模进行支承,
所述框架具有:
正面,其面向所述蒸镀掩模的所述第2面;
背面,其与所述正面对置;
外侧面,其在所述正面与所述背面之间扩展;以及
内侧面,其面向所述开口部,在比所述外侧面靠内侧的位置在所述正面与所述背面之间扩展,
在所述框架的所述正面中的远离所述开口部的位置形成有能够收纳所述保持部件的至少一部分的多个收纳部。
2.根据权利要求1所述的蒸镀掩模装置,其特征在于,
多个所述收纳部形成于所述开口部与所述外侧面之间。
3.根据权利要求1所述的蒸镀掩模装置,其特征在于,
多个所述收纳部延伸至所述外侧面。
4.根据权利要求1所述的蒸镀掩模装置,其特征在于,
所述框架的所述正面包含:
第1正面,其位于所述内侧面侧;以及
第2正面,其位于所述外侧面侧并且位于比所述第1正面靠所述背面侧的位置,
所述第1正面与所述第2正面经由中间面而相互连结,
所述收纳部形成于所述第1正面并且延伸至所述中间面。
5.根据权利要求1所述的蒸镀掩模装置,其特征在于,
多个所述收纳部形成为围绕所述开口部。
6.根据权利要求1所述的蒸镀掩模装置,其特征在于,
所述蒸镀掩模包含焊接于所述框架的所述正面的接合部,
所述接合部的至少一部分位于所述开口部与所述收纳部之间。
7.根据权利要求1所述的蒸镀掩模装置,其特征在于,
各个所述收纳部的至少一部分形成于比所述蒸镀掩模的长度方向上的一对端部靠内侧的位置。
8.一种蒸镀掩模装置,其特征在于,具有:
蒸镀掩模,其具有第1面和位于所述第1面的相反侧的第2面;以及
框架,其具有位于所述蒸镀掩模侧的第3面和位于所述第3面的相反侧的第4面,
所述蒸镀掩模与所述框架经由接合部而相互接合,
所述框架还具有位于所述接合部的外侧的第5面,
所述第5面的至少一部分位于比所述第3面靠所述第4面侧的位置,
所述第5面是收纳部的一个面,在将保持部件所保持的基板组合于蒸镀掩模装置时,所述收纳部能够收纳所述保持部件的至少一部分。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017-212018 | 2017-11-01 | ||
JP2017212018 | 2017-11-01 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN209816256U true CN209816256U (zh) | 2019-12-20 |
Family
ID=66331711
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201821792400.0U Expired - Fee Related CN209816256U (zh) | 2017-11-01 | 2018-11-01 | 蒸镀掩模装置 |
CN201811293725.9A Pending CN109750255A (zh) | 2017-11-01 | 2018-11-01 | 蒸镀掩模装置 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201811293725.9A Pending CN109750255A (zh) | 2017-11-01 | 2018-11-01 | 蒸镀掩模装置 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20200291510A1 (zh) |
EP (1) | EP3705600A4 (zh) |
JP (1) | JPWO2019087749A1 (zh) |
KR (1) | KR20200070345A (zh) |
CN (2) | CN209816256U (zh) |
TW (1) | TW201918573A (zh) |
WO (1) | WO2019087749A1 (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109750255A (zh) * | 2017-11-01 | 2019-05-14 | 大日本印刷株式会社 | 蒸镀掩模装置 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102631580B1 (ko) * | 2018-07-03 | 2024-02-01 | 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 | 마스크 및 그 제조 방법 |
CN113169288B (zh) * | 2018-11-19 | 2024-02-20 | Lg伊诺特有限公司 | 合金板和包括合金板的沉积掩模 |
US11805678B2 (en) | 2019-11-21 | 2023-10-31 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device, mask assembly, method of manufacturing the mask assembly, apparatus for manufacturing the display device, and method of manufacturing the display device |
CN113265615A (zh) * | 2021-04-13 | 2021-08-17 | 上海大学 | 用于纳米量热仪定位衬底蒸镀的硅掩模装置 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001234385A (ja) | 2000-02-24 | 2001-08-31 | Tohoku Pioneer Corp | メタルマスク及びその製造方法 |
JP4707271B2 (ja) * | 2001-06-29 | 2011-06-22 | 三洋電機株式会社 | エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
JP2004296309A (ja) * | 2003-03-27 | 2004-10-21 | Tohoku Pioneer Corp | 成膜装置及びこれを用いて製造される有機el素子 |
JP2007131935A (ja) * | 2005-11-14 | 2007-05-31 | Seiko Epson Corp | 基板ホルダ、マスクホルダおよび蒸着装置 |
CN103866235A (zh) * | 2012-12-10 | 2014-06-18 | 上海天马微电子有限公司 | 薄膜蒸镀设备和制造oled显示装置的方法 |
JP5382259B1 (ja) | 2013-01-10 | 2014-01-08 | 大日本印刷株式会社 | 金属板、金属板の製造方法、および金属板を用いて蒸着マスクを製造する方法 |
KR102136788B1 (ko) * | 2013-10-14 | 2020-07-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 증착용 마스크 어셈블리 및 이를 포함하는 증착 장치 |
JP6304412B2 (ja) * | 2017-02-06 | 2018-04-04 | 大日本印刷株式会社 | 金属フレーム付き蒸着マスクの製造方法、有機半導体素子の製造方法、パターンの形成方法 |
WO2019087749A1 (ja) * | 2017-11-01 | 2019-05-09 | 大日本印刷株式会社 | 蒸着マスク装置 |
-
2018
- 2018-10-15 WO PCT/JP2018/038261 patent/WO2019087749A1/ja unknown
- 2018-10-15 KR KR1020207014263A patent/KR20200070345A/ko unknown
- 2018-10-15 JP JP2019551014A patent/JPWO2019087749A1/ja active Pending
- 2018-10-15 EP EP18872879.4A patent/EP3705600A4/en not_active Withdrawn
- 2018-10-17 TW TW107136450A patent/TW201918573A/zh unknown
- 2018-11-01 CN CN201821792400.0U patent/CN209816256U/zh not_active Expired - Fee Related
- 2018-11-01 CN CN201811293725.9A patent/CN109750255A/zh active Pending
-
2020
- 2020-04-23 US US16/856,183 patent/US20200291510A1/en not_active Abandoned
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109750255A (zh) * | 2017-11-01 | 2019-05-14 | 大日本印刷株式会社 | 蒸镀掩模装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN109750255A (zh) | 2019-05-14 |
EP3705600A1 (en) | 2020-09-09 |
JPWO2019087749A1 (ja) | 2020-11-26 |
TW201918573A (zh) | 2019-05-16 |
WO2019087749A1 (ja) | 2019-05-09 |
EP3705600A4 (en) | 2021-07-14 |
KR20200070345A (ko) | 2020-06-17 |
US20200291510A1 (en) | 2020-09-17 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20191220 Termination date: 20201101 |