CN209194041U - 一种弧源错开排列的多弧离子镀设备 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及镀膜机技术领域,且公开了一种弧源错开排列的多弧离子镀设备,包括真空室底部的两侧均设置有支撑架的真空室,真空室的内壁上安装有保温层,真空室一侧的底端连通有位于保温层内部的抽气管,真空室和保温层的外壁上共同安装有内部设置有靶材的弧源,真空室的顶部连通有位于保温层内部的进气管,真空室和保温层的顶部共同固定安装有热电偶,真空室底部的中心处转动连接有顶部安装有载物架的载物台。该弧源错开排列的多弧离子镀设备,通过第一衬板、第二衬板、第三衬板和衬垫的配合使用,使得真空室内部在经热电偶进行加热后,装置内部的热量流失率较低保温效果好,基片可以获得良好的膜层组织。
Description
技术领域
本实用新型涉及镀膜机技术领域,具体为一种弧源错开排列的多弧离子镀设备。
背景技术
多弧离子镀作为物理气相沉积技术的一个分支,是在真空蒸镀和真空溅射的基础上发展起来的一门新型涂层制备技术,多弧离子镀是以弧源中的靶材作为靶极,靶材在电弧作用下,产生等离子体,在基体负偏压的作用下加速沉积到基体表面形成薄膜,其中基片必须在保持高温条件下,才有可能获得良好的膜层组织,现有的部分多弧离子镀设备中真空室内部安装的保温层都是单层的保温效果不好,使得基片不能获得良好的膜层组织,影响膜层质量。
实用新型内容
针对背景技术的不足,本实用新型提供了一种弧源错开排列的多弧离子镀设备,具备装置设置多层衬板、真空室保温效果好、镀膜效果好等优点,解决了背景技术提出的问题。
本实用新型提供如下技术方案:一种弧源错开排列的多弧离子镀设备,包括真空室底部的两侧均设置有支撑架的真空室,所述真空室的内壁上安装有保温层,所述真空室一侧的底端连通有位于保温层内部的抽气管,所述真空室和保温层的外壁上共同安装有内部设置有靶材的弧源,所述真空室的顶部连通有位于保温层内部的进气管,所述真空室和保温层的顶部共同固定安装有热电偶,所述真空室底部的中心处转动连接有顶部安装有载物架的载物台,所述载物台的底端通过转接套固定套接有电机,所述真空室位于载物台外侧的内腔底部固定连接有保护板,所述真空室位于弧源下方的内壁处固定安装有垫板。
优选的,所述保温层包括第一衬板,所述第一衬板固定安装在真空室的内壁上,所述第一衬板的内侧固定安装有第二衬板,所述第二衬板的顶部安装有与第一衬板内腔顶部接触的第三衬板,所述第一衬板和第三衬板之间一侧安装有衬垫。
优选的,所述抽气管的数量为十五个,且十五个抽气管环形等距分布在真空室的外壁上。
优选的,所述真空室的一侧通过固定销转动连接有封闭板,所述真空室位于第一衬板一侧的正面固定连接有截面设置为L型的卡板,且真空室通过卡板与第二衬板卡接,所述第二衬板位于卡板顶部的部位设置有异型缺口。
优选的,所述第三衬板的一侧固定连接有位于第一衬板内侧且与第二衬板开设的异性缺口相适配的限位板。
本实用新型具备以下有益效果:
1、该弧源错开排列的多弧离子镀设备,通过第一衬板、第二衬板、第三衬板和衬垫的配合使用,使得真空室内部在经热电偶进行加热后,装置内部的热量流失率较低保温效果好,基片可以获得良好的膜层组织。
2、该弧源错开排列的多弧离子镀设备,通过弧源、载物台和电机的配合使用,使得基片可以进行转动,可以调整基片表面与真空室产生粒子的相对位置,使得基片表面的镀层比较均匀。
附图说明
图1为本实用新型结构示意图;
图2为本实用新型真空室的俯视图;
图3为本实用新型第二衬板的局部示意图;
图4为本实用新型第二衬板侧面的局部示意图。
图中:1、真空室;2、保温层;21、第一衬板;22、第二衬板;23、第三衬板;24、衬垫;3、抽气管;4、弧源;5、进气管;6、热电偶;7、载物台;8、电机;9、保护板;10、垫板。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
如图1所示,一种弧源错开排列的多弧离子镀设备,包括真空室1底部的两侧均设置有支撑架的真空室1,真空室1的内壁上安装有保温层2,真空室1一侧的底端连通有位于保温层2内部的抽气管3,真空室1和保温层2的外壁上共同安装有内部设置有靶材的弧源4,真空室1的顶部连通有位于保温层2内部的进气管5,真空室1和保温层2的顶部共同固定安装有热电偶6,真空室1底部的中心处转动连接有顶部安装有载物架的载物台7,载物台7的底端通过转接套固定套接有电机8,真空室1位于载物台7外侧的内腔底部固定连接有保护板9,真空室1位于弧源4下方的内壁处固定安装有垫板10。
保温层2包括第一衬板21,第一衬板21固定安装在真空室1的内壁上,第一衬板21的内侧固定安装有第二衬板22,第二衬板22的顶部安装有与第一衬板21内腔顶部接触的第三衬板23,第一衬板21和第三衬板23之间一侧安装有衬垫24,通过第一衬板21、第二衬板22、第三衬板23和衬垫24的配合使用,使得装置内部的保温效果好,避免镀膜时真空室1内部的温度流失影响镀膜质量;
如图1和图2所示,其中,抽气管3的数量为十五个,且十五个抽气管3环形等距分布在真空室1的外壁上;
如图2和图4所示,其中,真空室1的一侧通过固定销转动连接有封闭板,真空室1位于第一衬板21一侧的正面固定连接有截面设置为L型的卡板,且真空室1通过卡板与第二衬板22卡接,第二衬板22位于卡板顶部的部位设置有异型缺口,利用卡板使得可对安装在真空室1内部的第二衬板22进行限位;
如图3所示,其中,第三衬板23的一侧固定连接有位于第一衬板21内侧且与第二衬板22开设的异性缺口相适配的限位板,利用限位板使得第三衬板23和第二衬板22之间通过卡板便于进行装配。
装置工作时,将基片件放置于位于载物台7上方的载物架上,关闭真空室1侧面上的密封板,通过弧源4将真空室1的内部抽成真空,打开热电偶6对真空室1的内部进行加热后,接通弧源4,使得弧源4的靶材产生等离子体射向基片表面,启动电机8使得放置于载物台7上的基片随着载物台7转动,调整基片与真空室1之间的位置,使得经真空室1发射的粒子能够均匀的镀在基片表面。
需要说明的是,在本文中,诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来,而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。
尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例,对于本领域的普通技术人员而言,可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型,本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (5)
1.一种弧源错开排列的多弧离子镀设备,包括真空室(1)底部的两侧均设置有支撑架的真空室(1),其特征在于:所述真空室(1)的内壁上安装有保温层(2),所述真空室(1)一侧的底端连通有位于保温层(2)内部的抽气管(3),所述真空室(1)和保温层(2)的外壁上共同安装有内部设置有靶材的弧源(4),所述真空室(1)的顶部连通有位于保温层(2)内部的进气管(5),所述真空室(1)和保温层(2)的顶部共同固定安装有热电偶(6),所述真空室(1)底部的中心处转动连接有顶部安装有载物架的载物台(7),所述载物台(7)的底端通过转接套固定套接有电机(8),所述真空室(1)位于载物台(7)外侧的内腔底部固定连接有保护板(9),所述真空室(1)位于弧源(4)下方的内壁处固定安装有垫板(10)。
2.根据权利要求1所述的一种弧源错开排列的多弧离子镀设备,其特征在于:所述保温层(2)包括第一衬板(21),所述第一衬板(21)固定安装在真空室(1)的内壁上,所述第一衬板(21)的内侧固定安装有第二衬板(22),所述第二衬板(22)的顶部安装有与第一衬板(21)内腔顶部接触的第三衬板(23),所述第一衬板(21)和第三衬板(23)之间一侧安装有衬垫(24)。
3.根据权利要求1所述的一种弧源错开排列的多弧离子镀设备,其特征在于:所述抽气管(3)的数量为十五个,且十五个抽气管(3)环形等距分布在真空室(1)的外壁上。
4.根据权利要求1所述的一种弧源错开排列的多弧离子镀设备,其特征在于:所述真空室(1)的一侧通过固定销转动连接有封闭板,所述真空室(1)位于第一衬板(21)一侧的正面固定连接有截面设置为L型的卡板,且真空室(1)通过卡板与第二衬板(22)卡接,所述第二衬板(22)位于卡板顶部的部位设置有异型缺口。
5.根据权利要求2所述的一种弧源错开排列的多弧离子镀设备,其特征在于:所述第三衬板(23)的一侧固定连接有位于第一衬板(21)内侧且与第二衬板(22)开设的异性缺口相适配的限位板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201821874719.8U CN209194041U (zh) | 2018-11-14 | 2018-11-14 | 一种弧源错开排列的多弧离子镀设备 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201821874719.8U CN209194041U (zh) | 2018-11-14 | 2018-11-14 | 一种弧源错开排列的多弧离子镀设备 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN209194041U true CN209194041U (zh) | 2019-08-02 |
Family
ID=67411630
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201821874719.8U Active CN209194041U (zh) | 2018-11-14 | 2018-11-14 | 一种弧源错开排列的多弧离子镀设备 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN209194041U (zh) |
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