CN209227022U - 高频热处理装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供一种高频热处理装置，用于解决现有技术中淬火设备无法满足工艺要求的问题。本实用新型提供一种高频热处理装置，包括：第一导电件，第二导电件，所述第一导电件和所述第二导电件之间通过绝缘体隔离；第一施感导体，所述第一施感导体一端和第一导电件固定，所述第一施感导体另一端和所述第二导电件固定，且所述第一施感导体弯曲为圆形；所述第一导电件、所述第二导电件和所述第一施感导体均为中空结构，所述第一导电件、所述第二导电件和所述第一施感导体依次连通形成冷却液通道。具有加热均匀的效果。
Description
技术领域
本实用新型涉及热处理设备领域，特别是涉及一种高频热处理装置。
背景技术
活塞杆是压缩机完成往复运动的关键零件之一。活塞杆的整个工作状态是往复运动，要求活塞杆芯部要有良好的综合机械性能，有足够的强度和韧性；而活塞杆表面要求有高的硬度和高耐磨性。为了达到活塞杆这一复杂而高要求的目的，活塞杆必须进行调质以满足芯部良好的综合机械性能，而调质后必须进行表面高频淬火才能满足活塞杆表面的高硬度高耐磨性。高频淬火必须要用高频线圈。原来采用单匝线圈，但单匝线圈在连续顺序加热时能量损耗大，如果施感导体低硬度达不到要求，淬硬层也达不到要求；如果施感导体高能量损耗大加热不均匀导致硬度不均匀。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种高频热处理装置，用于解决现有技术中淬火设备无法满足工艺要求的问题。
为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种高频热处理装置，包括：
第一导电件，
第二导电件，所述第一导电件和所述第二导电件之间通过绝缘体隔离；
第一施感导体，所述第一施感导体一端和第一导电件固定，所述第一施感导体另一端和所述第二导电件固定，且所述第一施感导体弯曲为圆形；
所述第一导电件、所述第二导电件和所述第一施感导体均为中空结构，所述第一导电件、所述第二导电件和所述第一施感导体依次连通形成冷却液通道。
可选的，所述第一导电件和所述第二导电件上各自固定有连接板，两块所述连接板通过螺栓固定，所述绝缘体将两块所述连接板隔离，所述螺栓外套有绝缘衬套。
可选的，还包括第二施感导体，所述第二施感导体和所述第一施感导体同轴固定；
所述第二施感导体为中空密封结构，所述第二施感导体上设有至少一个进水管；
所述第二施感导体远离所述第一施感导体的一侧设有多个出水口，所述出水口和所述第二施感导体所在的平面成锐角。
可选的，所述出水口和所述第二施感导体所在的平面成45度角。
可选的，所述第一施感导体和所述第二施感导体的内壁均为柱面结构。
可选的，所述第一施感导体和所述第二施感导体均为方管。
可选的，所述第一施感导体为圆管。
可选的，所述第一施感导体横截面为多边形。
可选的，所述进水管有两个，且两个所述进水管间隔180度。
可选的，所述出水口在所述第二施感导体的周向上间隔2mm均匀排列。
如上所述，本实用新型的高频热处理装置，至少具有以下有益效果：
能够持续加热，同时具有散热系统，避免施感导体过热损坏，保证了热处理效果。
通过柱面内壁的设置，使得加热面积更大加热更加的均匀。
通过出水口的设置，使得在加热以后，可以进行淬火处理，且可以连续加热和连续淬火，工作效率高。
附图说明
图1显示为本实用新型的高频热处理装置的正视图。
图2显示为图1中A-A的剖视图。
图3显示为本实用新型的高频热处理装置的侧视图。
元件标号说明
1 第一导电件
2 第二导电件
3 绝缘体
4 第一施感导体
21 连接板
211 螺栓
2111 绝缘衬套
5 第二施感导体
51 进水管
52 出水口
具体实施方式
以下由特定的具体实施例说明本实用新型的实施方式，熟悉此技术的人士可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本实用新型的其他优点及功效。
请参阅图1至图3。须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本实用新型可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本实用新型所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本实用新型所揭示的技术内容能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中间”及“一”等的用语，亦仅为便于叙述的明了，而非用以限定本实用新型可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更技术内容下，当亦视为本实用新型可实施的范畴。
以下各个实施例仅是为了举例说明。各个实施例之间，可以进行组合，其不仅仅限于以下单个实施例展现的内容。
请参阅图1至图3，本实施例中，本实用新型提供一种高频热处理装置，包括：
第一导电件1，
第二导电件2，所述第一导电件1和所述第二导电件2之间通过绝缘体3隔离；
第一施感导体4，所述第一施感导体4一端和第一导电件1固定，所述第一施感导体4 另一端和所述第二导电件2固定，且所述第一施感导体4弯曲为圆形；
所述第一导电件1、所述第二导电件2和所述第一施感导体4均为中空结构，所述第一导电件1、所述第二导电件2和所述第一施感导体4依次连通形成冷却液通道。
在使用时，第一导电件1和第二导电件2分别和接正负极，在第一施感导体4处产生磁感应，对工件进行加热，实现热处理。通过冷却液通道的设置，对第一施感导体4进行降温，避免其过热损坏，保证加热的可持续进行。
请参阅图1至图3，本实施例中，所述第一导电件1和所述第二导电件2上各自固定有连接板21，两块所述连接板21通过螺栓211固定，所述绝缘体3将两块所述连接板21隔离，所述螺栓211外套有绝缘衬套2111。
请参阅图1至图3，本实施例中，还包括第二施感导体5，所述第二施感导体5和所述第一施感导体4同轴固定；
所述第二施感导体5为中空密封结构，所述第二施感导体5上设有至少一个进水管51；
所述第二施感导体5远离所述第一施感导体4的一侧设有多个出水口52，所述出水口52 和所述第二施感导体5所在的平面成锐角。
能够达到高硬度高耐磨性和硬度均匀性良好以及提高淬硬层深度的目的。因为当直径相等、高度相等、感应圈两端输入电压相同时，电流大小也相同，而单匝改双匝后，显然感应圈所产生的安匝数(即磁力数)的密度有增加，因而能提高感应圈的效率。加热以后还可以从出水口52出水喷向工件，实现连续淬火。
请参阅图1至图3，本实施例中，所述出水口52和所述第二施感导体5所在的平面成45 度角。
请参阅图1至图3，本实施例中，所述第一施感导体4和所述第二施感导体5的内壁均为柱面结构。
请参阅图1至图3，本实施例中，所述第一施感导体4和所述第二施感导体5均为方管。
加热面积更大，且加热更加的均匀。
本实施例中，所述第一施感导体4为圆管。
本实施例中，所述第一施感导体4横截面为多边形。
本实施例中，所述进水管51有两个，且两个所述进水管51间隔180度。保证出水量的均匀性。
本实施例中，所述进水管51有一个。
本实施例中，所述进水管51有多个。
本实施例中，所述出水口52在所述第二施感导体5的周向上间隔2mm均匀排列。
使得淬火过程更贱的均匀。
综上所述，本实用新型能够持续加热，同时具有散热系统，避免施感导体过热损坏，保证了热处理效果。通过柱面内壁的设置，使得加热面积更大加热更加的均匀。通过出水口52 的设置，使得在加热以后，可以进行淬火处理，且可以连续加热和连续淬火，工作效率高。提高工件比如活塞杆的高硬度高耐磨性和硬度的均匀性以及提高淬硬层深度。所以，本实用新型有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
上述实施例仅例示性说明本实用新型的原理及其功效，而非用于限制本实用新型。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本实用新型的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本实用新型所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本实用新型的权利要求所涵盖。
Claims (10)
1.一种高频热处理装置，其特征在于，包括：
第一导电件，
第二导电件，所述第一导电件和所述第二导电件之间通过绝缘体隔离；
第一施感导体，所述第一施感导体一端和第一导电件固定，所述第一施感导体另一端和所述第二导电件固定，且所述第一施感导体弯曲为圆形；
所述第一导电件、所述第二导电件和所述第一施感导体均为中空结构，所述第一导电件、所述第二导电件和所述第一施感导体依次连通形成冷却液通道。
2.根据权利要求1所述的高频热处理装置，其特征在于：所述第一导电件和所述第二导电件上各自固定有连接板，两块所述连接板通过螺栓固定，所述绝缘体将两块所述连接板隔离，所述螺栓外套有绝缘衬套。
3.根据权利要求1所述的高频热处理装置，其特征在于：还包括第二施感导体，所述第二施感导体和所述第一施感导体同轴固定；
所述第二施感导体为中空密封结构，所述第二施感导体上设有至少一个进水管；
所述第二施感导体远离所述第一施感导体的一侧设有多个出水口，所述出水口和所述第二施感导体所在的平面成锐角。
4.根据权利要求3所述的高频热处理装置，其特征在于：所述出水口和所述第二施感导体所在的平面成45度角。
5.根据权利要求3所述的高频热处理装置，其特征在于：所述第一施感导体和所述第二施感导体的内壁均为柱面结构。
6.根据权利要求5所述的高频热处理装置，其特征在于：所述第一施感导体和所述第二施感导体均为方管。
7.根据权利要求1-3任一所述的高频热处理装置，其特征在于：所述第一施感导体为圆管。
8.根据权利要求1-3任一所述的高频热处理装置，其特征在于：所述第一施感导体横截面为多边形。
9.根据权利要求3所述的高频热处理装置，其特征在于：所述进水管有两个，且两个所述进水管间隔180度。
10.根据权利要求3所述的高频热处理装置，其特征在于：所述出水口在所述第二施感导体的周向上间隔2mm均匀排列。
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2018
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