CN209288995U - 一种研磨过程中减少硅片破裂的装置 - Google Patents

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高威
贺贤汉
徐红林
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Shanghai Zhongxin Wafer Semiconductor Technology Co ltd
Hangzhou Semiconductor Wafer Co Ltd
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Shanghai Shenhe Thermo Magnetics Electronics Co Ltd
Hangzhou Semiconductor Wafer Co Ltd
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Abstract

本实用新型提供一种研磨过程中减少硅片破裂的装置，包括一钢制的游星轮，游星轮的边缘等间距开设有梯形缺口，游星轮的外侧套设有一环状的缓冲层，缓冲层的内侧设有与梯形缺口相匹配的梯形凸起，缓冲层与游星轮通过机械压合；梯形缺口的上底宽2.5mm、下底宽5mm、高2.5mm，且梯形缺口是一等腰梯形。

Description

一种研磨过程中减少硅片破裂的装置
技术领域
本实用新型涉及半导体领域，具体涉及一种研磨过程中减少硅片破裂的装置。
背景技术
研磨也称磨片，在研磨机上用研磨液将硅片研磨成具有一定厚度和光洁度的工艺。有单面研磨和双面研磨两种方式。
研磨在硅片制备过程中占有重要地位，在这道工序中由于机械加工强度大，机械损伤问题严重，废品率较高，会对后续工艺造成严重影响。因此需要改善研磨过程中的机械加工损伤，提高制程良率。
游星轮是应用在研磨工序的硅片载体，在研磨过程中会与硅片发生无规律的碰撞；游星轮多使用轧钢材料，硬度较高，容易导致硅片破裂。
实用新型内容
针对现有技术存在的问题，本实用新型提供一种研磨过程中减少硅片破裂的装置，以解决硅片载体硬度高容易导致硅片破裂的问题。
本实用新型的技术方案是：一种研磨过程中减少硅片破裂的装置，其特征在于，包括一钢制的游星轮，所述游星轮的边缘等间距开设有梯形缺口，所述游星轮的外侧套设有一环状的缓冲层，所述缓冲层的内侧设有与所述梯形缺口相匹配的梯形凸起，所述缓冲层与所述游星轮通过机械压合；
所述梯形缺口的上底宽2.5mm、下底宽5mm、高2.5mm，且所述梯形缺口是一等腰梯形。
本实用新型通过在游星轮与硅片接触区域增加缓冲区，既保持载体强度，又可增加硅片与游星轮撞击后的缓冲，起到保护硅片的作用。本实用新型限定梯形缺口的尺寸是因为该尺寸能够使游星轮与缓冲区的嵌合程度最佳。
所述缓冲层是一树脂材料制成的环状体。
所述缓冲层的内径为200mm。
所述梯形缺口的数量为70个。提高了两者的接触面积，是压合更紧密。
附图说明
图1为本实用新型装置的结构框图。
图中：1.缓冲层，2.游星轮。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型做进一步的说明。
参照图1，一种研磨过程中减少硅片破裂的装置，包括一钢制的游星轮2，游星轮的边缘等间距开设有梯形缺口，游星轮的外侧套设有一环状的缓冲层1，缓冲层的内侧设有与梯形缺口相匹配的梯形凸起，缓冲层与游星轮通过机械压合；梯形缺口的上底宽2.5mm、下底宽 5mm、高2.5mm，且梯形缺口是一等腰梯形。本实用新型通过在游星轮与硅片接触区域增加缓冲区，既保持载体强度，又可增加硅片与游星轮撞击后的缓冲，起到保护硅片的作用。本实用新型限定梯形缺口的尺寸是因为该尺寸能够使游星轮与缓冲区的嵌合程度最佳。缓冲层是一树脂材料制成的环状体。缓冲层的内径为200mm。梯形缺口的数量为70个。提高了两者的接触面积，是压合更紧密。
以上仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。

Claims (4)

1.一种研磨过程中减少硅片破裂的装置，其特征在于，包括一钢制的游星轮，所述游星轮的边缘等间距开设有梯形缺口，所述游星轮的外侧套设有一环状的缓冲层，所述缓冲层的内侧设有与所述梯形缺口相匹配的梯形凸起，所述缓冲层与所述游星轮通过机械压合；
所述梯形缺口的上底宽2.5mm、下底宽5mm、高2.5mm，且所述梯形缺口是一等腰梯形。
2.根据权利要求1所述的一种研磨过程中减少硅片破裂的装置，其特征在于：所述缓冲层是一树脂材料制成的环状体。
3.根据权利要求2所述的一种研磨过程中减少硅片破裂的装置，其特征在于：所述环状体的内径为200mm。
4.根据权利要求1所述的一种研磨过程中减少硅片破裂的装置，其特征在于：所述梯形缺口的数量为70个。
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