CN209702845U - 薄膜沉积均匀进气装置 - Google Patents
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Abstract
一种薄膜沉积均匀进气装置，放置在靶材和晶圆加热盘之间，固定在靶材下方。本实用新型设计的进气装置包括气环和进气座。所述的气环由两个半圆环组成，所述的进气座有两个；气环与进气座相连，两两相固定，构成圆环状。通过增加进气装置，使反应气体均匀进入反应腔，从而在晶圆表面均匀反应和沉积，改善晶圆表面沉积薄膜的厚度和方阻的均匀性。本装置结构简单、易于安装。
Description
技术领域
本实用新型涉及半导体制造装置技术领域，尤其涉及一种薄膜沉积均匀进气装置。
背景技术
物理气相沉积工艺是半导体制造的关键步骤之一，此步骤工艺对沉积薄膜的阻值均匀性、膜厚均匀性等参数要求较高，如何获得高质量的薄膜材料对半导体制造下一环节十分重要。目前，传统的物理气相沉积工艺，尤其是金属氮化物和氧化物薄膜沉积工艺，所使用的反应气体在腔体内存在分布不均匀的问题，从而导致薄膜厚度和方阻的均匀性不佳；
本实用新型是在常规的物理气相沉积反应腔内部，加入均匀进气装置，优化薄膜的厚度和方阻的均匀性。本装置结构简单、易于安装。
发明内容
为了解决薄膜厚度和方阻的均匀性不佳的技术问题，本实用新型的技术方案为：
一种薄膜沉积均匀进气装置，应用于物理气相沉积腔体，所述沉积腔体内使用永磁装置通过直流、交流或脉冲直流磁控溅射，将金属氮化物或金属氧化物薄膜沉积到晶圆表面；其中，所述的磁控溅射装置包括永磁装置、靶材和溅射动力源（可以是直流、交流或脉冲直流电源）；
所述薄膜沉积均匀进气装置包括气环和进气座；
所述气环呈半圆环状，所述的进气座有两个；气环与进气座相连，两两相固定，构成圆环状。所述进气装置放置在靶材和晶圆加热盘之间，固定在靶材下方；
所述气体均匀进气装置，通过设计环形进气口装置，使的反应气体均匀进入反应腔，从而在晶圆表面均匀反应和沉积，改善晶圆表面沉积薄膜的厚度和方阻的均匀性；
所述的气环采用不锈钢材料，外表面做喷砂处理，内表面做抛光处理；采用不锈钢材料可起到较好空气密封作用，圆环表面做喷砂处理，提高附着力，使得沉积材料可以牢固的附在其表面，避免出现颗粒问题。所述气环内壁开多个小孔，用做出气口；
所述进气座采用不锈钢材料，正面开三个圆形孔洞，两边为螺纹固定孔，中间为进气孔；所述进气座内部开两个进气槽，连接进气孔和气环固定口；
综上所述，本实用新型一种薄膜沉积均匀进气装置，是内置在反应腔中的分散型进气装置，设备结构简单、易于安装。
附图说明
图1为本实用新型安装位置示意图；
图2为本实用新型总体结构示意图；
图3为本实用新型气环结构示意图；
图4为本实用新型进气座结构示意图；
图5为本实用新型进气座剖面图；
图6为本实用新型气环与进气座安装图；
1.气环；2.进气座；3.靶材；4.进气装置；5.腔体；6.晶圆加热盘。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本实用新型做进一步说明；
如图1所示，进气装置4安装在靶材3和晶圆加热盘6之间，固定在靶材3下方。如图2所示，一种薄膜沉积均匀进气装置，包括气环1和进气座2。所述的气环1呈半圆形，所述的进气座2有两个；气环1与进气座2相连，两两相固定，构成圆环状；
如图3所示，所述的气环1呈半圆环状，采用不锈钢材料，外表面做喷砂处理，内表面做抛光处理；采用不锈钢材料可起到较好空气密封作用，圆环表面做喷砂处理，可提高附着力，使得沉积薄膜可以牢固的附在其表面，防止因沉积物剥落而出现颗粒问题。所述气环1内壁开多个小孔，用做出气口；
如图4-5所示，所述进气座2采用不锈钢材料，正面开三个圆形孔洞，两边为螺纹固定孔，中间为进气孔；所述进气座2内部开两个进气槽，连接进气孔和气环1固定口；
如图6所示，安装时，将两个进气座2分别固定在一个气环1两端，再将第二个气环1与进气座2固定，形成闭合圆环。最后，将组装好的进气装置4安装在腔体5里，固定在靶材3下方；
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本实用新型的原理而采用的示例性实施方式，然而本实用新型并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本实用新型的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本实用新型的保护范围。
Claims (6)
1.一种薄膜沉积均匀进气装置，应用于物理气相沉积腔体，所述沉积腔体内使用永磁装置通过直流、交流或脉冲直流磁控溅射，将金属氮化物或金属氧化物薄膜沉积到晶圆表面；其中，所述的磁控溅射装置包括永磁装置、靶材和溅射动力源，所述溅射动力源可以是直流、交流或脉冲直流电源；其特征在于：所述薄膜沉积均匀进气装置放置在靶材和晶圆加热盘之间，固定在靶材下方。
2.根据权利要求1所述的薄膜沉积均匀进气装置，其特征在于，所述薄膜沉积均匀进气装置包括气环和进气座，所述的进气座有两个，所述气环与所述进气座相连，两两相固定，构成圆环状。
3.根据权利要求2所述的薄膜沉积均匀进气装置，其特征在于：所述的气环由两个半圆环状组成，采用不锈钢材料，外表面做喷砂处理，内表面做抛光处理。
4.根据权利要求2所述的薄膜沉积均匀进气装置，其特征在于：所述气环内壁开多个小孔，用做出气口。
5.根据权利要求2所述的薄膜沉积均匀进气装置，其特征在于：所述进气座采用不锈钢材料，正面开三个圆形孔洞，两边为螺纹固定孔，中间为进气孔。
6.根据权利要求2所述的薄膜沉积均匀进气装置，其特征在于：所述进气座内部开两个进气槽，连接进气孔和气环固定口。
Priority Applications (1)
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| CN201822144002.4U CN209702845U (zh) | 2018-12-20 | 2018-12-20 | 薄膜沉积均匀进气装置 |
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Publications (1)
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Family Applications (1)
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| CN201822144002.4U Active CN209702845U (zh) | 2018-12-20 | 2018-12-20 | 薄膜沉积均匀进气装置 |
Country Status (1)
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| CN (1) | CN209702845U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116607118A (zh) * | 2023-07-19 | 2023-08-18 | 上海陛通半导体能源科技股份有限公司 | 一种磁控溅射设备及工艺流程 |
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2018
- 2018-12-20 CN CN201822144002.4U patent/CN209702845U/zh active Active
Cited By (2)
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|---|---|---|---|---|
| CN116607118A (zh) * | 2023-07-19 | 2023-08-18 | 上海陛通半导体能源科技股份有限公司 | 一种磁控溅射设备及工艺流程 |
| CN116607118B (zh) * | 2023-07-19 | 2023-10-10 | 上海陛通半导体能源科技股份有限公司 | 一种磁控溅射设备及工艺流程 |
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